【課題】向上された動作速度を有する不揮発性メモリ装置及び不揮発性メモリ装置を制御するコントローラの動作方法を提供する。
【解決手段】本発明の不揮発性メモリ装置は、データのプログラム、読出し又は消去を遂行する第１プレーン、データのプログラム、読出し又は消去を遂行する第２プレーン、及び第１プレーン又は第２プレーンから共通バスを通じて伝送されるデータを外部へ出力し、外部から受信されるデータを、共通バスを通じて第１プレーン又は第２プレーンへ伝送するデータ入出力回路を含む。第１プレーンでプログラム、読出し又は消去が遂行される時、データ入出力回路は共通バスを通じて第２プレーンとデータを交換する。 （もっと読む）

【課題】動作速度及び電力消耗を減らすことができるメモリシステム及びそれの動作方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるメモリシステムは不揮発性メモリ装置と、前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されたメモリ制御器と、を含み、前記メモリ制御器は前記不揮発性メモリ装置から読み出されたデータのエラーの位置情報を含むエラーフラッグ情報を前記不揮発性メモリ装置へ提供する。 （もっと読む）

【課題】、復号効率のよいメモリカード３を提供する。
【解決手段】メモリカード３は、複数のメモリセル１３Ｄと、ＨＢ読み出し電圧とＳＢ読み出し電圧とを、メモリセル１３Ｄに印加する制御を行うＣＰＵコア１１と、閾値電圧をもとにＬＬＲテーブルから取得したＬＬＲに基づき軟判定復号を行うＥＣＣ部１と、を具備し、第１のＬＬＲテーブル２０Ａから取得したＬＬＲに基づいた復号が失敗した場合に、最高電圧の第１のＨＢ読み出し電圧Ｈ０７を中心とする閾値電圧分布を測定し、閾値電圧分布の最小頻度電圧ＶＭと第１のＨＢ読み出し電圧Ｈ０７との差である第１のシフト値ΔＶ１が「負」の場合には、第２のＬＬＲテーブル２０Ｂから取得したＬＬＲに基づき復号を行い、第１のシフト値ΔＶ１が「正」の場合には、第３のＬＬＲテーブル２０Ｃから取得したＬＬＲに基づき復号を行う。 （もっと読む）

【課題】新たなリードパラメータで不揮発性メモリ装置をリードするリードリトライを行う方法、該方法を行う装置を提供する。
【解決手段】リードリトライ動作及び／またはその部属的なリードリトライ動作は、リードリトライ動作が保証（ｗａｒｒａｎｔｅｄ）されるか否かを判断する前に初期化されるか、完了することができる。例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリ装置のページは、新たなリード電圧レベルをページのワードラインに印加して、リードリトライ動作でリードされうる。例えば、リードリトライ動作は、エラー訂正動作でターゲットページのデータの以前リードページのエラーを訂正不能と判断される前に、ターゲットページで行われる。 （もっと読む）

【課題】効率的なメモリーアクセスができる記憶装置及び印刷装置等を提供すること。
【解決手段】記憶装置１００は、バスＢＳを介して接続されるホスト装置４００との通信処理を行う制御部１１０と、ホスト装置４００からのデータがシーケンシャルに書き込まれる記憶部１２０と、記憶部１２０のアクセス制御を行う記憶制御部１３０と、クロック信号が入力されるクロック端子ＴＣＫと、データ信号が入力されるデータ端子ＴＤＡと、リセット信号が入力されるリセット端子ＴＲＳＴとを含む。制御部１１０は、クロック信号及びリセット信号の電圧レベルに基づいて、記憶部１２０に対するアクセスを制御するモードであるアクセス制御モードが通常モードであるか、或いはスキップモードであるかを判断する。記憶制御部１３０は、アクセス制御モードがスキップモードである場合には、スキップアドレスを開始アドレスとして記憶部１２０のアクセス制御を行う。 （もっと読む）

【課題】向上された信頼性を有する不揮発性メモリ装置、不揮発性メモリ装置の消去方法、不揮発性メモリ装置の動作方法、不揮発性メモリ装置を含むメモリシステム、及びメモリシステムの動作方法が提供される。
【解決手段】本発明の消去方法は複数のメモリセルに消去電圧を供給する段階、複数のメモリセルのワードラインに読出し電圧に読出し動作を遂行する段階、及び複数のメモリセルのワードラインの少なくとも１つのワードラインに消去検証電圧を利用して消去検証動作を遂行する段階を含む。消去検証電圧は読出し電圧より低い。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる不揮発性メモリ装置の提供。
【解決手段】メモリセルアレイの選択されたページからデータを読み出すか、或いはメモリセルアレイの選択されたページへ書き込むように構成されたページバッファ回路と、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて、ページバッファ回路へ伝送されるか、或いはページバッファ回路から伝送されるデータをランダム化及びデランダム化するように構成されたランダム化及びデランダム化回路と、を有し、選択されたページは複数のセグメントで構成され、ランダム化及びデランダム化回路は、選択されたページに割り当てられたシードに基づいて選択されたページのアクセス要請されたセグメントの各々に対するランダムシークェンスを生成するように構成され、シードにしたがって反復的に生成されたランダムシークェンスに基づいて各アクセス要請されたセグメントのデータをランダム化及びデランダム化するように構成される。 （もっと読む）

【課題】 パストランジスタ間の空間確保が可能な不揮発性メモリ装置を提供する
【解決手段】 不揮発性メモリ装置１００が備える行デコーダ１２０は、パストランジスタ部１２３＿Ｌ、１２３＿Ｒを含む。パストランジスタ部１２３＿Ｌ、１２３＿Ｒは、メモリブロック１１０の左右に配列される。ブロック選択信号ＢＬＫＷＬ１によって共通ゲートを形成するパストランジスタ端Ｐａｓｓ ＴＲ ０とパストランジスタ端Ｐａｓｓ ＴＲ ８とは、選択的に活性化される第１駆動信号ラインＳＩ１及び第２駆動信号ラインＳＩ２によって独立して駆動される。互に異なるブロック選択信号ＢＬＫＷＬによって駆動されるパストランジスタは、１つの活性領域の上に形成され得る。これにより、１つの活性領域の上に２つのパストランジスタを形成する場合、パストランジスタ部１２３＿Ｌ、１２３＿Ｒのチャンネル方向の大きさを減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】
実施形態は、動作効率の低減を防止可能なメモリシステムを提供する。
【解決手段】
本実施形態のメモリシステムによれば、半導体チップの内部温度とアクセス可否とを対応づけたデータを保持する第１記憶部と、前記半導体チップの内部温度を計測する温度計測部と、前記データから、計測された内部温度に対応するアクセス可否を算出し、アクセス可の半導体チップに対して、シーケンスを実行し、アクセス否の半導体チップに対して、シーケンスを実行しない制御部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】読み出し動作開始から読み出し動作完了までの処理時間を可及的に低減する。
【解決手段】制御部は、不揮発性メモリに格納されているデータを読み出す際、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧の値を用いて不揮発性メモリからデータを読み出して、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出したとき、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなるまで読み出し電圧を変更して前記不揮発性メモリからデータの再読み出しを行い、誤り検出部が読み出されたデータに誤りを検出しなくなったとき、読み出し電圧管理情報に記録されている読み出し電圧を更新する。 （もっと読む）

【課題】ピーク電流を低減する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１０は、不揮発性メモリ１１と、電圧発生回路２４と、検知回路２５とを含む。電圧発生回路２４は、チャージポンプ３０と、チャージポンプ３０を動作させるクロックを生成するオシレータ３２とを有し、かつ不揮発性メモリ１１に電圧を供給する。検知回路２５は、外部からの電源電圧を監視し、電源電圧が特定のレベルより低くなったことを検知する。電圧発生回路２４は、電源電圧が特定のレベルより低くなった場合に、クロックの周波数を低くする。 （もっと読む）

【課題】 誤動作を防ぐとともに、サイズが小さい不揮発プログラマブルロジックスイッチを提供すること。
【解決手段】 本発明の実施形態による不揮発プログラマブルロジックスイッチは、制御ゲートが第１の配線に接続され、第１のソースドレイン端が第２の配線に接続され、電荷を蓄積する膜を有する第１のメモリセルトランジスタと、制御ゲートが前記第１の配線に接続され、第３のソースドレイン端が前記第１のメモリセルトランジスタの第２のソースドレイン端に接続され、第４のソースドレイン端が第３の配線に接続され、電荷を蓄積する膜を有する第２のメモリセルトランジスタと、前記第１のメモリセルトランジスタの前記第２のソースドレイン端と前記第２のメモリセルトランジスタの前記第３のソースドレイン端にゲート電極が接続されたパストランジスタと、前記パストランジスタのウェルに基板電圧を印加する第１の基板電極を有する。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、出荷後においてメモリセルの動作特性を変更できる半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、メモリセルアレイと記憶部と選択部と起動処理部と動作制御部とを有することを特徴とする半導体記憶装置が提供される。メモリセルアレイでは、複数のメモリセルが配列されている。記憶部は、選択される候補となる複数の動作パラメータを予め記憶する。選択部は、ユーザからの変更指示に応じて、前記複数の動作パラメータのうち前記メモリセルを動作させるために使用すべき動作パラメータを選択する。起動処理部は、ユーザからの起動指示に応じて、電源を起動するとともに、前記選択部により選択された動作パラメータを前記記憶部から読み出して使用可能な状態に設定する。動作制御部は、前記起動処理部により使用可能な状態に設定された動作パラメータを使用して、前記メモリセルを動作させる。 （もっと読む）

【課題】 １つをメモリブロックの書き込み動作中に、別のメモリブロックの読み出し動作を実行することで、アクセス効率を向上する。
【解決手段】 半導体メモリは、複数ビットの書き込みデータおよび書き込みデータのパリティデータをビット毎に保持する複数のメモリ領域を有する複数のメモリブロックを有している。書き込みコマンドに応答して、メモリブロックの１つである書き込みメモリブロックのメモリ領域に、書き込みデータおよびパリティデータが順に書き込まれる。読み出しコマンドに応答して、書き込みメモリブロックを除くメモリブロックの１つにおいて、書き込みデータおよびパリティデータが供給されていないデータ線に対応するメモリ領域からデータが読み出され、書き込み動作により読み出させないデータが再生される。これにより、書き込み動作と並行して読み出し動作を実行できる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルの劣化がある程度進行している状態と、要求仕様を満たさなくなるまで劣化が進行した状態とを外部で認識できるようにする。
【解決手段】半導体装置１において、メモリセルＭＣは、閾値電圧の相違を利用してデータを不揮発的に記憶する。制御回路１１は、データ消去時、メモリセルの閾値電圧が第１ベリファイ電圧以下でない場合にはメモリセルに閾値電圧を小さくするための消去電圧を印加する。制御回路は、消去電圧の印加時間が第１の判定値を超えると第１の劣化状態を表わす信号を出力し、消去電圧の印加時間が第１の判定値より大きい第２の判定値を超えると第２の劣化状態を表わす信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】データをランダム化させて格納する不揮発性メモリ装置、それのプログラム方法及び読出し方法、及びそれを含むメモリシステムが提供される。
【解決手段】本発明による不揮発性メモリ装置のプログラム方法は、第１ページプログラム動作の時、前記第１ページプログラムの可否に関連された情報を有する第１ページフラッグをプログラムする段階及び第２ページプログラム動作の時、前記第２ページプログラムの可否に関連された情報を有する第２ページフラッグをプログラムする段階を含む。上述したように本発明による不揮発性メモリ装置は、データをランダム化させて格納することによって、データの信頼性を向上させる。また、本発明による不揮発性メモリ装置は、読出し動作の時、ページのプログラムの可否にしたがってランダム化の可否を決定することによって、読出しエラーを減らし得る。 （もっと読む）