【課題】自動チップ形成を備える帯電粒子源を提供する。
【解決手段】帯電粒子デバイスは、エミッタチップ１３を含むエミッタユニットと、エミッタチップに安定な引出電界を生成するための定電圧を供給するように構成された電圧供給ユニット２２２と、安定引出電界に加えてパルス引出電界を生成するためのパルス電圧を供給するように構成されたパルス電圧供給部品２２４と、エミッタ特性を測定するための測定ユニット１４２、１４２’、１４２”と、測定ユニットから信号を受け取るように構成され、かつパルス電圧供給部品を制御するように構成された制御ユニット１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置のビーム電流検出方法に関し、オンライン動作させながら、電子ビームの電流密度を測定することができるようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法を提供することを目的としている。
【解決手段】第１のスリットと第２のスリットを組み合わせることで、任意の形状の電子ビームを作り、その電子ビームを描画材料１２上に照射して所定のパターンを描画するようにした電子ビーム描画装置のビーム電流測定方法であって、第２のスリットを電子ビームが開口部を通過しないようにして、第２のスリットを流れる電流Ｉａを求め、次に第２のスリットの部分で電子ビームの一部が開口部を通過するようにして第２のスリットを流れる電流Ｉｂを求め、前記電流ＩａとＩｂの差分に基づいて材料面上の電流密度を測定するように構成する。 （もっと読む）

【課題】微細な電子ビームの形状を簡便な方法で測定することが可能なナノワイヤ架橋デバイスとその作成方法を、また、それを応用した電子ビームの形状測定方法を提供する。
【解決手段】金属板を渡るようにナノワイヤ、例えばカーボンナノチューブを配置し、ナノワイヤの両端部分を金属板に固定するナノワイヤ架橋デバイスの作成方法および金属板を渡るように架設されたナノワイヤを有するナノワイヤ架橋デバイス。 （もっと読む）

【課題】 多くの手間と作業時間を必要とせず、エミッタ電極を精度良く位置決めできる荷電粒子ビーム発生装置を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビームを発生させるエミッタ電極を有するエミッタ電極ユニットと、エミッタ電極で発生した荷電粒子ビームを試料に偏向照射するための荷電粒子ビーム光学系と、エクストラクタ電極およびレンズを有する内臓ユニットを備えた荷電粒子ビーム発生装置において、内臓ユニットの上部にエミッタ電極位置決め手段を設け、荷電粒子ビーム光学系の光軸上で、エミッタ電極がエミッタ電極位置決め手段に位置決めされて脱着可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム描画装置のスループット向上のために、複数の陰極を備えた電子銃を実現し、各電子ビームの調整方法を提供する。
【解決手段】
加速空間内に全ての電子ビームに作用する偏向器（４０８）と回転コイル（４０９）を設置する。加速空間外に各電子ビームに作用する偏向器（４１０）を設置する。加速空間外に放熱機構を有する電子ビーム遮断板（４１１）を設置する。各陰極を温度制限領域にて使用する。 （もっと読む）

【課題】 マルチビームが試料面に対して垂直になるようにランディング角を高精度に調整することができる露光装置、及びその露光装置を用いたデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 電子線が通過する際に平行ビーム化する集束レンズ１１２と、平行ビームが通過する際にマルチビーム化するアパーチャアレイ１１３と、マルチビームの個別の通過の際にオンオフ用偏向を行うブランカーアレイ１１５と、マルチビームが個別に通過する２段配置の偏向器を有するマルチアライナー１１６，１１７と、マルチビームを一括して偏向する一括偏向器１１９と、マルチビームが流入されるブランキング絞り１２０と、マルチビームを個々に試料面に結像させる電子光学系１３０，１３１とを有する。ブランキング絞りに流入するマルチビームの電流の検出に基づき、マルチアライナー１１６，１１７により試料面に対してマルチビームが垂直になるようランディング角を調整する。 （もっと読む）

【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程（Ｓ１０２）と、マークからの反射信号を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程（Ｓ１０８）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 （もっと読む）

【目的】ファラデーカップまでビームを到達させる手間を省き、より短時間にアライメントコイルによるビームの光軸調整を行なう方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントコイルによるビーム軸調整方法は、アライメントコイルを用いて荷電粒子ビームを走査して、アライメントコイルから見て荷電粒子ビーム進行方向の後段に位置するアパーチャの画像を取得する画像取得工程と、取得された画像の輝度に基づいて、輝度の重心位置を演算する重心位置演算工程と、かかる重心位置に荷電粒子ビームが照射されるように上述したアライメントコイルへ流す励磁電流を調整するアライメント工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より短時間でビーム軸を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】スポットビーム型電子ビーム露光装置及び電子ビーム位置変動抑制方法に関し、各種の外乱に起因する電子ビームの位置変動をリアルタイムに抑制する。
【解決手段】電子源１から放出された広い断面積の電子ビームを一つの描画用電子ビーム３とそれを取り囲む四つの検出用電子ビーム４とに分ける五つの孔を配置したビーム制限絞り２と、四つの検出用電子ビーム４を四極子のレンズと双極子の偏向との重畳電場内に通過させる電場発生機構５と、描画用と検出用の双方電子ビームに作用するコンデンサレンズ６と、描画用電子ビーム３を照射面に集束させる対物レンズ８の主面付近の上下に検出エッジ及び検出器の組み合わせからなる電子ビーム検出機構９をｘ，ｙ方向に計四つ配置し、一方の方向から二つの検出信号を処理する検出信号処理回路１１を各々の方向に備え、各検出信号処理回路１１からの出力により描画用電子ビーム３を偏向させる偏向器７を備える。 （もっと読む）

【課題】照射されるイオンビームの概要を明らかにして被露光材の加工を正確に効率よく行うことができるイオンビーム加工装置および操業方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生させるビーム生成部３と、イオンビームのイオン数を測定するプローブ６と、プローブをイオンビームに直交する面内の１方向に走査させる第１の走査手段と、プローブを前記１方向に直交する方向に走査させる第２の走査手段と、プローブが走査して測定した結果に基づいて演算を行う演算手段２と、を有し、プローブは、走査する側のいずれの端縁も直線で構成されており、演算手段は、少なくとも被露光材Ｗの露光面における１方向のイオンビーム幅および１方向におけるイオンビームのイオン数の分布を演算するように構成されてなる。 （もっと読む）

【目的】測定可能なビーム分解能の精度を向上させるビームの強度分布測定方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法は、上面から下面に向かって所定の角度θで細くなる金属マーク上に荷電粒子ビームを走査させて、荷電粒子ビームのビーム強度分布を測定する荷電粒子ビームのビーム強度分布測定方法であって、上述した金属マークとして、金属マークの厚さｔと所定の角度θとの積が、所望する荷電粒子ビームの分解能σ以下となるように形成された金属マークを用いることを特徴とする。本発明によれば、測定可能なビーム分解能の精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【目的】 高精度なビーム強度分布を取得すると共に、高精度なビーム分解能を取得することを目的とする。
【構成】 本発明は、Ｓｉ基板２０上に形成されたドットマーク１０を用いて、ドットマーク１０幅寸法より小さいビームサイズの電子ビーム２００を走査してドットマーク１０の手前からドットマーク１０上へと移動するように照射する照射工程（Ｓ１０２）と、電子ビーム２００の照射によりドットマーク１０から反射した反射電子１２を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、計測工程の結果に基づいて、電子ビーム２００のビーム強度分布を演算するビーム強度分布演算工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム強度分布とビーム分解能を測定することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２次元分布を考慮して中心座標を決定する方法を提供する。
【解決手段】 電子線の偏向量を（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）（ｉ＝１〜128，ｊ＝１〜128）とし、そのときにブランキングアパーチャ１２に流れる電流をＩ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）とする。まず、Ｉ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）を、以下に示すようにＹ軸方向に積算してＢ（Ｘ_ｉ）を求める。このようにして求まったＢ（Ｘ_ｉ）を図に示す。Ｂ（Ｘ_ｉ）の差分をとり、差分データのゼロクロスポイントを求めると、Ｉ（Ｘ_ｉ，Ｙ_ｊ）のＸ方向中心値が求まる。 （もっと読む）

【課題】電子ビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に計測する際、長い伝送経路に重畳するノイズの影響を低減し、また、マルチビーム描画装置において、微弱なビーム電流を高精度に効率よく計測する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を遮断・接続するスイッチ１１０を用いて、ビーム電流計測の間、電子ビーム検出素子１０９を検出信号用伝送経路１２４から遮断し、電子ビーム検出素子１０９内に検出信号を蓄積し、計測終了と同時に電子ビーム検出素子１０９と検出信号用伝送経路１２４を接続し、蓄積信号を計測する。また、同様な計測方法を複数同時に行うため、電子ビーム検出素子と複数のスイッチとを用いて、複数本の電子ビームを同時に高精度に計測する。 （もっと読む）

【課題】
電子ビーム描画装置において、幅広い領域に渡ってビームサイズを高精度に計測することが可能な電子ビーム計測技術を提供する
【解決手段】
電子ビーム検出器２１８には、スリット開口やナイフエッジが形成されており、スリットを用いる第１のビームサイズ計測方法とナイフエッジを用いる第２の計測方法を切り替えて使用することにより、広い範囲のビームサイズで高精度な計測を行うことが可能となる。この計測値を元に、ビームサイズ校正を行い、描画制御装置２１１にフィードバックすることで高精度な描画を行う。 （もっと読む）

【課題】不連続的放出パターンを有する荷電粒子エミッタによる荷電粒子装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置及び方法。装置は、少なくとも２つの放出ピークを含む放出パターンを有するエミッタ（１０２）と、ガンレンズ（１１９、５１９、９１９）と、ダイヤフラム（１２０）とを含み、ガンレンズは、デフレクタ・ユニット（１１０）を含み、デフレクタ・ユニットは、少なくとも２つの放出ピークのうちの放出ピークをダイヤフラムの開口部に向け、それによって少なくとも２つの放出パターンから放出ピークのうちの放出ピークを選択するようになっている。 （もっと読む）

【目的】 外乱に対応しながらドリフト補正回数をさらに低減することが可能な電子ビームのビームドリフト補正方法を提供することを目的とする。
【構成】 期間を変更しながら各期間経過毎に電子ビームのビームドリフトを補正する期間単位のドリフト補正工程（Ｓ１０８）と、所定の外乱要素の値の変化が所定の変化量生じた場合に、前記期間経過に関わらず前記電子ビームのビームドリフトを補正する外乱単位のドリフト補正工程（Ｓ２０８）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 試料の描画中に発生する電子ビームの位置異常、電子ビーム照射量等の特性の異常の発生を即座に検出できる電子ビーム装置及びその電子ビーム装置を用いるデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】ブランキングデータに基づいて、電子ビームを偏向制御する偏向制御手段と、偏向制御手段により試料上に照射されるように偏向制御された電子ビームを通過させる開口部、および、前記偏向制御手段により前記試料上に照射されないように偏向制御された電子ビームを遮蔽する遮蔽部を有するアパーチャ手段と、電子ビームが遮蔽部に照射された際に前記アパーチャ手段から発生する光または反射電子及び２次電子のうち少なくとも１つを検出する検出手段と、検出手段の検出結果に基づいて、試料上での照射状態を求める手段と、を備える。
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【課題】電子線描画装置等の荷電粒子線応用装置において、クロスオーバーの位置調整を容易にし、当該装置のスループットを向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】コンデンサーレンズ１０７の前側焦点面に、ビーム軸上にクロスオーバー１０４の高さを規定するための鋭利な端面（クロスオーバー規定エッジ２０８）を設ける。クロスオーバー規定エッジ２０８を用いて電子ビームの形状を測定することにより、電子銃が形成するクロスオーバー１０４の高さや光源形成レンズ１０５の抵抗が変化した場合でも、常に、コンデンサーレンズ１０７の前側焦点面におけるビームの形状を確認することが出来る。 （もっと読む）

【課題】 反射電子による絶縁碍子のチャージアップを防ぎ、チャージアップが引き起こす微小放電を無くすることができる電子銃を提供する。
【解決手段】 カソード４に負の電圧をかけると、カソード４から飛び出した電子８が接地電位にあるアノード７との間の電圧によって加速され、アパーチャ６に衝突した電子８によって反射電子９が発生する。発生した反射電子９は、接地電位とされている低原子量部材１０に衝突し、さらに反射電子を発生させる。反射電子係数は、衝突する物体の原子量が小さいほど小さいので、低原子量部材１０との衝突を繰り返すことにより、急激に反射電子の数が減少し、結局、絶縁碍子２に到達する反射電子は極端に少なくなる。よって、絶縁碍子２が反射電子によりチャージアップするのが避けられ、微小放電の発生が防止される。これにより、従来問題となっていた、微小放電に起因する電子線の乱れを無くすることができる。 （もっと読む）