【課題】高効率且つ高精度にビーム軸の位置ずれを検出して補正する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビームのビーム軸の位置ずれ補正方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、電子ビームを照射する電子銃２と、電子ビーム１５のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ１４と、ブランキング電極６と、偏向器７と、第１成形アパーチャ１１とを有する。第１成形アパーチャ１１上には、位置ずれ検出電極１３が設けられている。ブランキング電極６と偏向器７を駆動して電子ビーム１５の軌道を制御し、電子ビーム１５を位置ずれ検出電極１３に照射する。位置ずれ検出電極１３を構成する各電極部に流れ込む電流量から電子ビームのビーム軸の位置ずれに関する情報を取得する。この情報は、アライナ１４にフィードバックされて電子ビームのビーム軸が補正される。 （もっと読む）

【目的】高速にブランカーでビームをＯＮ／ＯＦＦさせた場合でもビームの光軸ずれを補正する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、ステージ側に電子ビーム２００を放出する電子銃２０１と、ブランキングアパーチャ２１４と、電圧反射を抑えるためにブランキング用の電極に終端抵抗を有し、この電極に所定の電圧を印加することにより電極を通過する電子ビームをブランキングアパーチャ２１４上へと偏向するブランカー２１２と、ブランカー２１２への電圧印加を繰り返してビームＯＮ／ＯＦＦさせることで発生する電子ビームの光軸ずれを補正するアライメントコイル２１６と、光軸ずれ量を補正するようにアライメントコイル２１６を制御するアライメントコイル制御回路１３０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】描画中の電流密度分布の自動調整が可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム描画方法は、荷電粒子銃より荷電粒子ビームを照射し、荷電粒子ビームを第1のアパーチャで第１の成形を行い、第１の成形がなされた荷電粒子ビームを、第２のアパーチャのエッジのいずれかに所定の面積がかかるように照射することにより第２の成形を行い、第２の成形がなされた荷電粒子ビームの電流値を測定し、第２の成形および電流値の測定を、複数のエッジについて同様に行うことにより得られた各電流値より、荷電粒子ビームの中心位置のズレ情報を取得し、ズレ情報に基づき、アライメント調整を行う。 （もっと読む）

【目的】第１と第２のアパーチャで成形される図形の振り戻し偏向量を取得する。
【構成】成形ビームのオフセット偏向量取得方法は、マークの参照画像と第１の図形の参照画像との第１のコンボリューション参照画像と、マークの参照画像と第２の図形の参照画像との第２のコンボリューション参照画像とを作成し、電子ビームでマーク上を走査して、第１と第２の図形の光学画像を取得し、第１のコンボリューション参照画像と第１の図形の光学画像との第１のコンボリューション合成画像と、第２のコンボリューション参照画像と第２の図形の光学画像との第２のコンボリューション合成画像とを作成し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を演算し、第１と第２のコンボリューション合成画像の重心位置を基に、第１と第２の図形の基準位置が一致するように第２の図形に成形された電子ビームのオフセット偏向量を演算し、結果を出力することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 静電偏向器を駆動する高周波電圧のパルス周波数の違いによる成形アパーチャ上の偏向誤差を抑制することができ、描画精度の向上をはかる。
【解決手段】 荷電ビームを発生する荷電ビーム源１１と、荷電ビームを偏向するための静電偏向器３０と、静電偏向器３０に高周波電圧を印加するための高周波発生器３３と、を具備した荷電ビーム描画装置であって、静電偏向器３０は、ビーム進行方向に分割された複数段の偏向器で構成され、各々の偏向器への高周波電圧の印加方向がビーム進行方向に対して各段毎に逆に設定されている。 （もっと読む）

【目的】渦電流によるビームの描画位置のずれを低減する描画装置及び方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を照射する電子銃２０１と、電子ビーム２００を偏向する主偏向器２１４と、試料１０１を載置して連続移動するＸＹステージ１０５と、試料上に焦点合わせを行なう対物レンズ２０７と、対物レンズ２０７に起因する第１の磁場と、第１の磁場とステージの移動とによって生じる渦電流によって生じる第２の磁場とに基づく試料面上での電子ビーム２００の位置ずれを補正する補正量を計算する補正量計算部１２６と、補正量を用いて試料面での位置ずれを補正した補正位置を計算するオフセット部１２８と、補正位置に荷電粒子ビームが偏向されるように主偏向器２１４を制御する偏向制御回路１１０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、渦電流による磁場の影響分の位置補正を行なうことができる。 （もっと読む）

【目的】補正係数を算出するために費やす時間を短縮することが可能な方法を提供すると共に、補正係数を更新する方法を提供することを目的とする。
【構成】電子ビーム描画装置の構成から生じる位置ずれを補正するための近似式の係数を算出する本発明の一態様の電子ビーム描画装置の位置補正係数算出方法は、ステージ上で描画される試料の描画領域に相当する領域全体に規則的に配列された複数のマークを荷電粒子ビームを用いてスキャンするスキャン工程（Ｓ１０２）と、スキャンされた各マークの位置のずれ量を装置の座標系でフィッティングして、フィッティングされた近似式の係数を算出する係数算出工程（Ｓ１０４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スポットビーム型電子ビーム露光装置及び電子ビーム位置変動抑制方法に関し、各種の外乱に起因する電子ビームの位置変動をリアルタイムに抑制する。
【解決手段】電子源１から放出された広い断面積の電子ビームを一つの描画用電子ビーム３とそれを取り囲む四つの検出用電子ビーム４とに分ける五つの孔を配置したビーム制限絞り２と、四つの検出用電子ビーム４を四極子のレンズと双極子の偏向との重畳電場内に通過させる電場発生機構５と、描画用と検出用の双方電子ビームに作用するコンデンサレンズ６と、描画用電子ビーム３を照射面に集束させる対物レンズ８の主面付近の上下に検出エッジ及び検出器の組み合わせからなる電子ビーム検出機構９をｘ，ｙ方向に計四つ配置し、一方の方向から二つの検出信号を処理する検出信号処理回路１１を各々の方向に備え、各検出信号処理回路１１からの出力により描画用電子ビーム３を偏向させる偏向器７を備える。 （もっと読む）

【課題】空間電荷レンズによって生じた３次幾何歪を補正可能な荷電粒子線露光装置を提供する。
【解決手段】分割露光転写方式の荷電粒子線露光装置であって、空間電荷レンズによって生じた３次幾何歪を１セット以上の８極子１４の歪により補正し、且つ、前記８極子１４から生じる低次の歪を１セットの６極子１５、２個のスティグメータ９，１０、３個のフォーカスレンズ１１〜１３、１個以上の偏向器により補正する機能を有することを特徴とする荷電粒子線露光装置。 （もっと読む）

【課題】
マルチビーム形成部でのビームアライメントを効率よく行うことを可能にする荷電粒子ビーム露光装置を提供する。
【解決手段】
マルチビーム形成部下流でマルチビームを偏向し、縮小光学系内に設置した絞りＢＡ上を走査した像を観察する。絞りの光学的位置を、最上段投影レンズの後側焦点位置ＢＦからずらすことで、マルチビーム数を反映した像が観察できる。マルチビーム形成部内の角度調整機構および像回転調整機構を操作して所望の数のマルチビーム像になるように調整することで、マルチビーム形成部内のビームアライメントを行う。また、ビームアライメントに伴い変化するマルチビーム形成部からの射出角度は、走査像が視野略中心にくるようにアライナを調整することで、下流の投影光学系内で遮蔽されることなく検出できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、荷電粒子ビーム装置とそれを操作するための方法とを提供する。
【解決手段】エミッタ（２）は一次荷電粒子ビーム（１２）を放出する。少なくとも３つの偏向段（１４）を備える、偏向システムの動作に応じて、少なくとも２つの検出ユニット（１６，４４）間で切り替えることができる。さらに、ビーム整形手段（１５；４１）が備えられ、一次荷電粒子ビームを試料に合焦させるレンズが備えられる。
（もっと読む）

【課題】 装置の個性等に適応した周期で荷電粒子ビーム描画装置の校正を行う方法を実現する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム描画装置の校正を周期的に繰り返すにあたり（１０１）、判定項目の値が第１の許容範囲に継続的にとどまるときは、校正の繰り返し回数を数えてその計数値が予め定められた回数に達したときに校正周期を短縮し（１０２−１０５）、判定項目の値が第１の許容範囲を逸脱するときは、第２の許容範囲にとどまるか否かに応じてそれぞれ校正周期を維持または短縮する（１０７−１１０）。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線を収束する作用を有する静電レンズ装置であって静電レンズ を動作させた場合に発生するビーム位置ずれを抑える。
【解決手段】 加速用電極（２−ａ〜２−ｆ）、減速用電極（３−ａ〜３−ｆ）と基準電極を設け、かつ加速用電極の 電位と減速用電極の電位の総和が前記基準電極の電位と等しくなるように前記加 速基および減速電極に電圧を印加する電圧印加手段を有し、複数個の静電レンズ に独立に電圧を印加するものである。 （もっと読む）

【課題】 ナイフエッジ部材のエッジ部に理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビームの正確な評価を行う。
【解決手段】 荷電粒子ビーム１を、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂを横切るように走査し、この走査に伴って検出された荷電粒子ビーム１の信号波形と、エッジ応答関数に基づいてモデル化された評価関数とのカーブフィッティングを行い、この結果に基づいて荷電粒子ビーム１の特徴量を測定する際に、当該評価関数は、エッジ位置の異なる２つのエッジ応答の和からなるエッジ応答関数に基づいてモデル化されている。よって、ナイフエッジ部材４のエッジ部４ｂに理想応答からのずれが生じている場合においても、荷電粒子ビーム１の正確な評価を行うことができる。 （もっと読む）