【課題】光電変換層におけるクラックの発生を抑制することが可能な光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の電極２，４と、一対の電極２，４に挟まれた光電変換層３とを含む光電変換素子１００は、電極２と光電変換層３との間に、電極２の光電変換層３側の表面の凹凸を緩和する凹凸緩和層５を備える。凹凸緩和層５は、電極２上にアモルファス性材料又は高分子材料を成膜後、これを加熱することで形成する。 （もっと読む）

【課題】 高い画質の画像を撮像可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る固体撮像装置は、光電変換部１０３ａ、１０３ｂが配された半導体基板１０１を有する。半導体基板１０１に絶縁体１０４が積層される。絶縁体１０４には光電変換部１０３ａ、１０３ｂのそれぞれに対応した穴１０５ａ、１０５ｂが配される。穴１０５ａ、１０５ｂにはそれぞれ部材１０６ａ、１０６ｂが配される。部材１０６ｂに対して半導体基板１０１とは反対側に遮光部材１０８が配され、光電変換部１０３ｂのみが遮光される。このような固体撮像装置において、穴１０５ａ、１０５ｂが同時に形成され、部材１０６ａ、１０６ｂが同時に形成される。 （もっと読む）

【課題】 精度よく開口を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁膜となる部材と、第１の絶縁膜となる部材と異なる材料からなる第２の絶縁膜となる部材と、第３の絶縁膜となる部材と、第３の絶縁膜となる部材と異なる材料の第４の絶縁膜となる部材とがこの順に積層された半導体基板の上に、複数の絶縁膜の開口を形成するための開口を有するマスクを形成する工程と、第３の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分と第４の絶縁膜となる部材のマスクの開口に対応する部分を連続して除去する第１の工程と、第１の工程を行った後に、第２の絶縁膜となる部材のマスクの開口と対応する部分を除去する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ全体の厚みを抑制しつつ、トランジスタからのホットキャリアによる発光の悪影響を抑制し、かつ工程数の削減を可能にした固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２つ以上の半導体チップ部２２、２６が接合され、少なくとも第１の半導体チップ部２２に画素アレイと多層配線層３７が形成され、第２の半導体チップ部２６にロジック回路と多層配線層５９が形成される。両多層配線層３７、５９が向かい合って電気的に接続されて接合される。第１及び第２の半導体チップ部２２、２６の接合付近に、一方又は双方の接続される配線と同じ層の導電膜により形成された遮光層６８が形成される。裏面照射型に構成される。 （もっと読む）

【課題】焦点検出用信号を得るための画素を活用しつつ、暗電流成分をより低減させることができる補正を行う。
【解決手段】固体撮像素子は、入射光を受光して光電変換する光電変換部４１を有する複数の第１の画素２０Ａと、平面視において分割線により分割される一方側の領域及び他方側の領域にそれぞれ存し互いに独立して信号が読み出される第１の光電変換部４５又は４６及び第２の光電変換部４６又は４５を有し、第１の光電変換部４５又は４６は入射光を受光して光電変換する一方で、前記第２の光電変換部４６又は４５は遮光された複数の第２の画素２０Ｌ，２０Ｒと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電荷伝送効率及びフィルファクタを向上可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 イメージセンサ５は、第１面１及び第２面２を有する半導体層１００、半導体層１００の第１面１上に配置される配線層２００、および半導体層１００の第２面２上に配置される光透過層３００を有する。半導体層１００は、光電変換部１１０を構成するｐ型不純物層１１３、及びｎ型不純物層１１１を有する。ｐ型不純物層１１３内に形成されるフローティング拡散領域１３１、及びフローティング拡散領域１３１を囲むように形成されるトランスファーゲート電極１２３は、ｎ型不純物層１１１上の第１面１側に形成される。これにより、光電変換部１１０で電位が最も高い地点とトランスファーゲート電極１２３との間の距離が小さくなるため、フローティング拡散領域１３１への電荷伝送効率が向上することができる。 （もっと読む）

【課題】 光電変換部の電荷の転送効率を向上させることを目的とする。
【解決手段】 活性領域１１５にＮ型半導体領域１０１及びフローティングディフュージョン１０５が配される。ＰＤからＦＤ１０５に電荷を転送するための転送ゲート電極１０３が半導体基板上に絶縁体を介して配される。ＰＤを構成するＮ型半導体領域１０１の一部と転送ゲート電極１０３の一部とが互いに重なる。活性領域１１５にＰ型半導体領域１０６が配される。Ｐ型半導体領域１０６と、Ｎ型半導体領域１０１の転送ゲート電極１０３と重なった部分とは、半導体基板と絶縁体との界面に平行な方向において互いに隣接して配される。Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 （もっと読む）

【課題】ローリングシャッタ的雑音を低減した高性能なグローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】二次元状に配置された複数の単位画素セルを備え、グローバルシャッタ機能を有する固体撮像装置であって、前記複数の単位画素セル２３のそれぞれは、半導体基板の上方に形成され、入射光を信号電荷に変換する光電変換膜１６と、前記光電変換膜の前記半導体基板側の面に形成された画素電極１５と、前記半導体基板上に形成され、グローバルシャッタによって前記光電変換膜１６から転送された信号電荷を蓄積するグローバル電荷蓄積拡散層７とを備え、前記グローバルシャッタは前記複数の単位セルにおいて同時に光電変換膜１６からグ信号電荷を転送することであり、前記画素電極１５は、遮光性を有する金属で形成される。 （もっと読む）

【課題】光検出感度の低下を抑えながらクロストークを低減するために有利な技術を提供する。
【解決手段】位相差検出方式による焦点検出のための複数の画素を含む固体撮像装置において、前記画素は、互いに独立して信号の読み出しが可能な複数の光電変換部を含む半導体領域と、マイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記半導体領域との間に配置されたレンズ面とを含み、前記レンズ面は、前記マイクロレンズを通過して前記半導体領域に向かう光に対して負のパワーを作用させる。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を増加させることなく、ホットキャリア特性が向上した光電変換装置を提供する。
【解決手段】 複数の光電変換素子と該光電変換素子の電荷に基づく信号を読み出すための第１のＭＯＳトランジスタとが配された光電変換領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタの駆動もしくは前記光電変換領域から読み出される信号の増幅の少なくとも一方を行なう第２のＭＯＳトランジスタが配された周辺回路領域とが、同一の半導体基板に配された光電変換装置であって、前記第１のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度は、前記第２のＭＯＳトランジスタのドレインの不純物濃度よりも低いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素からの電気信号を保持するための回路（記憶部）を小面積で実現することができる固体撮像素子および固体撮像素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子１００は、複数の画素１ａと、列信号線２１と、列信号線２１毎に設けられ、対応する列の複数の画素１ａから転送された電気信号を記憶する第１記憶部２ａとを備え、第１記憶部２ａは、ゲートが行選択線４０に接続され、ソースまたはドレインの一方が入力信号線２１に、他方が記憶ノードに接続された第１トランジスタ３１と、ゲートが記憶ノードに接続され、ソースまたはドレインの一方が行電源線４１に、他方が出力信号線３４に接続された第２トランジスタ３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＯＢ画素領域において暗電流の発生が抑制された固体撮像装置を得ることを目的とする。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】固体撮像装置において、ＯＢ画素領域８の光電変換部１１上部における、遮光膜１９と基板１０との間に成膜される膜を、シリコン酸化膜（絶縁膜２２）のみで構成する。これにより、ＯＢ画素領域８における光電変換部１１上部において、基板１０と遮光膜１９との間に電荷がチャージされるのを防ぐことができ、暗電流の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】センサ基板と回路基板とを電極間で張り合わせてなる構成において電極間の接合面積を確保することが可能な３次元構造の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換部２１が配列形成されたセンサ基板２と、光電変換部２１を駆動する回路が形成されセンサ基板２に対して積層された回路基板７と、センサ基板２における回路基板７側の界面に引き出されたセンサ側電極４５と、回路基板７におけるセンサ基板２側の界面に引き出された回路側電極６５とを備え、センサ側電極４５と回路側電極６５とは、凹型電極に凸型電極を嵌め合わせた状態で接合されていることを特徴とする固体撮像素子１である。 （もっと読む）

【課題】各受光素子の出力信号のゲインを調整しつつ、コストが嵩むことが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】受光量に応じた電荷を蓄積する複数の受光素子と、全ての受光素子それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部と、全ての受光素子それぞれと共通して電気的に接続された共通配線と、対応する受光素子と共通配線との間に設けられた転送スイッチと、各受光素子に対して設けられ、受光素子に蓄積された電荷をリセットするリセット部と、転送スイッチの開閉、及び、リセット部の駆動を制御する制御部と、を有し、制御部が、転送スイッチの開閉とリセット部の駆動を調整することで、各受光素子から共通配線に出力される電荷の量を調整する。 （もっと読む）

【課題】光電変換部とは反対側の面に配線を設けた構成においてノイズの発生を防止して画像品質の向上を図ることが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】配線層２１と、配線層２１上に設けられた半導体層３１からなる電荷蓄積部３５と、半導体層３１上に設けられた光電変換膜４１とを備え、電荷蓄積部３５における光電変換膜４１との界面には、電荷蓄積部３５とは逆導電型の第２ピニング層Ｐ２が一部を開口して設けられた固体撮像素子１ａ。 （もっと読む）

【課題】高ダイナミックレンジイメージセンサを提供する。
【解決手段】第１の基板１２上に、複数の画素１８であって、各画素が光検出器を有する画素と、前記複数の光検出器に接続する複数の読み出し回路であって、各読み出し回路が、この読み出し回路に接続する少なくとも１つの光検出器の充放電装置を有し、各充放電装置は、充放電の作動信号によって制御して前記読み取り回路に接続する各画素の前記光検出器の積分時間を課す回路とを有する。第１の基板１２とは異なる第２の基板１４を有し、この第２の基盤上には充放電装置の制御電子回路３０、３２、３４を配置し、この回路は、第１の基板１２と第２の基板１４との間の電気接続１６を介して充放電装置に転送するための充放電の作動信号を生成するように設計し、各画素または画素群は作動信号に接続して固有かつ適切な積分時間をこの画素または画素群に課す。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜に印加される電圧が高い場合でも増幅トランジスタのゲート破壊を抑えることが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素単位セル１１と垂直信号線１７とを備え、画素単位セル１１は、光電変換膜１３と、画素電極７と、正電圧が印加された透明電極９と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたゲート電極を有し、画素電極７の電位に応じた信号電圧を出力する増幅トランジスタ５と、シリコン基板１内に形成されたトランジスタであって、画素電極７と結線されたドレイン領域を有し、増幅トランジスタ５のゲート電極の電位をリセット電圧にリセットするリセットトランジスタ６とを有し、シリコン基板１内には、リセットトランジスタ６のドレイン領域により寄生ダイオードが形成され、寄生ダイオードのブレークダウン電圧は増幅トランジスタ５のゲート破壊電圧以下である。 （もっと読む）

【課題】高画質化、多画素化、低コスト化、低消費電力化が可能な固体撮像素子の提供。
【解決手段】基板１０上方に形成された有機材料を含む光電変換層２２と、基板１０に形成され光電変換層２２で発生した電荷に応じた信号を読みだす信号読出し回路Ｓを有する固体撮像素子１００は、読出し回路Ｓが、光電変換層２２よって発生した電荷を蓄積する蓄積部１１と、蓄積部１１に蓄積された電荷が転送されるＦＤ１３と、蓄積部１１の電荷をＦＤ１３に転送する転送トランジスタ（Ｔｒ）３０と、ＦＤ１３の電位をリセットするリセットＴｒ３１と、ＦＤ１３の電位に応じた信号を出力する出力Ｔｒ３２を含み、リセットＴｒ３１に供給するリセット電圧を制御して、当該リセット電圧を供給する電源から蓄積部１１に電荷を注入し、その後、当該リセット電圧を制御して、蓄積部１１に注入した電荷の一部を前記電源に排出させる駆動をフレーム毎に行う制御部１０４を備える。 （もっと読む）

【課題】 撮像素子の画素が微細化された場合に、焦点検出用画素の瞳分割性能を良好に維持する。
【解決手段】 撮像素子は複数の画素を有し、前記複数の画素の内の少なくとも一部の画素が、それぞれ、光電変換部（ＰＤ−Ａ、ＰＤ−Ｂ）と、マイクロレンズ（ＭＬ）と、前記光電変換部と前記マイクロレンズとの間に形成され、前記マイクロレンズの光軸から偏心した位置に開口部が形成された遮光層（ＳＬ−Ａ、ＳＬ−Ｂ）と、前記遮光層と前記マイクロレンズとの間に形成された層内レンズ（ＭＬ２）と、前記層内レンズと前記遮光層との間を充填する高屈折率層（ＨＬ）と、前記マイクロレンズと前記遮光層との間を充填する、前記マイクロレンズ及び前記高屈折率層の屈折率以下の屈折率を有する低屈折率層（ＬＬ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも暗電流の抑制を図ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】基板の第１面側に配線層を有し、基板の第２面側から光を受光する固体撮像装置であって、基板の第２面上に形成された膜厚１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の第１絶縁膜７１と、第１絶縁膜７１上において、周辺回路領域を除く撮像領域の受光部の受光面上に形成された酸化インジウム錫、又は、酸化亜鉛からなる透明導電膜７４とを備える。 （もっと読む）