【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】像揺れの原因であるカーボンナノチューブと金属母材の界面の幾何学的な不安定性を排除するために、炭素との化学的な変化がほとんど起こらないプラチナなどの炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性な金属をカーボンナノチューブを支持する部分に用いた電子源およびその製造方法を提供することにある。
【解決手段】炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属フィラメント１に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブ３を接合したことを特徴とする電子源、またはＶ字型の導電性金属フィラメント基材に備え付けられる炭素脆性や酸化による化学的反応に不活性なプラチナまたはパラジウムなどの金属針に炭素系接着剤を介してカーボンナノチューブを接合したことを特徴とする電子源である。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、良好な電子放出特性を示し、耐久性の点でも改善された電子源及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電圧印加用の導電性基板８１と、導電性基板８１上に形成された金属膜８２と、金属膜８２上に電子放出部分として直接形成されたカーボンナノ構造体８３とを含み、加熱処理された電子源８及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】特殊な材料や特殊な操作を必要とすることなく、電子放出能の高い薄膜型電子放出材料を形成するための組成物、前記薄膜型電子放出材料、その製造方法等を提供する。
【解決手段】（１）有機高分子バインダーと、有機溶媒と、導電材と、気相成長法で作製された平均繊維径５〜１８０ｎｍのカーボンナノチューブ等を含む薄膜型電子放出材料の形成用組成物、（２）有機高分子マトリックス又は有機高分子の炭化物マトリックスと、導電材と、前記カーボンナノチューブ等の凝集体とを含む薄膜型電子放出材料、（３）前記組成物を導電性基板上に塗布したのち、加熱処理し、又はさらに焼成処理することにより、前記薄膜型電子放出材料を製造する方法、（４）前記薄膜型電子放出材料を用いて作製されてなる電界放出型素子、及び（５）前記電界放出型素子を搭載してなる電界放出型ディスプレイである。 （もっと読む）

【課題】電子エミッタ作製プロセスが含むバッファ層を生成するプロセスを省略可能とすることである。
【解決手段】本電子エミッタ用基材１０は、素材例である導電性ワイヤ１１の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜１２が付着している。本電子エミッタ用基材１０の製造方法は、導電性基材１６の表面に黒鉛含有ペースト２０を付着させる工程を含む。本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室３２内で上記電子エミッタ用基材１０の基材温度を７００℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜４２を成膜して電子エミッタ４４を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電子放出の妨げを低減することができる電子放出素子基板及び電子放出素子基板の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】 絶縁性の基板３２と、基板３２上に形成されたＸ方向配線８８及びＹ方向配線８９と、両配線８８，８９に接続された一対の素子電極８１，８２と、素子電極８１，８２間に接続された導電性膜８５と、導電性膜８５の一部に形成された電子放出部８７と、Ｘ方向配線８８及びＹ方向配線８９によって区画された領域において、電子放出部８７を除く部分に形成された抵抗膜９０とで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した品質の表示が可能な電子放出素子、電子放出素子の製造方法、及び電気光学装置、並びに電子機器を提供する。
【解決手段】 基板１１上に配線１８と、配線１７とを形成し、配線１８に接続する第１電極２４と、配線１７に接続する第２電極２５とを形成する。第１電極２４と第２電極２５との間に第１凸部１９を形成し、第１凸部１９の上に第２凸部２０を形成する。第１電極２４及び第２電極２５に接続するように第２凸部２０の上に導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に電子放出部１３を形成する。そして、電子放出部１３が、配線１８または配線１７より高い位置に配置され、対向電極７３により近くなる。 （もっと読む）

10 nm未満の外径、及び10層未満の層を有するカーボンナノチューブ物質を開示する。また、基板、任意に接着促進層、及び電子電界放出物質層を含む、電子電界放出素子を開示する。該電子電界放出物質は、１チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有する、カーボンナノチューブを含む。カーボンナノチューブ製造方法の１つは、下記段階を含む：(a) MgO 粉末上に支持されたFe、及びMoを含む触媒を製造する段階；(b) 水素、及び前駆体としての炭素を含む混合ガスを使用する段階；及び(c) カーボンチューブを製造するように、前記触媒を950℃以上に加熱する段階である。電子電界放出陰極の他の製造方法は、下記段階を含む：(a) １チューブごとに2〜10層の同軸グラフェン外殻、2〜8 nmの外径、及び0.1ミクロンより長いナノチューブ長を有するカーボンナノチューブを含む、電子電界放出物質を合成する段階；(b) 適切な溶媒中で、該電子電界放出物質を分散する段階；(c) 基板上に、該電子電界放出物質を堆積する段階；及び(d) 該基板をアニールする段階である。 （もっと読む）