【課題】フィラメント１５から放出された熱電子を、ボロン元素を含有する材料ガスの分子に衝突させてボロンイオンを生成する際に、フィラメント１５の劣化を抑制して寿命を長くし、劣化したフィラメント１５の交換に起因する稼働ロスを低減できるようにする。
【解決手段】フィラメント１５を加熱手段１６，２７によりボロンの融点よりも高い温度に加熱する。これにより、フィラメント１５上にボロンが固相となって堆積するのを未然に防止することができるので、ボロンとフィラメント材料との間の化学反応を抑制してフィラメント１５の化学的劣化を抑えることができ、よって、ボロンイオンとの関係において熱による物理的劣化よりも化学的劣化の方が支配的なフィラメント１５の寿命を長くする。 （もっと読む）

【課題】高密度のプラズマを生成するイオン源において、プラズマ生成のための運用時間を長くすることのできる、コンパクトな装置構成のイオン源及びこのイオン源に用いる寿命の長いフィラメントの作製方法を提供する。
【解決手段】イオン源に用いる熱電子を放出するフィラメントの作製の際、フィラメント線材の両端部分を被覆した状態で、フィラメント線材の熱電子放出部分を金属溶射により径を太くした後、金属溶射されていないフィラメント線材の両端部分を、フィラメント保持部としてイオン源のプラズマ生成容器に装着する。 （もっと読む）

【課題】高輝度で低エミッタンスのイオン供給源、加速／減速移動システム及び改善したイオン供給源を提供する。
【解決手段】イオン化チャンバー（８０，１７５）の出口開口部(４６，１７６)に近接の直進電子の衝撃イオン化により、例えば、二量体又はデカボランのガス又は蒸気をイオン化することによりイオン注入を行う。イオン供給源は、供給ガスを受け取るためのガス入口を有する囲まれた空間を規定する、長短軸を有するリボン状のビームとしてイオンを前記イオン化チャンバーから出させるための細長溝として形成された出口開口部を有するイオン化チャンバーと、前記イオン化チャンバーの前記供給ガスをイオン化するとともに分子イオンを形成するため電子を発生するための電子供給源と、前記リボン状のビームを加速するための前記細長溝の近くに配置された縮小レンズと、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、また、徒に長時間を要することなくイオン照射処理を施せる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源２０Ａを物品Ｗのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源２０Ａにおけるフィラメント２ａ、２ａ’、２ａ”は、電子源２０Ａの全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。複数段のフィラメントのうち、少なくとも１段のフィラメントを、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する対向部分を含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する対向部分を含ませる。かかる電子源２０Ａから放出させた電子を真空チャンバ１内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】広い動作範囲を持つイオン源およびイオン生成方法を提供することにある。
【解決手段】コールド動作モードで分子イオンを生成し、ホット動作モードで原子イオンを生成するイオン源と方法が提供される。いくつかの実施例では、第１と第２電子源がアークチャンバの両端に配置されている。第１の電子源はコールド動作モードでエネルギを付勢され、第２の電子源はホット動作モードで付勢される。他の実施例では、電子はコールド動作モードでは陰極の孔を通るように方向付けされ、ホット動作モードでは陰極に向かうように方向付けられる。更に他の実施例では、イオンビーム発生装置は分子イオン源と、原子イオン源と、２つのイオン源の１つを選択するスイッチング素子とを含む。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム形成のためのイオナイザであって、ガスクラスタージェットが横切るイオン化領域を部分的に画定する入力端および出力端と、ガスクラスターイオンビームを形成するためにガスクラスターの少なくとも一部をイオン化する電子を、イオン化領域に対して与える少なくとも一つのプラズマ電子源とを含むイオナイザが開示される。ガスクラスタージェット軸の周りに円筒状に、かつ、実質的に平行に配列された実質的に直線状の棒型電極の１以上のセットを有し、いくつかのセットが、異なる径を有する同心円筒状に配置される。一つの具体例において、イオナイザは、１以上の実質的に直線状の熱イオンフィラメントを含み、該フィラメントがガスクラスタージェット軸に平行に配置される。またイオナイザは、加熱手段、熱イオンフィラメントに対して電子反発作用を起こすために直線状の棒型電極のセットを正確にバイアスする電気バイアス手段を含む。 （もっと読む）

【課題】陰極に加熱電流を流して該陰極から熱電子を放出させつつアーク放電を発生させ、該アーク放電のもとで目的とするイオンを得るためのプラズマを生成させる該アーク放電用陰極であって、従来のこの種のアーク放電用陰極と比べると長期にわたり安定して求めるイオンを提供するプラズマを発生させることができるアーク放電用陰極を提供する。さらにこれを採用したイオン源を提供する。
【解決手段】中心導体部１と、これに外嵌された筒形導体部２と、これら両者の先端部を接続する接続導体部３とを含み、中心導体部１と筒形導体部２とで加熱電流が逆方向に流されるアーク放電用陰極１０、及びかかる陰極１０を採用したイオン源Ａ。 （もっと読む）

【課題】低抵抗の浅いｐｎ接合を実現すること。
【解決手段】ガス導入２６からＩ（沃素）をアークチャンバー２１内に導入し、アークチャンバー２１の内壁に設置されたＧｅＦ₂ を含む材料板３０を、Ｉによって物理的および化学的にエッチングし、ＧｅＦ₂ イオンを発生させ、このＧｅＦ₂ イオンをｎ型半導体基板の表面に注入し、その後試料内のＧｅＦ₂ を活性化するための熱処理を行う。 （もっと読む）