【課題】変形が生じる部材からの所定方向の応力の静電偏向器の電極支持部などへの伝達を抑制し、複数の荷電粒子ビームの偏向ばらつき等を低減することができる荷電粒子光学系を提供する。
【解決手段】荷電粒子光学系は、熱による変形が生じる可能性がある第１の部材１１２と、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向する静電偏向器１１３と、を含む。静電偏向器は、第１の部材に固定された固定部７を介して第１の部材と組み立てられ、静電偏向器は、電極支持部５と、電極支持部に支持される第一の電極と２第二の電極３を有する。第一及び第二の電極間には、第１の部材を通過した荷電粒子ビーム１を偏向するための電界を発生させるギャップ１１が形成されている。電極支持部５は、第１の部材１１２からの電界方向の変形応力の固定部７を介する電極支持部５への伝達が低減されるように、固定部７に取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】偏向位置によって電子ビームのショット形状が歪むのを抑制できる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１００は、主偏向非点の補正とともに、ＸＹ差も補正して得られた偏向電圧を、主偏向器２０８と副偏向器２０９に印加し、試料２１６上に所望のパターンを描画する。このため、電子ビーム描画装置１００には、主偏向器２０８に印加する偏向信号の補正量を算出する主偏向補正量演算部１２２と、副偏向器２０９に印加する偏向信号の補正量を補正する第２の補正量を算出する副偏向補正量演算部１２３と、第１の補正量を用いて主偏向器２０８に印加する偏向信号を生成し、第２の補正量を用いて副偏向器２０９に印加する偏向信号を生成する偏向信号生成部１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】副偏向領域内において、描画パターンが重複することにより、荷電粒子ビームのショットが重複して照射される場合に、副偏向領域における温度上昇を確実に抑制することが可能な荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】偏向制御部３２は、所定の副偏向領域の位置決めを行う主偏向制御部３２ａと、所定のショット位置の制御を行う副偏向制御部３２ｂと、副偏向領域におけるショット面積を加算し、描画面積を求める面積カウンタ３２ｃと、所定の副偏向領域の描画処理が行われる際に、描画面積が設定値を超えるか否かを判断し、描画面積が設定値を超える場合に、描画処理を中断させ、所定の副偏向領域の位置決めを再度主偏向制御部３２ａに行わせ、描画処理を再開させる判定部３２ｄとを備える。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 （もっと読む）

【課題】描画対象のうち輪郭領域よりもその位置精度を高く求められない内部領域へのショットは、輪郭領域へのショットにおけるセトリング時間よりも短いセトリング時間をもって行うことで、描画処理におけるスループットの向上を図ることのできる荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】制御計算機３１は、描画対象となる図形パターンＰを複数の領域へと分割する分割部３１ｂと、これらの領域を高い位置精度が求められる輪郭領域Ｐｓと、低い位置精度で足りる輪郭領域Ｐｓよりも内部に位置する内部領域Ｐｉとに分ける判断部３１ｃと、内部領域Ｐｉに対してフラグを付加するフラグ付加部３１ｄと、内部領域Ｐｉへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間を輪郭領域Ｐｓへのショットを行うに際して必要とされるセトリング時間よりも短くなるように演算する演算部３１ｅとを備える。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部１８と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプテスターを使用してブランキングタイミングの調整を行うことで、セトリング時間の短縮を図り全描画処理に掛かる時間を短縮しスループットの向上を図るとともに、誰でも簡易、確実にＤＡＣアンプの調整を行うことができ、ＤＡＣアンプ調整時間の短縮までも図ることが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びブランキングタイミングの調整方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、ＤＡＣアンプ３４と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４から出力されるアナログ電圧信号を加算する加算回路を備えるＤＡＣアンプ診断回路３８と、ＤＡＣアンプ３４の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、ブランキングアンプ３３からのブランキング信号とＤＡＣアンプ診断回路３８からの加算回路出力信号を基にセトリング時間内におけるブランキングタイミングの調整を行う。 （もっと読む）

【課題】ＤＡＣアンプの異常が検出された際、当該異常の検出を試料上にて行うことが可能な荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの評価方法を提供する。
【解決手段】ブランキングアンプ３３と、偏向器４７，５０，５１に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５，３６と、偏向制御部３２と、制御計算機３１と、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６の評価を行うＤＡＣアンプテスター７と、を備え、ＤＡＣアンプテスター７は、制御計算機３１から試料Ｍに関するインデックス情報を受信するカウンタ７ｊと、偏向制御部３２から荷電粒子ビームＢによる試料Ｍへの照射位置に関する位置情報を受信する表示ユニット７ｇと、ＤＡＣアンプ３４，３５，３６からの異常信号を受信した際に、インデックス情報と位置情報、及び、ブランキングアンプ３３からのショット信号を基に、試料Ｍ上における異常発生箇所を特定するコントロールユニットＣとを備える。 （もっと読む）

【課題】 所定方向に配列された基板上の複数のショット領域に対して並行して描画を行う描画装置におけるオーバーレイ精度と生産性との両立。
【解決手段】 荷電粒子線のアレイで該描画を行う描画装置は、該基板を保持するステージと、荷電粒子光学系と、該基板上の描画領域を変更するように該ステージと該荷電粒子光学系との間の該所定方向における相対移動を行わせる駆動手段と、制御手段と、を有する。該荷電粒子光学系は、該所定方向にスペースをもって離散的に配列された複数のサブアレイを該基板に入射させ、かつ、複数のサブアレイセットをそれぞれ偏向する複数の偏向器を有する。 該制御手段は、該複数のショット領域の境界をまたぐサブアレイにより該境界の一方の側の領域と該境界の他方の側の領域とが、並行して描画されず、かつ、該ステップ移動を介して順次描画されるように、該荷電粒子光学系と該駆動手段とを制御する。 （もっと読む）

【目的】同じパターンレイアウト間で変動しないデータのチェックを容易にできるフォーマットのショットデータ作成方法を提供する。
【構成】ショットデータの作成方法は、３段偏向させて所望の位置にパターンを描画するためのショットデータの作成方法であって、ショットデータは、所定のビット数で構成される複数のワードで共に定義された、第１の偏向器によって偏向される座標データを含む第１のデータ領域と、第２の偏向器によって偏向される座標データを含む第２のデータ領域と、第３の偏向器によって偏向される座標データを含む第３のデータ領域と、備え、第１から第３のデータ領域において、共に、同じレイアウト同士であれば変動しない不変データが定義されるワードと、同じレイアウト同士であっても変動する場合がある可変データが定義されるワードと、を区別したフォーマットでショットデータを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、限られた数の円形開口を用いながら広いサイズ範囲にわたる円形パターンを得る。
【解決手段】荷電粒子ビーム源１と、該荷電粒子ビーム源から出射した荷電粒子ビームが照射する第１の矩形開口を有する第１成形スリット４と、開口径が異なる複数の円形開口を有する第２成形スリット７と、該第１成形スリットの開口を通過した荷電粒子ビームを第２成形スリット上に結像させる成形レンズ６と、該第１成形スリットの開口を通過した電子ビームを偏向させて前記第２成形スリット上の所望の円形開口に照射させる偏向器５とを備え、第２成形スリットのいずれかの円形開口を通過した成形円形ビームを描画材料１３上にショットし、円形パターンを描画する荷電粒子ビーム描画方法において、前記第２成形スリット上の異なった円形開口で形成された成形円形ビームを、描画材料上に中心位置を一致させ重ねてショットする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で確実にステージ上におけるマスクの微小スリップを検出可能とするとともに、検出されたスリップ量に基づいて荷電粒子ビームの補正を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びマスクの微小スリップ検出方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢの偏向を制御して、かつ自在にステージを制御して任意の原画パターンをマスク上に描画するための描画動作を制御するための制御計算機３１を備える電子ビーム描画装置１であって、電子ビームＢによってパターンが描画されるマスクＭと、マスクＭを３点支持部材６４にて支持するマスク保持機構６２と、マスク保持機構６２及びマスクＭを水平方向に加速移動させるステージ６１と、電子ビームで描画される表面に対するマスク裏面とマスク保持機構６２との間に設置され、マスクＭの微小スリップの有無を検出する原子間力顕微鏡６５とを備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子レンズの汚染を低減するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板に対向して荷電粒子線を射出する最終電極板を含む荷電粒子光学系と、前記最終電極板に対向する前記基板と前記最終電極との間に配置されるように設けられた捕捉電極板と、前記基板の表面の電位に対して正の電位を前記捕捉電極板に付与する第１電位付与部と、を有することを特徴とする描画装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】帰還抵抗に対して予め当該帰還抵抗が設けられているＤＡＣアンプに対して設定される最大値の電圧を印加しその発熱状態を標準状態とすることで、出力電圧の変化が生じても電子ビームに対する影響を最小限に抑え高精度な描画処理を行うことができる荷電粒子ビーム描画装置及びＤＡＣアンプの安定化方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームＢを用いて移動可能なステージ上に載置される試料にパターンを描画する描画部２と、荷電粒子ビームＢの光路に沿って配置される偏向器に電圧を印加するＤＡＣアンプ３４，３５と、ＤＡＣアンプ３４，３５に対する制御を行うＤＡＣアンプ制御部３１ｊを備える制御計算機３１と、から構成される制御部３と、を備え、ＤＡＣアンプ制御部３１ｊは、ＤＡＣアンプ３４，３５に印加する電圧を当該ＤＡＣアンプ３４，３５に対して設定される最大値で継続して印加する。 （もっと読む）

【課題】良好なスループットで、かつＣＤリニアリティ精度の高い描画が可能な荷電粒子線描画装置を提供する
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、単位領域ごとに、１ショットあたりの荷電粒子線の照射量を設定する照射量設定部３８２と、照射量設定部３８２によって設定された照射量に基づいて、荷電粒子線の最大ショットサイズを設定する最大ショットサイズ設定部３８４と、単位領域において荷電粒子線のショットサイズが最大ショットサイズ設定部３８４で設定された最大ショットサイズ以下になるようにパターンを分割して、荷電粒子線のショットサイズを設定するパターン分割部３８６と、照射量設定部３８２によって設定された照射量およびパターン分割部３８６によって設定されたショットサイズに基づいて、荷電粒子線をショットする描画部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 真空室内のデバイスに高速かつ大量に信号を伝送するにあたり、該デバイスへの熱の流入の少なさの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、減圧室に配置され、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするブランキング偏向器と、前記減圧室より気圧の高い外部室に配置され、前記ブランキング偏向器を制御するためのデバイスと、第１基板と、を備える。前記第１基板は、前記減圧室と前記外部室とを仕切る隔壁を構成し、かつ、該隔壁となる領域に形成された貫通孔に充填された電極を含む。前記デバイスは、前記電極を介して前記ブランキング偏向器と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置の提供。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射系（１４０）と、照射系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、集束レンズアレイは、上記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含み、照射系は、その収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、上記収差を調整する調整手段を含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】アパーチャへの汚染物質の付着を抑制することのできる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、電子銃６から放出された電子ビーム５４を所定形状にする第１のアパーチャ１７と、第１のアパーチャ１７を透過した電子ビームを所望の形状と寸法のショットにする第２のアパーチャ１８とを有する。実描画が行われていないときに、第２のアパーチャ１８の開口部の周囲であって第２のアパーチャ１８によって遮蔽される複数の位置に電子ビームを偏向し、各位置に所定の照射量の電子ビームが照射されるようにする偏向制御部３０を備える。偏向制御部３０は、ステージ駆動回路４から情報を取得して実描画が行われているか否かを判断し、位置回路５からの情報を基に電子ビーム５４の偏向位置を決定する。 （もっと読む）