【課題】マルチビーム配列が完全正方行列でなく、一定の走査速度で各ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を独立のタイミングで制御する必要があり、制御データ量が膨大であった。走査方向と非走査方向でパターンのエッジのシャープネスが異なり、高精度なパターン描画が困難であった。
【解決手段】電子銃１からの電子ビームをビームサイズの整数倍の間隔の２次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成する。描画すべきデバイスのメッシュの個別ブランカ１３をビットマップ信号によりＯＮ／ＯＦＦし、所望のビームを得る。また、偏向装置１７，１８によりビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカ１６を開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第１記憶部１２１及び前記第２記憶部１２２のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第１記憶部及び前記第２記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第３記憶部１２３に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第１記憶部、前記第２記憶部及び前記第３記憶部の動作を制御する第２制御部と、を含む。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部１８と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】投影光学系と基板との衝突の低減に有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】ステージに保持された基板の上の複数の計測点の高さを計測する計測部と、基板を保持して前記光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークで移動する微動ステージと、微動ステージを保持して光学系の光軸に平行な方向に第１ストロークより大きい第２ストロークで移動する調整ステージと、調整ステージが移動しないように機械的に調整ステージを固定する固定機構と、を含み、制御部は、基板に前記パターンを転写する前に、計測部で計測された複数の計測点の高さで代表される基板の仮想平面が水平になるように、且つ、仮想平面が光学系の最も基板側の面と基板との間であって第１ストロークから決まる初期位置に位置するように調整ステージを移動させ、仮想平面を初期位置に位置させた後に固定機構によって調整ステージを固定するリソグラフィ装置。 （もっと読む）

【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子線に対して個別にブランキングを行う描画装置に有利な構成を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、同期クロックに同期してブランキング指令信号を送信するデータ送信部１０２と、ブランキング制御回路１０５と、を備える。データ送信部は、同期クロックに同期して、互いに識別可能な複数のデータを所定の順番で送信する。ブランキング制御回路は、複数のデータを受信して同期クロックの周期より短い周期を有する通信クロックに同期して順次読み出す受信部１３０と、同期クロックに同期して前記受信部から読み出された複数のデータのうちの１つのデータを検出する検出部と、検出部により検出された１つのデータと同期クロックの周期と通信クロックの周期とに基づいて、同期クロックに基づく所定の時点からブランキング制御部がブランキング指令信号を受信する時点までの遅延時間を判定する判定部１３１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】レジストから放出されたガスの影響の小ささの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】真空下において複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、電極板３を含み、該電極板を介して前記複数の荷電粒子線を前記基板に投影する静電レンズを備える。前記電極板は、前記複数の荷電粒子線をそれぞれ通過させる複数の第１の開口と、前記複数の第１の開口とは別の複数の第２の開口８とが形成される。前記複数の第２の開口の合計面積は、前記複数の第１の開口の合計面積より大きい。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線レンズアレイを構成する絶縁体表面が帯電することによって生じる荷電粒子線の収差を補正することが可能な荷電粒子線レンズアレイを提供する。
【解決手段】荷電粒子源から放射された複数の荷電粒子線の光学特性を制御する荷電粒子線レンズアレイは、絶縁体２Ａ、２Ｂを介して互いに光軸３の方向に離間して支持された複数の電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃを有する。電極は荷電粒子線５が通過するための複数の貫通孔４を有する。複数の貫通孔の配置が、２つの並進ベクトルで規定されるそれぞれの基準位置８から、荷電粒子線レンズアレイ内で生じる荷電粒子線の収差を補正する方向にずれている。各貫通孔の基準位置からのずらし量は、基準位置が絶縁体の表面６Ａ、６Ｂに近い程大きく、絶縁体の表面から遠ざかるに従って小さくなる。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子レンズの汚染を低減するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対向して荷電粒子線を射出する最終電極板を含む荷電粒子光学系と、前記最終電極板に対向する前記基板と前記最終電極との間に配置されるように設けられた捕捉電極板と、前記基板の表面の電位に対して正の電位を前記捕捉電極板に付与する第１電位付与部と、を有することを特徴とする描画装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビームを正確に計測するのに有利なビーム計測装置を提供する。
【解決手段】ビーム計測装置は、エッジを有する遮蔽部材２２と、該遮蔽部材２２で遮蔽されなかったビーム２４を検出する検出器とを含む検出部と、エッジをビーム２４が横切るように遮蔽部材２２とビーム２４との間の相対移動を生じさせる相対移動機構と、制御部とを有する。ここで、制御部は、検出部と相対移動機構とを制御して、エッジ上の複数の箇所それぞれに関し、エッジをビーム２４に横切らせて検出器で信号列を得、複数の箇所でそれぞれ得られた複数の信号列から、相対移動における相対位置が対応する信号どうしを加算して、加算信号列を得、加算信号列からビーム２４の強度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を照射する対象物からの飛散物や蒸発物等がレンズの重要な部分に付着するのを抑制でき、レンズと対象物との間隔を狭くすることが可能な静電型レンズ用の電極等を提供する。
【解決手段】静電型の荷電粒子線レンズに用いる電極１は、少なくとも１つの貫通孔４を有する。貫通孔４は、第一の開口輪郭を有する第一の領域αと、第一の領域αに対して荷電粒子線の上流側に位置させられるべき第二の開口輪郭を有する第二の領域βを有する。光軸３の方向から見て第一の開口輪郭は第二の開口輪郭内に含まれる。 （もっと読む）

【課題】電極を支持する支持体の帯電状態の変動を抑制でき、電極の開口を通過する荷電粒子のビーム軌道に与える影響を抑制することができる荷電粒子線レンズを提供する。
【解決手段】荷電粒子線レンズは、１以上の開口４を有する面を含む第１の電極１と、１以上の開口４を有する面を含む第２の電極２を備え、第１の電極と第２の電極との間に、これらの電極を電気的に絶縁して支持する支持体３を有する。第１の電極と第２の電極との間で伸びる支持体３の面は、少なくとも１以上の凸部又は凹部を有する非平坦部３Ａとテーパ状に構成されたテーパ部３Ｂを含み、テーパ部３Ｂと第２の電極２の開口４を有する面とのなす角度が０°より大きく９０°より小さい。 （もっと読む）

【課題】各コラムセルの露光データを迅速に作成できる電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】コラムセルの位置が設計値通りであるとして主偏向領域を配置し、隣接する主偏向領域同士を結合して結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆを生成する。次に、コラムセルの実際の位置に基づいて主偏向領域の位置を修正した修正主偏向領域５１ａを配置する。その後、結合主偏向領域６１ｅ、６１ｆに含まれる副偏向領域４２が修正主偏向領域５１ａと重なるか否かを、所定の順番で調べてゆく。そして、修正主偏向領域５１ａと重なる副偏向領域４２を、検出した順に並べて副偏向領域データを得る。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置の提供。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射系（１４０）と、照射系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、集束レンズアレイは、上記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含み、照射系は、その収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、上記収差を調整する調整手段を含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装置の大型化を抑制し、荷電粒子線を用いてマスクレス露光方式で効率的にターゲットを露光する。
【解決手段】電子ビーム露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢが照射される複数のアパーチャ１５が形成されたＢＡＡ部材１４と、電子ビームＥＢのオン／オフを制御する変調部１３と、アパーチャ１５に対応する配置の複数のアパーチャ２５がそれぞれ形成された複数のサブ・フィールド２３Ａ，２４Ａ等を有する固定アパーチャ部材２２と、変調部１３でオンにされた電子ビームを、一つのサブ・フィールドに偏向する主偏向系２０と、選択されたサブ・フィールドの像に対してウエハＷをＹ方向に移動するウエハステージＷＳＴと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムを提供することである。
【解決手段】 パターンをターゲットの表面に転写するマスクレスリソグラフィシステムであって、複数の小ビームを発生するための少なくとも１つのビーム発生装置と、小ビームの大きさを変調するための複数のモジュレータを備えた変調手段と、モジュレータの各々を制御する制御ユニットとを備え、制御ユニットは、それぞれの小ビームの大きさを制御するために、パターンデータを発生し、前記モジュレータにパターンデータを伝送し、この制御ユニットがパターンデータを記憶するための少なくとも１つのデータ記憶装置と、データ記憶装置からパターンデータを読み取るための少なくとも１つの読み取りユニットと、データ記憶装置から読み取られたパターンデータを少なくとも１つの被変調光ビームに変換するための少なくとも１つのデータ変換装置と、少なくとも１つの被変調光ビームを前記変調手段に伝送するための少なくとも１つの光伝送装置とを備えている。 （もっと読む）