【課題】不要な磁束から磁気抵抗素子を保護し、磁気読出しを高めることが可能な磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気素子１９０は、少なくとも１つの横側方シールド２０６によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体１９２を有し、少なくとも１つの横側方シールドは、第１および第２の強磁性層２１０、２１２の間に配置される遷移金属層２０８を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気状態の変化を検出することのできる磁気素子を提供する。
【解決手段】磁気素子は、強磁性自由層が、スペーサ層によって合成反強磁性（ＳＡＦ）層から分離され、かつ空気軸受面（ＡＢＳ）によって隣接する媒体に格納された検知済みデータビットから分離されている磁気反応積層構造を備える。積層構造は、ＡＢＳから所定のオフセット距離を空けて少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブに結合される。 （もっと読む）

【課題】高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体に対向する媒体対向面を有し、前記磁気記録媒体に記録された磁化の方向を検出する再生部を備える磁気ヘッドが提供される。前記再生部は、磁化の方向が固着された第１磁化固着層と、前記媒体対向面に対して平行な第１方向に沿って前記第１磁化固着層と積層され、磁化の方向が固着された第２磁化固着層と、前記第１磁化固着層と前記第２磁化固着層との間に設けられ、磁化の方向が可変の磁化自由層と、を含む。前記磁化自由層の前記媒体対向面に対して垂直な第２方向に沿った長さは、前記第１磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第２磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短い。 （もっと読む）

【課題】微小領域からの磁束が検出可能であり、高出力化の可能な磁気センサーを提供すること。
【解決手段】磁気センサー１は、半導体からなるチャンネル１１と、チャンネル１１を間に挟んで対向配置された第一絶縁膜２１及び金属体１３と、第一絶縁膜２１の上に設けられた強磁性体１２と、金属体１３に接続された第一参照電極３１と、金属体１３に接続された第二参照電極３２と、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分を覆う磁気シールドＳ１と、チャンネル１１と磁気シールドＳ１との間に設けられた第二絶縁膜２２と、を備え、磁気シールドＳ１は、チャンネル１１における強磁性体１２と対向する部分に向かって延びる貫通穴Ｈを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の磁気情報値を高い確率で読み出すことができる記憶装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】電磁コイル５３に第１電流値の電流が供給される。磁区制御膜３５、３５の間では磁気抵抗効果膜３４に所定の強度のバイアス磁界が作用する。このとき、記憶媒体１４上の磁性膜６５の特定域で磁気情報値の識別に失敗すると、電磁コイル５３に第１電流値よりも小さい第２電流値の電流が供給される。バイアス磁界は減少する。その結果、磁気抵抗効果膜３４では磁化の向きが変化しやすくなる。再生信号の出力の感度は高まる。こうして、劣化した磁気情報値を有する特定域の磁性膜６５から磁気情報値の識別に成功することができる。こうした記憶装置１１では磁気情報値は高い確率で読み出されることができる。 （もっと読む）

【課題】出力を劣化させることなく発生するマグノイズを低下でき、高いヘッドＳＮ比を実現できる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】反強磁性層／磁化固定層／非磁性中間層／磁化自由層／磁化安定層の積層構造を有するスピンバルブ型磁気抵抗効果素子を用い、磁化自由層１に隣接して磁化安定層１１を設置する。磁化安定層は、非磁性結合層／第一の強磁性安定層／反平行結合層／第二の強磁性安定層からなる。第一の強磁性安定層３の磁化量Ｍ３と第二の強磁性安定層５の磁化量Ｍ５は実質的に略等しく、第一の強磁性安定層の磁化と第二の強磁性安定層の磁化は反平行結合層４を通じて各々の磁化が反平行方向になるように磁気的結合している。第一の強磁性安定層の磁化と磁化自由層は非磁性結合層２１を介して、反強磁性的あるいは強磁性的に結合している。 （もっと読む）

【課題】狭トラック上に記録された磁化パターンを再生する高感度磁気再生素子を提供する。
【解決手段】ダウントラック方向に磁化容易軸を有するセンサ膜２２、センサ膜２２に電流を流すための端子１２ａ，１２ｂ、センサ膜から発生する異常ホール電圧を検出するための端子１１ａ，１１ｂを具備し、センサ膜面内方向にバイアス磁界１４を印加する膜を備える。外部からの印加磁界３７によりセンサ膜磁化２２ａが回転することによる垂直磁化成分２２ｂの変化を、異常ホール電圧の変化として検出する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の評価を従来よりも適切に行う。
【解決手段】ハード膜が第１の方向に着磁されている磁気抵抗効果素子に対して、第１の方向とは反対の第２の方向に外部磁場を印加し、磁場を初期磁界から測定最大印加磁界まで変化させたときの抵抗の最大値を求める工程（ステップＳ１６、Ｓ１８）を、測定最大印加磁界を段階的に変化させて行う（ステップＳ２６）ので、磁場がある値になった時点で、それよりも小さな磁場における特性（抵抗値）が変化するような現象が発生しても、その特性変化を認識することができる。これにより、磁気抵抗効果素子の適切な評価を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】２つの強磁性層（Free−Layer）が反平行の磁化状態を実現でき、「ReadGap長さ」を狭く、安定した磁気抵抗効果変化を得ることができる新たな素子構造を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果部８と、この磁気抵抗効果部８を上下に挟むようにして配置形成される第１のシールド層５および第２のシールド層３と、を有し、ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子であって、磁気抵抗効果部８は、非磁性中間層１４０と、非磁性中間層１４０と第１の強磁性層１３０および第２の強磁性層１５０とを有し、第１の強磁性層１３０および第２の強磁性層１５０は、それぞれ、磁化方向制御手段により磁化方向が制御された第１のシールド層５および第２のシールド層３の磁気的作用の影響を受けて、互いの磁化方向が逆方向となる反平行磁化状態が形成される作用が働くように構成される。 （もっと読む）

【課題】リード素子が小型化した場合でもリードヘッドの特性を劣化させることなく、磁気記憶媒体の記録密度の増大に好適に対応することができるリードヘッド、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】フリー層を備えるリード素子１０と、前記フリー層を磁区制御する磁区制御層２０ａ、２０ｂとを備え、前記磁区制御層２０ａ、２０ｂは、Ｆｅ、Co、Niの少なくとも一種を含む軟磁性材からなり、該磁区制御層２０ａ、２０ｂのコア幅方向の長さａ、ハイト方向の長さｂの比ａ／ｂが５以上、磁区制御層２０ａ、２０ｂのハイト方向の長さｂが１００nm以下に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ReadGap間隙（上下シールド層の間隙）を狭くでき、簡易な構造で安定したバイアス磁界を印加できる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果部８は、非磁性金属中間層１４０と、第１の強磁性層１３０および第２の強磁性層１５０とを有し、第１の強磁性層１３０および第２の強磁性層１５０は、バイアス磁界が印加される前の状態では、それらの磁化が互いに反平行となるように非磁性金属中間層１４０を介して交換結合されており、上部シールド層５および下部シールド層３の少なくとも一方のシールド層は、その磁化がトラック幅方向Ｙに対して傾斜する傾斜磁化構造を有し、傾斜磁化構造の磁化の傾きの度合いは、上部シールド層５および下部シールド層３がシールド機能を維持したまま、第１の強磁性層１３０の磁化および第２の強磁性層１５０の磁化の実質的な直交化が図れる程度に構成される。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気抵抗効果素子とは異なり、ピン層、スペーサ層、フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気ヘッド及び磁気メモリを提供する。
【解決手段】酸化物、窒化物、酸窒化物、金属のいずれか１つからなるスペーサ層を上下方向から挟み込むようにして形成した、磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層及び第２の磁性層を含む磁気抵抗効果素子において、前記スペーサ層に隣接して配置された電流バイアス発生部からのバイアス磁界、あるいは前記スペーサ層の主面上において、再生感磁部を除いた両端部に接触するようにして設けた交換結合層からの交換結合によって、前記スペーサ層の磁区制御を行い、磁気ノイズの発生を低減した磁気抵抗効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】 二重構造マスクを用いることなく、かつ磁区制御膜の厚さの制御が容易な磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】 (a)基板上に、導電材料からなる下部電極を形成し、(b)その上に、磁気抵抗効果膜を形成する。(c)磁気抵抗効果膜の上に、スペーサ膜を形成し、(d)その上に、研磨耐性膜を形成する。(e)再生素子を配置すべき領域の両側の研磨耐性膜及びスペーサ膜を、同一のエッチングガスを用いてエッチングする。(f)工程ｅでエッチングされた領域内の磁気抵抗効果膜をエッチングする。(g)基板表面を、絶縁膜で覆う。(h)その上に、磁区制御膜を堆積させる。(i)磁区制御膜及び絶縁膜を、研磨耐性膜が露出するまで研磨することにより、工程ｅ及びｆでエッチングされた凹部内に、磁区制御膜及び絶縁膜を残す。(j)研磨耐性膜及びスペーサ膜を除去する。(k)再生素子を配置すべき領域に残っている磁気抵抗効果膜の上に、該磁気抵抗効果膜と電気的に接続される上部電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】今後の更なる高密度記録化に対応して、徒に工程の煩雑化を招くことなく更なるコア幅の微細化を可能とし、形状及び大きさのバラツキのない所望に微細化された磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッドを実現する。
【解決手段】ＣＭＰ法により、第２の膜９におけるＭＲ素子１０の上部に位置する第１の部分Ａ、磁区制御膜８及び絶縁膜７を研磨して表面平坦化する。詳細には、第２の膜９の第２の部分Ｂを研磨ストッパーとして用い、第２の膜９におけるＭＲ素子１０の上部に位置する第１の部分Ａ、磁区制御膜８及び絶縁膜７を、１回の研磨で連続的に表面平坦化する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドを作成する際に、ＣＭＰを利用したリフトオフプロセスを用いると磁区制御層が削れてしまい、安定性の高い再生ヘッドを作成し難い。
【解決手段】下部磁気シールド１０の上部に、ＣＰＰ型磁気抵抗効果膜１１が設けられる。ＣＰＰ型磁気抵抗効果膜１１の中間層３２と自由層３１の両脇には、リフィル絶縁膜１２と磁区制御層１３が設けられ、リフィル絶縁膜１２の側壁で自由層３１の上部に、磁区制御層１３の高さを規定する側壁保護膜１７が設けられる。磁区制御層１３の膜厚を大きくするために、磁区制御層１３とリフィル絶縁膜１２の高さは、自由層３１の上面より高くなっている。自由層３１と磁区制御層１３とリフィル絶縁膜１２の上面に磁気シールド下地膜１９が設けられ、その上部に上部磁気シールド１４が設けられる。 （もっと読む）

【課題】２つの自由磁性層から構成され、また、バイアス印加層による出力低下が少ない構造の高感度の磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその磁気ヘッドを用いた磁気記録装置を提供すること。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、形状異方性により2つの自由磁性層の磁化を、互いに反対方向であって、媒体対向面に対し凡そ30〜60°とすることで、従来に比べて約2倍の再生出力を得る。また、バイアス印加層を媒体対向面と対向する面側にのみ配置することで、媒体対向面側の自由磁性層の感度を高くして、より大きな再生出力を得る。 （もっと読む）

【課題】バルクハウゼンノイズを抑制すること。
【解決手段】線記録方向に情報が磁気的に記録される媒体Ｍから磁気情報を読み出すため、前記線記録方向に対して垂直な平面に垂直な平面に設けられ、前記媒体に対向する対向面、飽和磁束密度Ｂs1、体積Ｖ1を有する主磁極５Ａ，５Ｂと、前記平面に主磁極５Ａ，５Ｂに接続して形成され、前記線記録方向に垂直な長さＳＹＷが媒体Ｍの主面に垂直な長さＳＹＨより長く、積Ｂs2Ｖ2が前記飽和磁束密度Bs2と前記体積Ｖ2との積よりも大きい飽和磁束密度Ｂs2および体積Ｖ2を有するサブヨーク６と、サブヨーク６と前記対向面との間に形成され、主磁極５Ａ，５Ｂに接触する磁気抵抗効果膜８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】スピンバルブ膜を用いたＣＰＰ構造の磁気ヘッドの製造方法に関し、リードコア幅及びリードギャップを微細且つ高精度に制御可能であり、安定して素子形状を得ることができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１２上に、研磨耐性膜２０が上面に形成された磁気抵抗効果膜１６を形成し、磁気抵抗効果膜１６が形成された領域を含む下部電極１２上の全面に、磁区制御膜２４を形成し、研磨耐性膜２０をストッパとして、磁気抵抗効果膜１６上の磁区制御膜２４を研磨により選択的に除去し、研磨耐性膜２０を除去する工程と、研磨耐性膜２０を除去した磁気抵抗効果膜１６上に、上部電極３４を形成する。 （もっと読む）

【課題】磁壁がヘッドの浮上面に現れないようにすることにより、読み取り素子にシールドの異常磁界が混入してノイズの原因となるのを防ぐことができる磁気抵抗効果ヘッドを提供すること。
【解決手段】本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、磁気抵抗効果素子１の上下にそれぞれ上部シールド層５と下部シールド層３が設けられた磁気抵抗効果ヘッドであって、上部シールド層５の磁気抵抗効果素子１が形成される面とは逆側の面５ａの浮上面７の近傍に、磁気抵抗効果素子１のコア幅方向を長手方向に延在する磁区制御磁性部材２１を配設したことを特徴とする。磁区制御磁性部材２１は長手方向に磁気容易軸を有するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗ヘッドの利用に伴う非線形性の影響をオフセットする読取りチャネルを提供する。
【解決手段】本発明の、磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドに結合されるように適応された、磁気記録読取りチャネルにおいて利用されるデバイスは、制御可能な量の第二次非線形性を磁気記録読取りチャネル信号経路へと導入して磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドの利用に伴う非線形性を少なくとも部分的にオフセットするように適応された集積回路を有する。本発明の磁気記録読取りチャネル信号経路における、磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッドの利用に伴う非線形信号効果を低下させる方法は、読取りチャネル信号の評価可能な二乗を読取りチャネル信号経路へと導入するステップを有する。 （もっと読む）