【課題】 撮像面において、瞳分割方式の焦点検出を行う装置において焦点検出の正確性を向上させる。
【解決手段】 本発明は、光電変換ユニットの少なくとも１つの光電変換素子の信号を増幅部の入力ノードへ読み出し、増幅部を介して前記共通出力線へ信号を読み出す第１の動作により焦点検出用の信号を生じさせ、前記第１の動作により読み出された信号が増幅部において保持された状態で同じ光電変換ユニットに含まれる他の光電変換素子の信号を増幅部の入力ノードへ読み出し、増幅部を介して共通出力線へ信号を読み出す第２の動作により画像形成用の信号を生じさせる。 （もっと読む）

【課題】 被写体に強いスポット光が含まれることにより撮影画像の左右に向けて暗い帯が発生することと、画質の低下との双方を抑制する。
【解決手段】 １つ前の行と現在の行のＯＢ部５１の出力の平均値ＯＢＡ、ＯＢＢの差の絶対値と、１つ前の行と現在の行の飽和画素数の差の絶対値との何れもが基準値未満でない場合に、暗い帯が発生していると判定する。そして、暗い帯が発生していると判定した場合に限り、ＯＢクランプ回路における補正係数の値を上げて当該暗い帯を補正する。 （もっと読む）

【課題】ストリーキングを低減することができるようにする。
【解決手段】 入射された光に対応する画素読み出し信号を出力する複数の単位画素から出力された画素読み出し信号が信号線により伝達され、信号線に接続され、単位画素から画素読み出し信号を読み出すための読み出し電流を供給され、画素読み出し信号のレベルをディジタルデータに変換するための参照信号が生成され、信号線の電圧の振幅の変化を制限する閾値を参照信号のゲインに連動して切り替えて、信号線の電圧の振幅の変化が制限される。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射検出を迅速かつ正確に行う。
【解決手段】電子カセッテは、ＦＰＤの画素を利用してＸ線源からＸ線の照射が開始されたことを自己検出する。ＦＰＤは画素から信号電荷を非破壊で読み出すことが可能であり、画素が出力する信号のゲインを変更可能である。電子カセッテは、照射開始検出動作において、まず、画素のゲインを高ゲインＧｎＬに設定して出力信号を読み出して、その信号値ＳＶが閾値Ｔｈ以上になったか否かを判定する一次判定を行う。一次判定が肯定された場合には、低ゲインＧｎＬに変更して出力信号を読み出して、その信号値ＳＶで二次判定を行う。高ゲインＧｎＨで一次判定を行うため、Ｘ線の強度が低い段階で照射開始を検出できる。低ゲインＧｎＬで二次判定を行うため、正確な検出が行われる。 （もっと読む）

【課題】信号書き込み時間が長くなることを防ぎながら、信号振幅値が大きく、かつ、入出力関係が線形で動作する範囲を大きくすることが出来る半導体装置およびその駆動方法を提供する。
【解決手段】増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、放電用トランジスタを設けて、プリ放電を行う。または、増幅用トランジスタ及びバイアス用トランジスタを有する半導体装置において、バイアス用トランジスタに接続されたバイアス側電源線の電位を、増幅用トランジスタに接続された増幅側電源線の電位に近づけることにより、プリ放電を行う。 （もっと読む）

【課題】 生成する画像中のノイズを抑制するとともに容易に製造することが可能な固体撮像素子やその製造方法を提供する。
【解決手段】 転送トランジスタ３は、ｐ型の基板１０と、基板１０中に形成され光電変換によって生じた電子を蓄積するｎ型の受光部２１と、基板１０中に形成される受光部２１よりもｎ型不純物の濃度が高いｎ型の浮遊拡散領域４と、基板１０上に設けられる絶縁層３１と、絶縁層３１上かつ少なくとも受光部２１及び浮遊拡散領域４の間に設けられるｎ型のゲート電極３２と、を備える。ゲート電極３２は、浮遊拡散領域４側ほどｎ型不純物の濃度が高く、受光部２１側ほどｎ型不純物の濃度が低い。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ機能を有する半導体装置において、ダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタのゲートに電気的に接続された光電変換素子と、を有する半導体装置であって、１フレーム期間において、増幅用トランジスタから信号出力線へｎ（ｎは２以上の整数）個の信号を出力可能とする。画素から複数の信号の読み出しすことができるため、ダイナミックレンジが拡大できる。 （もっと読む）

【課題】 良好な性能を有する光電変換装置を提供する
【解決手段】 光電変換部１１０を覆うとともに、転送ゲート１２０の転送ゲート電極１２１の光電変換部１１０側の側面に沿って延在して転送ゲート電極１２１の上面１２１０を覆う第１保護膜２２０を備え、第１保護膜２２０と光電変換部１１０との間に、第１保護膜２２０の屈折率及び光電変換部１１０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第１領域１１が設けられ、第１保護膜２２０と転送ゲート電極１２１の上面１２１０との間に、転送ゲート電極１２１の屈折率及び第１保護膜２２０の屈折率よりも低い屈折率を有し、第１保護膜２２０と界面を成す第２領域２２が設けられており、第１領域１１の光学膜厚をＴ_１、第２領域２２の光学膜厚をＴ_２、光電変換部１１０へ入射する光の波長をλとして、Ｔ_１＜Ｔ_２＜λ／２−Ｔ_１を満たす。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で、放射線の照射に関する検出を行うことができる、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線画像撮影システムを提供する。
【解決手段】画素２０が、ＴＦＴスイッチ４と、センサ部１０３と、ソースフォロア回路４０であるＴＦＴスイッチ４２と、を備えている。ＴＦＴスイッチ４２は、ゲート端子がセンサ部１０３に接続されており、一端が専用配線４４に接続されており、他端が放射線検出配線１２２に接続されている。放射線検出モードでは、センサ部１０３で発生した電荷により、ＴＦＴスイッチ４２がスイッチングされ、センサ部１０３で発生した電荷に応じた電荷が放射線検出配線１２２に出力される。すなわち、照射された放射線の線量に応じた電荷がＴＦＴスイッチ４２により放射線検出配線１２２に出力される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサの画質を改善する
【解決手段】本実施形態の固体撮像装置は、半導体基板１１０の画素アレイ１２０内に設けられた単位セル形成領域ＵＡと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、被写体からの光信号に基づいた信号電荷を生成する画素１Ａと、単位セル形成領域ＵＡ内に設けられ、画素１Ａからフローティングディフュージョン６に転送された信号電荷に対応した電位を増幅するアンプトランジスタ５と、を含む。アンプトランジスタ５のゲート電極５０は、半導体基板１１０の溝内にゲート絶縁膜を介して埋め込まれた第１の埋め込み部１５１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】光信号とノイズ信号とが画素から異なるインピーダンス変換部を経由して出力部へ読み出される場合でも、インピーダンス変換部のオフセットが画像信号に含まれることを低減する。
【解決手段】第１の伝達部１０３Ｓは第１の信号を出力部へ向けて伝達する第１のインピーダンス変換部を含み、第１のインピーダンス変換部の第１のオフセットと第１の信号に第１のオフセットが重畳された信号との差分信号を第３の信号として出力部へ伝達し、第２の伝達部１０３Ｎは第２の信号を出力部へ向けて伝達する第２のインピーダンス変換部を含み、第２のインピーダンス変換部の第２のオフセットと第２の信号に第２のオフセットが重畳された信号との差分信号を第４の信号として出力部へ伝達し、出力部は第３の信号と第４の信号との差分をとることにより画像信号を生成して出力する。 （もっと読む）

【課題】より良好な画素信号を得る。
【解決手段】固体撮像素子は、入射する光を電荷に変換する光電変換素子、および、光電変換素子により光電変換された電荷を一時的に保持する電荷保持部が形成された半導体基板と、少なくとも半導体基板の光電変換素子および電荷保持部の間の領域に延在するように埋め込まれる埋め込み部を有する遮光部とを備える。さらに、遮光部は、光電変換素子に光が入射する側である半導体基板の裏面側において、少なくとも電荷保持部を覆うように配置される蓋部をさらに有する。本技術は、例えば、裏面照射型のCMOSセンサに適用できる。 （もっと読む）

【課題】焦点検出用の半導体装置に含まれる一対のセンサ部において、信号用として用いる一方のセンサ部の制御信号を切替えることによって、検知用として用いる他方のセンサ部の信号にノイズが混入する事を防ぐ。
【解決手段】半導体装置は、光電変換部、信号保持部、および転送部ＴＸを有し信号保持部が保持する信号に応じた信号を出力する一対のセンサ部と、検知部を備える。第１モードとして動作するセンサ部は、検知部により出力される信号が所定値に達したことが検知されると、転送部を非導通状態にして信号の転送を終了し、第２モードとして動作するセンサ部は、第１モードとして動作するセンサ部において信号の保持がされた後に、転送部を導通状態とすることによって発生した電荷に応じた信号の転送を開始し、その後、転送部を非導通状態とすることによって信号の転送を終了し信号保持部に保持された信号を確定する。 （もっと読む）

【課題】ＸＹアドレス方式の撮像素子による撮像画像の歪みを防止すると共に、画素内への光の漏れ込みに起因する撮像画像の劣化を抑制することが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】全行の転送トランジスタと全行のリセットトランジスタをオンにして、フォトダイオードとＦＤとをリセットし、フォトダイオードへの露光を開始する（タイミングｔ１）。次に、所定の露光時間の経過後に、全行の転送トランジスタをオンにして、全画素のフォトダイオードの信号電荷をＦＤに転送することで、露光を終了させる（タイミングｔ２）。その後、絞りの閉動作を実施して光漏れの上下差を低減する（タイミングｔ８からｔ９）。そして、フォトダイオードから転送された信号電荷に応じた電圧をＦＤから行毎に順次読み出す（タイミングｔ５からｔ６）。 （もっと読む）