【目的】斜入射反射光学系を用いた露光装置で生じるシャドーウィング効果の位置依存性誤差について補正可能な描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、斜入射反射光学系を用いてパターンが形成されたマスク基板に照明光を斜入射してマスク基板からの反射光を用いてマスク基板に形成されたパターンを被露光基板に転写する露光装置におけるシャドーウィング効果の位置依存誤差を補正する補正値が定義された補正テーブルを記憶する記憶装置１４２と、複数の図形について位置と形状とサイズが定義されたパターンデータを入力し、図形毎に、当該図形の位置に基づいて、補正テーブルから対応する補正値を取得する取得部１２と、図形毎に、補正値を用いて、当該図形をリサイズするリサイズ処理部１４と、荷電粒子ビームを用いて、パターン形成前のマスク基板にリサイズされた図形を描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高密度の荷電粒子小ビームを用い、高精度で荷電粒子小ビームを操作することのできる粒子光学システムを提供する。
【解決手段】粒子光学装置であって、荷電粒子ビームを発生させる少なくとも１つの荷電粒子源３０１と、複数の開孔を有し、その下流側で荷電粒子ビーム３０９から複数の荷電粒子小ビーム３が形成され、その集束領域に荷電粒子小ビームのそれぞれが焦点３２３を有する少なくとも１つの多孔プレート３１３と、荷電粒子小ビームの焦点が形成される多孔プレートの集束領域で視野レンズの効果を有する焦点レンズ装置３０７と、粒子光学装置の物体面内に位置決め可能な物体上に多孔プレートの集束領域をおおむね結像させるための対物レンズ１０２とを備える。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源１と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第１の矩形開口を有する第１成形スリット４と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第２成形スリット７と、該第１成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第２成形スリット上に結像させる成形レンズ６と、該第１成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第２成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器５とを備え、第２成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料１３上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第２成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源２、４０と、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口３０が形成された開口部材１１と、開口部材１１に設けられ、開口部材１１の開口３０以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子３２と、開口部材１１に配置されて複数の熱電変換素子３２の出力を検出する検出部３４と、検出部３４の出力に基づいて、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部６（３５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】活性種の生成量を多くしてアパーチャの側面のクリーニングを可能にしつつチャンバ内の圧力の上昇を抑える。
【解決手段】クリーニングユニット２００は、第１個数よりも少ない第２個数の放出孔を有する放出孔プレート２０２を含む容器２０３と、前記容器の中で活性種を発生する活性種源と、前記容器を移動させる駆動機構２２０とを含み、前記チャンバ１１５の中に配置された前記容器の内部空間の圧力と前記容器の外部空間の圧力との差によって前記活性種が前記第２個数の放出孔から放出され、前記駆動機構は、前記第１個数よりも少ない前記第２個数の放出孔から放出される活性種によって前記第１個数のアパーチャのすべてがクリーニングされるように、前記電子光学系に前記放出孔プレートが対面した状態で前記容器を移動させる。 （もっと読む）

【目的】レジストを残す部分をパターンとするパターン形成を行なう場合でも寸法誤差を低減させる描画装置を提供すると共に、その装置を用いた描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第１の成形アパーチャ部材２０３と、第１の成形アパーチャ部材２０３を透過した電子ビーム２００を偏向する成形偏向部２０５と、偏向された電子ビーム２００を遮断する領域の両側に透過する領域を有する第２の成形アパーチャ部材２０６と、第２の成形アパーチャ部材２０６を透過した電子ビーム２００が照射される試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、を備えたことを特徴する。本発明によれば、レジストを残す部分をパターンとする場合でも寸法誤差を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系（１４０）と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】試料交換回数を減らし装置の稼動率を向上することで、試料作製の経済性を向上したイオンビームエッチング装置を実現する。
【解決手段】試料テーブル１００は、試料１０４を取りつける受容機構１０６とマスク１０５及び、少なくとも１つの位置決めユニット１０１、１０２、１０３を備えている。試料１０４はマスク１０５に対して相対的に位置決め可能である。試料テーブル１００は、１つの試料１０４がイオンビームにさらされている間、残りの位置決めユニット１０１、１０２、１０３がイオンビームから回避される様に配置し、回転機構により試料１０４を順次エッチング加工する事ができる。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの照射を受けて遮蔽板が高温度となって遮蔽板の支持部材に熱膨張が発生して遮蔽板が移動しても、良好な断面試料を作製する試料作製装置を提供する。
【解決手段】遮蔽板を試料の一部が露出しその他が遮蔽されるように配置し、遮蔽板と試料６の露出部分に跨るようにイオンビームを試料６に照射することにより、試料６の露出部分をエッチングして試料断面を作製する試料作製装置であって、遮蔽板ステージ９と、前記遮蔽板ステージ９により基端部を支持され、先端側が自由端となされた支持部材と、前記支持部材の先端側に支持された遮蔽板とを備え、前記支持部材は、前記遮蔽板の前記支持部材の基端側に向かう一側縁が前記イオンビームの照射位置となるように該遮蔽板を保持し、この遮蔽板により前記イオンビームが遮蔽される位置に設置された前記試料の該遮蔽板の一側縁から露出した箇所への前記イオンビームによる加工を行わせるようにした。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は可変成形形電子ビーム描画装置に関して、第１の成形開口板３（又は絞り）上の電流密度分布を均一にするために、球面収差係数を減少させる手法とは異なる方法により球面収差起因の電流密度むらを解消することを目的としている。
【解決手段】
荷電粒子源、照明レンズ群、絞り、投影レンズ群、及び材料面の順にこれらが配置され、前記荷電粒子源から出射される荷電粒子ビームが前記照明レンズ群を介 して前記絞り上に照射され、更に投影レンズにより前記絞りの像が材料面上に結像される状態で絞りを通過したビームが材料上に照射される荷電粒子ビーム装置 において、前記照明レンズ群は、前記荷電粒子源の像が前記絞り上に結像しないように配置され、かつ前記照明レンズ群のうちの一つのレンズが、前記絞りの位置と光学的に共役関係にある位置に配置されて構成される。 （もっと読む）

【課題】高さ方向の長さが底辺の長さの２倍よりも大きくかつ４５度の角度をもつ平行四辺形について端部に小図形を残さないようにする。さらに、分割される図形数をより少なくする。
【解決手段】描画装置１００は、高さ方向の長さが底辺の長さの２倍よりも大きくかつ４５度の角度を有する第１の平行四辺形について、底辺の長さを分割長さとし、高さ方向と平行する上下両方向から平行四辺形を残りの分割方向長さが底辺の長さよりも短くなるまで分割長さで分割するｙ方向分割部１１６と、底辺の長さで分割されて新たに形成された複数の第２の平行四辺形をそれぞれ２つの直角２等辺三角形に分割するｘ方向分割部１１４と、新たに形成された複数の直角２等辺三角形になるように荷電粒子ビームを可変成形して、成形された荷電粒子ビームを用いて、第１の平行四辺形を試料に描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオンビームを用いるエッチングにより断面観察試料を作製するときに、イオンビームの遮蔽に用いられる遮蔽板であって、使用を繰り返し、エッジ面として使用できる箇所がなくなった場合でも、側面の平坦化加工を必要とせず、再利用が容易で寿命が長い遮蔽板を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射による断面観察試料の作製において、試料の上面をイオンビームから遮蔽するために用いられる遮蔽板であって、角柱状であり、イオンビーム照射による前記試料の鏡面研磨を可能にするエッジをその側面に有し、かつ前記側面に直交する方向の厚さがイオンビーム照射径以上である遮蔽用部材の複数を、下面が平坦な板状を形成するように並列させて一体化してなること、又は遮蔽用部材とそれを保持する保持用部材を一体化してなることを特徴とする断面観察試料作製用の遮蔽板。 （もっと読む）