本発明は、発散する荷電粒子ビームを発生させるための荷電粒子源と、この発散する荷電粒子ビームを屈折させるための集束手段と、複数のレンズを有するレンズアレイとを具備し、このレンズアレイは、前記荷電粒子源と、前記集束手段との間に位置されている複数の荷電粒子小ビームを発生させるための装置に関する。このようにして、前記集束手段の収差を減少させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線光学系の収差を分離して測定できるようにし、荷電粒子線光学系の有効領域における収差をバランスよく調整することが可能な収差測定装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子線光学系の収差を測定するために、複数の荷電粒子線を互いに異なる入射角で前記荷電粒子線光学系の物体面に入射させる荷電粒子生成手段と、前記複数の荷電粒子線が、前記荷電粒子線光学系の像面上に結像する位置を検出する検出手段とを有し、前記荷電粒子生成手段は、各荷電粒子線に対応した電子光学系を有し、各電子光学系の瞳位置に、対応する荷電粒子線が互いに異なる入射角で前記物体面に入射するような開口絞りを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】多極子レンズを使用する収差補正器付電子線装置は、光軸調整の際に収差補正器単体の軸合わせ不良と収差補正器以外の部分での軸合わせ不良が、渾然として切り分けがつかず、調整に時間がかかる。
【解決手段】収差補正器を動作させる走査モードと、動作させない走査モードをもち、その両方で対物レンズの物点位置が変わらないように収差補正器、コンデンサーレンズ等の動作を制御する。両モードで試料の２次電子像を比較すれば像倍率やフォーカスは変わらず、収差補正器の効果のみを切り分けて評価、調整でき、軸調整時間の短縮が図れる。 （もっと読む）

耐雑音性が高く、高感度のビーム電流測定を実現することのできる測定装置および測定方法を提供する。
外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部（８）と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された磁場センサ（２）とを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するビーム電流測定装置であって、前記磁場センサの磁束−帰還電流変換係数を８×１０^−１５ＷＢ／Ａ以上とする。
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【課題】 電子放出源から放出される電子（電子ビーム）の位置をエクストラクタで直接感知することによって、マイクロカラムのエクストラクタ孔及び電子放出源の整列をより容易に且つ簡便に行うことができ、しかも自動整列を可能にすることによって、長時間電子カラムを使用しても、正確な整列補正を容易に且つ自動に行うことができるエクストラクタ及びこれらを整列する方法を提供する。
【解決手段】 本発明によるマイクロカラムに用いられるエクストラクタは、電子放出源から放出された電子ビームの電子を電気的に導通させる複数の感知領域と、電子の流れを遮断する絶縁体又は電子の流れを減少させる低濃度ドープ半導体よりなり、前記各々の感知領域を分割する絶縁部と、を備える。
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【課題】 電子ビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に計測する際、長い伝送経路に重畳するノイズの影響を低減し、また、マルチビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に効率よく計測する技術を提供する。
【解決手段】 電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を遮断・接続するスイッチ１１０を用いて、ビーム電流計測の間、電子ビーム検出素子１０９を検出信号用伝送経路１２４から遮断し、電子ビーム検出素子１０９内に検出信号を蓄積し、計測終了と同時に電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を接続し、蓄積信号を計測する。また、同様な計測方法を複数同時に行うため、電子ビーム検出素子と複数のスイッチとを用いて、複数本の電子ビームを同時に高精度に計測する。 （もっと読む）

【課題】露光／非露光部にて電子ビームを高速にＯＮ／ＯＦＦして描画する電子ビーム描画装置において、ビームＯＮ時間に対するビーム照射量の非直線性により、試料上に形成される描画パターンの寸法精度が悪化するという課題がある。
【解決手段】露光／非露光部にて電子ビームを高速にＯＮ／ＯＦＦして描画する電子ビーム描画装置において、ビームＯＮ時間に対するビーム照射量の特性を予め計測し、ビームＯＮ時間の補正データを作成しておき、描画時には前記補正データに基づいて、所望のビーム照射量が得られるようにビームＯＮ時間を補正する。 （もっと読む）

【課題】 露光転写を行っている途中でも、電子線の電流密度を推定することができる方法を提供する。
【解決手段】 電子線源１から放出された電子線２は、照明光学系３を介してレチクル４の所定の領域を照明する。照明された領域にあるパターンの像が、投影光学系５を介して、ウエハ６上に形成されたレジスト上に形成される。それと共に、ウエハ６とレジストからは、反射電子７が発生するが、この反射電子７が電極板８ａに入射し、その電流値Ｉ_ｒが反射電子検出器８で検出される。反射電子検出器８で検出された電流値Ｉ_ｒは、制御装置０に送られ、制御装置９は、この値から、ウエハ６上のレジストに入射する電子線の電流密度を算出する。 （もっと読む）

【課題】所望のパターン寸法精度を得られる荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】露光される基板に対して荷電粒子線の遮蔽と露光を繰り返すブランキング手段を用いて前記基板を露光する荷電粒子線露光装置において、ブランキングの方向を調整する。ブランキングの方向は、例えばラスタースキャン方向と垂直な方向または荷電粒子線の基板上でのビーム径が最も短い方向となるように調整する。 （もっと読む）