【課題】負のＭＲ比を有し、常温での使用が可能な、磁気メモリ等の実用品への利用を可能にするトンネル磁気抵抗効果膜を提供する。
【解決手段】トンネルバリア層１３を挟む配置に磁性層１２、１４ａが形成されたトンネル磁気抵抗効果膜３０であって、前記トンネルバリア層１３の一方の側の磁性層１２がFeN層であることを特徴とする。前記トンネルバリア層１３を挟む他方の側の磁性層１４ａは、磁化の向きが固定された固定磁性層として設けられている。 （もっと読む）

【課題】種々の用途に使用できる導電制御デバイスを提供すること。
【解決手段】導電制御デバイスは、比較的大きい飽和保磁力を有する第１強磁性領域（６）と、比較的小さい飽和保磁力を有する第２強磁性領域（８）と、第１強磁性領域と第２強磁性領域との間に配置された接合領域（１１）とを備え、このデバイスは、更に接合領域内の電荷キャリア密度を制御するよう接合領域に電界を加えるためのゲート（３）も備える。 （もっと読む）