【課題】 生成する画像中のノイズを抑制するとともに容易に製造することが可能な固体撮像素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 転送トランジスタ３は、ｐ型の基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電子を蓄積するｎ型の受光部２１と、基板１０中に形成される受光部２１よりもｎ型不純物の濃度が高いｎ型の浮遊拡散領域４と、基板１０上に設けられる絶縁層３１と、絶縁層３１上かつ少なくとも受光部２１及び浮遊拡散領域４の間に設けられるｎ型のゲート電極３２と、を備える。ゲート電極３２は、浮遊拡散領域４側ほどｎ型不純物の濃度が高く、受光部２１側ほどｎ型不純物の濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】受光面側にパッド配線を設けた裏面照射型の固体撮像装置において、絶縁膜の薄膜化を図ることにより光電変換部での受光特性の向上を図ることが可能な裏面照射型の固体撮像装置を提供する。
【解決手段】このような目的を達成するための本技術の固体撮像装置は、光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板を備え、このセンサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側には駆動回路が設けられている。また画素領域の外側の周辺領域には、センサ基板における受光面側から駆動回路に達しする貫通ビアが設けられている。さらに、周辺領域の受光面側には、貫通ビア上に直接積層されたパッド配線が設けられている。 （もっと読む）

【課題】各マイクロレンズに対して複数の画素が割り当てられた構成を有する固体撮像装置における感度の向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】互いに反対側の面である第１面および第２面を有する半導体基板を含む固体撮像装置は、複数の画素集合が配列された画素アレイと、各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズとを備え、各画素集合は、複数の画素を含み、各画素は、光電変換部と当該画素における回路の一部を構成する配線パターンとを含み、前記光電変換部は、前記半導体基板に形成され、前記配線パターンは、前記半導体基板の前記第１面の側に配置され、前記複数のマイクロレンズは、前記半導体基板の前記第２面の側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｓ／Ｎ比の向上ならびにダイナミックレンジを拡大することのできる撮像システムを提供することを目的とする。さらに、これに適した撮像システムの駆動方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 行列状に配列された複数の画素と、複数の画素の各列に設けられた列増幅部と、列増幅部で増幅されたことに基づく画像信号を出力する出力部と、を有する固体撮像素子と、画像信号を受ける信号処理部と、を備える撮像システムにおいて、列増幅部は、画素から出力される一の信号を１よりも大きいｑ倍のゲインで増幅し、信号処理部はｑ倍のゲインで増幅されたことに基づく画像信号に対して、１を下回る倍率をかける。 （もっと読む）

【課題】画素が微細化されても、転送トランジスタのトランジスタ特性を維持し、かつ光電変換素子の受光面積を十分に確保できる固体撮像装置及びカメラを提供する。
【解決手段】光電変換素子ＰＤと画素トランジスタからなる画素が複数配列され、画素トランジスタのうちの転送トランジスタにおける転送ゲートのチャネル幅が、光電変換素子ＰＤ側よりフローティングディフージョン（ＦＤ）領域側で広くして成る。そして、転送ゲートは、ＦＤ領域と転送ゲートとが接する位置の両端部間を結ぶ直線よりも、ＦＤ領域側に少なくともその一部が形成されている。さらに、ＦＤ領域は、直線と平行な方向において、転送ゲートと接する位置以外のＦＤ領域の端部間の長さが、両端部間を結ぶ直線からＦＤ領域側に向けて広がる部分を有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの縦方向の微細化を図る。
【解決手段】実施形態に係わる固体撮像装置は、光の入射側の第１の面及びそれと反対側の第２の面を有する半導体基板１１と、半導体基板１１内のフォトダイオード１２と、半導体基板１１の第１の面側においてフォトダイオード１２の全体を覆い、半導体基板１１の外側から内側に向かう光を透過し、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する機能層１３と、半導体基板１１の第２の面の全体を覆い、半導体基板１１の内側から外側に向かう光を反射する機能を有する反射層１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】画素セルが３つのトランジスタで構成される場合でも、横引きノイズの発生を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】駆動回路は、所定の画素セル１１に対して、リセットトランジスタ１１７をＯＮ状態とすることで、増幅トランジスタ１１３のゲートの電位をリセットする電子シャッター動作を行い、電子シャッター動作が行われた所定の画素セル１１に対して、選択トランジスタ１１５及びリセットトランジスタ１１７を同時にＯＮ状態とすることで、リセットされた増幅トランジスタ１１３のゲートの電位に応じた電圧をリセット信号として画素セル１１から列信号線１４１に出力させるリセット信号の信号読み出し動作を行い、電子シャッター動作において、リセットトランジスタ１１７がＯＮ状態とされている時に選択トランジスタ１１５がＯＮ状態とされる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】焦点検出の精度、画質などを損なわずに、低コストで自由度の高い撮像素子を提供することができるようにする。
【解決手段】フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、金属製の遮光膜を有する複数の第１の画素と、フォトダイオードおよび画素内トランジスタを含んで構成される画素であって、前記遮光膜を有しない複数の第２の画素とを備え、前記第１の画素および前記第２の画素に含まれるフォトダイオードの周囲が金属製の枠により覆われている。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】感度の向上と感度のばらつきの低減のために有利な技術を提供する。
【解決手段】複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置において、前記配線構造は、前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する反射部と、前記反射面と前記第１面との間に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】白キズや飽和電荷量を改善し、微細化に適した固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】本実施形態に係る固体撮像素子は、３画素で出力回路を共有化したブロック基本ブロックを２個準備し、一方を１８０度回転させリセットドレインを共有化して配置した６画素１セルとし、これを正方格子状または市松状に配置することで、画素と隣接する出力回路間の素子分離領域を極力減らし、かつ画素廻りの配線本数を減らし、セルを微細化しても白キズ、飽和電荷量に対するマージンを高めた固体撮像素子。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＯＳ形成製造方法を用いながら、撮像性能向上に寄与するＰＤ形成用ウエル構造を実現する。
【解決手段】光を信号電荷に変換する光電変換領域を含む画素と、該画素が形成された画素領域外に、前記信号電荷を処理するための回路を含む周辺回路が同一基板上に配置された光電変換装置において、前記基板に形成された第一導電型の第１の半導体領域と前記信号電荷と同導電型である第二導電型の第２の半導体領域を含んで前記光電変換領域が形成され、第一導電型の第３の半導体領域を含んで前記周辺回路が形成されており、前記第１の半導体領域の不純物濃度は前記第３の半導体領域の不純物濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上、およびコスト削減を図る。
【解決手段】半導体装置は、デバイス基板６００と、前記デバイス基板上に接合された支持基板２００と、を具備する。前記デバイス基板は、前記支持基板との接合面側の外周部に溝５０を有する。 （もっと読む）

【課題】ランダムノイズの影響を低減した撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】入射光に応じて発生した電荷を蓄積して信号を出力する複数画素の有効画素領域及び入射光に依存しない信号を出力する複数画素の非有効画素領域を含む画素部と、前記画素部の画素の列毎に設けられる複数の垂直信号線と、前記画素部の画素を行単位に走査して選択することにより前記選択された同一行の画素の信号を前記複数の垂直信号線に出力させる垂直走査回路と、前記複数の垂直信号線の信号を走査して選択することにより前記選択された垂直信号線の信号を出力させる水平走査回路とを有し、前記垂直走査回路は、１フレームの間に前記有効画素領域の同一行の画素を行単位で１回選択し、１フレームの間に前記非有効画素領域の同一行の画素を行単位で複数回選択することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】光を感知するピクセル面積量が減少することがなく、低照度性能が低下することがないイメージセンサを提供する。
【解決手段】裏面照明（「ＢＳＩ」）イメージセンサピクセル（４００）は、フォトダイオード領域（４２０）と、ピクセル回路（４３０）とを含む。フォトダイオード領域は、ＢＳＩイメージセンサピクセルの裏面上に入射する光に応答してイメージ電荷を蓄積するために半導体ダイ内に配置される。ピクセル回路が、半導体ダイの前面とフォトダイオード領域との間で半導体ダイ内に配置されたトランジスタピクセル回路を含む。ピクセル回路の少なくとも一部はフォトダイオード領域に重なり合っている。 （もっと読む）

【課題】画素間においての混色を防止することが可能で、これにより撮像特性の向上が図られた固体撮像装置を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置１-1は、半導体層３０と、半導体層３０の内部に半導体層３０の表面に対して２次元的に配列されたｎ＋型（第1導電型）の電荷蓄積領域３１とを備えている。さらに半導体層３０の内部には、半導体層３０の表面から電荷蓄積領域３１までの深さにわたってｐ＋型（第２導電型）の界面領域３７が設けられている。特に、電荷蓄積領域３１を囲む位置には、界面領域３７に対してｐ型不純物が追加で導入されたｐ++型の高濃度領域３９が電荷移動防止領域として設けられている。 （もっと読む）

【課題】複数のフォトダイオード間の例えば感度等の特性のばらつきを抑制することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置を、複数の光電変換部と、フローティングディフュージョン部と、複数の転送部と、第１トランジスタ群と、第２トランジスタ群とを備える構成にする。さらに、第１トランジスタ群は、第１のレイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する。そして、第２トランジスタ群を、第１のレイアウト構成と対称的な第２レイアウト構成で配置されたゲート及びソース／ドレインを有する構成にする。 （もっと読む）

【課題】小型画素及び高性能ＣＭＯＳイメージセンサアレイで使用することができる実質
的な画素設計を提供すること。
【解決手段】本発明のリセットトランジスタは、電荷を検出するフローティング拡散領域
と、電荷を排出する接合領域と、リセット信号の制御を受けて、前記フローティング拡散
領域から前記接合領域への電荷転送を制御するゲートと、該ゲートの下部に統合された電
位井戸とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１フレームの画像を撮像するための時間を長くすることなく、暗電流による画質劣化を低減する。
【解決手段】撮像装置は、互いに近接する第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢの組を複数有する撮像素子４と、前記各組の第１の光電変換部ＰＤＡを同時に一旦リセットしてから前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢを露光した後に、前記各組の前記第１の光電変換部ＰＤＡをリセットすることなく前記各組の第２の光電変換部ＰＤＢを同時に一旦リセットした後、前記各組の第１及び第２の光電変換部ＰＤＡ，ＰＤＢに蓄積された信号を読み出す制御を行う制御手段と、を備える。 （もっと読む）