【課題】フォーカスのための基板の正確な位置決めの点で有利なマルチ電子線描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子線を基板に対して射出する荷電粒子光学系と、基板を保持し、荷電粒子光学系の光軸の方向と光軸に垂直な方向とにそれぞれ可動なステージ１０３と、基準反射面を含み、光軸の方向におけるステージの位置を計測する干渉計と、荷電粒子線の特性を計測する計測器２０１と、補正情報を用いて干渉計の計測結果を補正する制御部と、を備える。制御部は、光軸に垂直な方向におけるステージの複数の位置それぞれに関して干渉計による計測としての第１計測と計測器による計測としての第２計測とを並行して行わせ、複数の位置それぞれに関して得られた第１計測および第２計測の結果に基づいて、補正情報を求める。 （もっと読む）

【課題】 描画精度とスループットとの両立の点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線でパターンを基板にショット領域ごとに描画する描画装置は、基板を保持し移動可能なステージと、複数の荷電粒子線を前記基板に投影する投影系と、前記基板に形成されたマークに前記投影系を介して入射した荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記マークの位置を計測する計測器と、制御部とを備える。前記制御部は、あるショット領域に対する描画動作の開始から当該ショット領域に対する描画動作の終了までの間に、前記複数の荷電粒子線の中の少なくとも１つの荷電粒子線を用いて前記計測器により前記マークの位置を計測し、前記計測器の計測結果から前記複数の荷電粒子線の前記基板上における入射位置を補正するように前記ステージ及び前記投影系の少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）

【課題】迅速に偏向アンプの故障の有無を判断できる偏向アンプの評価方法と、この機能を備えた荷電粒子ビーム描画装置とを提供する。
【解決手段】描画装置１００は、第ｎ番目にショットする電子ビーム２００のオン状態を生成する信号が発せられてから、第（ｎ−１）番目にショットする電子ビーム２００のオン状態の電圧からオフ状態の電圧に切り替わるまでの遅延時間を設定する設定部１１４と、ブランキング偏向器２１２によりショット回数が所定値になるまで電子ビーム２００のオン状態とオフ状態とを交互に繰り返す間、成形偏向器２０５または副偏向器２０９により２種類の動作パターンが交互に繰り返されて偏向された電子ビーム２００のビーム電流を測定するファラデーカップ２１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】所望の電流密度を得るために最適なフィラメント電力を求めることが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム発生装置は、フィラメント電力によりカソード11を加熱することにより放出される電子を、バイアス電圧により集束し、加速電圧により加速することにより所定のエミッション電流の荷電粒子ビーム２０を照射する荷電粒子銃１０と、電流密度を測定するための検出器２２と、フィラメント電力およびエミッション電流を制御するための制御部１８と、バイアス飽和点における電流密度とエミッション電流との関係とフィラメント電力とエミッション電流との関係を記憶し、設定電流密度よりエミッション電流値とフィラメント電力値を算出するための記憶演算部１９を備える。 （もっと読む）

【目的】最適なセトリング時間を迅速に見つけるための検査方法を提供することを目的とする。
【構成】偏向アンプのセトリング時間検査方法は、セトリング時間を設定して、設定されたセトリング時間で駆動させる偏向アンプの出力により制御される偏向器により電子ビームを偏向させて、第１と第２の成形アパーチャを通過させることによって成形された異なる２種のパターンを複数回交互にショットする工程と、ショットされたビーム電流を測定する工程と、測定されたビーム電流について、積分電流を演算する工程と、演算された積分電流と基準積分電流との差分を演算し、出力する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様によれば、最適なセトリング時間を迅速に見つけることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、かぶり効果によるＣＤ変動を補正するための照射量のより精密な調整が可能な電子ビーム描画装置の調整方法を提供する。
【解決手段】本発明の電子ビーム描画装置の調整方法は、電子ビームを測定用マスクの所定位置に照射し、電子ビームの照射された照射位置の周辺に所定間隔で設けられた複数の測定位置において、かぶり量を測定し、複数の測定位置においてそれぞれ測定されたかぶり量より、かぶり効果補正パラメータを求め、かぶり効果補正パラメータにより、電子ビームの照射量を調整する。 （もっと読む）

【目的】描画中に電子ビームの電流密度調整を行なうことが可能な装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、制御値を入力し、制御値に基づいて電子銃２０１を制御する電子銃電源２３０と、試料への描画が行なわれている間に、複数回電子ビーム２００の電流密度を測定する電流密度測定部２４２と、電流密度の測定毎に、電流密度が略一定になるように、測定された電流密度に応じて変化する上述した制御値を演算し、演算の都度、制御値を電子銃電源２３０に出力するＰＩＤ制御部２４４と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、描画中、電子ビームの電流密度を略一定に維持することができる。 （もっと読む）

【課題】 マルチ荷電粒子線装置における接続ずれを高速高精度に測定し、補正する。
【解決手段】 マルチビームの相対位置を一つのマークによって検出する。そのため、一つのマーク２４と計測対象のビーム２３とをビームの方向と垂直に相対移動させ、ビーム進行方向においてマークの後段に配置した検出器２５により、ビームとマークが交差した位置を検出し、その検出結果よりビームの相対位置を求める。 （もっと読む）

【課題】照射されるイオンビームの概要を明らかにして被露光材の加工を正確に効率よく行うことができるイオンビーム加工装置および操業方法を提供する。
【解決手段】イオンビームを発生させるビーム生成部３と、イオンビームのイオン数を測定するプローブ６と、プローブをイオンビームに直交する面内の１方向に走査させる第１の走査手段と、プローブを前記１方向に直交する方向に走査させる第２の走査手段と、プローブが走査して測定した結果に基づいて演算を行う演算手段２と、を有し、プローブは、走査する側のいずれの端縁も直線で構成されており、演算手段は、少なくとも被露光材Ｗの露光面における１方向のイオンビーム幅および１方向におけるイオンビームのイオン数の分布を演算するように構成されてなる。 （もっと読む）

【目的】 高精度なビーム強度分布を取得すると共に、高精度なビーム分解能を取得することを目的とする。
【構成】 本発明は、Ｓｉ基板２０上に形成されたドットマーク１０を用いて、ドットマーク１０幅寸法より小さいビームサイズの電子ビーム２００を走査してドットマーク１０の手前からドットマーク１０上へと移動するように照射する照射工程（Ｓ１０２）と、電子ビーム２００の照射によりドットマーク１０から反射した反射電子１２を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、計測工程の結果に基づいて、電子ビーム２００のビーム強度分布を演算するビーム強度分布演算工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム強度分布とビーム分解能を測定することができる。 （もっと読む）

【目的】 ビーム分解能の劣化を抑えながら最良のスループットを実現する手法を提供することを目的とする。
【構成】 電子ビーム２００が複数ショットされることにより描画されるパターンのパターンデータを入力し、入力されたパターンデータに応じて、ショットする前記電子ビーム２００の電流密度とショットする最大ショットサイズとを選択する描画データ処理回路３１０と、選択された前記電流密度で前記電子ビーム２００を形成し、形成された電子ビーム２００を各ショット毎に前記最大ショットサイズ以下のショットサイズに成形し、成形された電子ビーム２００を試料にショットして前記パターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 各種の微細構造物の必須の機能を保証する空間を容易且つ迅速に形成するとともに、製造コストの飛躍的な低減を実現し得る微細構造物の作製方法を提供する。
【解決手段】 貴金属成分（Ｉｒ）とハロゲンとからなる前駆体を、微細孔５３の底部に吸着させるとともに、吸着させた前駆体にハロゲンラジカルを作用させて還元することにより前記貴金属の薄膜５７を形成した後、ハロゲンラジカルによるエッチングモードとして前記薄膜５７を触媒とする基板３のエッチングを急激に進行させることで基板３内における前記各微細孔５３の下方にキャビティ５２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 稼働率を低下させることなく且つコストを増大させることなくアパーチャマスクの交換時期を判定可能となる電子ビーム描画装置のアパーチャマスク交換判定方法を提供する。
【解決手段】 複数の開口部４０ａ〜４０ｅを有するアパーチャマスク２０を介して被処理基体２７に電子ビームを照射するステップと、電子ビームの照射量を測定するステップと、測定された電子ビームの照射量を照射量記憶部に格納するステップと、描画データに基づいて複数の開口部４０ａ〜４０ｅのうち対象とする開口部４０ａを選択するステップと、照射量記憶部４２から電子ビームの照射量を読み出して、対象とする開口部４０ａに対して過去に照射された電子ビームの累積照射量を計算するステップと、累積照射量に基づいてアパーチャマスク２０の交換が必要か判定するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子ビーム描画装置のビーム位置補正を精度良く行う方法を実現する。
【解決手段】 メトロロジー測定を複数のマーク位置について正順および逆順でそれぞれ行ってマーク位置ごとの位置誤差とピッチング値またはヨーイング値を互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、位置誤差とピッチング値またはヨーイング値について正順と逆順の差をマーク位置ごとに互いに垂直な２軸方向において求め（１０１）、アッベエラーによるマーク位置ごとのビーム位置補正効果を予め仮定された複数のアッベエラーについてそれぞれシミュレーションして、位置誤差の正順と逆順の差が複数のマーク位置を通じて互いに垂直な２軸方向においてそれぞれ最小となる２種類のアッベエラーを互いに垂直な２軸方向のアッベエラーとしてそれぞれ特定し（１０３）、それらアッベエラーを用いてビーム位置を補正する（１０４）。 （もっと読む）

【課題】 マスクに生じる温度変動による寸法誤差を防止した露光装置を提供すること。
【解決手段】 露光装置は、荷電ビームを放射する放射手段、荷電ビームを整形する開口を含む整形手段、整形手段上の荷電ビーム面積に係るデータの履歴を記憶する記憶手段、整形手段の開口を通過した荷電ビームを偏向により試料上の所望位置に照射する偏向手段、記憶手段に記憶した前記データ履歴に基づき、整形手段上の荷電ビーム面積の一定時間内の平均値を算出する算出手段、予め用意された整形手段上の荷電ビーム面積と荷電ビームを整形する開口の設計寸法に対する該開口を通過する荷電ビームの寸法変動量の関係に基づき、算出手段により算出した平均値に対応する、前記設計寸法に対する開口を通過する荷電ビームの寸法変動量を予測する予測手段、予測手段により予測した変動量に基づいて、試料上に形成される荷電ビームに対応するパターンの寸法を補正する補正手段を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、可変成形方式電子ビーム描画装置のビーム寸法変化時の非直線性を補正し、高速かつ高精度な描画を可能とする安価な電子ビーム描画装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、可変成形電子ビームの反射または透過電流を検知する検知手段を設け、前記検知手段の検知により可変成形電子ビームの校正を行う電子ビーム描画装置において、成形偏向ＤＡＣ回路に複数の前記ビーム寸法のデータを設定して検知手段の検知値の非直線性成分を検知し、前記検知値が直線性になるようにブランキング手段によりビーム照射時間を補正することを特徴する。 （もっと読む）

【課題】 装置の個性等に適応した周期で荷電粒子ビーム描画装置の校正を行う方法を実現する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム描画装置の校正を周期的に繰り返すにあたり（１０１）、判定項目の値が第１の許容範囲に継続的にとどまるときは、校正の繰り返し回数を数えてその計数値が予め定められた回数に達したときに校正周期を短縮し（１０２−１０５）、判定項目の値が第１の許容範囲を逸脱するときは、第２の許容範囲にとどまるか否かに応じてそれぞれ校正周期を維持または短縮する（１０７−１１０）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一部の電子ビームに異常が発生し、その電子ビームを除く範囲の電子ビームを用いて描画する場合に、使用する電子ビームの最大範囲を自動的に特定する機能を備えた電子ビーム描画方法およびその装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、複数の電子ビームを生成し、前記複数の電子ビームを被露光物上に照射して描画をする電子ビーム描画方法であって、電子ビームが照射する照射範囲内に異常な電子が存在するところを避けて区画され、かつ正常な電子ビームが占める最大な矩形の区画領域を算定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームの軌道を精度よく制御できる。
【解決手段】 電子ビーム描画装置は、試料室１と、試料室１内への試料（ウエハなど）の出入を制御する搬送器２と、試料室１内の各部を制御する試料室制御装置３と、試料室１の上方に設けられる電子光学系４と、電子光学系４内のレンズを制御するレンズ制御装置５と、電子光学系４内の各種電極を制御する偏向制御装置６と、描画回路７と、全体を制御する制御計算機８とを備えている。CP選択偏向器３２の複数の電極部の同期誤差が許容値以下となるように、ビームブランク期間内に同期誤差の調整を行うため、ビームブランク期間に確実に電子ビームを試料面からそらすことができ、ビーム漏れによるパターニング不良を確実に防止できる。 （もっと読む）