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Fターム[5B017CA12]の内容

記憶装置の機密保護 (34,210) | 対象 (9,481) | 半導体記憶装置・素子 (381) | ROM (116)

Fターム[5B017CA12]に分類される特許

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【課題】プログラムされるデータのランダム性を増加させるメモリコントローラ及びその動作方法、並びにメモリコントローラを含むメモリシステム、3次元メモリシステム、メモリカード、ソリッドステートドライブ、及び携帯用通信装置を提供する。
【解決手段】本発明のメモリコントローラの動作方法は、複数のシードグループのうちから現在プログラムされるページに対するシードグループに含まれるシードを用いて擬似乱数を生成する段階と、擬似乱数を用いてページにプログラムされるデータをランダマイズし、ランダマイズされたデータを出力する段階と、を有する。 (もっと読む)


【課題】記憶装置と接続する情報処理装置などで発生するノイズの影響を受けることなく、記憶装置の状態を制御する。
【解決手段】記憶装置450と接続する信号線を介して、記憶装置450の状態を設定する第1の設定手段と、制御装置430に接続される第1の伝送路を介して、記憶装置450の状態を設定する第2の設定手段と、第1の伝送路を介して制御装置に接続されると共に、第2の伝送路を介して演算装置420と接続され、第1の伝送路と第2の伝送路とを切り替えて、制御装置430あるいは演算装置420の一方を、記憶装置450と通信可能に接続する切り替え手段440と、を備える。 (もっと読む)


【課題】不揮発性メモリ内のデータの漏洩を防ぐことができるセキュリティ性にすぐれた電子機器を提供する。
【解決手段】アドレスバス切替回路により、各第1アドレスバスと各第2アドレスバスとを接続するとともに、その接続に際しての互いの接続先を状況に応じて切替える。 (もっと読む)


【課題】 シンクライアントシステムの安全性を損なうことなく、可搬型フラッシュメモリ内にデータを保存可能とする。
【解決手段】 シンクライアントOSを格納した可搬型フラッシュメモリの不揮発性メモリに保護領域を設ける。可搬型フラッシュメモリのコントローラは、シンクライアントOSがクライアント端末によって正常に起動されているかをチェックし、正常に起動された場合にアクセス権フラグをオンにセットする。クライアント端末から保護領域に対するアクセス要求を受信した場合、コントローラはアクセス権フラグがオンにセットされているか否かを判定し、アクセス権フラグがオフの場合は保護領域へのアクセスを不許可とする。アクセス権フラグがオンの場合は保護領域へのアクセスを許可する。 (もっと読む)


【課題】プログラマブルロジックデバイスの回路データを記憶した記憶部をアクセスせず、且つ、回路データの不正書き換え検出に必要なプログラマブルロジックデバイスの通電時間を短縮した、不正書き換え検出回路及び画像形成装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルロジックデバイス2の端子Tの状態を定義するための状態定義情報、及び回路データが記憶された第1記憶部4と、プログラマブルロジックデバイス2と、プログラマブルロジックデバイス2に駆動電力を供給する電力供給部11と、端子Tの状態を検出する端子状態検出部12と、プログラマブルロジックデバイス2により回路データが読み込まれた直後に端子Tがとるべき状態を示す状態情報が予め記憶された第2記憶部14と、端子状態検出部12により検出された端子の状態が第2記憶部14に記憶されている状態情報と異なるときには、回路データの不正書き換えを検出する制御部10とを備える。 (もっと読む)


【課題】システムデバッグ時及び実機搭載時にオンチップの不揮発性記憶装置に対して所定権限のもとで保護の設定と解除が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置の遷移可能なセキュリティ状態として、不揮発性記憶装置に秘密情報がセットされていないとき不揮発性記憶装置の書き換えが許可され且つその記憶情報の読み出しが許可されるアンプロテクト状態(1)と、不揮発性記憶装置に秘密情報セットされているとき当該秘密情報を利用する認証結果が正当であることを条件に不揮発性記憶装置に対する書き換えが許可され且つその記憶情報の読み出しが許可されるプロテクトアンロック状態(2)と、不揮発性記憶装置に秘密情報セットされているとき当該秘密情報を利用する認証結果の正当性が確認されるまで不揮発性記憶装置に対する書き換えが禁止され且つその記憶情報の読み出しが所定の条件下で禁止されるプロテクトロック状態(3)を有する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリからのそれぞれのアクセスに要求される時間を最小化する。
【解決手段】フラッシュメモリ列の異なる部分を用いて使用するためのフラッシュバス待機状態のための待機状態メモリレジスタ138を持つ。待機状態は、フラッシュメモリアクセスユニットが読出し動作によるデータの検索まで待機しなければならないような、フラッシュメモリバスの周期の数を指定する。異なる待機状態値は、フラッシュメモリ列の異なる品質低下の度合いを適応させるためにフラッシュメモリ列の異なる部分に設けられる。 (もっと読む)


【課題】プログラムの暴走により、意図しないメモリへの書き込みを防止する。
【解決手段】メモリ書き込み制御装置は、命令を実行する処理部17と、処理部17から不揮発性メモリ11への書き込み命令信号が入力されると、電源電圧に基づいて、不揮発性メモリ11への書き込みを許可するプロテクト部(プロテクト回路10)と、を備える。処理部17のCPU5がユーザプログラムの命令を実行する電圧と、メモリへの書き込みの命令を実行する電圧とを異なる範囲に設定し、電源電圧に応じて、不揮発性メモリ11への書き込みを制御する。 (もっと読む)


【課題】EEPROM30内に記憶されたデータが誤って書き換えられるおそれがあること。
【解決手段】EEPROM30は、データの書き込みや消去に用いる電圧を生成する手段を備えず、代わりに、この高電圧が印加される高電圧端子HVTを備える。高電圧端子HVTは、テストポイントTPに接続されている。そして、製品出荷に先立ち、テストポイントTPに高電圧を印加しつつ、EEPROM30にデータを書き込んだ後、テストポイントTPへの電圧印加を停止する。これにより、高電圧端子HVTには、データの書き込みや消去のための高電圧が印加されない構成となる。 (もっと読む)


【課題】携帯電話等情報機器をリユース、リサイクルする際に、当該情報機器に記録されているユーザの機密情報を高速、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができる新規なデータ消去方法の提供、及び該方法を使用する情報機器、携帯電話端末の提供。
【解決手段】ホストからNAND型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、パーティションテーブルに関連付けて生成されたパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 (もっと読む)


【課題】保護したいメモリの秘匿性を向上させ、また、メモリの置き換え等による不正アクセスを抑止する。
【解決手段】コンピュータシステム所定のメモリ領域に、保護すべき情報が保持されているか否かを示す状態情報AAと、前記メモリ領域へのアクセス可否を示すアクセス可否情報BBと、を記憶するメモリと、前記メモリ領域への保護すべき情報の書き込みまたは削除に応じて前記状態情報AAの書き換えを行うとともに、システム起動時に、前記メモリ領域に保護すべき情報が書き込まれていない状態にある場合に、前記メモリ領域へのアクセスを許可するよう前記アクセス可否情報BBを書き換え、その他の場合、前記アクセス可否情報BBをアクセス禁止状態に書き換えるアクセス制御部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】データの安全性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】情報処理装置1と半導体メモリ装置2とを備えるメモリシステム100において、半導体メモリ装置2は、信号の送受信方法が互いに相違する複数の通信プロトコルに準拠して、メモリコア7から読み出されたデータを情報処理装置1に対して送信するインターフェース部61を備えている。通信プロトコル選択部69は、情報処理装置1から入力される切り替えコマンドに基づき、前記複数の通信プロトコルの中から、特定の通信プロトコルを選択するための選択信号をインターフェース部61に入力する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュメモリなどの不揮発性メモリに格納するデータのホワイトニングおよび管理のために、システム、装置、および方法を提供する。
【解決手段】メディアプレーヤなどの電子デバイスが提供され、システム・オン・チップ(SoC)および不揮発性メモリを備え、SoC制御回路と、SoC制御回路および不揮発性メモリの間のインターフェースとして機能するメモリインターフェースとを備えてよい。SoCは、次世代標準暗号化方式(AES)に基づいたブロック暗号などの暗号化モジュールを備えてよい。メモリインターフェースは、不揮発性メモリへの格納に先立って、秘密データ、非秘密データ、および、メモリ管理データなど、あらゆる種類のデータをホワイトニングするよう、暗号化モジュールに指示することができる。これにより、プログラムディスターブの問題またはその他の読み出し/書き込み/消去の信頼性の問題を防止または軽減する。 (もっと読む)


【課題】光トランシーバに内蔵するROMへのデータ書き込みに対して、SFP仕様の変更に柔軟に対応できる光トランシーバを提供する。
【解決手段】この光トランシーバは、光信号を送出する送信部と、光信号を受信する受信部と、データ書き込みの保護端子を有するメモリと、前記メモリに設定された設定値に基づいて前記送信部と前記受信部を制御する監視制御部と、を備え、前記送信部と前記メモリとに電源電圧を供給する第1電源端子と、前記受信部と前記保護端子に電源電圧を供給する第2電源端子を有し、前記保護端子は、前記第2電源端子に電圧が印加されたときに、データの書き込みを不可とし、前記第2電源端子に電圧が印加されなかったときに、データの書き込みを可とする。 (もっと読む)


【課題】永続的な、偽造に耐えられる記憶の利点と消去可能な記憶の利点とを結合して、不揮発性記憶装置の使用を更にフレキシブルなものとする。
【解決手段】本発明は、記憶ユニットFM、アクセス変更の指示を受信する手段CON、及びアクセス変更の指示に応答して記憶ユニットへのアクセスを変更する手段WPを有する不揮発性記憶装置を提案する。アクセス変更の指示の受信前のアクセスは、データが記憶ユニットに記憶することができ、且つ既に記憶されているデータを変更することができるように行われ、アクセス変更の後のアクセスは、既に記憶されているデータの少なくとも幾つかが変更不可能であるが、なお読取ることができるように行われる。既に記憶されているデータの少なくとも幾つかへのアクセスは、アクセス変更の指示の受信に応答してアクセス変更の後に逆にできない。 (もっと読む)


【課題】情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるNAND型フラッシュメモリのデータを、高速、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるNAND型フラッシュメモリのデータ消去方法及び該方法を使用するNAND型フラッシュメモリデバイスの提供。
【解決手段】ホストからNAND型フラッシュメモリデバイスへ、消去対象となるパーティション番号を指定した消去コマンドを発行し、デバイスの制御部は、制御部用のパーティションマップを参照して、該パーティション番号で特定された消去対象領域のアドレスを解釈し、該解釈に基づき消去対象パーティションに記憶されている全データを消去する。 (もっと読む)


【課題】情報機器等においてファイルシステムでデータ管理されるNAND型フラッシュメモリの記憶データを高速に、かつ、完全に消去し、データの漏洩を防止することができるNAND型フラッシュメモリデバイス、並びにNANDフラッシュメモリのデータ消去方法の提供。
【解決手段】NAND型フラッシュメモリに情報機器のユーザデータを記録するパーティションを設けておくとともに、NAND型フラッシュメモリデバイスのプロセッサが、ホストから発行された、コマンドコードと前記パーティションの消去対象領域の先頭セクタアドレスとセクタ数からなる消去コマンドを解釈して、前記パーティションに記憶されている全データを消去する。 (もっと読む)


【課題】アドレスデコーダにおいて、プログラムが暴走した際の不揮発性メモリへの書き込みを防止し、当該メモリの内容を適切に保護することができるメモリ制御方法、メモリ制御装置およびプリンタのメモリ制御方法を提供する。
【解決手段】データの書き換え可能な不揮発性メモリを含む複数の記憶装置に割り当てる複数のアドレス領域を配置し、制御情報により記憶装置の動作を制御するCPUと、CPUからの前記制御情報に基づいて、アクセスする記憶装置を特定し、当該記憶装置の動作を有効にするアクセス制御手段とを有する装置において実行されるメモリ制御方法である。CPUのアドレス空間は、不揮発性メモリに記憶されるプログラムを保護するための保護領域を配置する。このメモリ制御方法は、CPUが制御情報に基づいて保護領域を特定した場合、アクセス制御手段は不揮発性メモリに記憶されるプログラムの制御を禁止する。 (もっと読む)


発明は携帯型データキャリアの多値メモリにデータを安全に格納する方法に関する。多値メモリは、少なくとも3つの値(E,NE)をそれぞれがとり得る、1つまたはいくつかの多値メモリセル(SZ)を有する。少なくとも3つの値は、それぞれについて、メモリセル(SZ)のそれぞれの値(E,NE)が有効または無効と定義されている、相異なるデータ内容を表す。それぞれのメモリセル(SZ)の値(E,NE)は所要保全レベルに応じて選択的に有効または無効と定義される。
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【課題】フラッシュメモリや強誘電体メモリなどの不揮発性メモリにおける秘密保持を確実に行う。
【解決手段】本不揮発性メモリ・ドライバは、コンピュータに、不揮発性メモリに記録されている秘密情報に対するデータ書き換え又はデータ削除の命令を受け付ける命令受け付けステップと、秘密情報に対するデータ書き換え又はデータ削除の後にデータ書き換え前の秘密情報又はデータ削除の対象である秘密情報が不揮発性メモリ上に残されないようにするための無効化処理を、データ書き換え後の秘密情報にアクセス可能になる前又はデータ削除の対象である秘密情報にアクセスできなくなる前に実施する無効化実施ステップとを実行させるものである。 (もっと読む)


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