【課題】撮像特性の局所的な不均一性を抑制することができるようにする。
【解決手段】例えばCMOSセンサ等の固体撮像素子であって、それぞれがフォト・ダイオードを有し、入射光を光電変換して電気信号を出力する複数の画素よりなる少なくとも１つの画素を有し、その一部の画素の、例えばAL配線層等任意の階層のレイアウトが、その他の画素の同階層のレイアウトと異なる。本開示は撮像素子または撮像装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置の画質の向上を図る。
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１０内に設けられ、光が照射される複数の第１の光電変換部を有する第１の領域２と、半導体基板１０内に設けられ、第１の領域２に隣接する第２の領域３と、受光面に対して垂直方向において第１の領域２と重なる位置に配置され、第１の光電変換部にそれぞれ対応する複数の第１のレンズ９と、記第１の領域２と第１のレンズ９との間において２つの領域２，３との境界部の段差に隣接し、第１の領域２に対応する第２のレンズ７Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】飽和信号レベルの低下を抑制しつつ、ブルーミングを低減する。
【解決手段】画素アレイ部１は、光電変換した電荷を蓄積する画素ＰＣがマトリックス状に配置され、垂直駆動回路２は、各画素のＰＣの蓄積期間に画素ＰＣを複数のラインごとに一括して駆動し、画素ＰＣに蓄積された所定レベル以上の電荷を排出させる。前記垂直駆動回路は、前記画素の読み出し期間に前記画素を１ラインごとに駆動し、前記画素に蓄積された全ての電荷を読み出させる。 （もっと読む）

【課題】本発明の一つの実施形態の目的は、素子分離特性を向上可能な固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態によれば、固体撮像装置の製造方法が提供される。固体撮像装置の製造方法は、素子分離領域形成工程と、電荷蓄積領域形成工程とを含む。素子分離領域形成工程では、第１導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて光電変換素子間を分離する素子分離領域を形成する。電荷蓄積領域形成工程では、第２導電型の半導体層をエピタキシャル成長させて前記光電変換素子における電荷蓄積領域を形成する。 （もっと読む）

【課題】ダングリングボンドに起因する暗電流を抑制しつつ、光電変換部の損傷に起因する暗電流を抑制できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１００は、半導体基板１０と、フォトダイオード１２と、電荷転送部１４と、ゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上の前記電荷転送部１４に上方に形成された電荷転送電極２２と、電荷転送電極２２に沿って形成されフォトダイオード１２上方まで拡がる第１シリコン窒化膜３０と、フォトダイオード１２上方以外の領域における第１シリコン窒化膜３０の上面に沿って形成され電荷転送電極２２のを覆う遮光膜４０と、遮光膜４０の上面及び側面に沿って形成されると共に、フォトダイオード１２上方で第１シリコン窒化膜３０に接触している第２シリコン窒化膜５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制しながらも、転送効率の向上が図られた固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】光電変換部（ＰＤ）を構成する第１暗電流抑制領域２１を、転送ゲート電極２６と一部重なるように形成する。また、その下層に、第１暗電流抑制領域２１と同導電型で構成され、第１暗電流抑制領域２１よりも低濃度の不純物領域からなる転送補助領域２２を形成する。また、この第１暗電流抑制領域２１と転送補助領域２２との転送ゲート電極２６下の端部は同一位置となるように位置あわせして形成されている。第１暗電流抑制領域２１により暗電流の抑制が図られ、また、転送補助領域２２により、転送効率の向上が図られる。 （もっと読む）

【課題】接続部に不具合が生じた場合に同時に欠陥画素となる画素数を低減する。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の画素を備え、当該画素を構成する回路要素が配置された第１の基板と第２の基板とが複数の接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、前記画素は、前記第１の基板に含まれる光電変換素子と、前記光電変換素子で発生し、前記接続部を経由した信号を前記画素から出力する、前記第２の基板に含まれる出力回路と、を有し、前記第１の基板において、前記複数の画素が配列された領域は、前記画素を複数含み形状が十字形である複数の部分領域を含み、前記部分領域に対応して前記接続部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ方式で電荷の蓄積を行うイメージセンサにおいて、蓄積期間
終了時から最後の行を読み出すまでの期間、蓄積電荷保持部からの電荷の流出を極力抑制
することのできる半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】画素がマトリクス状に複数配置されたＣＭＯＳセンサ型のイメージセンサに
おいて、画素部の電荷蓄積制御トランジスタ及びリセットトランジスタにチャネル形成領
域が酸化物半導体で形成されたトランジスタを使用し、マトリクス状に配置された全ての
画素で信号電荷蓄積部のリセット動作を行った後、全ての画素でフォトダイオードによる
電荷の蓄積動作を行い、行毎に画素から信号の読み出し動作を行うことで歪みの無い撮像
を可能とする。 （もっと読む）

【課題】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を備える電子機器において、画素の回路を複数画素で共有し、画素の小型化が図られた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置１を備える電子機器５０において、固体撮像装置１は、複数の画素で複数の画素トランジスタを共有する画素アレイ部を備える。そして、電子機器５０は、静止画の撮影において露光期間の終了時を決定するメカニカルシャッタ６１を備える。これにより、蓄積部が複数画素で共有されているにも関わらずグローバルシャッタ可能な、小型高解像度の電子機器が提供できる。 （もっと読む）

【課題】高集積化に伴う、個々の光電変換部で受光される光量の減少より、光電変換部に対して、その隣の光電変換部に入射すべき光が漏れ込んできたときの混色が大きくなる。
【解決手段】撮像領域の配線層の層数が周辺回路領域の配線層の層数より少ない配線構造と、撮像領域における配線構造の上部に配置された複数のマイクロレンズと、撮像領域における最上の配線層の上部であって、隣接する光電変換部の間に配置された反射部と、を有する固体撮像装置を提供することによって、前記問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜の劣化を抑制する。
【解決手段】固体撮像素子は、行列状に配置された複数の画素と、画素の行ごとに駆動信号を出力する垂直駆動部とを備えて構成される。画素は、シリコン基板上に他の画素と分離されて形成された画素電極と、前記画素電極上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜上に形成された対向電極とを有している。そして、対向電極が、隣接する他の対向電極と電気的に分離されている。また、垂直駆動部は、少なくとも読み出しタイミングが異なる画素の行ごとに、画素の露光期間以外の所定のタイミングで、画素の露光中に光電変換膜に印加される電位に対して逆方向となる電位を印加する。本開示は、例えば、デジタルスチルカメラなどの電子機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】スミア低減効果を得る。
【解決手段】
半導体基板内に行列状に形成された複数のフォトダイオード７と、半導体基板内における各列のフォトダイオードの間に形成された垂直転送領域９と、半導体基板内における各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間に形成されたチャネルストップ領域５と、を含む固体撮像装置において、各チャネルストップ領域は、不純物を含有し、各列のフォトダイオード７とそれに隣接する垂直転送領域９との間の中央よりも垂直転送領域寄りに不純物濃度の最大値をとり、前記不純物濃度の最大値の位置から各列のフォトダイオードに向かって不純物濃度が単調減少する。 （もっと読む）

【課題】複数枚のチップを接続することによって構成される固体撮像装置において、高輝度の光が入射した場合でも、ノイズの少ない良好なグローバル露光方式の画像を取得することができる固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、および撮像装置を提供する。
【解決手段】第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する接続部によって、第１の基板と第２の基板とを電気的に接続する固体撮像装置であって、当該固体撮像装置が有する画素部は、第１の基板に含まれ、光電変換素子を具備する画素と、画素で発生した信号を第２の基板に供給する信号線と、第２の基板に含まれ、信号線を経由して供給された信号を蓄積する信号蓄積回路と、第２の基板に含まれ、信号蓄積回路に蓄積された信号を出力する出力回路と、を有し、当該固体撮像装置は、信号線の電圧が、所定の電圧以下にならないようにクリップするクリップ回路を、さらに有する。 （もっと読む）

【課題】何れかの行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、受光部１０、信号読出部２０、行選択部３０、列選択部４０、溢れ出し防止部５０および制御部６０を備える。受光部１０では、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチと、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列されている。第ｍ行のＮ個の画素部Ｐ_ｍ,１〜Ｐ_ｍ,Ｎそれぞれは、第ｍ行選択用配線Ｌ_Ｖ,ｍにより行選択部３０および溢れ出し防止部５０と接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を有する固体撮像装置の画素から複数の読み出し方式により信号を読み出すと共に、複数の読み出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式により１枚の基板のみを使用して信号を読み出す。
【解決手段】本発明の一態様に係る固体撮像装置は、複数の基板が接続部によって電気的に接続されている固体撮像装置であって、第１〜第ｎ（ｎは２以上の整数）の読み出し方式のそれぞれに対応して信号の読み出しを可能にする回路要素を含む第１〜第ｎの回路セットを有し、複数の基板のうちの１枚の基板のみに配置された回路要素を使用して、光電変換素子による信号の発生から、第１〜第ｎの読出し方式のうち少なくとも１つの読み出し方式による信号の読み出しまでの動作が完了するよう、光電変換素子、読み出し回路、および少なくとも１つの読み出し方式に対応した回路セットが１枚の基板に配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体部材同士が強固に接合された半導体装置、電子機器、及び、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第２配線層９に接合させる第１配線層２を、第１層間絶縁膜３と、第１層間絶縁膜３内に埋め込まれ、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置した第１電極パッド４と、一方の表面が第１層間絶縁膜３の表面と同一面上に位置し、第１電極パッド４の周囲に配設された第１ダミー電極５と、によって構成する。また、第２配線層９は、第１層間絶縁膜３の第１電極パッド４の表面側に位置した第２層間絶縁膜６と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜３側の表面と同一表面上に位置し、かつ第１電極パッド４に接合された第２電極パッド７と、一方の表面が第２層間絶縁膜６の第１層間絶縁膜側３の表面と同一面上に位置し、第２電極パッド７の周囲に配設され、第１ダミー電極５に接合された第２ダミー電極８と、により構成する。 （もっと読む）

【課題】小型でコントラストの高い画像データを取得することができるフォトセンサを提供する。該フォトセンサを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子と、スイッチング素子であるトランジスタと、トランジスタを介して受光素子と電気的に接続する電荷保持ノードとを有するフォトセンサにおいて、導通状態から非導通状態とするためにトランジスタへ供給する駆動パルスの入力波形の立ち下がり時間を遅延させ、電荷保持ノードが保持する電荷の減少を抑制する。 （もっと読む）

【課題】画像の劣化を抑制する。
【解決手段】半導体基板４０内の表面にフォトダイオード４２を有する画素領域１０と、前記画素領域とその周辺に配置された周辺回路領域２０との間に配置され、前記半導体基板内の表面に前記フォトダイオードと機能が異なる画素を有する非画素領域と、を具備し、前記非画素領域における前記半導体基板内で、かつ前記画素の下方に空洞４１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 固体撮像装置において、有効画素とリファレンス画素とが差動対を構成し、有効画素とリファレンス画素のそれぞれに設けられた増幅ＭＯＳトランジスタが差動対の入力段のＭＯＳトランジスタとして動作する回路構成が知られている。従来の構成では、リファレンス画素に不具合があった場合に差動対が出力する信号の精度が低下する問題があった。
【解決手段】 リファレンス信号を出力する少なくとも１つのリファレンス画素を複数のリファレンス画素の中から選択する構成を有する固体撮像装置である。 （もっと読む）

【課題】画素信号を加算して読み出す場合において、カラム処理の回数を減らすことが可能となり、その結果として、回路の低消費電力化や更なる高速撮像を実現することが可能な固体撮像装置およびカメラシステムを提供する。
【解決手段】画素配列の１列に対して複数の列信号線が配線され、複数の列信号線に画素の位置する行に応じて規則的に接続さている画素アレイ部と、画素アレイ部から複数の画素単位で画素信号の読み出しを行い、読み出し信号に対してカラム単位でカラム処理を行うカラム処理部を含む画素信号読み出し部とを有し、画素信号読み出し部は１つのカラム処理部の入力に対して、並列に接続された複数のキャパシタを介してカラムに対応する列に配線された１または複数の列信号線を接続可能なカラム入力部を含み、カラム入力部は複数のキャパシタとカラムに対応する複数の列信号線との接続状態を変更可能なスイッチを含む。 （もっと読む）