【課題】画質の劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、少なくとも１つの不純物層５５を含むフォトダイオード５と、フォトダイオード形成領域５０内に設けられ、フォトダイオード５の下方に設けられる空洞５９とを、含んでいる。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止するために設けられた区画層を有する固体撮像素子において、高画質化のために受光部サイズが小型化された場合であっても、感度特性の劣化を抑制し、良好な画質の実現を図ることを目的とする。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１内に行列状に配置され、光電変換する複数の受光部１２と、半導体基板１１の上側に配置され、受光部１２それぞれの上方に対応する部位に開口を有し、前記開口と開口の間の部位により受光部１２の上方を受光部１２毎に区画する区画層２０と、前記開口内部に配されたカラーフィルタ層２４と、を備え、区画層２０は、区画本体層２１と、区画本体層２１上に積層された密着層２２および金属層２３とで構成され、最上位に配された金属層２３は、金属から成る。 （もっと読む）

【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型ＣＭＯＳイメージセンサーのリーク電流を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、半導体基板の上にエピタキシャル半導体層４をエピタキシャル成長させる工程と、前記エピタキシャル半導体層４に光電変換部を形成する工程と、前記光電変換部の形成後に、前記エピタキシャル半導体層４の上に配線層を形成する工程と、前記配線層の上に支持基盤２３を接合する工程と、前記接合の後に、前記半導体基板を前記接合とは反対面側からエッチングする工程を含む。半導体装置の製造方法は、前記エッチングする工程の後に、前記エピタキシャル半導体層４の前記反対面側にアモルファスＳｉ層２６を形成する工程と、前記アモルファスＳｉ層の上に、反射防止膜、カラーフィルタを順に形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】３個または４個のトランジスタで構成され、コンパクトなレイアウトのピクセル、高感度、少ないノイズ及び低い暗電流を有する実用的なイメージセンサを提供する。
【解決手段】隣接するローにそれぞれ割り当てられる２個のフォトダイオード３０２、３０３、及びフォトダイオード３０２、３０３に共有される共通フローティング拡散領域３０６を有する第１アクティブ領域３０１と、第１アクティブ領域３０１と空間的に分離されて形成され、ピクセルをリセットさせるリセットトランジスタ有する第２アクティブ領域３０９と、第１及び第２アクティブ領域３０１、３０９と空間的に分離されて形成され、共通フローティング拡散領域３０６の電荷に応答てピクセル信号を出力する駆動トランジスタを有する第３アクティブ領域３２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の撮像素子をタイル状につなぎ合わせた大面積撮像装置において、ダイシング後の切断面に欠損が無く、画素配列に欠落を生じない素子端部の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】つなぎ合わせ端部の受光領域の構造が素子分離領域の一部であって密接する互いの素子分離領域の幅の合計がつなぎ合わせ領域以外の素子分離領域の幅と同等もしくはそれよりも狭く形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率を高めると共に感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、行列状に配置された複数の画素を備えた撮像領域が形成された半導体基板１０３と、撮像領域の上に形成された第１の配線層（撮像領域側）１０５ａおよび第２の配線層１０５ｂとを備え、前記撮像領域において、複数フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＧ、フローティングディフュージョンＦＤ、リセットトランジスタＲＳ、増幅トランジスタＳＦが形成され、隣接する画素の間を列方向に延伸する行方向配線及び隣接する画素の間を列方向に延伸する列方向配線は、第２配線層１０５ｂにおいて画素の中央部では１本以下である。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジを向上させた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】
列方向に隣接した少なくとも４つのフォトダイオード１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ、１３２ｄを含んで１つの単位セルが構成され、半導体基板には単位セル毎に、少なくとも４つのフォトダイオードの各々に対応し、ドレインがフローティングディフュージョン１３８ａ、１３８ｂとして機能する少なくとも４つの転送トランジスタと、フローティングディフュージョンの電位をリセットするためのリセットトランジスタと、フローティングディフュージョンの電位に応じた電圧信号を出力する増幅トランジスタが形成され、配線層は２層構造であり、２層のうち下側の層は、列方向に隣接したフォトダイオードの間を行方向に延伸して形成された複数の配線を含み、複数の配線にはフローティングディフュージョンの電位を制御するためのフローティングディフュージョン制御配線２１１が存在する。 （もっと読む）

【課題】隣接画素間の光干渉によるイメージ特性の劣化を防止できるイメージセンサを提供する。
【解決手段】画素領域及びロジック領域を備えるイメージセンサにおいて、前記画素領域の基板に設けられるフォトダイオードＰＤと、前記画素領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｍのメタルライン（Ｍは、１より大きい自然数）と、前記ロジック領域の基板上に設けられる第１のメタルラインないし第Ｎのメタルライン（Ｎは、Ｍより大きい自然数）と、前記画素領域の前記第Ｍのメタルライン上において、前記フォトダイオードとオーバーラップされないように配置された少なくとも１つのダミーメタルラインＤＭ１，ＤＭ２と、前記フォトダイオードとオーバーラップされるように、前記ダミーメタルライン上に配置されたマイクロレンズＭＬとを含むイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】ｎ型イオン注入領域を二重に形成することにより、素子の均一度の低下なく、良好な電荷移送効率を確保できるＣＭＯＳイメージ・センサー及びその製造方法を提供する。
【解決手段】素子分離膜２２が形成された半導体基板２１上にトランスファー・ゲート２３を形成し、トランスファー・ゲート２３に整列するフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４を含むフォトダイオード用第２のｎ型イオン注入領域２４を形成し、フォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４と一部が重なるフォトダイオード用ｐ型イオン注入領域２６を、半導体基板２１の表面とフォトダイオード用第１のｎ型イオン注入領域２４との間に形成し、トランスファー・ゲート２３の両側壁にスペーサ２７を形成し、トランスファー・ゲート２３の他側にフローティング拡散領域２８を形成する。 （もっと読む）

【課題】縦型の転送トランジスタを備える固体撮像装置において、飽和電荷量のばらつきが低減され、歩留まりの向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０に形成され、入射した光の光量に応じた信号電荷を生成、蓄積する光電変換部ＰＤを備える。また、光電変換部ＰＤの深さに応じて基板３０の一方の面側から深さ方向に形成された溝部２９に埋め込まれて形成された縦型の転送ゲート電極２０を備える。そして、縦型の転送ゲート電極２０を備える固体撮像装置において、光電変換部ＰＤに蓄積された信号電荷をオーバーフローさせるオーバーフローパス２７が、転送ゲート電極２０の底部に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型の固体撮像装置において、画素が微細化されても感度の向上を図る。
【解決手段】画素トランジスタのうち、少なくともリセットトランジスタ及び増幅トランジスタを共有する横２画素、縦４×ｎ画素（ｎは正の整数）のフォトダイオード配列を１共有単位としたレイアウトを有する。そして、増幅トランジスタのゲート長を画素ピッチ以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
【解決手段】このフォトダイオード１は、半導体又は金属から成る基板２と、基板２上に形成された埋め込み絶縁層３と、埋め込み絶縁層３上の所定領域に沿って並んで形成されたｐ型半導体層６及びｎ型半導体層７を含む半導体層５，６，７と、半導体層５，６，７上に形成されたゲート絶縁層８と、ゲート絶縁層８上に配置され、平面状の金属膜９ａに直線状の貫通溝９ｂが等間隔に形成された回折格子部９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の光感度の低下を抑制する。
【解決手段】入射光を電気信号に変換する光電変換部を有する画素２と、画素２に対応して形成されたカラーフィルタ１５と、カラーフィルタ１５を介して入射光を光電変換部ＰＤに集光するマイクロレンズ１６と、を含む複数の画素領域と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、前記画素領域の辺部に形成された第１遮光部１７と、マイクロレンズ１６側の第１の端面と該第１の端面と対向する第２の端面とを有し、画素２の表面から第１の端面までの距離が、第１遮光部１７より短く、画素領域の角部に形成された第２遮光部１８と、を備える固体撮像装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、光電変換効率を向上でき、結晶欠陥起因の望ましくない電流を低減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、フォトダイオードを備えた固体撮像装置が提供される。フォトダイオードでは、第１導電型の領域と第２導電型の領域とが接合されている。第１導電型の領域は、第１の半導体領域と複数の第２の半導体領域とを有する。第１の半導体領域は、Ｓｉを主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（０＜ｘ≦１）を主成分とする材料で形成されている。複数の第２の半導体領域のそれぞれは、第１の半導体領域の上に島状に配されている。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流が生じる原因となるシリサイド材料のスパイクを防止し、画像欠陥である白キズ及びＲＴＳノイズを低減できるようにする。
【解決手段】固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板の上に形成され、入射光を光電変換するフォトダイオード、フォトダイオードで得られた信号を転送するための転送トランジスタ、及び信号を増幅するための画素内トランジスタを含む複数の単位画素１１が一次元状又は二次元状に配列された感光領域１０を備えている。画素内トランジスタは、ゲートパターン１３とシリサイドが形成された拡散層１２とを含み、拡散層１２の表面の少なくとも一辺の近傍にダミーパターン１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 フローティングディフュージョン部の容量の増大を抑制することが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】 光電変換素子と、フローティングディフュージョン部と、転送トランジスタと、増幅トランジスタとが配された半導体基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを含む複数の配線層と、を有する光電変換装置において、転送トランジスタのゲート電極と、前記第２の配線層とがスタックコンタクト構造で接続されている。 （もっと読む）

【課題】チップサイズ・パッケージを持ち、容易に製造することができる固体イメージセンサである。
【解決手段】受光素子層（２０）の半導体基板（２１）に複数の画素領域に対応して素子形成領域を形成し、それら素子形成領域内に半導体受光素子（ＰＤ）を形成して、透光性絶縁膜（２５ａ）、（２５ｂ）、（２６）で覆う。絶縁膜（２６）上に、複数のマイクロレンズ（４３）を内蔵した光導入用キャビティ（４２）と、それを閉鎖する石英キャップ（５１）を持つ光導入層（４０）を形成する。半導体受光素子（ＰＤ）の出力電気信号は、半導体基板（２１）の埋込配線を介してその底面に取り出し、出力層（１０）またはインターポーザ（１０Ａ）を介して固体イメージセンサの外部に取り出す。 （もっと読む）

【課題】ラインセンサにおいて、画素内で発生したランダムノイズを低減することができ、これにより製造歩留まりを向上する。
【解決手段】複数の画素を１次元に配列してなる画素部１２０を有し、該複数の画素の各々で光電変換により得られた信号電荷を画素信号に変換して出力するラインセンサ１００において、該画素Ｐａは、入射光を光電変換して信号電荷を発生する光電変換素子ＰＤと、該光電変換素子で発生した信号電荷に応じた信号電圧を増幅する複数の増幅トランジスタＡＭＰｎ１、ＡＭＰｎ２、・・・、ＡＭＰｎｋとを備え、複数の増幅トランジスタの各々で増幅された信号電圧を複数の画素信号として並列出力し、この並列出力された複数の画素信号の信号レベルを平均化して得られる平均値を、各画素の画素値として出力する。 （もっと読む）

【課題】光により励起されたキャリアが再結合により消滅するのを防止することができ、光電変換効率の向上を図ることができる光伝導体およびこの光伝導体を用いた光電変換素子を提供する。
【解決手段】導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１と、少なくとも一つの、長寿命励起状態を有する色素１２ａを含む一つまたは複数のタンパク質１２との複合体により光伝導体を形成する。色素１２ａが発光中心となる。導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１はネットワーク状に形成される。導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１とタンパク質１２とは非共有結合または共有結合により互いに結合している。この光伝導体のネットワーク状の導電性ポリマーおよび／または高分子半導体１１の互いに異なる部位に第１の電極および第２の電極を電気的に接続して光電変換素子を構成する。 （もっと読む）