【課題】音圧の変化を忠実に捉える為にマイクロホンの振動膜には適正なテンションを確保する必要があり，振動膜を引っ張りながら貼り付ける，更には振動膜の引っ張り代の処理など課題がある。
【解決手段】樹脂ケース上部の反り或は復元力を利用する事により，振動膜の適正なテンションを確保すると共に振動膜とケースを一体成型，或は溶着によって貼りつけるので部品点数が削減出来る。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子が実装基板から応力を受け、その結果、ＭＥＭＳデバイスの感度低下又は感度バラツキを引き起こす。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスでは、ＭＥＭＳ素子１００が実装基板２０１に実装されている。ＭＥＭＳ素子１００では、シリコン基板１０１の下面１０１Ｂには突起物１０６が形成されている。突起物１０６と実装基板２０１とは接着剤２０２を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】電子機器基板に搭載可能な半導体パッケージにおいて、半導体パッケージを構成する基材とカバーとの接合強度が低下することを防止する手段を提供する。
【解決手段】基材１１と、基材の上に形成された容量部１２と、容量部を覆うように、基材の上に形成された側壁部と上面部を有するカバー１４を備え、基材には、容量部を囲うように、基材とカバーを接続する接合パターンが形成されており、接合パターンは、実質的に均一なパターン幅Ａを有する部位Ａと、パターン幅Ａよりもパターン幅が拡張されたパターン幅Ｂを有する部位Ｂを有していることを特徴とする半導体パッケージ。 （もっと読む）

【課題】金属キャップで覆う必要が無く、ＭＥＭＳ構造が破壊されず、ＭＥＭＳ構造が露出している。
【解決手段】基板４１上にダイボンドされたＭＥＭＳチップ４２と電子回路チップ４３とを１次モールド樹脂４６で１次モールドし、さらに導電性の２次モールド樹脂４７で２次モールドしている。こうして、高価な金属キャップで覆う必要を無くして、コストアップを抑制する。また、基板実装品を１次モールド用のトランスファー金型内に配置した際には、上記トランスファー金型の突起が緩衝材４５の上面に当接する。こうして、上記トランスファー金型がＭＥＭＳ可動部(振動板)に直接当接しないようして、ＭＥＭＳ構造の破壊を防止する。また、ＭＥＭＳチップ４２のＭＥＭＳ可動部(振動板)が開口部４８および開口部５０を介して、外部に露出している。こうして、上記ＭＥＭＳ可動部がモールド樹脂によって覆われないようにし、確実に動作させる。 （もっと読む）

【課題】音波を伝播する媒質の粒子速度を従来よりも広い周波数帯域にわたって検出することができ、かつ、検出素子間隔の設計自由度の確保及び装置の小型化を図ることができるＭＥＭＳ型熱線式粒子速度検出素子及びその製造方法並びに音響センサを提供すること。
【解決手段】ＭＥＭＳ型熱線式粒子速度検出素子１０は、シリコン基板１１と、絶縁膜１２及び１３と、電極パッド１４と、粒子速度検出部１５〜１７とを備え、シリコン基板１１は、音波を通過させるための高さ寸法Ｌの４つの凸部及び１つの凹部１１ａを有し、粒子速度検出部１５〜１７は、それぞれ、ＦＩＢ−ＣＶＤ法により製作され、各凸部間を橋渡しするよう自立して形成された一対の抵抗体のみからなり、一対の抵抗体は、それぞれ、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向と直交する方向に並べて設けられた構成を備える。 （もっと読む）

【課題】基体をシリコンに限定することなく、塗布堆積によって大面積かつ安価に形成することができる音波発生装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ結晶粒子ならびに発熱体を形成する前駆体を含む液体物質を基体上に塗布堆積し、その後に乾燥・加熱することにより、光照射によって超音波を発する音波発生装置を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板と下薄膜との接触を防止するための凸部を形成するための時間および手間を軽減することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１の製造工程において、Ｓｉ基板２の上面２９には、Ａｌ−Ｓｉからなる下部犠牲層３０が形成される。下部犠牲層３０の上には、下貫通孔１２を有する下薄膜５が形成され、下薄膜５の上には、上部犠牲層３４が形成される。上部犠牲層３４の上には、上貫通孔１８を有する上薄膜６が形成される。そして、上部犠牲層３４は、上貫通孔１８を介するドライエッチングにより除去される。また、下部犠牲層３０中のＡｌ成分は、上部犠牲層３４の除去後、上貫通孔１８および下貫通孔１２を介するドライエッチングにより除去される。Ａｌ成分が除去されることにより、空洞１９が形成されるとともに、Ｓｉ基板２の上面２９における対向領域４１には、複数の凸部３９が残存する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるＭＥＭＳセンサおよび製造工程の簡素化を図ることができるＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。センサ部３は、Ｓｉ基板２の上面２９に接触して設けられた下薄膜５と、下薄膜５に対して間隔Ｌ１を空けて対向配置された上薄膜６とを備えている。下薄膜５は、下部電極８と、下部電極８を被覆する下薄膜絶縁層７とを備えている。下薄膜絶縁層７には、その厚さ方向に下薄膜絶縁層７を貫通する複数の下貫通孔１２が形成されている。また、上薄膜６は、上部電極１４と、上部電極１４を被覆する上薄膜絶縁層１３とを備えている。上薄膜絶縁層１３には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層１３を貫通する複数の上貫通孔１８が形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロフォンチップや圧力センサチップ等の半導体センサチップに対する環境要素の影響を低減すると同時に小型化を図る。
【解決手段】中空の空洞部Ｓを有するハウジング５内に圧力変動を検出する半導体センサチップ７及び該半導体センサチップ７を駆動制御するための半導体チップ９を設け、前記ハウジング５のうち半導体センサチップ７及び半導体チップ９を搭載する搭載面１７ａに前記空洞部Ｓを外方に連通させる開口部１９を開口させた構成の半導体装置１であって、前記半導体チップ９の少なくとも一部が、前記開口部１９の上方に配置されることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】残留応力による内力が高精度に制御されたダイヤフラム及びその製造方法並びにそのダイヤフラムを用いたコンデンサマイクロホンを提供する。
【解決手段】単層膜からなる中央層と、前記中央層の表面に固着している第一被覆層と、前記中央層の前記表面と反対側の裏面に固着している第二被覆層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体センサチップを囲む電磁シールドを簡便に形成することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】上面３ａに半導体センサチップ５を固定する基板３と、基板３の上方を覆って中空空間Ｓ２を形成する導電性の上部蓋体９と、半導体センサチップ５の下方に配される導電性の下部シールド部１１とを備え、上部蓋体９が前記上面３ａに対向して配される天板部９ａと、天板部９ａの周縁略全体から前記基板３の厚さ方向に延出すると共に基板３の側面３ｃに隣り合って配される側壁部９ｃとを備え、該側壁部９ｃと前記下部シールド部１１とが基板３の側面３ｃにおいて接触し、下部シールド部１１が基板３の外側に突出するシールド用接続端子に接続されていることを特徴とする半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】より大きな音圧の圧力波を安定して発生させることができる圧力波発生素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板からなる支持基板１と、支持基板１の一表面側に設けられた金属薄膜（例えば、イリジウム薄膜）からなる発熱体層３と、支持基板１の上記一表面側で支持基板１と発熱体層３との間に介在する熱絶縁層２と、支持基板１の上記一表面側で発熱体層３の両端部それぞれと電気的に接続された一対のパッド４，４とを備える。熱絶縁層２は、電気的絶縁性を有する材料により形成された多孔質層である多孔質シリカ層により構成されている。熱絶縁層２は、支持基板１の上記一表面側に塗布法により形成する。 （もっと読む）

【課題】機械的応力が制御された弱い引張応力を持ち、かつ、導通化された薄膜構造体を形成するための方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ等の基板３２の上にポリシリコン薄膜からなる下層膜３５を形成した後、下層膜３５にＰ等の不純物をドープして熱拡散させることにより下層膜３５を導通化させる。ついで、下層膜３５の上に、成膜されただけで導通化されていないポリシリコン薄膜からなる上層膜３６を成膜する。上層膜３６は、下層膜３５の圧縮応力と同程度の引張応力を有しており、下層膜３５及び上層膜３６からなる薄膜構造体Ａは全体として弱い引張応力を有するように調整されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型の音響センサにおいて、小型化、耐ノイズ性の向上、及び高感度化を実現すると共に安価なものとする。
【解決手段】本実施形態の音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、容量変化の信号を受信して増幅する増幅部が参照するための容量成分１０を基板２上に備えている。参照用の容量成分１０は、半導体構造から成り、音響センサ１の本体の音響検知部を形成する材料と製造プロセスとによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】静電容量型の音響センサにおいて、過大音圧印加時や、突入電圧印加時に、振動板とバックプレートが接触しても互いに短絡するのを防止し、従来より高い許容入力音圧や高耐突入電圧性を実現する。
【解決手段】音響センサ１は、音響によって振動する振動板３とそれに対向するバックプレート４を有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、互いに対向する振動板３とバックプレート４のが電気的に接触するのを防止するための絶縁部材６を振動板３に備えている。絶縁部材６は、振動板３に対向するバックプレート４対向面に備えるてもよい。また、絶縁部材６は、振動板３又はバックプレート４の互いの対向面のいずれか一方の中央部近傍に備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】静電容量型の音響センサにおいて、容易な製造方法により寄生容量を低減し、小型化、耐ノイズ性の向上、高感度化、及び低コスト化を実現する。
【解決手段】音響センサ１は、シリコン基板２に形成され音響によって振動する振動板３と、振動板３に対向するバックプレート４とを有し、両者間の容量変化を検出することによって音響を検出するセンサであって、振動板３は、その振動板３及びバックプレート４のいずれよりも小さい範囲に、バックプレート４との間の容量を形成するための対向電極となる導体部３１を備え、導体部３１は振動板３に不純物をドーピングすることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】データカプラーのコスト、データレート、消費電力、外部電磁ノイズ耐力、及びチャネル密度又はサイズの改善
【解決手段】データカプラーは、第1及び第2の変調入力信号に応答して、第1及び第2の絶縁出力信号を生じる第1及び第2の音響絶縁変成器を含む。第1及び第2の送信機が第1及び第2の音響絶縁変成器に結合されて、第1及び第2のデータ入力信号を受け取り、第1及び第2のデータ入力信号に応じて第1及び第2の変調入力信号を生成する。第1及び第2の受信機が第1及び第2の音響絶縁変成器に結合されて、第1及び第2の絶縁出力信号を受け取り、第1及び第2の絶縁出力信号に応じて第1及び第2の復調信号を生成する。出力決定回路が第1及び第2の復調信号を受け取るために、第1及び第2の受信機に結合されて、第1及び第2の復調信号に応じて、データ出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能になるとともに、キャビティを有効利用できる音響センサを提供することにある。
【解決手段】音響センサ１は、実装基板２、及び当該実装基板２の一面との間にキャビティ４ａが形成される形で実装基板２に被着されるケース３を用いて構成され音波（音響信号）をキャビティ４ａ内に導入する音孔（音波導入孔）Ｐを有するパッケージ４と、パッケージ４のキャビティ４ａ内で実装基板２の前記一面に実装され受波した音波を電気信号に変換する音響センサチップ５と、音響センサチップ５から出力される電気信号の信号処理を行う信号処理用の電子部品６とを備え、電子部品６は、実装基板２に内蔵されている。 （もっと読む）

【課題】ダイシングという方法の利用がなく、歩留まりが従来より遥かに良いコンデンサマイクロホンの振動ユニットの製造方法及びコンデンサマイクロホンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のコンデンサマイクロホン用振動ユニットの製造方法は、基板上に分離層を形成する分離層形成工程と、前記分離層の上に絶縁振動膜を形成する絶縁振動膜形成工程と、前記絶縁振動膜及び前記基板から前記分離層を除去する分離層除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型で高Ｓ／Ｎ比のマイクロホン装置を提供すること。
【解決手段】本発明のマイクロホン装置３０は、音を電気信号に変換する複数の半導体プロセスを利用して微細加工を行うことにより作成された収音素子31を立方体構造体の各面に1つずつ配置するとともに、出力信号をそれぞれの極性をもつ中継端子32ａ、32bにワイヤ−33で電気的接続を行うようにしており、前記収音素子３１の出力信号はそれぞれ加算され、小型で高Ｓ／Ｎ比の音響性能を提供する。 （もっと読む）