【課題】アセンブリ段階において外部磁場から磁気メモリチップを保護する。
【解決手段】主面に磁気メモリ素子および複数のワイヤボンドパッドが形成された磁気メモリチップを準備する。シリコンより高透磁率を有する第１の磁気シールド板を磁気メモリチップの主面に搭載する。磁気メモリチップをリードフレームのダイパッド上に搭載しダイアタッチフィルムにより接着する。磁気メモリチップのワイヤボンドパッドとリードフレームのリードとをワイヤで電気的に接続する。磁気メモリチップ、磁気シールド板、ワイヤ及びリードの一部を樹脂により封止する。複数の磁気メモリチップを有するシリコンウェハを準備し、シリコンウェハの裏面を研削することによりシリコンウェハを所定の厚さまで薄くしてダイアタッチフィルムを張り付けた後にシリコンウェハをダイシングして各々がダイアタッチフィルムをその裏面に有する複数の磁気メモリチップを形成する。 （もっと読む）

【課題】磁気シールド材と半導体チップとの各材料の線膨張係数の差に基づく反りを小さく抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームＬＦのダイパッドＤＰ上に磁気シールド材ＰＭ１が配置されている。半導体チップＣＨは、ＭＲＡＭデバイスを有し、かつ磁気シールド材ＰＭ１上に配置されている。接着材ＡＤ２は、磁気シールド材ＰＭ１と半導体チップＣＨとを接着するために磁気シールド材ＰＭ１と半導体チップＣＨとの間に位置し、かつＤＡＦのような熱可塑性樹脂を含む材質よりなっている。 （もっと読む）

【課題】ボトムアップ系とシリコンＬＳＩに代表されるトップダウン系との利点を最大限活かすことができる高機能の機能素子を従来のクリーンルームを用いることなく、高い歩留まりで製造する方法を提供する。
【解決手段】局所的な相互作用により形成される第１の構造と予め設定された大局的な規則により形成された第２の構造とが、１次元超格子を薄片化した超格子薄片を複数交差させて重ねたものからなる第３の構造を介して結合されてなる機能素子を製造する場合に、防塵フィルター２５６を用いて作業室２５１をクリーンな環境に維持するクリーンユニットを用いる。防塵フィルター２５６は送風動力を有し、作業室２５１から流出する気体の全てが防塵フィルター２５６の入り口に入るように構成する。 （もっと読む）

【課題】 ポリマおよびプラスチック等の低温基板上に磁気メモリ・デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】 低温基板上に磁気メモリ・デバイス（およびその結果として生じる構造）を形成する方法は、メモリ・デバイスを、分解可能な材料層で被覆された透明基板上に形成し、所定の高圧を生成させる急速加熱を施すステップと、メモリ・デバイスを低温基板に移動するステップと、を含む。 （もっと読む）