【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【課題】主偏向アンプの安定性を正確に評価することのできる方法を提供する。また、主偏向アンプの安定性を正確に評価することにより、高い精度で描画可能な荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】主偏向器の偏向幅で定められる主偏向領域２００の所定位置に電子ビームを照射し、所定時間後に、主偏向領域２００を構成する下地材料とは反射率の異なる材料からなる評価用マーク１００に対し、下地と評価用マーク１００の両方にかかる位置に電子ビームを照射して反射電子を電流値として検出し、電流値の変動量を基に主偏向アンプを評価する。 （もっと読む）

【課題】高効率且つ高精度にビーム軸の位置ずれを検出して補正する荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビームのビーム軸の位置ずれ補正方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、電子ビームを照射する電子銃２と、電子ビーム１５のビーム軸の下流方向に順次配置されたアライナ１４と、ブランキング電極６と、偏向器７と、第１成形アパーチャ１１とを有する。第１成形アパーチャ１１上には、位置ずれ検出電極１３が設けられている。ブランキング電極６と偏向器７を駆動して電子ビーム１５の軌道を制御し、電子ビーム１５を位置ずれ検出電極１３に照射する。位置ずれ検出電極１３を構成する各電極部に流れ込む電流量から電子ビームのビーム軸の位置ずれに関する情報を取得する。この情報は、アライナ１４にフィードバックされて電子ビームのビーム軸が補正される。 （もっと読む）

ショット毎に倍率を変更可能な可変倍率縮小レンズを含む、キャラクタプロジェクション荷電粒子ビーム書込装置が開示される。計算された荷電粒子ビーム書込ショットの各々に倍率を割当てるステップを含む、フラクチャリングまたはマスクデータ準備または光学近接効果補正のための方法も開示される。荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に倍率を変更するステップとを含む、表面にパターンを形成するための方法も開示される。レチクル上にパターンを形成するために荷電粒子ビーム書込装置を用いるステップと、ショット毎に荷電粒子ビーム書込装置の倍率を変更するステップとを含む、光リソグラフィを用いて集積回路を製造するための方法も開示される。
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【課題】試料に形成された段差を有する基準マークのエッジラフネスの影響を受けることなく、基準マークの位置を再現性良く検出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ステージをＸＹ方向に動かして該ステージに載置された試料Ｍに形成された段差を有する基準マークＦＭ’に対して光てこ式の高さ測定器の投光光を走査し、その反射光の強度の変化を検出し、その反射光の強度が変化したときのステージのＸＹ位置を検出し、検出したＸＹ位置を基準マークＦＭ’の位置Ｃとして検出し、検出した基準マークＦＭ’の位置Ｃから試料Ｍに存在する位相欠陥Ｄの位置を特定し、特定した位相欠陥Ｄの位置との関係で描画位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】ステージ上に載置された試料の位置を新たな位置計測ツールを用いることなく測定できるようした荷電粒子ビーム描画装置における試料の載置位置測定方法を提供する。
【解決手段】試料として、表面に、光の反射率が他の部分とは異なる、互いに直交する方向にのびる線状の２本のマーク部１０１，１０２を形成した専用試料１００を用いる。搬送ロボットにより専用試料１００をステージ上に搬送して載置した後、高さ測定器の投光部からの光を専用試料１００の表面に照射して、光の照射スポットＳＰを各マーク部１０１、１０２に交差するように走査する。高さ測定器の受光部による反射光の受光量の変化に基づいて、照射スポットＳＰの走査軌跡と各マーク部１０１，１０２との交差個所の位置を測定する。この測定位置から２本のマーク部１０１，１０２に合致する２本の直線を求め、試料載置位置を測定する。 （もっと読む）

【課題】的確な描画パターンを生成することが可能な方法を提供する。
【解決手段】マスクパターンのパターンデータに基づいて第１のパターン及び第２のパターンの重なり部分の重なり幅を求める工程Ｓ１３と、重なり幅が予め決められた幅よりも大きいと判断された場合には、第１の方法によって描画パターンを生成する工程Ｓ１５と、重なり幅が予め決められた幅よりも小さいと判断された場合には、第２の方法によって描画パターンを生成する工程Ｓ１６とを備え、第１の方法では、第１のパターンと第２のパターンとを合成したパターンを予め決められた幅以上の幅を有し且つ互いに重ならない複数の図形に分割することで描画パターンを生成し、第２の方法では、重なり部分が重複して描画される部分となるようにして第１のパターン及び第２のパターンから描画パターンを生成する。 （もっと読む）

【目的】パターンの重ね合わせ誤差を低減させる描画装置および描画方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の描画装置１００は、電子ビームを用いて、パターン１２をマスク基板１０に、パターン１２を相補するパターン１４をマスク基板２０に描画する描画部と、マスク基板１０に描画されたパターン１２の位置ずれ量をパターン１４の描画位置に加算する加算部と、を備え、描画部は、パターン１２の位置ずれ量が加算されたマスク基板２０上の描画位置にパターン１４を描画することを特徴とする。本発明によれば、両パターンの重ね合わせ誤差を低減することができる。よって、隣り合うパターン同士の接触を回避することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電ビーム光学系を有する荷電ビーム露光装置において、アライメント精度を向上することが可能な荷電ビーム露光装置及び露光方法を提供する。
【解決手段】 複数の荷電ビーム光学系のうち第１の荷電ビーム光学系１４により、ウェハ１２内の複数のチップにそれぞれ設けられた第１のマークを検出し、検出された複数の第１のマークの位置情報に基づいて、ウェハ内の各チップ位置を算出し、複数の荷電ビーム光学系１４〜１７のそれぞれにより、ステージ１３上の第２のマークを検出し、検出された第２のマークの位置情報に基づいて、各荷電ビーム光学系１４〜１７のビーム位置を調整し、算出されたチップ位置に基づいて、複数の荷電ビーム光学系１４〜１７を用いてパターンを描画する。 （もっと読む）

【目的】オーバーレイエラーを低減させる描画方法および描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画方法は、隣り合うマスク基板１０，２０の対応する各位置が同一のストライプ３０内に入るように、マスク基板１０，２０の領域を含む領域を短冊状の複数のストライプ３０に仮想分割する工程と、ストライプ３０毎に、マスク基板１０に対し第１のパターンを、マスク基板２０に対し第１のパターンを相補する第２のパターンを描画する工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、オーバーレイエラーを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】 描画装置により半導体デバイス製品のパターン形成を行う際に、下地パターンと重ね合わせ描画を行うためのアライメントマーク検出精度を向上させる。
【解決手段】 アライメントマーク検出シミュレーションによりデバイス製品・工程ごと、およびマークの検出条件ごと、さらにマークがプロセス誤差を持つ場合についてテンプレート波形を作成する。あるデバイス製品・工程において重ねあわせ描画を行う際に、取得されたアライメント検出波形に対し、上記で作成された複数のテンプレート波形によるマッチング処理をそれぞれ行い、その中から相関係数最大となったテンプレートでの検出結果をアライメントマーク検出位置とする。 （もっと読む）

粒子ビーム装置のパターンロック装置において、パターンの投影は少なくとも２つの連続する投影段を用いてなされ、記録手段は、中間投影面の公称位置の箇所に配置され、基準マークは、最終でない投影段により生成された基準マークの中間像の位置において、粒子ビームの位置を決定する記録手段上に投影される。さらに、記録手段上の走査動作を起こすため、基準ビームレットは、パターン描画手段に設けられた偏向手段を用いて、時間依存性の電圧に依存して横方向にシフトされる。 （もっと読む）