【課題】不揮発性メモリのバッファ領域のウェアレベルを緩和するメモリシステムが提供される。
【解決手段】本発明によるメモリシステムは使用者領域とバッファ領域を有する不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリのウェアレベル情報に基づいて、前記使用者領域の一部ブロックを前記バッファ領域に転換する動作を管理するためのウェアレベル制御ロジックと、を含む。前記ウェアレベル情報は前記使用者領域のプログラム−消去サイクル情報、ＥＣＣエラー率情報、又は消去ループ回数情報であり得る。本発明によると、バッファ領域のＰ／Ｅサイクル耐久性（ｅｎｄｕｒａｎｃｅ）を増加するか、或いはＥＣＣエラー率や消去ループ回数の増加率を減らすことによって、メモリシステムの性能を向上させ得る。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体メモリをストレージとして用いる場合のトータル的な応答性の向上を図ることのできる情報処理装置を提供する。
【解決手段】この情報処理装置は、複数の半導体メモリそれぞれの物理的特性を評価して、評価結果に見合った用途属性を、少なくとも一部の半導体メモリに割り当てる割当部と、データのライト命令に対して当該データのライト先として最適な用途属性の前記半導体メモリを判定する判定部とを具備する。複数の半導体メモリの物理的特性に個体差がある場合に、その半導体メモリの物理的特性が活かされるようにデータのライト先が判定部にて判定される。これにより、複数の半導体メモリを１つのストレージとして用いた場合のストレージのトータル的な応答性の向上を期待できる。 （もっと読む）

【課題】マルチタスク仮想マシンのためのヒープ組織。
【解決手段】ヒープ組織は、複数のタスクを並行して実行する実行エンジンと、前記実行エンジンに結合された複数のヒープを有しうる。いくつかの実施形態では、前記複数のヒープはシステム・ヒープおよび該システム・ヒープとは分離されたタスク・ヒープを含みうる。システム・ヒープは、前記複数のタスクによってアクセス可能なシステム・データを記憶しうる。タスク・ヒープは、前記複数のタスクのうちの一つのタスクによってのみアクセス可能なタスク・データを記憶しうる。 （もっと読む）

【課題】 外部に読み出されるパラメータが示すユーザー領域の総容量に含まれない拡張ユーザー領域を準備することにより、ファイルシステムのフォーマット等により、特定のデータの消去を防止可能なメモリ装置を提供する。
【解決手段】 不揮性半導体メモリ18は、第１の記憶領域18cと、第２の記憶領域18eを有する。制御部11aは、ホスト20からの第１のコマンドを受け、第１のコマンドに基づき前記第２の記憶領域の使用を許可する。制御部11aは、ホスト20からの第２のコマンドを受け、第２のコマンドに基づき第１の記憶領域の容量を示すパラメータをホストに送信し、制御部は、ホストからの第３のコマンドを受け、第３のコマンドに基づき第１の記憶領域にアクセスし、制御部は、前記第２の記憶領域の使用が許可されたとき、ホストから前記第３のコマンドを受け、第３のコマンドに基づき前記第２の領域にアクセスする。 （もっと読む）

【課題】書き換え保証回数内で書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性を向上することができる不揮発性メモリへの保存方法を提供する。
【解決手段】複数のデータを保存し、電気的に上記データの書き換えが可能で、各データの書き込み範囲より大きい所定範囲の単一ブロックを一括でしか消去できない不揮発性メモリ４へのデータの書き換えを行う制御装置１００は、複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、不揮発性メモリ４の書き換え回数をカウントするカウント部１０と、カウント部１０にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部１１と、判断部１１にて所定値以上と判断されると書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】記憶装置の空き容量が不足している場合に、システムや装置の異常の発生を抑制しつつ、記憶装置の領域を解放し、新たな領域を確保する。
【解決手段】メモリマネージャは、プログラムからの要求に応じてメモリ領域を確保するとともに、確保したメモリ領域に当該プログラムにより指定されたランクを設定する。また、メモリマネージャは、主記憶装置の空き容量が足りない場合、すでに確保されているメモリ領域の中から、各メモリ領域のランクに基づいて解放するメモリ領域を選択し、選択したメモリ領域を解放し、新たなメモリ領域を確保する。本発明は、例えば、組み込み機器に適用できる。 （もっと読む）

【課題】単一パーティションのみを具備している従来のメモリカード又はモジュールであるメモリカード及びモジュールにおいてパーティショニングを実装する装置及び方法。
【解決手段】本発明による代表的なメモリカード／モジュールは、メモリ装置と、データバス、コマンドライン、及びクロックラインを含むメモリインターフェイスと、を含んでいる。メモリカード／モジュールは、１つ又は複数のメモリ装置及びメモリインターフェイスに結合されたメモリコントローラを更に含んでいる。メモリカード／モジュールは、１つ又は複数のメモリ装置のパーティショニングを制御する手段を含んでおり、メモリコントローラは、パーティション情報に従って１つ又は複数のメモリ装置を動作させるべく構成されている。 （もっと読む）

【課題】仮想ＯＳ環境におけるメモリ管理について、アドレス変換部なしで、仮想ＯＳでの物理メモリの縮小・拡大をできるようにすること。
【解決手段】仮想ＯＳメモリ管理部００１と、各メモリ領域の所有状況を管理するメモリ管理テーブル００３と、起動時メモリ回収・再割当部０２３と、メモリ回収・再割当部０２４と、ＯＳ０２１と、メモリ管理部０２２とを有し、起動時にＯＳ０２１にＯＳ０２１が今後使用する可能性のあるすべてのメモリ領域を割当て、その後、起動時メモリ回収・再割当部０２３によりメモリ領域を回収することにより、メモリ管理部０２２が今後割当てられる可能性のあるすべてのメモリ領域を管理しているため、仮想ＯＳメモリ管理部００１がメモリ領域をＯＳ０２１に仮想ＯＳメモリ管理部００１追加・削減する際にアドレス変換なしに処理が行え、アドレス変換オーバヘッドを削減することができる。 （もっと読む）

【課題】 外部記録媒体への入出力速度に応じて撮像装置内記憶装置の領域を動的に調整することで、撮像装置内の記憶装置の使用効率を向上させること。
【解決手段】 少なくとも画像情報等のデータを一時的に格納するための一次記憶装置、上記データを保存するための外部記録媒体を有し、さらに、上記一次記憶装置は、撮像装置およびＰＣ間で交換される上記データを保存するための転送データ格納領域を有する撮像装置において、撮像装置およびＰＣ間の上記データ交換時、上記撮像装置内外部記録媒体への入出力速度に応じて、上記転送データ格納領域を動的に調整し、変更後と変更前の差分となる上記一次記憶装置上の領域を撮像装置内他処理の使用領域として割り当てることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像形成装置に不揮発性の半導体記憶装置を搭載する場合において、ウェアレベリングの処理を効率化する。
【解決手段】画像形成装置における画像形成出力においてＮＡＮＤフラッシュメモリへの情報の書き込み命令を取得し、情報を書き込むべき記憶領域が、描画情報を一次的に記憶するための一次記憶領域であるか、それ以外の通常記憶領域であるか判断し、一次記憶領域である場合に、情報の書き込み先として一次記憶領域に含まれる全領域を先頭から順番に選択し、次の画像形成出力において再度前記一次記憶領域に情報を書き込む際、前回の画像形成出力において情報が書き込まれた領域の次の領域を選択する。 （もっと読む）

【課題】低ポート数メモリーをバンクとして使用してマルチポートメモリーをシミュレートする。
【解決手段】メモリーの一部分は、スレッドに関連するデータを記憶するために割り付けられる。スレッドに割り付けられたメモリーの一部分は、ただ１つのバンク内に記憶されてもよく、あるいは、複数のバンク内に記憶されてもよい。ソースオペランドは、１つ以上のバンクから出力されるので、それぞれのバンクに結合された収集ユニットが、プログラム命令を処理するのに必要なソースオペランドを集める。プログラム命令を処理するのに必要なすべてのソースオペランドが集められると、収集ユニットは、ソースオペランドを実行ユニットへ出力する。 （もっと読む）

【課題】書き込み回数、読み出し回数、消去回数のうちの少なくとも一つに上限のある不揮発性半導体メモリを効率的に使用する。
【解決手段】本発明の一例のメモリ管理装置１は、外部から接続された不揮発性半導体メモリ３２ａの所定領域毎の消去回数を含むメモリ使用情報１１を管理するメモリ使用情報管理部２２と、メモリ使用情報１１に基づき、不揮発性半導体メモリ３２ａの消去回数が、当該不揮発性半導体メモリ３２ａの消去可能上限回数に達する前に、不揮発性半導体メモリ３２ａに警告を通知する通知部３５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＰＵからの１コマンドでコンパクション動作が実行される半導体記憶装置。
【課題を解決するための手段】 半導体記憶装置は、不揮発性メモリのコマンドをキューイングするキューイングバッファ（２６）と、不揮発性メモリのリードコマンドを発行するリード手段（＃１０２）と、リード手段により前記不揮発性メモリから読み出されたデータをユーザデータと管理データとに分離する分離手段（＃１０４）と、不揮発性メモリのライトアドレスを管理するライトポインタ情報により示されるアドレスを分離手段により得られた管理データに対して加えてライトコマンドを発行し、キューイングバッファへ自動的にキューイングするライトコマンド発行手段（＃１１０）と、ライトコマンド発行手段により発行されたライトコマンドを不揮発性メモリに与え、データを不揮発性メモリに書き込むライト手段（＃１１４）とを具備する。 （もっと読む）

【課題】任意のデータの迅速な取得を可能にし、コスト高騰を抑え、遊興性を向上させる信号処理システム、遊技機を提供する。
【解決手段】信号処理システムのグラフィックス用ロジック６と及び音声用ロジック７に供給する画像データ及び音声データ等の各種データが格納された外部メモリ２５を備える。外部メモリ２５は、各種データが格納されるＮＡＮＤメモリ２７_１，・・・２７_ｍと、各種データが格納されるＮＯＲメモリ２６_１，・・・２６_ｎとを備える。 （もっと読む）

本発明は、コンピュータシステムのランダムアクセスメモリを管理する方法を提供する。コンピュータシステムは、プロセッサと、第１の静的ランダムアクセスメモリと、第２の動的ランダムアクセスメモリと、を備える。本方法は、プロセッサにより実行される少なくとも１つの命令を受け取る工程と、プロセッサによる命令の実行についての優先レベルを判定する工程と、前記命令が優先性の高い命令であることを該命令の優先レベルが示す場合、前記プロセッサによる該命令の実行のために、該命令を前記第１のメモリに読み込む工程と、前記命令が優先性の高い命令であることを該命令の優先レベルが示さない場合、前記プロセッサによる該命令の実行のために、該命令を前記第２のメモリに読み込む工程と、を含む。
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方法は、複数のマスターの各マスターのメモリアクセスパターンを予測するステップを含む。複数のマスターは、クロスバー相互接続部を介して多チャンネルメモリにアクセスすることができ、その多チャンネルメモリは、複数のバンクを有する。本方法は、複数のバンクの各バンクと関連するページサイズを識別するステップを含む。本方法はまた、各マスターのメモリアクセスパターンに基づいて複数のバンクの少なくとも1つのバンクを複数のマスターの各マスターに割り当てるステップも含む。
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【課題】高いパフォーマンスを維持しつつユーザの要求に応じて柔軟にメモリシステムを対応させることができる半導体記憶装置を実現する。
【解決手段】本発明の半導体記憶装置は、ＮＡＮＤフラッシュ１２と、ユーザデータが保持され、外部からアクセス可能なユーザ領域１１１と、ＮＡＮＤフラッシュ１２のシステム情報が保持され、ユーザ領域１１１と互いに排他的な領域であるシステム領域１１２と、ユーザ領域１１１およびシステム領域１１２を備えたＤＲＡＭ１１と、ＮＡＮＤフラッシュ１２にアクセスするためのＮＡＮＤ-ＣＴＬ１５と、ＤＲＡＭ１１にアクセスするためのＤＲＡＭ-ＣＴＬ１４と、ＮＡＮＤ-ＣＴＬ１５がシステム領域１１２にアクセスするためにＮＡＮＤ-ＣＴＬ１５とＤＲＡＭ-ＣＴＬ１４との間に設けられた内部バス１６と、ＮＡＮＤ-ＣＴＬ１５、ＤＲＡＭ-ＣＴＬ１４、および内部バス１６を備えたメモリコントローラ１３を有する。 （もっと読む）

【課題】書き換え回数又は読み出し回数に制限のある不揮発性メモリを効果的に利用可能とする。
【解決手段】本発明の一例のメモリ管理装置１を含む情報処理装置は、第１のメモリ８と、不揮発性の第２のメモリ９とを含む混成メモリ２に対する書き込み位置を指定する書き込み先論理アドレスと、書き込み対象データとを、プロセッサ６ｂから受け付ける受付手段１８と、第２のメモリ９へのアクセス回数が第１のメモリ８へのアクセス回数より少なくなるように、書き込み先論理アドレスに対応する書き込み先物理アドレスを決定するアドレス決定手段１９と、書き込み先論理アドレスと書き込み先物理アドレスとを関連付けたアドレス変換データ１３を、記憶手段１７に記憶するアドレス管理手段２０と、混成メモリ２における書き込み先物理アドレスの示す位置に、書き込み対象データを書き込む書き込み手段２１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フレームメモリを効率的に利用する。
【解決手段】フレームメモリ制御部１４が、ビデオデータ格納エリアとデータ格納エリアとを有するフレームメモリ１３に格納されるビデオデータのビデオサイズの変更を検出し、ビデオサイズの変更が検出された場合、フレームメモリ制御部１４は、フレームメモリ１３中におけるデータ格納エリアをビデオサイズごとに管理する管理情報を格納する記憶部１５から、変更後のビデオサイズの管理情報を参照して、変更前のデータ格納エリアに格納されたデータを、変更後のデータ格納エリアに乗せ替える。 （もっと読む）

【課題】
多値フラッシュメモリにおいては書き込み速度の向上と長寿命化が課題となっている。
【解決手段】
本発明の不揮発性メモリは、複数のブロックで構成され、ブロックはそれぞれ複数のページで構成され、ページはそれぞれ複数のセルで構成され、ページは、１つのセルに複数ビットを記録する第１のモードでライト可能であり、ページはまた、１つのセルに前記複数ビットよりも少数のビットを、第１のモードでのライトに要する時間よりも短い時間で記録する第２のモードでライト可能である。コントローラは、半導体記憶装置の外部からのデータのライト要求に応答して、第２のモードを用いてデータを第１のページに書いたのち、第１のモードを用いて第１のページ内のデータの一部を第２のページに書くことを特徴とする。 （もっと読む）