【課題】変形が生じる部材からの所定方向の応力の静電偏向器の電極支持部などへの伝達を抑制し、複数の荷電粒子ビームの偏向ばらつき等を低減することができる荷電粒子光学系を提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系は、熱による変形が生じる可能性がある第１の部材１１２と、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向する静電偏向器１１３と、を含む。静電偏向器は、第１の部材に固定された固定部７を介して第１の部材と組み立てられ、静電偏向器は、電極支持部５と、電極支持部に支持される第一の電極と２第二の電極３を有する。第一及び第二の電極間には、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向するための電界を発生させるギャップ１１が形成されている。電極支持部５は、第１の部材１１２からの電界方向の変形応力の固定部７を介する電極支持部５への伝達が低減されるように、固定部７に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源１と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第１の矩形開口を有する第１成形スリット４と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第２成形スリット７と、該第１成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第２成形スリット上に結像させる成形レンズ６と、該第１成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第２成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器５とを備え、第２成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料１３上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第２成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】回転する試料にビームを照射してパターンデータを露光する技術において、偏向による収差なく良好な長い直線が得ること。
【解決手段】円周位置補正信号生成手段（２７）は、直線パターンを形成する単位ドットに必要なドーズ量情報と、回転の線速度情報と、ビーム電流情報と、円周方向偏向感度情報と、ドット数設定情報とを入力情報として、単位ドットあたりの円周方向偏向量、照射時間、全ドット形成周波数を算出設定し、逐次露光するドット先頭が直線幅方向に整列するパターン信号を生成する。半径位置補正信号生成手段（２９）は、ドット数設定情報、半径方向偏向感度情報、単位ドットあたりの照射時間情報を入力情報として、直線パターンの長さ方向或いは幅方向の隣接ドットに任意の重なり率となる半径方向偏向量を算出してパターン信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材２２と、該遮蔽部材２２で遮蔽されなかったビーム２４を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム２４が横切るように遮蔽部材２２とビーム２４との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム２４に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム２４の強度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【目的】荷電粒子ビームの偏向位置でのドリフト量を、短時間で評価する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【構成】ステージ上に固定される複数の基準マークに荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の基準位置情報を取得する基準位置情報取得工程と、ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第１の描画工程と、ステージを静止した状態で荷電粒子ビームを偏向させることにより、基準マークに順次荷電粒子ビームを照射し、基準マーク各々の評価位置情報を取得する評価位置情報取得工程と、評価位置情報と基準位置情報とを比較する比較工程と、比較工程の結果から荷電粒子ビームの偏向状態でのビーム位置のドリフト量を算出するドリフト量算出工程と、試料に荷電粒子ビームを照射し、試料にパターンを描画する第２の描画工程と、を有する荷電粒子ビーム描画方法。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線をブランキングする機能の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置である。ここで、荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするための複数の偏向器を含むブランキング偏向器アレイを少なくとも２段（ブランキング偏向器アレイ１４、１９）備える。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】マルチカラムで多重描画を行なう際の描画時間をより短縮可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、試料を配置するステージ１０５と相対移動しながら、電子ビーム２００，３００を用いて試料にパターンを描画する複数のカラム２２０，３２０と、パターンが描画される試料１０１の描画領域が複数のカラムの中心間距離よりも小さい幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域で構成されるストライプ層を多重描画回数分作成するストライプレイヤ作成部５０と、を備え、複数のカラムがそれぞれ担当する描画対象領域がそれぞれ異なるストライプ層を構成する複数のストライプ領域全面になるように、複数のカラムが、同時期に、試料のチップ領域に描画を行う。 （もっと読む）

【課題】従来よりもさらに偏向精度を向上させることが可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は描画対象となる基板の高さ方向分布を測定するＺ測定部５０と、基板の描画位置に依存して生じるパターンの位置誤差を高さ方向の値に換算した位置依存高さ方向分布を基板の高さ方向分布に加算して、補正するＺマップ補正部５４と、補正されたＺマップを用いて描画されるパターンの位置ずれ量を演算するＺ補正部６０と、得られた偏向ずれ量が補正された位置に電子ビームを偏向するための偏向量を演算する偏向量演算部６２と、得られた偏向量で荷電粒子ビームを偏向して、基板にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）