荷電粒子ビームの評価方法及び走査方法並びに荷電粒子ビーム装置
【課題】 ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置やイオンビーム装置などの荷電粒子ビームを用いた装置における荷電粒子ビームの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム描画装置では、実際の描画動作に先立って、描画に用いる電子ビームのサイズや位置、あるいは電子ビームのフォーカス状態を測定することにより、当該電子ビームの評価を行い、その評価結果に基づいて電子ビームの調整を行っている。図１は、このような電子ビームの測定に用いられる装置の一例を示している。
【０００３】
同図において、１は測定される電子ビームである。この電子ビーム１は、当該装置の上段側に位置する図示しない２枚の矩形スリットと、当該２枚の矩形スリットの間に設けられた偏向器（図示せず）によって断面が矩形に形成されている。
【０００４】
電子ビーム１は、最終段レンズ２によって集束され、さらに静電偏向器３によって偏向される。偏向器３の下段側にはナイフエッジ部材４が配置されている。このナイフエッジ部材４には矩形の開口部４ａが形成されている。そして、ナイフエッジ部材４において、この開口部４ａの周囲各辺を規定する内側エッジ部４ｂは、当該各辺に対応する直線状部を有しており、その厚さは薄く形成されている。
【０００５】
ナイフエッジ部材４の下段側には、散乱された電子ビーム１を遮蔽するアパーチャ部材５が設けられ、さらにその下方には電子ビーム１の電流量を検出するファラデーカップ６が配置されている。
【０００６】
上記の構成で、偏向器３に所定の偏向信号を印加すると、矩形の電子ビーム１は、図中のＸ方向に偏向される。これにより、電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査されることとなる。従って、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、この電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行したり、もしくは開口部４を通過する状態からナイフエッジ部材４により遮蔽された状態に移行することとなる。
【０００７】
図１に示す例は、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、電子ビーム１が、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行する例である。すなわち、当初偏向器３により偏向されて電子ビーム１がナイフエッジ部材４上（図１中での一点鎖線の矩形Ａ参照）に位置し、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から、電子ビーム１がＸ方向に偏向されてナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査され、この結果電子ビーム１が開口部４ａの中央（図１中での実線の矩形Ｂ参照）に位置し、これにより電子ビーム１が開口部４を通過している状態である。
【０００８】
電子ビーム１を上記のように走査すると、当初は電子ビーム１がナイフエッジ部材４により遮蔽されてファラデーカップ６により検出される電子ビーム１の電流（吸収電流）は検出されないが、この状態から電子ビーム１が部分的に順次開口部４を通過してくこととなり、ファラデーカップ６による電子ビームの検出電流（吸収電流）は徐々に上がっていく。そして、図１中の矩形Ｂの位置に電子ビーム１が到達すると、電子ビーム１の全体が開口部４を通過することとなり、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号はピークに達する。
【０００９】
当該走査において、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号を、電子ビーム１の走査位置に対してサンプリングを行うと、波形データが得られる。このとき、走査位置をｘ、電子ビーム１の走査方向のプロファイルを表す関数をｐ（ｘ）、エッジ部４ｂの応答関数をＴ（ｘ）とすると、得られる波形は次のような畳み込み積分で表される関数Ｆ（ｘ）となる。
【００１０】
【数３】
【００１１】
ここで、理想的なエッジ部の応答関数は、次式のようなステップ関数Ｔ０（ｘ）である。
【００１２】
【数４】
【００１３】
なお、参考として、上記プロファイル関数ｐ（ｘ）とステップ関数Ｔ０（ｘ）を、それぞれ図２及び図３に図示する。
【００１４】
当該ステップ関数Ｔ０（ｘ）が適用されたときの波形を表す関数Ｆ０（ｘ）は、以下に示す式となり、元のプロファイル関数ｐ（ｘ）の積分形となる。
【００１５】
【数５】
【００１６】
従って、関数Ｆ０（ｘ）の一次微分を行うと、元のプロファイル関数ｐ（ｘ）が再現される。
【００１７】
ところで、元の電子ビーム１の性質がある程度わかっていれば、サイズ情報ａ、位置情報ｂ、ボケ情報ｃなどのビーム特徴量をパラメータとしてモデル化し、具体的な関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を設定することができる。従来においては、このモデル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を用いて、以下に示す方法で電子ビーム１の上記各特徴量ａ，ｂ，ｃの導出を行い、評価を実施していた。
【００１８】
先ず、ファラデーカップ６を介した実際の電子ビーム１の電流測定において、サンプリングにより得られた検出信号波形のデータ列Ｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に対して、一次微分処理を行ったデータ列をｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）とする。ここで、理想的なエッジ部の応答関数に基づいて得られる上記データ列Ｇｉ及びデータ列ｇｉを、参考として、それぞれ図４及び図５に図示する。
【００１９】
そして、ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として、以下で表される二乗残差ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃを求める。
【００２０】
【数６】
【００２１】
あるいは、モデル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の積分形Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）が具体的な関数形で与えられている場合には、Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として、以下で表される二乗残差Ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃを求める。
【００２２】
【数７】
【００２３】
なお、このように検出信号波形を、モデル化された波形に対してフィッティングを行う点は、例えば特許文献1に記載されている。
【００２４】
【特許文献１】特開平９−１６６６９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかしながら、実際のナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂは、有機物の付着（コンタミネーション）、エッジ加工誤差、及び端面での電子ビーム１の散乱等の影響により、上述のように理想的な応答はしない。
【００２６】
従って、ファラデーカップ６を介して得られた波形データ列Ｇｉにも、理想波形Ｆ０（ｘ）からのずれが生じ、このずれは、当該波形データＧｉを微分処理して得られるデータ列ｇｉにも影響が出る。ここで、図６及び図７に、このような場合に得られる波形データ列Ｇｉ及び上記データ列ｇｉの例を図示する。図６に示す例は、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに有機物の付着がある場合を示す。また、図７に示す例は、ナイフエッジ部４のエッジ部４ｂの端面における電子ビーム１の遮蔽が不完全である場合を示す。
【００２７】
このように、理想的な応答をしないエッジ部４ｂに基づいて得られた波形データ列Ｇｉ及び上記データ列ｇｉに対して、従来技術における関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）または関数Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として適用すると、測定に誤差が生じてしまい、電子ビーム１の正確な評価を行うことができなかった。特に、エッジ部４ｂへの有機物の付着は、電子ビーム１の走査を繰り返すたびに積み重ねられるので、電子ビーム１の連続測定を行うと、測定ごとに得られる結果が変化してしまう。
【００２８】
また、エッジ部４ｂへの有機物の付着が著しくなると、測定誤差もそれに伴って大きくなるので、その際には有機物の付着が無いエッジ部４ｂの部分を選択して電子ビーム１の走査位置を変える必要がある。しかしながら、その変更時期は、装置を操作するオペレータの判断に依存しており、オペレータによって当該変更時期の判断にばらつきが生じていた。
【００２９】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる荷電粒子ビームの評価方法を提供することを目的とする。
【００３０】
また、本発明の他の目的は、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物（有機物等）の付着状態を判断して荷電粒子ビームの走査位置の変更を自動的に行うことができる荷電粒子ビームの偏向方法及び荷電粒子ビーム装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明に基づく荷電粒子ビームの評価方法は、荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法であって、前記評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されていることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に基づく荷電粒子ビームの走査方法は、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする。
【００３３】
そして、本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、上記荷電粒子ビームの走査方法と同様に、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明における荷電粒子ビームの評価方法おいては、カーブフィッティングに適用される評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる。
【００３５】
また、本発明における荷電粒子ビームの走査方法若しくは荷電粒子ビーム装置においては、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置を制御する。これにより、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物（有機物等）の付着状態を判断して荷電粒子ビームの走査位置の変更を自動的に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して、本発明における実施の形態について説明する。図８は、本発明における荷電粒子ビームの評価方法に用いられる装置を示す概略構成図である。この装置は荷電粒子ビーム装置の一部を構成する装置である、そして、本発明においては、荷電粒子ビーム装置は電子ビーム描画装置の例となっている。ここで、図１に示す従来装置の構成部材と同一のものは、各々同一の番号により示されている。
【００３７】
同図において、１は測定される電子ビームである。この電子ビーム１は、当該装置の上段側に位置する図示しない２枚の矩形スリットと、当該２枚の矩形スリットの間に設けられた偏向器（図示せず）によって断面が矩形に形成されている。
【００３８】
電子ビーム１は、最終段レンズ２によって集束され、さらに静電偏向器３によって偏向される。偏向器３の下段側にはナイフエッジ部材４が配置されている。このナイフエッジ部材４には矩形の開口部４ａが形成されている。そして、ナイフエッジ部材４において、この開口部４ａの周囲各辺を規定する内側エッジ部４ｂは、当該各辺に対応する直線状部を有しており、その厚さは薄く形成されている。
【００３９】
ナイフエッジ部材４の下段側には、散乱された電子ビーム１を遮蔽するアパーチャ部材５が設けられ、さらにその下方には電子ビーム１の電流量を検出するファラデーカップ６が配置されている。これによって、ファラデーカップによる吸収電流が検出される。
【００４０】
ファラデーカップ６により検出された吸収電流の検出信号は、ＡＤ変換器７によりデジタル信号に変換される。これによりデジタル化された検出信号は、波形メモリー８に出力される。波形メモリー８に供給されて記憶された検出信号は、制御ＣＰＵ９によって読み出され、後述するカーブフィッティング処理がこの制御ＣＰＵ９によって実行される。なお、制御ＣＰＵ９は、偏向器３に電子ビーム１を走査するための偏向信号（走査信号）を供給するための偏向回路１０を制御する。これにより、偏向器３には、偏向回路１０により偏向信号が印加されることとなる。
【００４１】
偏向器３に所定の偏向信号が印加されると、矩形の電子ビーム１は、Ｘ方向に偏向される。これにより、電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査されることとなる。従って、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、この電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行したり、もしくは開口部４を通過する状態からナイフエッジ部材４により遮蔽された状態に移行することとなる。
【００４２】
図８に示す例は、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、電子ビーム１が、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行する例である。すなわち、当初偏向器３により偏向されて電子ビーム１がナイフエッジ部材４上（図８中での一点鎖線の矩形Ａ参照）に位置し、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から、電子ビーム１が、図中のＸ方向に偏向されてナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査され、この結果電子ビーム１が開口部４ａの中央（図８中での実線の矩形Ｂ参照）に位置し、これにより電子ビーム１が開口部４を通過している状態である。
【００４３】
電子ビーム１を上記のように走査すると、当初は電子ビーム１がナイフエッジ部材４により遮蔽されてファラデーカップ６により検出される電子ビーム１の電流（吸収電流）は検出されないが、この状態から電子ビーム１が部分的に順次開口部４を通過してくこととなり、ファラデーカップ６による電子ビームの検出電流（吸収電流）は徐々に上がっていく。そして、図８中の矩形Ｂの位置に電子ビーム１が到達すると、電子ビーム１の全体が開口部４を通過することとなり、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号はピークに達する。
【００４４】
当該走査において、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号を、電子ビーム１の走査位置に対してサンプリングを行い、波形データを得る。このとき、走査位置をｘ、電子ビーム１の走査方向のプロファイルを表す関数をｐ（ｘ）、エッジ部４ｂの応答関数をＴ（ｘ）とすると、得られる波形は次のような畳み込み積分で表される関数Ｆ（ｘ）となる。
【００４５】
【数８】
【００４６】
本発明では、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂの応答関数として、近似的に、Ｘ方向でのエッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和としてモデル化された関数を適用する。応答量の比を表すパラメータＳと基準位置のからの変位を表すパラメータｗを用いて定式化すると、当該モデル化された関数は次式のようになる。ここで、パラメータＳは、０≦Ｓ＜１の範囲にて設定される。
【００４７】
【数９】
【００４８】
上式において、第２項は不完全部の応答を表す。なお、上記パラメータＳとパラメータｗの適用例は、前述した図６中及び図７中に示されている。
【００４９】
本発明においては、このモデル化された関数を上記（１）式［数８参照］に適用することによって、畳み込み積分により得られる波形を取得する。この演算は、制御ＣＰＵ９により実行される。
【００５０】
このとき、本発明では、上記（２）式［数７参照］の第２項である不完全部は、完全なステップ応答はしないので、ステップ応答からのずれを表す補正用関数ｈ（ｘ）を導入して近似の精度を上げる。このようにして関数ｈ（ｘ）を導入すると、上記（２）式は次式のようになる。
【００５１】
【数１０】
【００５２】
応答関数が上記（３）式であるとすると、プロファイル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の電子ビーム１に対する波形を上記（１）式に基づいて計算すると、次式となる。
【００５３】
【数１１】
【００５４】
上記（２）式の第２項に関数ｈ（ｘ）を導入したことによる効果は、関数ｈ（ｘ）が導入された上記（３）式の第２項の理想応答からのボケ量のパラメータｄが設定されることにより表れている。従って、パラメータとしてＳ，ｗ，ｄを導入すると、理想波形の関数形Ｆ０（ｘ）を用いて、実際の波形をモデル化して表現できる。
【００５５】
そして、上記（４）式の微分形は次式となる。
【００５６】
【数１２】
【００５７】
よって、ファラデーカップ６を介して測定され、サンプリングにより得られた電子ビーム１の吸収電流波形のデータ列Ｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に対して、一次微分処理を行ったデータ列をｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）とすると、上記（５）式で得られた関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）を評価関数として、次式で表される二乗残差ｓ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）が最小となるように評価関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄを求める。
【００５８】
【数１３】
【００５９】
もしくは、モデル関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）の積分形Ｆ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）を評価関数として、次式で表される二乗残差Ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数Ｆ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄを求める。
【００６０】
【数１４】
【００６１】
このようにして求められた各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄにより、電子ビーム１の評価を行うことができる。
【００６２】
なお、上述のように補正用関数ｈ（ｘ）を導入せずに、上記（２）式［数９参照］を応答関数とすることも可能である。応答関数が上記（２）式であるとすると、プロファイル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の電子ビーム１に対する波形を上記（１）式［数８参照］に基づいて計算すると、次式となる。
【００６３】
【数２５】
【００６４】
上記式の微分形を評価関数として、上述したフィッティング処理を行うようにしてもよい。もしくは、当該微分形の積分形を評価関数として、上述したフィッティング処理を行うようにしてもよい。
【００６５】
このように、本発明においては、荷電粒子ビーム（電子ビーム）をエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数にモデル化されている。
【００６６】
よって、エッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる。
【００６７】
さらに本発明においては、２つのエッジ応答の一方は、他方のエッジ応答からのエッジ位置のずれを表す補正用評価関数に基づいてモデル化されている。
【００６８】
これにより、荷電粒子ビームの評価精度をさらに向上することができる。
【００６９】
次に、本発明における荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置について、以下に説明する。
【００７０】
本発明での荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置においては、上述した荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの各値と、所定の基準値Ｓ０，ｗ０との比較を行い、パラメータＳ，ｗが、対応する基準値Ｓ０，ｗ０を超えた場合には、荷電粒子ビームによるナイフエッジ部材のエッジ部の走査位置を変えることをする。すなわち、当該エッジ部への異物（有機物等）の付着状態によりパラメータＳ，ｗが変化することとなるので、このパラメータＳ，ｗの変化に基づいて、荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置を変える。
【００７１】
これにより、当該比較結果に基づいて、荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置が制御される。なお、このとき、Ｒ（Ｓ，ｗ）＝Ｓ・ｗという別の評価値を演算し、これと基準値Ｒ０との比較を行ってもよい。上記演算及び比較は、制御ＣＰＵ９により実行される。
【００７２】
本発明における荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置においては、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物の付着状態を判断して、荷電粒子ビームによるナイフエッジ部材のエッジ部の走査位置を制御するので、当該走査位置の管理を自動的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】電子ビームの測定に用いられる装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】電子ビームの走査方向のプロファイルを表す関数ｐ（ｘ）を示す図である。
【図３】理想的なエッジ部の応答関数に対応するステップ関数Ｔ０（ｘ）を示す図である。
【図４】データ列Ｇｉを示す図である。
【図５】データ列ｇｉを示す図である。
【図６】エッジ部に有機物の付着がある場合での各関数ｐ（ｘ），Ｔ（ｘ）、及び各データ列Ｇｉ，ｇｉを示す図である。
【図７】エッジ部の端面における電子ビームの遮蔽が不完全である場合での各関数ｐ（ｘ），Ｔ（ｘ）、及び各データ列Ｇｉ，ｇｉを示す図である。
【図８】本発明における荷電粒子ビームの評価方法に用いられる装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…電子ビーム（荷電粒子ビーム）、２…最終段レンズ、３…偏向器、４…ナイフエッジ部材、４ａ…開口部、４ｂ…エッジ部、５…アパーチャ部材、６…ファラデーカップ、７…ＡＤ変換器、８…波形メモリー、９…制御ＣＰＵ、１０…偏向回路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子ビーム描画装置やイオンビーム装置などの荷電粒子ビームを用いた装置における荷電粒子ビームの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム描画装置では、実際の描画動作に先立って、描画に用いる電子ビームのサイズや位置、あるいは電子ビームのフォーカス状態を測定することにより、当該電子ビームの評価を行い、その評価結果に基づいて電子ビームの調整を行っている。図１は、このような電子ビームの測定に用いられる装置の一例を示している。
【０００３】
同図において、１は測定される電子ビームである。この電子ビーム１は、当該装置の上段側に位置する図示しない２枚の矩形スリットと、当該２枚の矩形スリットの間に設けられた偏向器（図示せず）によって断面が矩形に形成されている。
【０００４】
電子ビーム１は、最終段レンズ２によって集束され、さらに静電偏向器３によって偏向される。偏向器３の下段側にはナイフエッジ部材４が配置されている。このナイフエッジ部材４には矩形の開口部４ａが形成されている。そして、ナイフエッジ部材４において、この開口部４ａの周囲各辺を規定する内側エッジ部４ｂは、当該各辺に対応する直線状部を有しており、その厚さは薄く形成されている。
【０００５】
ナイフエッジ部材４の下段側には、散乱された電子ビーム１を遮蔽するアパーチャ部材５が設けられ、さらにその下方には電子ビーム１の電流量を検出するファラデーカップ６が配置されている。
【０００６】
上記の構成で、偏向器３に所定の偏向信号を印加すると、矩形の電子ビーム１は、図中のＸ方向に偏向される。これにより、電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査されることとなる。従って、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、この電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行したり、もしくは開口部４を通過する状態からナイフエッジ部材４により遮蔽された状態に移行することとなる。
【０００７】
図１に示す例は、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、電子ビーム１が、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行する例である。すなわち、当初偏向器３により偏向されて電子ビーム１がナイフエッジ部材４上（図１中での一点鎖線の矩形Ａ参照）に位置し、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から、電子ビーム１がＸ方向に偏向されてナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査され、この結果電子ビーム１が開口部４ａの中央（図１中での実線の矩形Ｂ参照）に位置し、これにより電子ビーム１が開口部４を通過している状態である。
【０００８】
電子ビーム１を上記のように走査すると、当初は電子ビーム１がナイフエッジ部材４により遮蔽されてファラデーカップ６により検出される電子ビーム１の電流（吸収電流）は検出されないが、この状態から電子ビーム１が部分的に順次開口部４を通過してくこととなり、ファラデーカップ６による電子ビームの検出電流（吸収電流）は徐々に上がっていく。そして、図１中の矩形Ｂの位置に電子ビーム１が到達すると、電子ビーム１の全体が開口部４を通過することとなり、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号はピークに達する。
【０００９】
当該走査において、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号を、電子ビーム１の走査位置に対してサンプリングを行うと、波形データが得られる。このとき、走査位置をｘ、電子ビーム１の走査方向のプロファイルを表す関数をｐ（ｘ）、エッジ部４ｂの応答関数をＴ（ｘ）とすると、得られる波形は次のような畳み込み積分で表される関数Ｆ（ｘ）となる。
【００１０】
【数３】
【００１１】
ここで、理想的なエッジ部の応答関数は、次式のようなステップ関数Ｔ０（ｘ）である。
【００１２】
【数４】
【００１３】
なお、参考として、上記プロファイル関数ｐ（ｘ）とステップ関数Ｔ０（ｘ）を、それぞれ図２及び図３に図示する。
【００１４】
当該ステップ関数Ｔ０（ｘ）が適用されたときの波形を表す関数Ｆ０（ｘ）は、以下に示す式となり、元のプロファイル関数ｐ（ｘ）の積分形となる。
【００１５】
【数５】
【００１６】
従って、関数Ｆ０（ｘ）の一次微分を行うと、元のプロファイル関数ｐ（ｘ）が再現される。
【００１７】
ところで、元の電子ビーム１の性質がある程度わかっていれば、サイズ情報ａ、位置情報ｂ、ボケ情報ｃなどのビーム特徴量をパラメータとしてモデル化し、具体的な関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を設定することができる。従来においては、このモデル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を用いて、以下に示す方法で電子ビーム１の上記各特徴量ａ，ｂ，ｃの導出を行い、評価を実施していた。
【００１８】
先ず、ファラデーカップ６を介した実際の電子ビーム１の電流測定において、サンプリングにより得られた検出信号波形のデータ列Ｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に対して、一次微分処理を行ったデータ列をｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）とする。ここで、理想的なエッジ部の応答関数に基づいて得られる上記データ列Ｇｉ及びデータ列ｇｉを、参考として、それぞれ図４及び図５に図示する。
【００１９】
そして、ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として、以下で表される二乗残差ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃを求める。
【００２０】
【数６】
【００２１】
あるいは、モデル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の積分形Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）が具体的な関数形で与えられている場合には、Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として、以下で表される二乗残差Ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃを求める。
【００２２】
【数７】
【００２３】
なお、このように検出信号波形を、モデル化された波形に対してフィッティングを行う点は、例えば特許文献1に記載されている。
【００２４】
【特許文献１】特開平９−１６６６９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかしながら、実際のナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂは、有機物の付着（コンタミネーション）、エッジ加工誤差、及び端面での電子ビーム１の散乱等の影響により、上述のように理想的な応答はしない。
【００２６】
従って、ファラデーカップ６を介して得られた波形データ列Ｇｉにも、理想波形Ｆ０（ｘ）からのずれが生じ、このずれは、当該波形データＧｉを微分処理して得られるデータ列ｇｉにも影響が出る。ここで、図６及び図７に、このような場合に得られる波形データ列Ｇｉ及び上記データ列ｇｉの例を図示する。図６に示す例は、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに有機物の付着がある場合を示す。また、図７に示す例は、ナイフエッジ部４のエッジ部４ｂの端面における電子ビーム１の遮蔽が不完全である場合を示す。
【００２７】
このように、理想的な応答をしないエッジ部４ｂに基づいて得られた波形データ列Ｇｉ及び上記データ列ｇｉに対して、従来技術における関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）または関数Ｆ０（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）を評価関数として適用すると、測定に誤差が生じてしまい、電子ビーム１の正確な評価を行うことができなかった。特に、エッジ部４ｂへの有機物の付着は、電子ビーム１の走査を繰り返すたびに積み重ねられるので、電子ビーム１の連続測定を行うと、測定ごとに得られる結果が変化してしまう。
【００２８】
また、エッジ部４ｂへの有機物の付着が著しくなると、測定誤差もそれに伴って大きくなるので、その際には有機物の付着が無いエッジ部４ｂの部分を選択して電子ビーム１の走査位置を変える必要がある。しかしながら、その変更時期は、装置を操作するオペレータの判断に依存しており、オペレータによって当該変更時期の判断にばらつきが生じていた。
【００２９】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる荷電粒子ビームの評価方法を提供することを目的とする。
【００３０】
また、本発明の他の目的は、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物（有機物等）の付着状態を判断して荷電粒子ビームの走査位置の変更を自動的に行うことができる荷電粒子ビームの偏向方法及び荷電粒子ビーム装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
本発明に基づく荷電粒子ビームの評価方法は、荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法であって、前記評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されていることを特徴とする。
【００３２】
また、本発明に基づく荷電粒子ビームの走査方法は、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする。
【００３３】
そして、本発明に基づく荷電粒子ビーム装置は、上記荷電粒子ビームの走査方法と同様に、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明における荷電粒子ビームの評価方法おいては、カーブフィッティングに適用される評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる。
【００３５】
また、本発明における荷電粒子ビームの走査方法若しくは荷電粒子ビーム装置においては、カーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置を制御する。これにより、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物（有機物等）の付着状態を判断して荷電粒子ビームの走査位置の変更を自動的に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、図面を参照して、本発明における実施の形態について説明する。図８は、本発明における荷電粒子ビームの評価方法に用いられる装置を示す概略構成図である。この装置は荷電粒子ビーム装置の一部を構成する装置である、そして、本発明においては、荷電粒子ビーム装置は電子ビーム描画装置の例となっている。ここで、図１に示す従来装置の構成部材と同一のものは、各々同一の番号により示されている。
【００３７】
同図において、１は測定される電子ビームである。この電子ビーム１は、当該装置の上段側に位置する図示しない２枚の矩形スリットと、当該２枚の矩形スリットの間に設けられた偏向器（図示せず）によって断面が矩形に形成されている。
【００３８】
電子ビーム１は、最終段レンズ２によって集束され、さらに静電偏向器３によって偏向される。偏向器３の下段側にはナイフエッジ部材４が配置されている。このナイフエッジ部材４には矩形の開口部４ａが形成されている。そして、ナイフエッジ部材４において、この開口部４ａの周囲各辺を規定する内側エッジ部４ｂは、当該各辺に対応する直線状部を有しており、その厚さは薄く形成されている。
【００３９】
ナイフエッジ部材４の下段側には、散乱された電子ビーム１を遮蔽するアパーチャ部材５が設けられ、さらにその下方には電子ビーム１の電流量を検出するファラデーカップ６が配置されている。これによって、ファラデーカップによる吸収電流が検出される。
【００４０】
ファラデーカップ６により検出された吸収電流の検出信号は、ＡＤ変換器７によりデジタル信号に変換される。これによりデジタル化された検出信号は、波形メモリー８に出力される。波形メモリー８に供給されて記憶された検出信号は、制御ＣＰＵ９によって読み出され、後述するカーブフィッティング処理がこの制御ＣＰＵ９によって実行される。なお、制御ＣＰＵ９は、偏向器３に電子ビーム１を走査するための偏向信号（走査信号）を供給するための偏向回路１０を制御する。これにより、偏向器３には、偏向回路１０により偏向信号が印加されることとなる。
【００４１】
偏向器３に所定の偏向信号が印加されると、矩形の電子ビーム１は、Ｘ方向に偏向される。これにより、電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査されることとなる。従って、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、この電子ビーム１は、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行したり、もしくは開口部４を通過する状態からナイフエッジ部材４により遮蔽された状態に移行することとなる。
【００４２】
図８に示す例は、偏向器３による電子ビーム１の走査によって、電子ビーム１が、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から開口部４を通過する状態に移行する例である。すなわち、当初偏向器３により偏向されて電子ビーム１がナイフエッジ部材４上（図８中での一点鎖線の矩形Ａ参照）に位置し、ナイフエッジ部材４により遮蔽された状態から、電子ビーム１が、図中のＸ方向に偏向されてナイフエッジ部材４の内側エッジ部４ｂを横切るように走査され、この結果電子ビーム１が開口部４ａの中央（図８中での実線の矩形Ｂ参照）に位置し、これにより電子ビーム１が開口部４を通過している状態である。
【００４３】
電子ビーム１を上記のように走査すると、当初は電子ビーム１がナイフエッジ部材４により遮蔽されてファラデーカップ６により検出される電子ビーム１の電流（吸収電流）は検出されないが、この状態から電子ビーム１が部分的に順次開口部４を通過してくこととなり、ファラデーカップ６による電子ビームの検出電流（吸収電流）は徐々に上がっていく。そして、図８中の矩形Ｂの位置に電子ビーム１が到達すると、電子ビーム１の全体が開口部４を通過することとなり、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号はピークに達する。
【００４４】
当該走査において、ファラデーカップ６による電子ビーム１の検出電流信号を、電子ビーム１の走査位置に対してサンプリングを行い、波形データを得る。このとき、走査位置をｘ、電子ビーム１の走査方向のプロファイルを表す関数をｐ（ｘ）、エッジ部４ｂの応答関数をＴ（ｘ）とすると、得られる波形は次のような畳み込み積分で表される関数Ｆ（ｘ）となる。
【００４５】
【数８】
【００４６】
本発明では、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂの応答関数として、近似的に、Ｘ方向でのエッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和としてモデル化された関数を適用する。応答量の比を表すパラメータＳと基準位置のからの変位を表すパラメータｗを用いて定式化すると、当該モデル化された関数は次式のようになる。ここで、パラメータＳは、０≦Ｓ＜１の範囲にて設定される。
【００４７】
【数９】
【００４８】
上式において、第２項は不完全部の応答を表す。なお、上記パラメータＳとパラメータｗの適用例は、前述した図６中及び図７中に示されている。
【００４９】
本発明においては、このモデル化された関数を上記（１）式［数８参照］に適用することによって、畳み込み積分により得られる波形を取得する。この演算は、制御ＣＰＵ９により実行される。
【００５０】
このとき、本発明では、上記（２）式［数７参照］の第２項である不完全部は、完全なステップ応答はしないので、ステップ応答からのずれを表す補正用関数ｈ（ｘ）を導入して近似の精度を上げる。このようにして関数ｈ（ｘ）を導入すると、上記（２）式は次式のようになる。
【００５１】
【数１０】
【００５２】
応答関数が上記（３）式であるとすると、プロファイル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の電子ビーム１に対する波形を上記（１）式に基づいて計算すると、次式となる。
【００５３】
【数１１】
【００５４】
上記（２）式の第２項に関数ｈ（ｘ）を導入したことによる効果は、関数ｈ（ｘ）が導入された上記（３）式の第２項の理想応答からのボケ量のパラメータｄが設定されることにより表れている。従って、パラメータとしてＳ，ｗ，ｄを導入すると、理想波形の関数形Ｆ０（ｘ）を用いて、実際の波形をモデル化して表現できる。
【００５５】
そして、上記（４）式の微分形は次式となる。
【００５６】
【数１２】
【００５７】
よって、ファラデーカップ６を介して測定され、サンプリングにより得られた電子ビーム１の吸収電流波形のデータ列Ｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）に対して、一次微分処理を行ったデータ列をｇｉ（ｉ＝１，２，…，ｎ）とすると、上記（５）式で得られた関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）を評価関数として、次式で表される二乗残差ｓ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）が最小となるように評価関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄを求める。
【００５８】
【数１３】
【００５９】
もしくは、モデル関数ｆ（ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）の積分形Ｆ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）を評価関数として、次式で表される二乗残差Ｓ（ａ，ｂ，ｃ）が最小となるように評価関数Ｆ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄ）のフィッティング処理を行い、各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄを求める。
【００６０】
【数１４】
【００６１】
このようにして求められた各パラメータａ，ｂ，ｃ，Ｓ，ｗ，ｄにより、電子ビーム１の評価を行うことができる。
【００６２】
なお、上述のように補正用関数ｈ（ｘ）を導入せずに、上記（２）式［数９参照］を応答関数とすることも可能である。応答関数が上記（２）式であるとすると、プロファイル関数ｐ（ｘ，ａ，ｂ，ｃ）の電子ビーム１に対する波形を上記（１）式［数８参照］に基づいて計算すると、次式となる。
【００６３】
【数２５】
【００６４】
上記式の微分形を評価関数として、上述したフィッティング処理を行うようにしてもよい。もしくは、当該微分形の積分形を評価関数として、上述したフィッティング処理を行うようにしてもよい。
【００６５】
このように、本発明においては、荷電粒子ビーム（電子ビーム）をエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数にモデル化されている。
【００６６】
よって、エッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行うことができる。
【００６７】
さらに本発明においては、２つのエッジ応答の一方は、他方のエッジ応答からのエッジ位置のずれを表す補正用評価関数に基づいてモデル化されている。
【００６８】
これにより、荷電粒子ビームの評価精度をさらに向上することができる。
【００６９】
次に、本発明における荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置について、以下に説明する。
【００７０】
本発明での荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置においては、上述した荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの各値と、所定の基準値Ｓ０，ｗ０との比較を行い、パラメータＳ，ｗが、対応する基準値Ｓ０，ｗ０を超えた場合には、荷電粒子ビームによるナイフエッジ部材のエッジ部の走査位置を変えることをする。すなわち、当該エッジ部への異物（有機物等）の付着状態によりパラメータＳ，ｗが変化することとなるので、このパラメータＳ，ｗの変化に基づいて、荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置を変える。
【００７１】
これにより、当該比較結果に基づいて、荷電粒子ビームによるエッジ部の走査位置が制御される。なお、このとき、Ｒ（Ｓ，ｗ）＝Ｓ・ｗという別の評価値を演算し、これと基準値Ｒ０との比較を行ってもよい。上記演算及び比較は、制御ＣＰＵ９により実行される。
【００７２】
本発明における荷電粒子ビームの走査方法及び荷電粒子ビーム装置においては、ナイフエッジ部材のエッジ部への異物の付着状態を判断して、荷電粒子ビームによるナイフエッジ部材のエッジ部の走査位置を制御するので、当該走査位置の管理を自動的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】電子ビームの測定に用いられる装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】電子ビームの走査方向のプロファイルを表す関数ｐ（ｘ）を示す図である。
【図３】理想的なエッジ部の応答関数に対応するステップ関数Ｔ０（ｘ）を示す図である。
【図４】データ列Ｇｉを示す図である。
【図５】データ列ｇｉを示す図である。
【図６】エッジ部に有機物の付着がある場合での各関数ｐ（ｘ），Ｔ（ｘ）、及び各データ列Ｇｉ，ｇｉを示す図である。
【図７】エッジ部の端面における電子ビームの遮蔽が不完全である場合での各関数ｐ（ｘ），Ｔ（ｘ）、及び各データ列Ｇｉ，ｇｉを示す図である。
【図８】本発明における荷電粒子ビームの評価方法に用いられる装置を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００７４】
１…電子ビーム（荷電粒子ビーム）、２…最終段レンズ、３…偏向器、４…ナイフエッジ部材、４ａ…開口部、４ｂ…エッジ部、５…アパーチャ部材、６…ファラデーカップ、７…ＡＤ変換器、８…波形メモリー、９…制御ＣＰＵ、１０…偏向回路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、前記評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されていることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項２】
前記２つのエッジ応答の一方は、他方のエッジ応答からのエッジ位置のずれを表す補正用関数により補正されていることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、エッジ部の理想応答からのずれを表すパラメータとして、応答量を表すパラメータＳ及び位置の差を表すパラメータｗを導入し、
【数１】
で与えられる関数Ｆ（ｘ）を評価関数とすることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、エッジ部の理想応答からのずれを表すパラメータとして、応答量を表すパラメータＳ、位置の差を表すパラメータｗ、理想応答からのボケ量を表すパラメータｄを導入し、荷電粒子ビームのボケ量パラメータをｃとして
【数２】
で与えられる関数Ｆ（ｘ）を評価関数とすることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項５】
請求項３若しくは４記載の荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする荷電粒子ビームの走査方法。
【請求項６】
請求項３若しくは４記載の荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【請求項１】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、前記評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されていることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項２】
前記２つのエッジ応答の一方は、他方のエッジ応答からのエッジ位置のずれを表す補正用関数により補正されていることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項３】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、エッジ部の理想応答からのずれを表すパラメータとして、応答量を表すパラメータＳ及び位置の差を表すパラメータｗを導入し、
【数１】
で与えられる関数Ｆ（ｘ）を評価関数とすることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項４】
荷電粒子ビームをエッジ部を横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビームの信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビームの特徴量を測定する荷電粒子ビームの評価方法において、エッジ部の理想応答からのずれを表すパラメータとして、応答量を表すパラメータＳ、位置の差を表すパラメータｗ、理想応答からのボケ量を表すパラメータｄを導入し、荷電粒子ビームのボケ量パラメータをｃとして
【数２】
で与えられる関数Ｆ（ｘ）を評価関数とすることを特徴とする荷電粒子ビームの評価方法。
【請求項５】
請求項３若しくは４記載の荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする荷電粒子ビームの走査方法。
【請求項６】
請求項３若しくは４記載の荷電粒子ビームの評価方法におけるカーブフィッティングにより得られたパラメータＳ及びパラメータｗの値と所定の基準値とを比較し、当該比較結果に基づいて前記荷電粒子ビームによる前記エッジ部の走査位置を制御することを特徴とする荷電粒子ビーム装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００６−１９４６１８（Ｐ２００６−１９４６１８Ａ）
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３９２８（Ｐ２００５−３９２８）
【出願日】平成１７年１月１１日（２００５．１．１１）
【出願人】（０００００４２７１）日本電子株式会社 (811)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年７月２７日（２００６．７．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１月１１日（２００５．１．１１）
【出願人】（０００００４２７１）日本電子株式会社 (811)
【Ｆターム（参考）】
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