【課題】本発明は上記問題点を解決するために成されたものであり、光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、導電体を任意の電圧に設定することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線５２と一体的に形成されており、切替部５４に接続されている。また、切替部５４は、制御装置１０６から入力される制御信号に応じて、接続配線５２の接続先を、バイアス電源１１０、内部電源５６、及びグランドのいずれかに切り替える。光電変換基板６０の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子であるＴＦＴに裏面光の入射を抑え、光電変換素子に裏面からの光を効率よく照射可能な構成とする。
【解決手段】絶縁基板の第１面上に配置された第１の電極と、該第１の電極上に配置された第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に配置された半導体層と、により構成された電磁波を電気信号に変換する変換素子と、該変換素子に接続されたスイッチ素子と、を有する画素が複数設けられた電磁波検出装置であって、前記第１の電極は前記絶縁基板の前記第１面と対向する第２面側に配置された光源から発せられた光を透過する光透過性導電材料によって構成され、且つ、前記スイッチ素子は前記光源からの前記光が前記スイッチ素子へ入射することを防ぐ遮光部材を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて、検査が行い易く、かつ精度よく放射線を検知することができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０は、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとを備えている。画像取得用画素２０Ａでは、センサ部１０３Ａとセンサ部１０３Ｂとが接続配線３２により接続されており、センサ部１０３Ａで発生した電荷及びセンサ部１０３Ｂで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ａで発生した電荷がＴＦＴスイッチ４により読み出されて信号配線３に出力される。また、放射線検知用画素２０Ｂでは、センサ部１０３Ｂと信号配線３とが直接、接続配線３４により接続されており、センサ部１０３Ｂで発生した電荷はそのまま信号配線３に出力される。 （もっと読む）

【課題】 変換素子の不純物半導体層への有機材料の混入を低減し得る検出装置を提供する。
【解決手段】 画素１１がスイッチ素子１３と電極１２２の上に設けられた不純物半導体層１２３を含む変換素子１２とを有し、複数のスイッチ素子１３と複数の電極１２２との間に設けられた無機材料からなる保護層１３７と有機材料からなる層間絶縁層１２０とに設けられたコンタクトホールにおいてスイッチ素子１３と電極１２２とが接続されている検出装置の製造方法であって、複数の電極１２２の間に層間絶縁層１２０を覆うように無機材料からなる絶縁部材１２１を形成する工程と、絶縁部材１２１と複数の電極１２２とを覆う不純物半導体膜１２３’を成膜する工程と、絶縁部材１２１を形成する際に層間絶縁層１２０のコンタクトホール内に位置する電極１２２の段差の部分の正射影が位置する保護層１３７の領域が被覆されるように、被覆層１６０を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】画素内に電流−電圧変換回路を設けることなく、低線量域でのＳ/Ｎ比を向上させつつダイナミックレンジの低下を抑制した放射線検出器を提供する。
【解決手段】各画素７に、各々感度特性が異なり、放射線が照射されることにより電荷が発生し、照射された放射線量に応じて電荷が蓄積されるセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂが設けられており、走査配線１０１を介して各画素７に設けられたスイッチ素子４Ａ、４Ｂに制御信号が流れ、当該スイッチ素子４Ａ、４Ｂのスイッチング状態に応じて各画素７のセンサ部１０３Ａ、１０３Ｂに各々蓄積された電荷に応じた電気信号が信号配線３に流れる。 （もっと読む）

【課題】湾曲可能でかつ安定して放射線画像を撮影できる放射線撮影装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に画素２０が設けられ、各画素２０のＴＦＴスイッチ４をスイッチングする制御信号が流れる複数の走査配線１０１と各ＴＦＴスイッチ４のスイッチング状態に応じて画素に蓄積された電荷に応じた電気信号が流れる複数の信号配線３とが絶縁膜を介して設けられた可撓性を有する絶縁性基板１に、制御信号を出力するゲートＩＣ１０４と信号配線を流れる電気信号を検出するアンプＩＣ１０５とを設け、絶縁性基板１の１辺又は対向する２辺側に、ゲートＩＣ１０４及びアンプＩＣ１０５の動作を制御する制御回路１２０を設けた。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換膜を用いた固体撮像装置において、電気的および光学的な要因による空間分解能の低下および混色を抑制することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の光電変換部２２と該光電変換部２２から選択的に読み出すＭＯＳトランジスタとを含む複数の画素２１が形成されていて、前記光電変換部２２上に絶縁膜４３を介して形成された有機光電変換膜４４を有し、前記画素２１間に対応する前記有機光電変換膜４４の位置に光学的かつ電気的に分離する分離領域４５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと光電変換素子とを組み合わせた撮像装置において、ノイズ性能などの特性を低下させることなく、動作抵抗を変更できるようにする。
【解決手段】撮像装置は、動作抵抗が異なる複数の薄膜トランジスタＴ１，Ｔ２と、光電変換素子Ｃ１１とをそれぞれ備える複数の画素と、複数の薄膜トランジスタの少なくとも１つを選択する選択部１０２と、光電変換素子で生成された電荷を選択部により選択された薄膜トランジスタを介して出力する信号配線Ｓ１とを備える。 （もっと読む）

【課題】一括リセット処理を行っても放射線検出素子やＴＦＴに残存する電荷量に差を生じることを防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線５および複数の信号線６により区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７を備える検出部Ｐと、走査線５にオン電圧Ｖonが印加されると放射線検出素子７から電荷を放出させ、走査線５にオフ電圧Ｖoffが印加されると放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるスイッチ手段８と、各走査線５を介してスイッチ手段８に印加する電圧Ｖを制御する走査駆動手段１５とを備え、走査駆動手段１５は、放射線検出素子７のリセット処理の終了時には、各走査線５に印加する電圧Ｖを所定のオン電圧Ｖonから徐々にまたは段階的に低下させて所定のオフ電圧Ｖoffとし、各走査線５を介して各スイッチ手段８を一括してオフ状態とする。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）

【課題】バッテリの消耗を防止し、放射線検出素子から余分な電荷を十分に除去可能な可搬型放射線画像撮影装置および放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】可搬型放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６で区画された各領域ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子７と、放射線検出素子７ごとに配置されたスイッチ手段８と、スイッチ手段８に印加する電圧を制御してスイッチ手段８のオン／オフを制御する走査駆動手段１５と、バッテリ４１とを備え、走査駆動手段１５は、放射線画像撮影前に、放射線検出素子７内に蓄積された余分な電荷を放出させる放射線検出素子７のリセット処理の際に、各走査線５を介してスイッチ手段８に所定の電圧値のオン電圧Ｖon１を印加し、その後、オン電圧の電圧値を低下させて、放射線の照射が開始されるまで、各走査線５を介してスイッチ手段８に対して低下させたオン電圧Ｖon２を印加し続ける。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によるイメージセンサの製造方法は、半導体の基板上に配線１５０を含む層間絶縁層１６０を形成するステップと、前記半導体基板１００にエッチング工程を行って、前記層間絶縁層１６０を貫通して前記配線１５０を露出させるビア孔を形成するステップと、前記ビア孔を含む前記半導体基板１００に第１洗浄工程及び第２洗浄工程を行うステップと、前記ビア孔の内部に金属物質を埋め込んで、コンタクトプラグを形成するステップと、前記配線１５０及びコンタクトプラグを含む前記層間絶縁層１６０上に第１ドーピング層及び第２ドーピング層が積層されたイメージ感知部を形成するステップとを含み、前記第１洗浄工程及び第２洗浄工程は、前記エッチング工程により前記ビア孔の側壁に形成された残留物を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】暗電流の増加を抑制しながら、高解像度化を図ることが可能であり、かつ、特性のばらつきを低減することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス１００は、ガラス基板１上に、光電変換膜１１を含む光電変換部１０とスイッチング素子として機能するトランジスタ部２０とを備えた画素がアレイ状に配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部２０が有機半導体層２５を含む有機ＴＦＴ２０から構成されており、光電変換部１０とトランジスタ部２０との間の領域には、光電変換部１０の光電変換膜１１と有機ＴＦＴ２０の有機半導体層２５とを分離する絶縁性の障壁部３５ａ（バンク３５）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】取得する放射線画像において、画素情報の両側読出しに伴う信号線24の断線位置27での境目が目立たない放射線検出器を提供する。
【解決手段】光電変換基板12の複数の信号線24を、画素領域内の断線位置27を介して分割する。信号線24の断線位置27を、信号線24の配線方向に沿った複数の異なる位置にずらして配置する。信号線24の断線位置27が一直線上にないことで、取得する放射線画像において、画素情報の両側読出しに伴う信号線24の断線位置27での境目を目立たなくする。 （もっと読む）

【課題】信号電荷を効率的に読み出すことができ、残像の発生を抑制することができる有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】射光を光電変換し、信号電荷を生成する有機光電変換膜を備えた有機光電変換素子１０であって、有機光電変換膜１０１の一方の面に設けられた第１電極と、有機光電変換膜１０１の他方の面に配列された複数の第２電極とを備え、隣り合う第２電極同士の間の隙間が３μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】第１の保護絶縁膜の欠陥による不良品を減らし、歩留まりを向上させる。
【解決手段】基板２に形成された電気素子３と、電気素子３を覆う第１の保護絶縁膜４とを備える電気素子デバイス１０において、第１の保護絶縁膜４の表面であって電気素子３と対応する位置に第２の保護絶縁膜５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの下部電極と、データとの間の寄生容量を低減する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられ、ガラス基板１よりも低い誘電率を有する下地絶縁膜１９と、下地絶縁膜１９上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４を積層してなり、半導体層４に接続されたドレイン電極７を有するスイッチング素子とを備える。ドレイン電極７は、下地絶縁膜１９表面に直に接する延設部分を有する。そして、ドレイン電極７の延設部分上に設けられたフォトダイオード２０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 高感度の光センサ素子とセンサドライバ回路等のスイッチ素子とを、同一の絶縁膜基板上に、LTPSプレナプロセスを用いて形成し、センサドライバ回路等を内蔵した低コストのエリアセンサ（光センサ装置）、または、この光センサ素子を内蔵した画像表示装置を提供する。
【解決手段】 光センサ素子構造として、センサ素子の一方の電極を、回路を構成するスイッチ素子の能動層となる多結晶シリコン膜と同一の膜で作製し、かつ光電変換が行なわれる受光部は非晶質シリコンまたは真性層の多結晶シリコン膜とする。また、センサ素子の２つの電極の間には、受光部の非晶質シリコンと絶縁層が挟まれるような構造を採用する。 （もっと読む）