【課題】走査電子顕微鏡にて凹凸を多く含む試料の観察において所望の箇所で精度よく焦点合わせを行うことができる走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】走査電子顕微鏡は、観察倍率以下の倍率で焦点合わせを行い、視野範囲の中で部分的に焦点の合う焦点距離を求め、その前後の焦点距離における像を記憶する。これをとり得る全ての焦点距離に対して行った後で、記憶した画像をもとに、観察範囲の中で焦点距離ごとに焦点の合う領域を求める。この後、焦点の合う位置が複数存在することを表示装置上に観察視野内に焦点の合う候補を囲むような枠や、印を表示させることで示す。使用者が該枠や印を選択するようにすることで、その部位における焦点の合う焦点距離を中心にして再度、焦点合わせを行い、最適な焦点距離を与えるレンズの励磁条件を求め、設定する。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）

【課題】低高両倍率の観察画像を短い更新時間で安定して高い自由度で表示できるものとし、良好な操作性で高倍率とする所望の観察位置を素早く探査可能とする。
【解決手段】入力装置３０で指定された試料上の走査領域を電子線で２次元走査し、走査領域からの荷電粒子を検出して電子線の走査信号と同期させて画像表示装置４０に観察画像を表示する走査電子顕微鏡において、制御装置１００は、試料の第１走査領域における所定倍率の第１観察画像を取得し、画像表示装置の第１ウインドウに前記第１観察画像を表示し、入力装置３０で、第１観察画像中における位置及び領域を指定して第２走査領域を設定し、第２走査領域の前記第１倍率より大きな倍率の第２観察像を取得し、画像表示装置４０に第２観察画像を描画する第２ウインドウを、第１ウインドウの表示と合成して表示する。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡で画像を撮像するとき，焦点を合わせるために動作させるＺ座標の走査範囲を短くして，焦点を合わせる時間を短縮する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡で試料上の複数の箇所のＳＥＭ画像を順次取得することを、最初の所定の数の箇所においては電子ビームの焦点位置を試料の表面の法線方向に所定の範囲走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせてから試料を撮像し、最初の所定の数の箇所において試料の表面に合わせた電子ビームの焦点位置の情報を用いて試料の表面の曲面形状を推定し、最初の所定の数の箇所で撮像した後は、電子ビームの焦点を試料の表面に合わせるために電子ビームの焦点位置を法線方向へ走査する範囲を推定した曲面情報を用いて最初の所定の数の箇所において走査した所定の範囲よりも狭い範囲で走査して電子ビームの焦点を試料の表面に合わせて前記試料を撮像するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対するビームの照射量を抑制しつつ、適正なコントラスト或いはブライトネスの調整を行うコントラスト・ブライトネス調整方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、本発明では、荷電粒子線装置等によって得られた信号からフォーカスずれ量を示す指標値を求め、当該指標値に基づいて、画像のコントラスト及び／又はブライトネスを調整する方法、及び荷電粒子線装置を提案する。このような構成によれば、フォーカスがずれた状態にて、コントラストとブライトネスを調整するに必要な情報を得ることができるため、試料へのビーム照射を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高倍率化しても有効視野が小さくなることがない走査荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】本発明の走査荷電粒子線装置によると、試料の観察時に、倍率の高低に応じて試料の表面の凹凸の全てが焦点深度領域内となるように試料が配置される。 （もっと読む）

【課題】
複数本の二次電子ビーム調整を、効率良く実施することのできる半導体検査装置および欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
被検査対象物に複数の照射光を照射する照射光学系と、前記照射光学系により照射され、該被検査対象物から放出される複数の光を検出する検出光学系と、前記検出光学系で検出した複数の光に基づく信号の強度を比較する比較部と、前記比較部で比較された結果に基づき該複数の光の位置と前記検出光学系における該複数の光の検出位置とのずれ量を算出する補正量算出部と、該複数の光に基づく信号を処理して該被検査対象物の検査を行う処理部とを備える演算処理部と、を備え、前記検出光学系は、さらに、前記補正量算出部で算出されたずれ量に基づき前記照射光学系を調整する制御部を有することを特徴とする検査装置である。 （もっと読む）

【課題】焦点合せを欠陥候補の撮像領域外で行って、撮像画像の帯電やコンタミネーションを防ぐとともに、焦点のずれのない撮像画像を得ることができるレビュー装置及びレビュー方法を得る。
【解決手段】試料を移動させて、欠陥候補の位置を含む撮像領域に電子ビームを位置付け、電子ビームの光軸を平行移動させて、欠陥候補の画像を撮像する領域の外の焦点合せ領域に光軸を位置付け、焦点合せ領域で電子ビームを偏向させるとともに、電子ビームの焦点位置を変えながら、焦点合せ領域から発生した二次信号の強度を取得し、該二次信号の強度に基づいて合焦点位置を求め、その後、焦点合せ領域に位置付けられた電子ビームの光軸を欠陥候補の位置に移動させ、撮像領域に電子ビームを照射して発生する二次信号から画像を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造体パターンのエッチング深さなどの段差を測定することの出来る段差測定方法、段差測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】信号プロファイル生成部３５は、微細パターンに電子線を照射して得た走査画像から、フォーカス位置の異なる複数の信号波形のプロファイルを生成する。データ処理部３６は、生成された信号波形のプロファイルを微分し、微分プロファイルを生成する。データ解析部３８は、生成された微分プロファイルからパターンの上層部と下層部に相当する微分ピーク値を抽出し、フォーカス位置とともに記憶する。また、データ解析部３８は、微分ピーク値とフォーカス位置の関係図を作成し、関係図から微細パターンの段差を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、試料に対する荷電粒子ビームの照射を行うことなく、正確な試料表面電位の測定、或いは試料表面の電位に応じた焦点調整を行う荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子ビームを集束して試料に照射する対物レンズと、負電圧の印加によって試料に到達する荷電粒子ビームを減速する電界を形成する負電圧印加電源と、当該負電圧印加電源を制御して、前記荷電粒子ビームの焦点調整を行う制御装置を備えた荷電粒子線装置において、当該制御装置は、前記試料の物性データと前記荷電粒子ビームの走査条件に基づいて、前記試料電位を求め、当該表面電位に基づいて、前記負電圧印加電源を制御することを特徴とする荷電粒子線装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
微細なパターンの検査において、電子ビームの照射によって生じる試料表面の帯電現象による電子ビームの焦点ずれや照射位置のずれを抑制し、欠陥の誤検出を防止するとともに、検査時間を短縮できる検査装置，検査方法を提供する。
【解決手段】
ダイに設けられたアライメント用マークの画像を複数個取得し、アライメント用マークの画像の中心座標と該マークの座標との間のずれを、座標の補正値として記憶装置へ保存するとともに、試料の表面の複数の座標における高さを計測し、該計測された複数の座標の画像を撮像して焦点を調整し、該調整値と前記高さセンサで計測された高さとの関係を高さの補正値として記憶装置へ保存し、記憶装置に保存された画像の座標の補正値と高さの補正値とを含む検査条件を用いて、試料の画像の座標と高さとを補正する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、微小試料の傾斜シリーズ像を短時間で取得することに関する。
【解決手段】
本発明は、傾斜シリーズ像を取得する際の焦点ずれ量と一致度の関係をあらかじめ計測しておき、その関係に基づき一致度から焦点ずれを逆算して、ステージや対物レンズ等を制御して焦点ずれを補正し、傾斜シリーズ像を取得することに関する。また、本発明は、傾斜シリーズ像を撮影する際に参照画像をあらかじめ取得しておき、取得された画像と参照画像との相関を取り、一致度が設定値以下であった場合に、警告メッセージの発信や、画像取得シーケンスの停止、等の処理を実施することに関する。本発明により、傾斜シリーズ像を撮影する際の焦点合わせを高速に行うことが可能となり、傾斜シリーズ像の撮影時間を短縮できる。また、三次元再構築に適さない画像を排除することができる。これにより、半導体や先端材料の不良解析等のスループットを上げることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハの特質により欠陥部位のコントラストが十分に得られない場合であっても、フォーカス精度劣化をきたすことなく、高感度な欠陥検出性能を実現する優れた試料検査装置及び方法を提供する。
【解決手段】試料を移動可能なステージ上にロード後、試料の高さ計測を行った後、試料に電子線ビームを走査させ、得られた画像から欠陥部を求めるＳＥＭ式外観検査方法及び装置において、高さ計測がステージ移動による補正処理機能を備えている。 （もっと読む）

【課題】
試料の欠陥を検査する装置において、装置が小型化できて省スペース，コストダウン，振動抑止と高速化，検査の信頼性が得られ、特に大口径化したウエハの場合に効果が大きい荷電ビーム検査装置を得る。
【解決手段】
少なくとも一つ以上の検査を荷電ビーム機構で行う複数の検査機構を具備し、各検査機構を概略一軸に配する共通の真空容器内に設けられた各検査機構間を一軸移動する一軸移動機構と、試料を載置し一軸移動機構上に回転軸を有した回転ステージと、試料を各検査機構間で一軸移動機構により移動させ、次に回転ステージで試料の検査位置を検査機構へ調整して合わせ、検査機構により試料の検査を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム装置におけるビーム位置較正方法に関し、フォーカス補正に伴うビーム位置ずれを精度よく測定し、それに基づきビーム位置を補正することを目的としている。
【解決手段】ビーム偏向に伴う材料面に対するフォーカスずれを偏向フィールド内の各点について求め、そのフォーカスずれを打ち消すために必要なフォーカス補正電圧Ｖ_Fを決定し、偏向フィールド中心について点対称となる任意の２点に対するフォーカス補正電圧を決定してビーム位置ずれをフォーカス補正された状態で測定し、単位フォーカス補正電圧当たりのビーム位置ずれｆ_iを求め、得られた偏向フィールド内の各点についてのＶ_Fに基づいてフォーカスを補正しつつ、ｆ_i・Ｖ_Fを打ち消す様に偏向電圧を補正しながら偏向フィールド歪を測定し、さらにＶ_Fに基づいてフォーカス補正しつつ、ｆ_i・Ｖ_Fと測定した偏向フィールド歪との和を打ち消すように偏向電圧を補正するように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料上の帯電によって生ずる荷電粒子線装置のフォーカスずれ，倍率変動，測長値誤差を低減するに好適な荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために本発明では、荷電粒子線の搬入機構によって搬入される試料の通過中に、試料上の電位を測定する静電電位計によって試料上の電位分布を計測する手法を提案する。また、試料上の特定箇所の局所帯電を計測し、その帯電量から大域帯電量分を分離して計測する手法を提案する。更に、特定箇所の帯電量を、少なくとも２つの荷電粒子光学条件で計測し、特定箇所の帯電量変化に伴う荷電粒子線を用いた寸法測定値の変化を計測し、この変化に基づいて測長値、或いは倍率を補正する手法を提案する。 （もっと読む）

【課題】
電子顕微鏡を用いた欠陥のレビュー方法、および欠陥のレビュー装置において、電子ビームの自動焦点合わせの設定に要するユーザの工数を低減し、試料の観察を容易化する。
【解決手段】
観察対象の座標上に予め登録された複数個の座標位置について焦点合わせを行い、座標位置における各焦点位置に基づいて焦点合わせの基準を作成し、該基準と前記焦点位置との間のずれ量に基づいて焦点探索範囲を設定し、観察対象の欠陥検出の自動焦点合わせの範囲を、設定された焦点探索範囲に基づいて決定する。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡を用いて検査装置によって検出された試料上の欠陥を観察する場合において，オートフォーカス処理にかかる時間を削減する。また，安定性を向上させる。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡を用いて検査装置によって検出された試料上の欠陥を観察する場合において，半導体の設計情報からオートフォーカスに用いる領域を撮像領域内もしくはその周辺に１箇所以上設定し，設定した領域を用いてオートフォーカス処理を実行し，撮像領域における合焦位置を求め，得られた合焦位置を低倍撮像と高倍撮像に用いる。また，半導体の設計情報をもとに各撮像領域に適したオートフォーカス処理を選択する。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高い効率で焦点位置の検出と試料の帯電損傷などとを防ぐことができると共に、撮像領域の周縁部を含む全ての領域で鮮明で歪みのない画像を取得する。
【解決手段】荷電粒子ビームが照射された試料からの二次荷粒子に基づいて画像信号を取得し試料像を形成する走査電子顕微鏡１０の撮像方法である。オートフォーカス装置４０として複数の走査ラインからなる１フレーム分の試料領域を走査するに際して収束手段を駆動して荷電粒子ビームの焦点位置を観察範囲を含む所定範囲にわたって移動させて帯電させる前処理工程と、得られた１フレーム内の焦点の変更された試料像に対し、画像信号を解析して適正な荷電粒子ビームの焦点位置を取得する焦点位置検出工程と、得られた焦点位置に荷電粒子ビーム照射するように収束手段を設定する焦点位置設定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】短時間で容易に、かつ、精度良く荷電粒子光学系の調整が可能な荷電粒子ビーム装置、及び、荷電粒子光学系の調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置１は、荷電粒子源９と、荷電粒子ビームＩを入力値と対応するビーム特性値に設定して試料に照射させる荷電粒子光学系１２、１６と、荷電粒子ビームＩの照射位置を相対移動させることが可能な走査手段１７と、画像を取得可能な観察手段３２と、制御部３０とを備え、制御部３０は、入力値を異なる値に設定し、試料に位置を異なるものとして荷電粒子ビームＩを複数回照射させて、複数のスポットパターンを形成させるスポットパターン形成手段３３と、スポット特性値が最小値を示すスポットパターンを選択するスポットパターン解析手段３４とを有し、選択されたスポットパターンと対応する入力値にと等しい値に荷電粒子光学系１２、１６の入力値を設定する。 （もっと読む）