【課題】原子力施設や宇宙空間など高い放射線環境下で使用が可能な高い耐放射線性能を有する耐放射線素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】透光性の窓を有する真空容器と、真空容器内の透光性の窓の内側に配設された透明電極アノードと、透明電極アノードよりも内側に設けられ、透光性の窓を介して受光した光から正孔を発生させるｎ型半導体、ｉ型半導体、ｐ型半導体からなる光電変換膜と、真空容器内において、光電変換膜と間隔をおいて配設された電界放出型の冷陰極電子源と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化ガリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化亜鉛で構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、画面欠陥を抑制することができる光導電素子及びその製造方法、撮像デバイス及びその製造方法、並びに導電膜付き基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、該透光性基板の上に形成された酸化インジウムを主成分とする導電膜２０と、該導電膜上に正孔注入阻止層３１を介して形成された光導電膜３２とを含む光導電素子４０であって、
前記導電膜は、１μｍ×１μｍの領域における算術平均粗さが０．１５ｎｍ以下の平坦度を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】撮像管と同等の耐放射線性を持った撮像素子及び耐放射線カメラを提供する。
【解決手段】撮像素子２０は、透光性の窓１０を有する真空容器ＶＣと、前記真空容器内において、第１の方向に走る、ストライプ状の、複数の透明電極アノード９と、前記窓を介して受光した光を正孔に変換する、光電変換膜８と、前記正孔を読み取るための電子を放出する、前記第１の方向と交わる第２の方向に走る、ストライプ状の、複数の電界放出型の冷陰極カソード７と、前記透明電極アノードのあるものと、前記冷陰極カソードのあるものと、の間に電圧を加え、これらの組み合せを順次変えることにより、映像信号の位置を特定する、電圧切り換え装置４Ａと、を備えるものとして構成され、この撮像素子を用い、放射線を遮蔽した状態と遮蔽しない状態の両方の信号を得ることが出来るものとして耐放射線カメラが構成されている。 （もっと読む）

【課題】電界放出素子に供給する駆動信号の遅延および駆動信号に起因するクロストークなどを大幅に低減し得る。
【解決手段】撮像装置１は、一方の主面にて入射光を受ける光電変換膜２３と、前記光電変換膜２３の他方の主面に離間対向する電子放出面を有して複数の電子放出素子４５，４５，…を含む電界放出層２１と、前記電界放出層２１の裏面側に形成され且つ前記複数の電子放出素子４５，４５，…の各々の裏面電極４２に駆動信号を供給する複数の素子駆動回路３１，３１，…を含む駆動層３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光電変換膜のハイライトキズの発生を効果的に抑制し、安定して撮像を行うことができる撮像装置及び撮像方法を提供することを目的とする。
【解決手段】撮像面に入射した光Ｌを電荷に変換するとともに、該電荷をアバランシェ増倍作用により増加させる光電変換膜２３を有し、該光電変換膜に蓄積された電荷を読み取ることにより撮像を行う撮像装置１００、１００ａ〜１００ｃであって、
前記撮像を行う前に、前記光電変換膜の前記撮像面に紫外線を照射する紫外線照射手段５０を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換膜と記透明電極との間の膜剥がれを防止し、光電変換膜の周辺部での表面電位の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】電子を放出する電子放出部が形成された第1の基板と前記第1の基板に対向する位置に設けられた第２の基板とを側面外周部を介して封着させた電界放出型撮像装置において、前記第２の基板の前記電子放出部側の表面に形成された透明電極と、前記透明電極上に形成された光電変換膜と、前記光電変換膜の外周部と前記透明電極との間に電気絶縁層を配置した電界放出型撮像装置。 （もっと読む）

【課題】簡易な構造で大型化可能なＦＥＤセンサを提供する。
【解決手段】カソード基板１０と、カソード基板上に配置された電子放出源部１４と、カソード基板に対向して配置されるアノード基板１２と、アノード基板上に配置され、電子放出源部に対向して配置される光電変換膜２２と、光電変換膜と電子放出源部との間に配置され、電子放出源部から光電変換膜に向けて放出される電子電流を制御するメッシュグリッド１６と、電子放出源部と光電変換膜との周辺部において、メッシュグリッドを保持するとともに、カソード基板とアノード基板に接触する高さを有するメッシュ支持体１９ａ，１９ｂと、メッシュ支持体の外周部に配置され、カソード基板とアノード基板間を真空に保持する外部支持体２０とを備え、メッシュ支持体は、カソード基板からアノード基板に向けてテ−パ形状を有することを特徴とするＦＥＤセンサ。 （もっと読む）

【課題】高感度かつ高速に静止画像又は動画像を撮像することのできる撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】円筒状のレンズと、前記円筒状のレンズと同軸状に配設され、内部を真空に保持する円筒状の真空容器と、前記真空容器の内部で当該真空容器と同軸状に配設され、前記レンズ及び前記真空容器を通じて入射する入射光によって発生される電荷を蓄積する円筒状の光電変換部と、前記真空容器の内部において、当該真空容器と同軸状に配設され、前記光電変換部に蓄積される電荷を読み出すための電子を前記光電変換部の内周面に電子を出射する電子放出源とを含む。 （もっと読む）

【課題】省電力化を図ることが可能な電界放出型デバイスを提供すること。
【解決手段】１対の基板１Ａ，１Ｂと、複数の電子放出源２と、アノード電極と、駆動手段６と、を備えている、電界放出型デバイスＡ１であって、複数の電子放出源２は、第１電子放出源グループ２Ａおよび第２電子放出源グループ２Ｂを含んでおり、基板１Ｂのうち第１電子放出源グループ２Ａに正対する部分には、光電変換膜がさらに形成されており、駆動手段６は、第１電子放出源グループ２Ａと上記アノード電極との間に電界放出が可能となる電界放出電圧以上の電圧を印加し、かつ第２電放出源グループ２Ｂと上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以下の電圧を印加する待機モードと、複数の電子放出源２と上記アノード電極との間に上記電界放出電圧以上の電圧を印加する全面駆動モードと、を切り替えて駆動する構成とされており、上記待機モードから上記全面駆動モードへの切り替えは、上記光電変換膜に対する光の入射を検出したことにより行う。 （もっと読む）

【課題】高精細化を適切に図ることが可能な電界放出型撮像素子を提供すること。
【解決手段】カソード電極３と、マトリクス状に配置された複数の電子放出源２と、ゲート電極４と、アノード電極６と、光電変換膜と、を備えた電界放出型撮像素子Ａ１であって、ゲート電極４は、第１方向に配列されており、かつそれぞれが上記第１方向に直交する第２方向に延びる複数の帯状要素４１を含んでおり、アノード電極６は、上記第２方向に配列されており、かつそれぞれが上記第１方向に延びる複数の帯状要素６１を含んでおり、アノード電極６の複数の帯状要素６１からの電流を同時に読み取り可能な駆動制御手段８を備えている。 （もっと読む）