描画装置、および、物品の製造方法
【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および、それを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイスの製造に用いられる描画装置として、複数の荷電粒子線（荷電粒子線のアレイ）で基板に描画を行う描画装置が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
そのような描画装置は、スループットを増大させるために荷電粒子線の本数を増やすと、複数の荷電粒子線を基板に投影するための光学系の収差や製造誤差、経時変化に対処するのが困難となる。このため、荷電粒子線のアレイを構成するサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた描画装置が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−７５３８号公報
【特許文献２】特許第３６４７１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２のようにサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた場合、サブアレイがスペースをもって配置されることになる。また、これに限らず、荷電粒子線用の光学素子（レンズや偏向器等）は、それに含まれる電極等の薄板の撓みを低減するため、所定の間隔でスペーサまたは梁を配置する場合がある。これらの理由から、荷電粒子線のアレイは、サブアレイがスペースをもって配置されてなる場合がある。
【０００６】
そのような荷電粒子線のアレイを、基板上に既に形成された複数のショット領域にわたって照射させ、サブアレイによる描画領域を繋ぎ合わせて複数のショット領域に描画を行うのがスループット上有利である。
【０００７】
しかしながら、つぎの点に留意しなければならない。すなわち、複数の荷電粒子線の軌道は、サブアレイごとに備えた偏向器により、サブアレイ単位で補正できる点である。そして、当該サブアレイ単位での補正は、基板上に既に形成されたショット領域の位置や形状にサブアレイにより描画されるパターンを重ね合わせるためにも用いられうる点である。このため、１つのショット領域の位置や形状に基づいて軌道を調整された１つのサブアレイで２つのショット領域にわたって並行して描画を行うことは、オーバーレイ精度（重ね合わせ精度）の観点からは好ましくない。それを回避するためには、基板上に形成されたショット領域のサイズ、サブアレイのサイズ、および、サブアレイ間のスペースのサイズの間に所定の関係を持たせればよい。例えば、サブアレイのサイズとスペースのサイズとを１：１に設定し、ショット領域のサイズをサブアレイ間のピッチの自然数倍となるように設定すればよい。ところが、そのような設定は、製造すべきチップのサイズの自然数倍にショット領域のサイズが設定されるのが通常であることから、チップのサイズに制約を与えてしまうことになる。
【０００８】
また、サブアレイの外縁の荷電粒子線が直線上に配列されていない（配列に凹凸を有する）場合、ショット領域は矩形であるため、サブアレイによる描画範囲の境界とショット領域の境界とを一致させることはできない。その場合、２つのショット領域にわたって１つのサブアレイで並行して描画を行うのを回避するには、上記凹凸の幅だけ間隔を空けてショット領域を配置する必要がある。そうすると、基板上に配置できるショット領域の数が減少し、生産性の点で好ましくない。
【０００９】
本発明は、以上に例示したような課題に鑑みてなされたものであり、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置であってオーバーレイ精度と生産性との両立に有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面は、所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して、かつ、前記所定方向における前記基板のステップ移動を介在させて、荷電粒子線のアレイで描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを入射させる荷電粒子光学系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記荷電粒子光学系との間の前記所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記荷電粒子光学系は、前記アレイとして、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを前記基板に入射させ、かつ、前記複数のサブアレイの少なくとも１つをそれぞれ含む複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有し、
前記制御手段は、前記複数のサブアレイのうち前記複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより前記境界の一方の側の領域と前記境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、前記ステップ移動を介して順次描画されるように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置であってオーバーレイ精度と生産性との両立に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る描画装置の構成例を示す図
【図２】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態１）
【図３】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図４】描画装置の複数のショット領域に対して描画装置が描画を行う順序を例示する図
【図５】サブアレイ内のビーム配列の一例（長方格子配列）とそれによる描画態様を示す図
【図６】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態２）
【図７】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図８】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態３）
【図９】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図１０】サブアレイ内のビーム配列の一例（千鳥格子配列）とそれによる描画態様を示す図
【図１１】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態４）
【図１２】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、原則として、全図を通じ同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
［実施形態１］
図１は、実施形態に係る描画装置の構成例を示す図であって、荷電粒子線のアレイ（複数の荷電粒子線）で基板に描画を行う描画装置の構成例を示すものである。本実施形態では、荷電粒子線として電子線を用いる場合について説明するが、電子線はイオン線など他の荷電粒子線に置換可能である。図１において、ＣＯＳは、後述するステージに保持された基板に電子線のアレイを投射する投射系（荷電粒子光学系）である。１１１は、クロスオーバ１１２を形成する電子源（荷電粒子源）である。１１４、１１５は、クロスオーバ１１２から発散した電子（荷電粒子）の軌道を示す。クロスオーバ１１２から発散した電子は、電界および磁界の少なくとも一方を生成するコリメーターレンズ１１３の作用により平行なビームとなり、１１６に入射する。１１６は、アパーチャアレイであって、アパーチャアレイ１１６に入射した電子線は複数の電子線に分割され、電子線のアレイ（荷電粒子線のアレイ）となる。アパーチャアレイ１１６には、例えば、２次元状に規則的かつ離散的に配列された複数の開口（例えば円形状開口）が形成されている。ここで、電子線のアレイは、電子線のサブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなっている。ここで、サブアレイ内の電子線の配列や、サブアレイ間のスペースは、アパーチャアレイ１１６内の開口の配列によって決まるものである。なお、サブアレイやスペースのサイズは、荷電粒子線のアレイを荷電粒子線のサブアレイから構成する要因から決められる。当該要因としては、サブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器のサイズ、または、荷電粒子線光学系の光学素子（レンズや偏向器等）に含まれる電極等の薄板の撓みを低減するために配置されるスペーサまたは梁のサイズや間隔等を例示することができる。
【００１５】
アパーチャアレイ１１６により形成された電子線アレイは、開口（例えば円形状開口）のアレイが形成された３枚の電極板（不図示）から構成される静電レンズアレイ１１７に入射する。静電レンズアレイ１１７がクロスオーバを形成する位置には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されたブランキング偏向器アレイ１１８が配置されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、電子線アレイ中の電子線を個別に偏向する。ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向された電子線１２４は、ストッピングアパーチャアレイ１１９により遮蔽される。ストッピングアパーチャアレイ１１９には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、ブランキング制御回路１０５により制御され、ブランキング動作のために各電子線を個別に偏向する。ブランキング制御回路１０５は、ブランキング指令生成回路１０４によって生成されるブランキング信号に基づいてブランキングの制御を行う。なお、描画パターンは、描画パターン発生回路１０２により生成され、当該描画パターンは、ビットマップ変換回路１０３によりビットマップデータに変換される。当該ビットマップデータに基づいてブランキング指令生成回路１０４は上記のブランキング信号を生成する。
【００１６】
ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向されずにストッピングアパーチャアレイ１１９を通過した電子線は、静電レンズアレイ１２１により基板１２２上にクロスオーバ１１０の像を形成する。１２３は、ステージ部であって、基板１２２を保持する可動のステージと、基板１２２上の描画領域を変更するように当該ステージと投射系ＣＯＳとの間の所定方向における相対移動を行わせるアクチュエータ（駆動手段）とを含む。
【００１７】
１２０は、電子線のサブアレイごとに構成された偏向器を含む偏向器アレイであって、各偏向器は、サブアレイを偏向させることにより、基板１２２上におけるサブアレイ内の電子線の位置１２５をＸ−Ｙ面内において移動させる。なお、偏向器アレイ１２０は、サブアレイごとに設けられるのに限られず、例えば、複数のサブアレイ（サブアレイセット）を単位として設けられてもよく、また、各電子線を単位として設けられてもよい。１０６は、上述のビットマップデータに基づいて偏向信号を生成する偏向信号生成回路である。１０７は、偏向信号生成回路１０６によって生成された偏向信号に基づいて偏向器アレイ１２０の駆動信号を生成する偏向アンプである。
【００１８】
ステージ部１２３は、ステージ制御回路１１０により制御される。ステージ制御回路１１０は、ステージ制御信号生成回路１０９が生成するステージ制御信号に基づいてステージの位置決めの制御を行う。ステージ制御信号生成回路１０９は、上述のビットマップデータに基づいてステージ制御信号を生成する。ステージの位置は、レーザ測長器等の計測器（不図示）により計測され、その計測の結果は、ステージの位置決めの制御に用いられる。基板１２２は、描画中、ステージの移動（副走査）と並行して電子線のアレイにより走査（主走査）される。このため、ステージ制御回路１１０によるステージの位置決め制御と、上述の偏向アンプ１０７による偏向器アレイ１２０の制御と、上述のブランキング制御回路１０５によるブランキング偏向器アレイ１１８の制御とは、同期してなされる。このようにして、電子線のアレイにより基板１２２に描画が行われる。
【００１９】
なお、コリメーターレンズ１１３、静電レンズアレイ１１７は、レンズ制御回路１０１により制御され、静電レンズアレイ１２１は、レンズ制御回路１０８により制御される。また、以上説明した回路１０１ないし１１０による描画動作は、コントローラー１００の制御の下でなされる。
【００２０】
図２は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。上述したアパーチャアレイ１１６により、電子線のアレイは、基板１２２上において、サブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなる。サブアレイによる描画領域２００（サブアレイ描画領域）は、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの代表幅を有し、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置される。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、互いに直交する２つの方向である。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、必ずしも直交する必要はなく、互いに交差する２つの方向であってもよい。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのスペースを除いてサブアレイ描画領域の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは自然数または正の整数；本実施例では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１（描画装置の最大ショット領域）に対して描画を行うことができる。
【００２１】
最大ショット領域２０１内において、基板上に既に形成されているショット領域２０５の配置は、その境界２０３、２０４が幅ＤＸ２、幅ＤＹ２の範囲内に配置されるような配置とする。なお、ＤＸ２は、サブアレイ描画領域２００の左端からのＸ軸方向の幅を示し、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域２００の上端からのＹ軸方向の幅を示している。また、２０３は、ショット領域２０５のＸ軸方向における境界を示し、２０４は、ショット領域２０５のＹ軸方向における境界を示している。ここで、ＤＸ２・ＤＹ２の範囲にそれぞれ隣接するスペース（特定スペース）の幅ＳＸ２・幅ＳＹ２は、それぞれ他のスペースの幅ＳＸ・幅ＳＹより狭い。ＳＸ２は、ＳＸ２＝ＳＸ−ＤＸ２となるように設定され、ＳＹ２は、ＳＹ２＝ＳＹ−ＤＹ２となるように設定されている。
【００２２】
図２は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された３×３＝９個のショット領域２０５が内包される場合を示している。ここで、サブアレイの配列は、投射系ＣＯＳ中のアパーチャアレイ１１６等の構造により決まっている為、容易には変更できない。一方、基板上に既に形成されたショット領域２０５は、１または複数のチップ領域を含む。そして、チップのサイズは、生産性を左右するパラメータでもあるため、できるだけ小さく、かつ、回路規模に比例して任意に設定したいという要求もある。このため、そうして決められたショット領域２０５に対して、以上のようなサブアレイ配置にすると、サブアレイ描画領域サイズのｎ倍から、それより幅ＤＸ２（幅ＤＹ２）だけ小さいサイズまでの範囲のサイズのショット領域２０５に対応することができる。したがって、チップサイズの自由度の制約を軽減することにもなる。幅ＤＸ２、幅ＤＹ２は、広くする方が当該自由度の点では好ましい。しかし、そうすると、描画に使用されない可能性のある多数の電子線を生成する（冗長な電子線を増加させる）ことになることを考慮すると、幅ＤＸ２、幅ＤＹ２は、狭くする方が好ましい。よって、例えば、ターゲットとするショット領域２０５のサイズの範囲を設定し、その範囲から幅ＤＸ２、幅ＤＹ２を決定し、ショット領域２０５の最大サイズからサブアレイ描画領域のサイズ（幅ＣＸ、幅ＣＹ）を決定するのがよい。なお、ＤＸ２（ＤＹ２）は、サブアレイ描画領域の幅未満（第２の幅未満）の所定の幅としうる。
【００２３】
また、描画装置の最大ショット領域２０１が、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか内包しない場合、その軸方向は、ショット領域の境界２０３（２０４）がサブアレイ描画領域２００の境界と一致するようにショット領域を配置してもよい。その場合が常であるならば、その軸方向は、スペースの幅をすべて同じにしてもよい。
【００２４】
なお、実施形態の説明において、特に断らない限り、種々のサイズや寸法は、ノミナル値（公称値または設計値）を示すものとする。そして、実施形態の説明において示される数式（文字式）は、そのようなノミナル値の間の関係を示すものとする。
【００２５】
次に、図２のサブアレイ配置により描画装置のショット領域に対して描画を行う態様について説明する。図３は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図３において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図２で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、サブアレイ描画領域２００の境界と一致するように境界２０３または２０４を配置した場合は、該当する軸方向では、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００２６】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して、描画領域の組＜１＞と同様に描画を行う。すなわち、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（９つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００２７】
図４は、描画装置の複数のショット領域に対して描画装置が描画を行う順序を例示する図である。図２・図３を参照して説明したように、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する描画装置の最大ショット領域２０１内に内包される複数のショット領域２０５が描画された。そのように描画された複数のショット領域２０５の組の全領域を描画装置のショット領域４００とする。描画装置のショット領域４００は、図４に示されるように、基板１２２上に配列される。描画装置は、そのショット領域４００の描画が終了するたびにステージ部１２３をステップ移動させ、図中矢印で示されるような順序で複数のショット領域４００に対して順次描画を行う。
【００２８】
図５は、基板１２２上におけるサブアレイ内のビーム配列の一例（正方格子配列または長方格子配列）とそれによる描画態様を示す図である。荷電粒子線５００は、基板１２２上において、Ｘ軸方向にピッチＰｃｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｃをもって配列された、いわゆる長方格子状の配列となっている。図５は、３行３列の電子線で構成されているサブアレイを例示しているが、電子線の行数や列数は、それには限られない。
【００２９】
そのように配列された複数の電子線（サブアレイ）による描画は、Ｘ軸方向においては、主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（幅Ｄｘにわたるラスタスキャン；主走査）によりなされる。また、Ｙ軸方向においては、主としてステージ部１２３の移動（幅Ｐｃにわたるスキャン；副走査）によりなされる。幅Ｄｘは、偏向器アレイ１２０の偏向幅以下の値にするのが好ましい。そうすることで、幅Ｄｘの領域を複数回に分割して順次描画する等の処理が不要となり、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）の回数の少なさ（スループット）の点で有利となる。Ｘ軸方向のピッチＰｃｘに対応する領域は、幅Ｄｘでのステージ部１２３のステップ移動を介在させて、幅Ｄｘの領域ごとに順次描画する。また、ピッチＰｃｘは、幅Ｄｘの自然数倍に設定すればよい。それに限らず、偏向器アレイ１２０による電子線の偏向幅をＤｘより大きくすることにより、境界領域をオーバーラップさせて描画してもよい。その場合、オーバーラップ領域での各描画においてドーズ量に勾配をもたせることにより、繋ぎ誤差を低減することができる。本実施形態のような長方格子配列のサブアレイを用いる場合、各サブアレイの描画領域は、矩形状の境界を有した領域となる。
【００３０】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００３１】
［実施形態２］
図６は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態１の構成（図２）とは異なる点に関して説明する。実施形態１では、例えばＹ軸方向において、サブアレイ描画領域間のスペースの幅ＳＹを一部幅ＳＹ２に狭めた構成としているのに対し、本実施形態では、スペースの幅ＳＹは変えずに、サブアレイ描画領域のＹ軸方向の幅ＣＹを一部幅ＣＹ２に拡げた構成にしている。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのサブアレイを除くサブアレイによる描画領域２００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは正の整数；本実施形態では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。最大ショット領域２０１内において、基板上に既に形成されているショット領域２０５の配置は、その境界２０３、２０４が幅ＤＸ２、幅ＤＹ２の範囲内に配置されるような配置とする。なお、ＤＸ２は、サブアレイ描画領域２００（特定サブアレイの描画領域）の右端からのＸ軸方向の幅を示し、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域２００（特定サブアレイの描画領域）の下端からのＹ軸方向の幅を示している。ここで、ＤＸ２・ＤＹ２の範囲をそれぞれ含むサブアレイ描画領域の幅ＣＸ２・幅ＣＹ２は、それぞれ他のサブアレイ描画領域の幅ＣＸ・幅ＣＹより広い。ＣＸ２は、ＣＸ２＝ＣＸ＋ＤＸ２となるように設定され、ＣＹ２は、ＣＹ２＝ＣＹ＋ＤＹ２となるように設定されている。図６は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された３×３＝９個のショット領域２０５が内包される場合を示している。
【００３２】
また、描画装置の最大ショット領域２０１が、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか内包しない場合、その軸方向は、ショット領域の境界２０３（２０４）がサブアレイ描画領域２００の境界と一致するようにショット領域を配置してもよい。その場合が常であるならば、その軸方向は、サブアレイ描画領域の幅をすべて同じにしてもよい。
【００３３】
図７は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図７において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図６で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、サブアレイ描画領域２００の境界と一致するように境界２０３または２０４を配置した場合は、該当する軸方向では、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００３４】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して、描画領域の組＜１＞と同様に描画を行う。すなわち、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（９つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００３５】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００３６】
［実施形態３］
図８は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態１の構成とは異なる点に関して説明する。サブアレイ描画領域の形状は、実施形態１（図２）では矩形であるのに対し、本実施形態では、外縁に凹凸のある非矩形である。サブアレイ描画領域が非矩形である場合についての課題と解決手段について以下に説明する。
【００３７】
本実施形態においては、電子線のアレイは、アパーチャアレイ１１６により、基板１２２上において、サブアレイによる描画領域８００（サブアレイ描画領域）が所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなる。サブアレイ描画領域８００は、Ｙ軸方向にＤＹの幅にわたる凹凸を有する外縁をもった非矩形の形状をしている。そして、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの代表幅を有する。サブアレイ描画領域８００は、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置される。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのスペースを除いてサブアレイ描画領域８００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは正の整数：本実施例では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸がないＸ軸方向においては、基板上に既に形成されたショット領域２０５の境界２０３がサブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５（基板１２２）を配置する。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸を有するＹ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の上端から幅ＤＹ２（ＤＹ２≧ＤＹ）だけサブアレイ描画領域８００の下端寄りにショット領域２０５の境界２０４が位置するように、ショット領域２０５を配置する。さらに、ショット領域２０５の境界２０４に隣接するスペース（特定スペース）のＹ軸方向の幅ＳＹ２は、他のスペースのＹ軸方向の幅ＳＹより狭い幅（ＳＹ２＝ＳＹ−ＤＹ２）に設定する。
【００３８】
ここで、サブアレイ内のビーム配列が図１０を参照して後述するような千鳥格子配列である場合、幅ＤＹ２は、１千鳥ブロック（後述）のＹ軸方向代表幅Ｐｃとしてもよい。しかし、凹凸部のＹ軸方向の幅であるＰｃ−Ｐｃｙ（＝ＤＹ；第１の幅）とするのが良い（最も無駄が少ない）。なお、幅ＤＹ２は、第１の幅以上かつ第２の幅未満としうる。図８は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、最大ショット領域２０１内に２×２＝４個のショット領域２０５が内包される場合のサブアレイ描画領域８００とショット領域の境界２０３、２０４との配置関係を示している。実施形態１のような矩形形状のサブアレイ描画領域２００の場合は、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか最大ショット領域２０１が内包しないならば、次のようにすればよい。すなわち、その軸方向において、ショット領域２０５の境界がサブアレイ描画領域の境界と一致するようにショット領域２０５を配置すればよい。しかし、本実施形態のように、サブアレイ描画領域が凹凸の境界を有する場合は、ショット領域２０５が矩形形状であるため、サブアレイ描画領域の境界とショット領域２０５の境界とを一致させることができない。そこで、サブアレイ描画領域が凹凸の境界を有する軸については、上述した本実施形態の配置にすればよい。なお、ある軸方向において最大ショット領域２０１内に３つ以上のショット領域２０５を内包する場合のサブアレイの配置は、本実施形態および実施形態１の双方の考え方（態様）を適用したものとすればよい。
【００３９】
図９は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図９において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図８で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より下端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より上端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、Ｘ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の境界と一致するように境界２０３を配置したから、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００４０】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して描画を行う。描画領域の組＜１＞と同様に、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より下端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より上端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（４つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００４１】
図１０は、サブアレイ内のビーム配列の一例（千鳥格子配列）とそれによる描画態様を示す図である。実施形態１、２の構成とは異なる点に関して説明する。荷電粒子線５００は、Ｘ軸方向にピッチＰｃｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｃｙをもって配列され、また、ピッチＰｃｙだけ隔たった隣接する２つの行の間では、電子線がＸ軸方向に距離Ｄｘだけ互いにずれて配列されており、いわゆる千鳥格子状の配列となっている。換言すれば、Ｘ軸方向に延びる電子線の配列（行）をＹ軸方向にピッチＰｃｙ、Ｘ軸方向に距離Ｄｘずつ順次ずらして配列することにより得られる配列となっている。距離Ｄｘは、ピッチＰｃｘの［１／ｋ］倍の距離（ｋは２以上の整数）を選択するのが好ましい。その場合、１行における電子線の位置は、（Ｐｃｘ／Ｄｘ）行を１周期として繰り返されることになる。この１周期に対応するＹ軸方向の幅Ｐｃを有する電子線の束を１千鳥ブロックと呼ぶことにすると、本実施形態では、Ｙ軸方向に並ぶ複数段の千鳥ブロックをもって１つのサブアレイを構成している。図１０は、１千鳥ブロックが４行の電子線で構成され、サブアレイが３段の千鳥ブロックで構成されている例を示しているが、千鳥ブロックを構成する電子線の行数やサブアレイを構成する千鳥ブロックの段数は、その限りではない。なお、サブアレイは、Ｙ軸方向における各端から所定の幅（第１の幅；Ｐｃ）の荷電粒子線の配列が互いに相補的である。
【００４２】
そのように配列された複数の電子線（サブアレイ）による描画は、Ｘ軸方向においては、主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（幅Ｄｘにわたるラスタスキャン；主走査）によりなされる。また、Ｙ軸方向においては、主としてステージの移動（幅Ｐｃにわたるスキャン；副走査）によりなされる。幅Ｄｘは、偏向器アレイ１２０の偏向幅以下の値にするのが好ましい。そうすることで、幅Ｄｘの領域を複数回に分割して順次描画する等の処理が不要となり、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）の回数の少なさ（スループット）の点で有利となる。また、ピッチＰｃｘは、幅Ｄｘの自然数倍に設定すればよい。それに限らず、偏向器アレイ１２０による電子線の偏向幅をＤｘより大きくすることにより、境界領域をオーバーラップさせて描画してもよい。その場合、オーバーラップ領域での各描画においてドーズ量に勾配をもたせることにより、繋ぎ誤差を低減することができる。
【００４３】
本実施形態のような千鳥格子配列のサブアレイの場合、各サブアレイによる描画領域は、Ｙ軸方向における境界が、１千鳥ブロックに対応した鋸歯状の境界となる。なお、Ｘ軸方向を主走査方向、Ｙ軸方向を副走査方向としたが、その逆であってもよい。
【００４４】
本実施形態によれば、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することができる。実施形態１において図５のビーム配列（長方格子配列）を用いた描画装置との主な違いは、サブアレイ描画領域内の描画方式にある。実施形態１の長方格子配列の場合、主走査方向において幅Ｐｃｘの領域を幅Ｄｘの複数の領域に分割して順次描画するため、多数回（Ｐｃｘ／Ｄｘ回）のステージの移動（副走査）が必要である。一方、本実施形態の千鳥格子配列の場合、主走査方向において幅Ｐｃｘの領域を少数回（１回）のステージの移動（副走査）のみで描画できるため、スループットの点で有利となる。ところが、サブアレイによる描画領域は非矩形形状となるため、図８を参照して説明したような態様で描画を行うものである。
【００４５】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００４６】
［実施形態４］
図１１は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態３の構成とは異なる点に関して説明する。
【００４７】
実施形態３では、Ｙ軸方向において、サブアレイ描画領域間のスペースの幅ＳＹを一部幅ＳＹ２に狭めた構成としているのに対し、本実施形態では、スペースの幅ＳＹは変えずに、サブアレイ描画領域のＹ軸方向の幅ＣＹを一部幅ＣＹ２に拡げた構成にしている。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのサブアレイを除くサブアレイによる描画領域２００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）の自然数倍（本実施形態では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸がないＸ軸方向においては、基板上に既に形成されたショット領域２０５の境界２０３がサブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５（基板１２２）を配置する。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸を有するＹ軸方向においては、次のようにする。すなわち、基板上に既に形成されているショット領域２０５の境界２０４がサブアレイ描画領域８００の下端から幅ＤＹ２（ＤＹ２≧ＤＹ）だけサブアレイ描画領域８００の上端よりに位置するように、ショット領域２０５（基板１２２）を配置する。なお、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域８００の下端からのＹ軸方向の幅を示している。ここで、ＤＹ２の範囲を含むサブアレイ描画領域（特定サブアレイの描画領域）の幅ＣＹ２は、他のサブアレイ描画領域の幅ＣＹより広い。ＣＹ２は、ＣＹ２＝ＣＹ＋ＤＹ２となるように設定されている。ここで、サブアレイ内のビーム配列が図１０に例示したような千鳥格子配列の場合、サブアレイ描画領域のＹ軸方向代表幅は、１千鳥ブロック単位で増減することができるため、幅ＤＹ２は、１千鳥ブロックのＹ方向代表幅Ｐｃにするのが好ましい。図１１は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された２×２＝４個のショット領域２０５が内包される場合を示している。なお、ある軸方向において最大ショット領域２０１内に３つ以上のショット領域２０５を内包する場合のサブアレイの配置は、本実施形態および実施形態２の双方の考え方（態様）を適用したものとすればよい。
【００４８】
図１２は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図１２において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図１１で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より上端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より下端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、Ｘ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５の境界２０３を配置したから、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００４９】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して描画を行う。描画領域の組＜１＞と同様に、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より上端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より下端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（４つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００５０】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００５１】
［実施形態５］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、以上の説明では、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う場合を説明した。しかしながら、本発明は、それには限定されず、基板上に複数のショット領域が未だ形成されていない状態で描画を行う場合にも適用可能である。その場合は、例えば、基板上に既に形成された複数のショット領域の替わりに、仮想的なノミナルの複数のショット領域を基板上に設定（想定）し、当該仮想的な複数のショット領域に対して描画を行うようにすればよい。その場合、ショット領域の境界をまたぐサブアレイ描画領域については、境界の一方の側の領域のみ、対応するショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行えばよい。なお、このような描画は、例えば、後に基板上に複数のショット領域を形成する露光装置（描画装置）に関して、当該露光装置（描画装置）が形成した複数のショット領域の位置や形状に関する情報を予め取得しておくことにより行いうる。
【符号の説明】
【００５３】
１２３ ステージ部（ステージおよび駆動手段）
ＣＯＳ 投射系（荷電粒子光学系）
１００ コントローラー（制御手段）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および、それを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路等のデバイスの製造に用いられる描画装置として、複数の荷電粒子線（荷電粒子線のアレイ）で基板に描画を行う描画装置が提案されている（特許文献１）。
【０００３】
そのような描画装置は、スループットを増大させるために荷電粒子線の本数を増やすと、複数の荷電粒子線を基板に投影するための光学系の収差や製造誤差、経時変化に対処するのが困難となる。このため、荷電粒子線のアレイを構成するサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた描画装置が提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−７５３８号公報
【特許文献２】特許第３６４７１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２のようにサブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器を備えた場合、サブアレイがスペースをもって配置されることになる。また、これに限らず、荷電粒子線用の光学素子（レンズや偏向器等）は、それに含まれる電極等の薄板の撓みを低減するため、所定の間隔でスペーサまたは梁を配置する場合がある。これらの理由から、荷電粒子線のアレイは、サブアレイがスペースをもって配置されてなる場合がある。
【０００６】
そのような荷電粒子線のアレイを、基板上に既に形成された複数のショット領域にわたって照射させ、サブアレイによる描画領域を繋ぎ合わせて複数のショット領域に描画を行うのがスループット上有利である。
【０００７】
しかしながら、つぎの点に留意しなければならない。すなわち、複数の荷電粒子線の軌道は、サブアレイごとに備えた偏向器により、サブアレイ単位で補正できる点である。そして、当該サブアレイ単位での補正は、基板上に既に形成されたショット領域の位置や形状にサブアレイにより描画されるパターンを重ね合わせるためにも用いられうる点である。このため、１つのショット領域の位置や形状に基づいて軌道を調整された１つのサブアレイで２つのショット領域にわたって並行して描画を行うことは、オーバーレイ精度（重ね合わせ精度）の観点からは好ましくない。それを回避するためには、基板上に形成されたショット領域のサイズ、サブアレイのサイズ、および、サブアレイ間のスペースのサイズの間に所定の関係を持たせればよい。例えば、サブアレイのサイズとスペースのサイズとを１：１に設定し、ショット領域のサイズをサブアレイ間のピッチの自然数倍となるように設定すればよい。ところが、そのような設定は、製造すべきチップのサイズの自然数倍にショット領域のサイズが設定されるのが通常であることから、チップのサイズに制約を与えてしまうことになる。
【０００８】
また、サブアレイの外縁の荷電粒子線が直線上に配列されていない（配列に凹凸を有する）場合、ショット領域は矩形であるため、サブアレイによる描画範囲の境界とショット領域の境界とを一致させることはできない。その場合、２つのショット領域にわたって１つのサブアレイで並行して描画を行うのを回避するには、上記凹凸の幅だけ間隔を空けてショット領域を配置する必要がある。そうすると、基板上に配置できるショット領域の数が減少し、生産性の点で好ましくない。
【０００９】
本発明は、以上に例示したような課題に鑑みてなされたものであり、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置であってオーバーレイ精度と生産性との両立に有利な描画装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面は、所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して、かつ、前記所定方向における前記基板のステップ移動を介在させて、荷電粒子線のアレイで描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを入射させる荷電粒子光学系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記荷電粒子光学系との間の前記所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記荷電粒子光学系は、前記アレイとして、前記所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを前記基板に入射させ、かつ、前記複数のサブアレイの少なくとも１つをそれぞれ含む複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有し、
前記制御手段は、前記複数のサブアレイのうち前記複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより前記境界の一方の側の領域と前記境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、前記ステップ移動を介して順次描画されるように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置であってオーバーレイ精度と生産性との両立に有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る描画装置の構成例を示す図
【図２】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態１）
【図３】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図４】描画装置の複数のショット領域に対して描画装置が描画を行う順序を例示する図
【図５】サブアレイ内のビーム配列の一例（長方格子配列）とそれによる描画態様を示す図
【図６】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態２）
【図７】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図８】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態３）
【図９】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【図１０】サブアレイ内のビーム配列の一例（千鳥格子配列）とそれによる描画態様を示す図
【図１１】基板上に形成されたショット領域に対するサブアレイの配置例を示す図（実施形態４）
【図１２】描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。なお、原則として、全図を通じ同一の部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１４】
［実施形態１］
図１は、実施形態に係る描画装置の構成例を示す図であって、荷電粒子線のアレイ（複数の荷電粒子線）で基板に描画を行う描画装置の構成例を示すものである。本実施形態では、荷電粒子線として電子線を用いる場合について説明するが、電子線はイオン線など他の荷電粒子線に置換可能である。図１において、ＣＯＳは、後述するステージに保持された基板に電子線のアレイを投射する投射系（荷電粒子光学系）である。１１１は、クロスオーバ１１２を形成する電子源（荷電粒子源）である。１１４、１１５は、クロスオーバ１１２から発散した電子（荷電粒子）の軌道を示す。クロスオーバ１１２から発散した電子は、電界および磁界の少なくとも一方を生成するコリメーターレンズ１１３の作用により平行なビームとなり、１１６に入射する。１１６は、アパーチャアレイであって、アパーチャアレイ１１６に入射した電子線は複数の電子線に分割され、電子線のアレイ（荷電粒子線のアレイ）となる。アパーチャアレイ１１６には、例えば、２次元状に規則的かつ離散的に配列された複数の開口（例えば円形状開口）が形成されている。ここで、電子線のアレイは、電子線のサブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなっている。ここで、サブアレイ内の電子線の配列や、サブアレイ間のスペースは、アパーチャアレイ１１６内の開口の配列によって決まるものである。なお、サブアレイやスペースのサイズは、荷電粒子線のアレイを荷電粒子線のサブアレイから構成する要因から決められる。当該要因としては、サブアレイごとに荷電粒子線の偏向を行う偏向器のサイズ、または、荷電粒子線光学系の光学素子（レンズや偏向器等）に含まれる電極等の薄板の撓みを低減するために配置されるスペーサまたは梁のサイズや間隔等を例示することができる。
【００１５】
アパーチャアレイ１１６により形成された電子線アレイは、開口（例えば円形状開口）のアレイが形成された３枚の電極板（不図示）から構成される静電レンズアレイ１１７に入射する。静電レンズアレイ１１７がクロスオーバを形成する位置には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されたブランキング偏向器アレイ１１８が配置されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、電子線アレイ中の電子線を個別に偏向する。ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向された電子線１２４は、ストッピングアパーチャアレイ１１９により遮蔽される。ストッピングアパーチャアレイ１１９には、アパーチャアレイ１１６と同様の配列を有する開口アレイが形成されている。ブランキング偏向器アレイ１１８は、ブランキング制御回路１０５により制御され、ブランキング動作のために各電子線を個別に偏向する。ブランキング制御回路１０５は、ブランキング指令生成回路１０４によって生成されるブランキング信号に基づいてブランキングの制御を行う。なお、描画パターンは、描画パターン発生回路１０２により生成され、当該描画パターンは、ビットマップ変換回路１０３によりビットマップデータに変換される。当該ビットマップデータに基づいてブランキング指令生成回路１０４は上記のブランキング信号を生成する。
【００１６】
ブランキング偏向器アレイ１１８により偏向されずにストッピングアパーチャアレイ１１９を通過した電子線は、静電レンズアレイ１２１により基板１２２上にクロスオーバ１１０の像を形成する。１２３は、ステージ部であって、基板１２２を保持する可動のステージと、基板１２２上の描画領域を変更するように当該ステージと投射系ＣＯＳとの間の所定方向における相対移動を行わせるアクチュエータ（駆動手段）とを含む。
【００１７】
１２０は、電子線のサブアレイごとに構成された偏向器を含む偏向器アレイであって、各偏向器は、サブアレイを偏向させることにより、基板１２２上におけるサブアレイ内の電子線の位置１２５をＸ−Ｙ面内において移動させる。なお、偏向器アレイ１２０は、サブアレイごとに設けられるのに限られず、例えば、複数のサブアレイ（サブアレイセット）を単位として設けられてもよく、また、各電子線を単位として設けられてもよい。１０６は、上述のビットマップデータに基づいて偏向信号を生成する偏向信号生成回路である。１０７は、偏向信号生成回路１０６によって生成された偏向信号に基づいて偏向器アレイ１２０の駆動信号を生成する偏向アンプである。
【００１８】
ステージ部１２３は、ステージ制御回路１１０により制御される。ステージ制御回路１１０は、ステージ制御信号生成回路１０９が生成するステージ制御信号に基づいてステージの位置決めの制御を行う。ステージ制御信号生成回路１０９は、上述のビットマップデータに基づいてステージ制御信号を生成する。ステージの位置は、レーザ測長器等の計測器（不図示）により計測され、その計測の結果は、ステージの位置決めの制御に用いられる。基板１２２は、描画中、ステージの移動（副走査）と並行して電子線のアレイにより走査（主走査）される。このため、ステージ制御回路１１０によるステージの位置決め制御と、上述の偏向アンプ１０７による偏向器アレイ１２０の制御と、上述のブランキング制御回路１０５によるブランキング偏向器アレイ１１８の制御とは、同期してなされる。このようにして、電子線のアレイにより基板１２２に描画が行われる。
【００１９】
なお、コリメーターレンズ１１３、静電レンズアレイ１１７は、レンズ制御回路１０１により制御され、静電レンズアレイ１２１は、レンズ制御回路１０８により制御される。また、以上説明した回路１０１ないし１１０による描画動作は、コントローラー１００の制御の下でなされる。
【００２０】
図２は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。上述したアパーチャアレイ１１６により、電子線のアレイは、基板１２２上において、サブアレイが所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなる。サブアレイによる描画領域２００（サブアレイ描画領域）は、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの代表幅を有し、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置される。ここで、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、互いに直交する２つの方向である。なお、Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、必ずしも直交する必要はなく、互いに交差する２つの方向であってもよい。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのスペースを除いてサブアレイ描画領域の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは自然数または正の整数；本実施例では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１（描画装置の最大ショット領域）に対して描画を行うことができる。
【００２１】
最大ショット領域２０１内において、基板上に既に形成されているショット領域２０５の配置は、その境界２０３、２０４が幅ＤＸ２、幅ＤＹ２の範囲内に配置されるような配置とする。なお、ＤＸ２は、サブアレイ描画領域２００の左端からのＸ軸方向の幅を示し、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域２００の上端からのＹ軸方向の幅を示している。また、２０３は、ショット領域２０５のＸ軸方向における境界を示し、２０４は、ショット領域２０５のＹ軸方向における境界を示している。ここで、ＤＸ２・ＤＹ２の範囲にそれぞれ隣接するスペース（特定スペース）の幅ＳＸ２・幅ＳＹ２は、それぞれ他のスペースの幅ＳＸ・幅ＳＹより狭い。ＳＸ２は、ＳＸ２＝ＳＸ−ＤＸ２となるように設定され、ＳＹ２は、ＳＹ２＝ＳＹ−ＤＹ２となるように設定されている。
【００２２】
図２は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された３×３＝９個のショット領域２０５が内包される場合を示している。ここで、サブアレイの配列は、投射系ＣＯＳ中のアパーチャアレイ１１６等の構造により決まっている為、容易には変更できない。一方、基板上に既に形成されたショット領域２０５は、１または複数のチップ領域を含む。そして、チップのサイズは、生産性を左右するパラメータでもあるため、できるだけ小さく、かつ、回路規模に比例して任意に設定したいという要求もある。このため、そうして決められたショット領域２０５に対して、以上のようなサブアレイ配置にすると、サブアレイ描画領域サイズのｎ倍から、それより幅ＤＸ２（幅ＤＹ２）だけ小さいサイズまでの範囲のサイズのショット領域２０５に対応することができる。したがって、チップサイズの自由度の制約を軽減することにもなる。幅ＤＸ２、幅ＤＹ２は、広くする方が当該自由度の点では好ましい。しかし、そうすると、描画に使用されない可能性のある多数の電子線を生成する（冗長な電子線を増加させる）ことになることを考慮すると、幅ＤＸ２、幅ＤＹ２は、狭くする方が好ましい。よって、例えば、ターゲットとするショット領域２０５のサイズの範囲を設定し、その範囲から幅ＤＸ２、幅ＤＹ２を決定し、ショット領域２０５の最大サイズからサブアレイ描画領域のサイズ（幅ＣＸ、幅ＣＹ）を決定するのがよい。なお、ＤＸ２（ＤＹ２）は、サブアレイ描画領域の幅未満（第２の幅未満）の所定の幅としうる。
【００２３】
また、描画装置の最大ショット領域２０１が、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか内包しない場合、その軸方向は、ショット領域の境界２０３（２０４）がサブアレイ描画領域２００の境界と一致するようにショット領域を配置してもよい。その場合が常であるならば、その軸方向は、スペースの幅をすべて同じにしてもよい。
【００２４】
なお、実施形態の説明において、特に断らない限り、種々のサイズや寸法は、ノミナル値（公称値または設計値）を示すものとする。そして、実施形態の説明において示される数式（文字式）は、そのようなノミナル値の間の関係を示すものとする。
【００２５】
次に、図２のサブアレイ配置により描画装置のショット領域に対して描画を行う態様について説明する。図３は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図３において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図２で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、サブアレイ描画領域２００の境界と一致するように境界２０３または２０４を配置した場合は、該当する軸方向では、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００２６】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して、描画領域の組＜１＞と同様に描画を行う。すなわち、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（９つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００２７】
図４は、描画装置の複数のショット領域に対して描画装置が描画を行う順序を例示する図である。図２・図３を参照して説明したように、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する描画装置の最大ショット領域２０１内に内包される複数のショット領域２０５が描画された。そのように描画された複数のショット領域２０５の組の全領域を描画装置のショット領域４００とする。描画装置のショット領域４００は、図４に示されるように、基板１２２上に配列される。描画装置は、そのショット領域４００の描画が終了するたびにステージ部１２３をステップ移動させ、図中矢印で示されるような順序で複数のショット領域４００に対して順次描画を行う。
【００２８】
図５は、基板１２２上におけるサブアレイ内のビーム配列の一例（正方格子配列または長方格子配列）とそれによる描画態様を示す図である。荷電粒子線５００は、基板１２２上において、Ｘ軸方向にピッチＰｃｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｃをもって配列された、いわゆる長方格子状の配列となっている。図５は、３行３列の電子線で構成されているサブアレイを例示しているが、電子線の行数や列数は、それには限られない。
【００２９】
そのように配列された複数の電子線（サブアレイ）による描画は、Ｘ軸方向においては、主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（幅Ｄｘにわたるラスタスキャン；主走査）によりなされる。また、Ｙ軸方向においては、主としてステージ部１２３の移動（幅Ｐｃにわたるスキャン；副走査）によりなされる。幅Ｄｘは、偏向器アレイ１２０の偏向幅以下の値にするのが好ましい。そうすることで、幅Ｄｘの領域を複数回に分割して順次描画する等の処理が不要となり、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）の回数の少なさ（スループット）の点で有利となる。Ｘ軸方向のピッチＰｃｘに対応する領域は、幅Ｄｘでのステージ部１２３のステップ移動を介在させて、幅Ｄｘの領域ごとに順次描画する。また、ピッチＰｃｘは、幅Ｄｘの自然数倍に設定すればよい。それに限らず、偏向器アレイ１２０による電子線の偏向幅をＤｘより大きくすることにより、境界領域をオーバーラップさせて描画してもよい。その場合、オーバーラップ領域での各描画においてドーズ量に勾配をもたせることにより、繋ぎ誤差を低減することができる。本実施形態のような長方格子配列のサブアレイを用いる場合、各サブアレイの描画領域は、矩形状の境界を有した領域となる。
【００３０】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００３１】
［実施形態２］
図６は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態１の構成（図２）とは異なる点に関して説明する。実施形態１では、例えばＹ軸方向において、サブアレイ描画領域間のスペースの幅ＳＹを一部幅ＳＹ２に狭めた構成としているのに対し、本実施形態では、スペースの幅ＳＹは変えずに、サブアレイ描画領域のＹ軸方向の幅ＣＹを一部幅ＣＹ２に拡げた構成にしている。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのサブアレイを除くサブアレイによる描画領域２００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは正の整数；本実施形態では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。最大ショット領域２０１内において、基板上に既に形成されているショット領域２０５の配置は、その境界２０３、２０４が幅ＤＸ２、幅ＤＹ２の範囲内に配置されるような配置とする。なお、ＤＸ２は、サブアレイ描画領域２００（特定サブアレイの描画領域）の右端からのＸ軸方向の幅を示し、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域２００（特定サブアレイの描画領域）の下端からのＹ軸方向の幅を示している。ここで、ＤＸ２・ＤＹ２の範囲をそれぞれ含むサブアレイ描画領域の幅ＣＸ２・幅ＣＹ２は、それぞれ他のサブアレイ描画領域の幅ＣＸ・幅ＣＹより広い。ＣＸ２は、ＣＸ２＝ＣＸ＋ＤＸ２となるように設定され、ＣＹ２は、ＣＹ２＝ＣＹ＋ＤＹ２となるように設定されている。図６は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された３×３＝９個のショット領域２０５が内包される場合を示している。
【００３２】
また、描画装置の最大ショット領域２０１が、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか内包しない場合、その軸方向は、ショット領域の境界２０３（２０４）がサブアレイ描画領域２００の境界と一致するようにショット領域を配置してもよい。その場合が常であるならば、その軸方向は、サブアレイ描画領域の幅をすべて同じにしてもよい。
【００３３】
図７は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図７において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図６で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、サブアレイ描画領域２００の境界と一致するように境界２０３または２０４を配置した場合は、該当する軸方向では、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００３４】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して、描画領域の組＜１＞と同様に描画を行う。すなわち、ショット領域２０５の境界２０３（２０４）をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０３（２０４）より左端（上端）側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０３（２０４）より右端（下端）側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０３、２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（９つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００３５】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００３６】
［実施形態３］
図８は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態１の構成とは異なる点に関して説明する。サブアレイ描画領域の形状は、実施形態１（図２）では矩形であるのに対し、本実施形態では、外縁に凹凸のある非矩形である。サブアレイ描画領域が非矩形である場合についての課題と解決手段について以下に説明する。
【００３７】
本実施形態においては、電子線のアレイは、アパーチャアレイ１１６により、基板１２２上において、サブアレイによる描画領域８００（サブアレイ描画領域）が所定のスペースをもって離散的に配列されたものとなる。サブアレイ描画領域８００は、Ｙ軸方向にＤＹの幅にわたる凹凸を有する外縁をもった非矩形の形状をしている。そして、Ｘ軸方向にＣＸ、Ｙ軸方向にＣＹの代表幅を有する。サブアレイ描画領域８００は、Ｘ軸方向・Ｙ軸方向にそれぞれ幅ＳＸ・幅ＳＹのスペースを空けて格子状に離散的に配置される。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのスペースを除いてサブアレイ描画領域８００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）のｎ倍（ｎは正の整数：本実施例では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸がないＸ軸方向においては、基板上に既に形成されたショット領域２０５の境界２０３がサブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５（基板１２２）を配置する。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸を有するＹ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の上端から幅ＤＹ２（ＤＹ２≧ＤＹ）だけサブアレイ描画領域８００の下端寄りにショット領域２０５の境界２０４が位置するように、ショット領域２０５を配置する。さらに、ショット領域２０５の境界２０４に隣接するスペース（特定スペース）のＹ軸方向の幅ＳＹ２は、他のスペースのＹ軸方向の幅ＳＹより狭い幅（ＳＹ２＝ＳＹ−ＤＹ２）に設定する。
【００３８】
ここで、サブアレイ内のビーム配列が図１０を参照して後述するような千鳥格子配列である場合、幅ＤＹ２は、１千鳥ブロック（後述）のＹ軸方向代表幅Ｐｃとしてもよい。しかし、凹凸部のＹ軸方向の幅であるＰｃ−Ｐｃｙ（＝ＤＹ；第１の幅）とするのが良い（最も無駄が少ない）。なお、幅ＤＹ２は、第１の幅以上かつ第２の幅未満としうる。図８は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、最大ショット領域２０１内に２×２＝４個のショット領域２０５が内包される場合のサブアレイ描画領域８００とショット領域の境界２０３、２０４との配置関係を示している。実施形態１のような矩形形状のサブアレイ描画領域２００の場合は、ある軸方向において２つ以下のショット領域２０５しか最大ショット領域２０１が内包しないならば、次のようにすればよい。すなわち、その軸方向において、ショット領域２０５の境界がサブアレイ描画領域の境界と一致するようにショット領域２０５を配置すればよい。しかし、本実施形態のように、サブアレイ描画領域が凹凸の境界を有する場合は、ショット領域２０５が矩形形状であるため、サブアレイ描画領域の境界とショット領域２０５の境界とを一致させることができない。そこで、サブアレイ描画領域が凹凸の境界を有する軸については、上述した本実施形態の配置にすればよい。なお、ある軸方向において最大ショット領域２０１内に３つ以上のショット領域２０５を内包する場合のサブアレイの配置は、本実施形態および実施形態１の双方の考え方（態様）を適用したものとすればよい。
【００３９】
図９は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図９において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図８で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より下端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より上端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、Ｘ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の境界と一致するように境界２０３を配置したから、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００４０】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して描画を行う。描画領域の組＜１＞と同様に、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より下端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より上端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（４つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００４１】
図１０は、サブアレイ内のビーム配列の一例（千鳥格子配列）とそれによる描画態様を示す図である。実施形態１、２の構成とは異なる点に関して説明する。荷電粒子線５００は、Ｘ軸方向にピッチＰｃｘ、Ｙ軸方向にピッチＰｃｙをもって配列され、また、ピッチＰｃｙだけ隔たった隣接する２つの行の間では、電子線がＸ軸方向に距離Ｄｘだけ互いにずれて配列されており、いわゆる千鳥格子状の配列となっている。換言すれば、Ｘ軸方向に延びる電子線の配列（行）をＹ軸方向にピッチＰｃｙ、Ｘ軸方向に距離Ｄｘずつ順次ずらして配列することにより得られる配列となっている。距離Ｄｘは、ピッチＰｃｘの［１／ｋ］倍の距離（ｋは２以上の整数）を選択するのが好ましい。その場合、１行における電子線の位置は、（Ｐｃｘ／Ｄｘ）行を１周期として繰り返されることになる。この１周期に対応するＹ軸方向の幅Ｐｃを有する電子線の束を１千鳥ブロックと呼ぶことにすると、本実施形態では、Ｙ軸方向に並ぶ複数段の千鳥ブロックをもって１つのサブアレイを構成している。図１０は、１千鳥ブロックが４行の電子線で構成され、サブアレイが３段の千鳥ブロックで構成されている例を示しているが、千鳥ブロックを構成する電子線の行数やサブアレイを構成する千鳥ブロックの段数は、その限りではない。なお、サブアレイは、Ｙ軸方向における各端から所定の幅（第１の幅；Ｐｃ）の荷電粒子線の配列が互いに相補的である。
【００４２】
そのように配列された複数の電子線（サブアレイ）による描画は、Ｘ軸方向においては、主として偏向器アレイ１２０による電子線の偏向（幅Ｄｘにわたるラスタスキャン；主走査）によりなされる。また、Ｙ軸方向においては、主としてステージの移動（幅Ｐｃにわたるスキャン；副走査）によりなされる。幅Ｄｘは、偏向器アレイ１２０の偏向幅以下の値にするのが好ましい。そうすることで、幅Ｄｘの領域を複数回に分割して順次描画する等の処理が不要となり、Ｙ軸方向におけるステージの移動（副走査）の回数の少なさ（スループット）の点で有利となる。また、ピッチＰｃｘは、幅Ｄｘの自然数倍に設定すればよい。それに限らず、偏向器アレイ１２０による電子線の偏向幅をＤｘより大きくすることにより、境界領域をオーバーラップさせて描画してもよい。その場合、オーバーラップ領域での各描画においてドーズ量に勾配をもたせることにより、繋ぎ誤差を低減することができる。
【００４３】
本実施形態のような千鳥格子配列のサブアレイの場合、各サブアレイによる描画領域は、Ｙ軸方向における境界が、１千鳥ブロックに対応した鋸歯状の境界となる。なお、Ｘ軸方向を主走査方向、Ｙ軸方向を副走査方向としたが、その逆であってもよい。
【００４４】
本実施形態によれば、サブアレイの荷電粒子線を有効に利用するのに有利な描画装置を提供することができる。実施形態１において図５のビーム配列（長方格子配列）を用いた描画装置との主な違いは、サブアレイ描画領域内の描画方式にある。実施形態１の長方格子配列の場合、主走査方向において幅Ｐｃｘの領域を幅Ｄｘの複数の領域に分割して順次描画するため、多数回（Ｐｃｘ／Ｄｘ回）のステージの移動（副走査）が必要である。一方、本実施形態の千鳥格子配列の場合、主走査方向において幅Ｐｃｘの領域を少数回（１回）のステージの移動（副走査）のみで描画できるため、スループットの点で有利となる。ところが、サブアレイによる描画領域は非矩形形状となるため、図８を参照して説明したような態様で描画を行うものである。
【００４５】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００４６】
［実施形態４］
図１１は、本実施形態において、基板上に既に形成されたショット領域に対するサブアレイ（サブアレイによる描画領域）の配置例を示す図である。実施形態３の構成とは異なる点に関して説明する。
【００４７】
実施形態３では、Ｙ軸方向において、サブアレイ描画領域間のスペースの幅ＳＹを一部幅ＳＹ２に狭めた構成としているのに対し、本実施形態では、スペースの幅ＳＹは変えずに、サブアレイ描画領域のＹ軸方向の幅ＣＹを一部幅ＣＹ２に拡げた構成にしている。各軸方向において、スペースの幅（ノミナルサイズ；第３の幅）は、後述する少なくとも１つのサブアレイを除くサブアレイによる描画領域２００の幅（ノミナルサイズ；第２の幅）の自然数倍（本実施形態では１倍）の幅に設定されている。複数のサブアレイにより、Ｘ軸方向に幅ＧＸ、Ｙ軸方向に幅ＧＹを有する最大ショット領域２０１に対して描画を行うことができる。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸がないＸ軸方向においては、基板上に既に形成されたショット領域２０５の境界２０３がサブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５（基板１２２）を配置する。サブアレイ描画領域８００の境界に凹凸を有するＹ軸方向においては、次のようにする。すなわち、基板上に既に形成されているショット領域２０５の境界２０４がサブアレイ描画領域８００の下端から幅ＤＹ２（ＤＹ２≧ＤＹ）だけサブアレイ描画領域８００の上端よりに位置するように、ショット領域２０５（基板１２２）を配置する。なお、ＤＹ２は、サブアレイ描画領域８００の下端からのＹ軸方向の幅を示している。ここで、ＤＹ２の範囲を含むサブアレイ描画領域（特定サブアレイの描画領域）の幅ＣＹ２は、他のサブアレイ描画領域の幅ＣＹより広い。ＣＹ２は、ＣＹ２＝ＣＹ＋ＤＹ２となるように設定されている。ここで、サブアレイ内のビーム配列が図１０に例示したような千鳥格子配列の場合、サブアレイ描画領域のＹ軸方向代表幅は、１千鳥ブロック単位で増減することができるため、幅ＤＹ２は、１千鳥ブロックのＹ方向代表幅Ｐｃにするのが好ましい。図１１は、単純な構成として、ＳＸ＝ＣＸ、ＳＹ＝ＣＹ、描画装置の最大ショット領域２０１内に、基板上に既に形成された２×２＝４個のショット領域２０５が内包される場合を示している。なお、ある軸方向において最大ショット領域２０１内に３つ以上のショット領域２０５を内包する場合のサブアレイの配置は、本実施形態および実施形態２の双方の考え方（態様）を適用したものとすればよい。
【００４８】
図１２は、描画装置の１つのショット領域において順次描画が行われる複数組の描画領域を例示する図である。図１２において、サブアレイ毎の描画領域に＜１＞〜＜４＞の符号を付与し、並行して描画が行われる描画領域には同一の符号を付している。各サブアレイ描画領域は、後述の描画方法に従って描画が行われる。基板上に既に形成されたショット領域２０５と各サブアレイとの間の初期状態（描画を開始するときの状態）での位置関係が図１１で示したものである場合、まず、＜１＞で示された描画領域の組＜１＞の描画が行われる。その際、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より上端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より下端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。なお、前述したように、Ｘ軸方向においては、サブアレイ描画領域８００の境界と一致するようにショット領域２０５の境界２０３を配置したから、複数のショット領域をまたぐサブアレイ描画領域は存在しない。
【００４９】
つづいて、ステージ部１２３を距離ＣＹだけＹ軸方向にステップ移動させ、＜２＞で示される描画領域の組に対して描画を行う。描画領域の組＜１＞と同様に、ショット領域２０５の境界２０４をまたぐサブアレイ描画領域については、境界２０４より上端側の領域のみ、対応するショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。境界２０４より下端側の領域は、描画を行わない。描画装置の最大ショット領域２０１とその内部に配置された全ショット領域２０５の外縁との間の領域も描画を行わない。境界２０４をまたがないサブアレイ描画領域については、サブアレイ描画領域が包含されるショット領域２０５に対するアライメント計測結果等の重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行う。描画領域の組＜１＞・＜２＞に対してそれぞれステージ部１２３を距離ＣＸだけＸ軸方向にステップ移動させて得られる描画領域の組＜３＞・＜４＞についても、描画領域の組＜１＞・＜２＞と同様に描画を行う。そうすることで、描画装置の最大ショット領域２０１内の各ショット領域２０５（４つのショット領域２０５）に対して描画が完了する。なお、スループットの観点から、描画領域の組＜１＞〜＜４＞をその数字の昇順で描画するのがよいが、描画領域の組＜１＞〜＜４＞の描画は、必ずしもこの順序で行う必要はない。
【００５０】
本実施形態によれば、ショット領域の境界の一方の側の領域と他方の側の領域とを１つのサブアレイで並行して描画することなく、個々のショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて、個々のショット領域を効率的に描画することができる。
【００５１】
［実施形態５］
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、当該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含みうる。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、以上の説明では、基板上に既に形成された複数のショット領域に対して並行して描画を行う場合を説明した。しかしながら、本発明は、それには限定されず、基板上に複数のショット領域が未だ形成されていない状態で描画を行う場合にも適用可能である。その場合は、例えば、基板上に既に形成された複数のショット領域の替わりに、仮想的なノミナルの複数のショット領域を基板上に設定（想定）し、当該仮想的な複数のショット領域に対して描画を行うようにすればよい。その場合、ショット領域の境界をまたぐサブアレイ描画領域については、境界の一方の側の領域のみ、対応するショット領域に対する重ね合わせに必要な情報に基づいて描画を行えばよい。なお、このような描画は、例えば、後に基板上に複数のショット領域を形成する露光装置（描画装置）に関して、当該露光装置（描画装置）が形成した複数のショット領域の位置や形状に関する情報を予め取得しておくことにより行いうる。
【符号の説明】
【００５３】
１２３ ステージ部（ステージおよび駆動手段）
ＣＯＳ 投射系（荷電粒子光学系）
１００ コントローラー（制御手段）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して、かつ、前記所定方向における前記基板のステップ移動を介在させて、荷電粒子線のアレイで描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを入射させる荷電粒子光学系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記荷電粒子光学系との間の前記所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記荷電粒子光学系は、前記アレイとして、前記所定方向に離散的に配列された複数のサブアレイを前記基板に入射させ、かつ、前記複数のサブアレイの少なくとも１つをそれぞれ含む複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有し、
前記制御手段は、前記複数のサブアレイのうち前記複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより前記境界の一方の側の領域と前記境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、前記ステップ移動を介して順次描画されるように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記複数のサブアレイのそれぞれは、前記所定方向における各端から所定の幅（第１の幅）の荷電粒子線の配列が互いに相補的である、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記所定方向において、前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、少なくとも１つのスペースを除いて前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅（第３の幅）を有し、前記少なくとも１つのスペース（特定スペース）は、前記第１の幅以上かつ前記第２の幅未満の幅だけ前記第３の幅より狭い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記所定方向において、少なくとも１つのサブアレイを除く前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅を有し、前記少なくとも１つのサブアレイによる描画領域（特定描画領域）は、前記第１の幅以上かつ前記第２の幅未満の幅だけ前記第２の幅より広い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記複数のサブアレイのそれぞれは、荷電粒子線が長方格子状に配列されてなる、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項６】
前記所定方向において、前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、少なくとも１つのスペースを除いて前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅（第３の幅）を有し、前記少なくとも１つのスペース（特定スペース）は、前記第２の幅未満の所定の幅だけ前記第３の幅より狭い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記所定方向において、少なくとも１つのサブアレイを除く前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、前記スペースは、前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅を有し、前記少なくとも１つのサブアレイによる描画領域（特定描画領域）は、前記第２の幅未満の所定の幅だけ前記第２の幅より広い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記所定方向において、前記特定スペースに隣接するいずれかの描画領域を、前記境界をまたぐように配置した状態で、前記複数のショット領域に対する描画が開始するように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項３または請求項６に記載の描画装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記所定方向において、前記特定描画領域を、前記境界をまたぐように配置した状態で、前記複数のショット領域に対する描画が開始するように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項４または請求項７に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１】
所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して、かつ、前記所定方向における前記基板のステップ移動を介在させて、荷電粒子線のアレイで描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に前記アレイを入射させる荷電粒子光学系と、
前記基板上の描画領域を変更するように前記ステージと前記荷電粒子光学系との間の前記所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、
制御手段と、を有し、
前記荷電粒子光学系は、前記アレイとして、前記所定方向に離散的に配列された複数のサブアレイを前記基板に入射させ、かつ、前記複数のサブアレイの少なくとも１つをそれぞれ含む複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有し、
前記制御手段は、前記複数のサブアレイのうち前記複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより前記境界の一方の側の領域と前記境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、前記ステップ移動を介して順次描画されるように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、
ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記複数のサブアレイのそれぞれは、前記所定方向における各端から所定の幅（第１の幅）の荷電粒子線の配列が互いに相補的である、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記所定方向において、前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、少なくとも１つのスペースを除いて前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅（第３の幅）を有し、前記少なくとも１つのスペース（特定スペース）は、前記第１の幅以上かつ前記第２の幅未満の幅だけ前記第３の幅より狭い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記所定方向において、少なくとも１つのサブアレイを除く前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅を有し、前記少なくとも１つのサブアレイによる描画領域（特定描画領域）は、前記第１の幅以上かつ前記第２の幅未満の幅だけ前記第２の幅より広い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記複数のサブアレイのそれぞれは、荷電粒子線が長方格子状に配列されてなる、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項６】
前記所定方向において、前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、複数の前記描画領域の間のスペースは、少なくとも１つのスペースを除いて前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅（第３の幅）を有し、前記少なくとも１つのスペース（特定スペース）は、前記第２の幅未満の所定の幅だけ前記第３の幅より狭い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項７】
前記所定方向において、少なくとも１つのサブアレイを除く前記複数のサブアレイのそれぞれによる描画領域は、所定の幅（第２の幅）を有し、前記スペースは、前記第２の幅のｎ倍（ｎは正の整数）の幅を有し、前記少なくとも１つのサブアレイによる描画領域（特定描画領域）は、前記第２の幅未満の所定の幅だけ前記第２の幅より広い幅を有する、ように前記荷電粒子光学系は構成されている、ことを特徴とする請求項５に記載の描画装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記所定方向において、前記特定スペースに隣接するいずれかの描画領域を、前記境界をまたぐように配置した状態で、前記複数のショット領域に対する描画が開始するように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項３または請求項６に記載の描画装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記所定方向において、前記特定描画領域を、前記境界をまたぐように配置した状態で、前記複数のショット領域に対する描画が開始するように、前記荷電粒子光学系と前記駆動手段とを制御する、ことを特徴とする請求項４または請求項７に記載の描画装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−４５８３８（Ｐ２０１３−４５８３８Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８１５７８（Ｐ２０１１−１８１５７８）
【出願日】平成２３年８月２３日（２０１１．８．２３）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２３日（２０１１．８．２３）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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