【課題】ＭＲＡＭの下層強誘電体層と上層強誘電体層がショートしているか否かを検査することができる。
【解決手段】ＴＥＧ素子１００は、テスト用下層強誘電体層１１２、テスト用トンネル絶縁膜１１４、及びテスト用上層強誘電体層１１６を有している。テスト用下層強誘電体層１１２は、下層強誘電体層４２と同一層に位置し、下層強誘電体層４２と同一材料により形成されており、第１テスト用パッド１２０に接続している。テスト用トンネル絶縁膜１１４は、トンネル絶縁膜４４と同一層に位置し、トンネル絶縁膜４４と同一材料により形成されている。テスト用上層強誘電体層１１６は、上層強誘電体層４６と同一層に位置し、上層強誘電体層４６と同一材料により形成されており、第２テスト用パッド１３０に接続している。 （もっと読む）

【課題】簡便な半導体装置の評価試験を実現する。
【解決手段】半導体装置１０は、それぞれ内部信号ＭＡを生成する第１及び第２のコアチップＣＣ０，ＣＣ１を備え、第１及び第２のコアチップＣＣ０，ＣＣ１のそれぞれに、貫通電極を介して他方のコアチップとスパイラル接続された第２及び第３のノードＮ_２，Ｎ_３を設け、この第２及び第３のノードＮ_２，Ｎ_３を介して、観測対象の内部信号ＭＡを外部に出力することを技術思想とするものである。こうして出力される複数の内部信号ＭＡを外部のテスター等によって観測することで、各コアチップの評価試験を並列に行える。 （もっと読む）

【課題】制御チップと複数の被制御チップが積層されたタイプの半導体装置において、コマンド信号よりも層アドレス信号を早く伝送させる。
【解決手段】互いに異なる層情報を保持する複数の被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７と、被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７に対して層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５及びコマンド信号ＩＣＭＤを共通に供給する制御チップＩＦとを備える。層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５を構成する各ビットは、複数の第１の貫通電極のうち、被制御チップごとに並列接続された少なくとも２本の貫通電極を経由して伝送され、コマンド信号ＩＣＭＤを構成する各ビットは、出力切り替え回路及び入力切り替え回路によって選択された対応する１本の貫通電極を経由して伝送される。これにより、コマンド信号ＩＣＭＤよりも先に層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５が各被制御チップに到達する。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。さらに記憶層１７の断面形状が台形であって、絶縁層１６との界面に接する面が、絶縁層１６とは反対側の層（キャップ層１８）に接する面の面積よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】ウエハの表面に対して垂直方向の磁界を容易に発生させることができ、測定精度を高めることができる磁気抵抗評価装置を提供する。
【解決手段】磁場発生手段１３が、載置台１２に載置された磁気抵抗素子を有するウエハの両面側に、それぞれ２対の電磁石２４と、電磁石２４の各対毎に、それぞれの電磁石２４の芯から連続して伸びて１本に収束するよう設けられた１対の磁路延長部材２５とを有している。磁場発生手段１３は、各対のそれぞれの電磁石２４の中心軸が互いに垂直に交わるよう配置されている。磁場発生手段１３は、各磁路延長部材２５の先端２５ａが、ウエハの両面側でウエハの表面に対して所定の間隔をあけて配置されるとともに、ウエハの反対面側に配置された各磁路延長部材２５の先端２５ａと、ウエハを挟んで対向するよう配置されている。 （もっと読む）

【課題】正確に書込データを選択メモリセルに書込むことのできる磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリセルに書込み電流を伝達する書込電流線（ＢＬ０、ＢＬ１）と平行にかつ異なる配線層に、制御信号を転送する分割構造の制御信号線（２１０ｌ、２１１ａ
、２１１ｂ）を配置する。電流ドライブ回路が各書込み電流線に対応して配置されて、制御信号線上の制御信号と書込データとに従って対応の書込電流線に電流を流す。 （もっと読む）

【課題】内部回路の動作パラメータなどの設定を行うデータを長期にわたって安定に供給する。
【解決手段】第１の動作モード（ＰＲＯＭ）時には、不揮発性メモリセルに対し非破壊的に書換え可能な態様でデータを書込み、第２の動作モード（ＯＴＰ）時には不揮発性メモリセルに対し、破壊的に書換え不可能な態様でデータを書込む。この不揮発性メモリセルは、記憶素子として、可変磁気抵抗素子を有し、可変磁気抵抗素子の抵抗値に応じて情報を不揮発的に記憶する。 （もっと読む）

【課題】高精度な測定値の取得が可能な磁気抵抗効果素子の磁気抵抗効果率の測定方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気抵抗効果率の測定方法は、固定磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向を判定するステップと、自由磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して９０°より大きく１８０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最大値を得るステップと、自由磁性層の磁化方向に対して１８０°より大きく２７０°より小さく、且つ固定磁性層の磁化方向に対して０°より大きく９０°より小さい角度の方向に、強度が０から徐々に増加する外部磁場を印加してρＨ曲線を得て抵抗最小値を得るステップと、抵抗最大値と抵抗最小値とから磁気抵抗効果率を算出するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】大気中でも安定した複合材を容易に得ることができる複合材の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体１上に、複数の表面酸化微粒子２を堆積する。表面酸化微粒子２の直径は１０ｎｍ以下であることが好ましく、例えば０．５ｎｍ〜５ｎｍ程度である。表面酸化微粒子２は、グラファイト層を形成する際の触媒として機能し得るコバルト等の強磁性体金属微粒子とこの表面を覆う酸化膜から構成されている。次いで、炉内に基体１及び表面酸化微粒子２を挿入し、炉内を高真空にして基体１を５１０℃程度まで昇温する。この結果、基体１及び表面酸化微粒子２に付着していた異物等が除去される。その後、炉内の雰囲気を炭化水素系ガス雰囲気にする。この結果、表面酸化微粒子２の表面に存在した酸化膜が還元され、更に、強磁性体金属微粒子の表面にグラファイトが析出し、グラファイト被覆微粒子３が強磁性体複合微粒子として得られる。 （もっと読む）

【課題】磁性細線の磁壁移動に要する電流を低減し、且つ磁壁保持時の状態を安定にする。
【解決手段】磁性細線の材料として、遷移温度を境に磁化容易軸が面内方向と垂直方向とで遷移する材料を用いる。この場合、磁性細線１２の磁化容易軸が面内方向である第１の状態にあるときには、磁壁４８を移動させるための電流供給が行われず、磁壁の移動に要する電流が小さい磁化容易軸が垂直方向である第２の状態にあるときにのみ、磁壁を移動させるための電流供給が行われるようなシーケンスを実行することにより、磁壁移動時に必要とする電流を低減することが可能である。また磁壁４８を移動しない状態は第１の状態であり、磁壁の保持を安定化させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気抵抗素子のデータ書き換え特性の評価を正確に行なうことが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１は、第１の電圧が供給される第１端と、第２端とを有し、データ書き込み時、磁気抵抗素子Ｓにデータを書き込むための書き込み電流が流れ、書き込み電流の方向が書き込みデータの論理値に依存しない書き込み電流線ＤＬと、書き込み電流線ＤＬの第２端に結合される第１導通電極と、第２の電圧が供給される第２導通電極とを有し、データ書き込み時、書き込み電流線ＤＬに書き込み電流を流すことにより、磁気抵抗素子Ｓの磁化に作用する磁場を発生するトランジスタＴＲＤと、第１の電圧が供給される第１のパッドＰＤ１と、第２の電圧が供給される第２のパッドＰＤ４と、半導体装置１０１が備える他の回路に第３の電圧を供給するための第３のパッドＰＤ２，ＰＤ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】膜厚の測定精度を向上させた膜厚測定方法、及び磁気デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｓの上にマスクパターンＭを形成し、マスクパターンＭを含む基板Ｓの上に膜厚Ｔ１からなる密着層Ｌ１と、測定対象層Ｌｍと、測定対象層Ｌｍよりも高い機械的強度を有して膜厚Ｔ２からなる保護層Ｌ２とを順に積層して積層膜Ｌ０を形成した。そして、マスクパターンＭをリフトオフして積層膜Ｌ０に段差部１０を形成し、段差部１０の深さＴ０を触針法によって測定して測定対象層Ｌｍの膜厚ＴｍをＴｍ＝Ｔ０−（Ｔ１＋Ｔ２）として得た。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子を形成した後に行われる工程における磁気抵抗素子の特性の劣化を防止し、良好な特性を有する磁気抵抗素子を形成する。
【解決手段】本発明による磁気メモリ装置の製造方法は、メモリセルとして使用される磁気抵抗素子１２を形成する工程と、磁気抵抗素子１２を被覆するＳｉＮ保護絶縁膜３９を形成する工程とを具備する。ＳｉＮ保護絶縁膜３９は、高密度プラズマＣＶＤ装置によって成膜される。成膜に使用されるＣＶＤガスに含まれる窒素源としては、主としてアンモニアが用いられる。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１７を有し、この記憶層１７に対して、絶縁体から成る中間層１６を介して磁化固定層３１が設けられ、積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層１７の磁化Ｍ１の向きが変化して、記憶層１７に対して情報の記録が行われ、記憶層１７を構成する強磁性層の磁歪定数の大きさが１×１０^−５以上である記憶素子３を構成する。 （もっと読む）

【課題】誤書き込みを可及的に低減することを可能にするとともに所望の反転特性を得ることを可能にする。
【解決手段】第１の配線１０と、第１の配線に交差する第２の配線２０と、第１および第２の配線の交差領域に対応して設けられ、磁化の方向が固着される基準層２と、磁化容易軸方向が磁化困難軸方向に比べて長い第１の磁性体部６ａおよびこの第１の磁性体部の中央部の磁化困難軸方向に設けられた第２の磁性体部６ｂ、６ｃを有し、外部磁界に応じて磁化方向が変化する記録層６とを備えている磁気抵抗効果素子１と、を含み、記録層は、１８０度回転対称性を有するとともに鏡映対称性を有しない平面形状を備えている。 （もっと読む）

【課題】マルチコンポーネント自由層を有する磁気トンネル・ジャンクション（ＭＴＪ）についてのトグル・ウィンドウを最適化するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明の１つの側面に従うＭＴＪは、自由層と、ピン留め層と、この自由層及びピン留め層の間に形成された障壁層とを含む。その自由層は複数の自由磁気副層を含み、ピン留め層は複数のピン留め磁気副層を含む。ピン留め磁気副層の各々は自由磁気副層に磁界を作用させる。装置についてのトグル・ウィンドウを最適化するために、ピン留め磁気副層の各々の寸法は、自由磁気副層の各々に作用する平均磁界を実質的に等しくするように選択される。 （もっと読む）

磁気メモリは、複数の磁気記憶セル、複数の磁気記憶セルに対応する少なくとも１つのビット線、および複数の磁気記憶セルに対応する複数のソース線を含む。磁気記憶セルはそれぞれ磁気素子を含み、この磁気素子は、同磁気素子を介して第１の方向に駆動される第１の書込電流によって高抵抗状態にプログラムされ、同磁気素子を介して第２の方向に駆動される第２の書込電流によって低抵抗状態にプログラムされる。ビット線およびソース線は、磁気素子を介して第１の方向に第１の書込電流を駆動し、磁気素子を介して第２の方向に第２の書込電流を駆動し、低抵抗状態を不安定化しない第３の方向に磁気素子を介して少なくとも１つの読出電流を駆動するように構成される。
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電流を非接触検出するためのセンサは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）を有するセンサ素子と検出回路とを有しており、センサ素子は磁場に伴って変化する抵抗を有し、また、検出回路は、トンネル接合を通じて流れるトンネル電流を検出するようになっている。センサ素子は、ＭＴＪ積層体をメモリ素子と共有していても良い。また、センサ素子は、ＭＲＡＭ技術を含む次世代のＣＭＯＳプロセスと容易に統合することができ、よりコンパクトであるとともに、電力消費が少ない。磁束集結体を設けるなどのセンサの感度を高めるための解決策、および、Ｌ形状導体素子を形成するなどの同じ電流を用いて高い磁場を生成するための解決策が与えられる。感度が高いため、後処理をあまり使用せずに済み、モバイル機器等の用途においては電力を節約することができる。用途としては、電流センサ、内蔵電流センサ、ＩＤＤＱおよびＩＤＤＴ試験を挙げることができ、次世代ＣＭＯＳプロセスにおいても使用できる。
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