【課題】イオン注入ターゲットチャンバの現在温度、圧力を維持しながら、ウェハプレートをロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に連続して搬入する装置、方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造装置は、ロードロックチャンバ１０５と、ロードロックチャンバ内の搬入アセンブリ１２５と、ロードロックチャンバに気密封止して連結されたイオン注入ターゲットチャンバ１２０とを含む。ロードロックチャンバには、複数のウェハプレート１１０が格納される。各ウェハプレートは、その上に少なくとも１つの半導体ウェハ１１５を含む。イオン注入ターゲットチャンバは、現在搬入されているウェハプレート上にある半導体ウェハ中にイオン種を注入するように構成される。搬入アセンブリは、複数のウェハプレートのうちの次のウェハプレートを、ロードロックチャンバからイオン注入ターゲットチャンバ内に搬入するように構成される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ（イオン）を発生させて、これを高電圧で加速してイオン流を形成し、これを基板に照射し、更に基板に線状レーザー光を照射するドーピング装置において、特に大面積基板を処理するのに適した装置を提案する。
【解決手段】被ドーピング材を前記イオン流断面の長尺方向と概略垂直な方向に移動させドーピングを行い、ドーピング室において基板に対して線状レーザー光を照射することを特徴とする。 （もっと読む）

１つ以上の加工物、例えば、半導体ウエハを操作するための加工物移送アセンブリは、加工物の外径に対応する１つ以上の弓状部分を含む。この弓状部分は、加工物の外端に係合する加工物係合表面を有する；少なくとも１つの協働アームが、加工物の係合表面から加工物の外端部上に加わる圧力に応じて、加工物から離れる方向に加工物係合表面の変形を可能にするたわみアセンブリを含む。
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【課題】 本発明は、大量生産上、多面取りが可能な大面積基板を用いて不純物元素を均一にドーピングする装置を備えた半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、イオン流の断面を線状もしくは長方形とし、かつ、イオン流に対し大面積基板を所定の傾斜角度θだけ傾斜させた状態に保ったまま、大面積基板をイオン流の長尺方向と垂直な方向に移動させることを特徴の一つとしている。本発明において、イオンビームの入射角は、傾斜角度θを変更することによって調節する。水平面に対し大面積基板を傾斜状態とすることで、イオン流の長尺方向の幅を基板の一辺の長さよりも短くすることができる。 （もっと読む）

【解決手段】ワークピース移送装置は、減圧状況下でワークピースを処理するためのイオン注入機に使用される。ワークピース移送装置は、注入チャンバの内部領域と流体連通する脱気可能なロードロック装置を含んでいる。ロードロック装置は、ワークピースと整合する開口を有するワークピースを支持するためのサポート表面を含んでいる。ワークピース移送装置はさらに、注入チャンバ内に、２つの自由度を有するリンケージによって支持された台を備えたワークピースサポートを含んでいる。リンケージは、処理に先だって、サポート表面の開口を横切って通過するよう台を移動させて、ワークピースをサポート表面から取り上げる。台は、ワークピースを注入チャンバ内で処理するための位置に保持する。その後、リンケージは、台をサポート表面の開口を横切るように通過させて、後の処理のためにワークピースをサポート表面上に配置する。 （もっと読む）

イオンビーム注入装置は、ビームラインに沿って移動するイオンビームを発生させるためのイオンビーム源と、イオンビームと交差するように加工物が配置されて、イオンビームによって加工物の表面にイオンを注入するための真空室、即ち、注入チャンバーとを含む。さらに、イオンビーム注入装置は、注入チャンバーに連結され、加工物24を支持する加工物支持構造体100を含む。加工物支持構造体は、加工物24を支持するための回転可能な受け台204を含む静電チャック202を有する。さらに、加工物支持構造体は、受け台に連結されて回転可能な第１リール262と、第１リールに連結された冷却ラインおよび電気導体等の設備を担持する屈曲性の中空コードとを含む。その結果、受け台が第１方向に回転すると、第１リールの回りに巻き取られる屈曲可能なコードの長さが増加し、また、受け台が第１方向と反対の方向に回転するとき、第１リールの巻き取られる屈曲可能なコードの長さが減少する。
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