【課題】少ない電流で高速に動作させることが可能な記憶素子・記憶装置を提供する。
【解決手段】記憶層１４と磁化固定層１２とこれらの間に配された非磁性体による中間層１３とキャップ層１５とを少なくとも含み、上記記憶層として、第１の強磁性層１４ｉと第２の強磁性層１４ｐとが結合層１４ｃを介して磁気的に結合され、上記第１の強磁性層が上記中間層に接し、上記第２の強磁性層が上記キャップ層に接しており、上記第１の強磁性層と上記第２の強磁性層のうち一方が膜面内磁化が優位な面内磁化層とされ、他方が垂直磁化が優位な垂直磁化層とされ、上記第１の強磁性層及び上記第２の強磁性層の磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜しているものを用いる。記憶層の磁化の向きが傾斜しているので、記憶素子に対し膜面に垂直な方向の電流を流すと速やかに強磁性層の磁化の歳差運動の振幅増加が始り、短い時間の反転動作が可能になる。 （もっと読む）

【課題】熱安定性の情報書き込み方向に対する非対称性をすくなくし特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。そして上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。この場合に、磁化固定層を少なくとも２層の強磁性層とＣｒを含む非磁性層とを有する積層フェリピン構造とする。 （もっと読む）

【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１４と、磁化の向きが固定された磁化固定層１２と、上記記憶層１４と上記磁化固定層１２との間に配された非磁性体による中間層１３と、垂直磁気異方性誘起層１５とを含む層構造を有する記憶素子３を構成する。そして、上記記憶層１４が、第１の強磁性層１４ａと第１の結合層１４ｂと第２の強磁性層１４ｃと第２の結合層１４ｄと第３の強磁性層１４ｅとが同順に積層されて、上記第１の強磁性層１４ａが上記中間層１３に接し、上記第３の強磁性層１４ｅが上記垂直磁気異方性誘起層１５に接し、上記結合層１４ｂ，１４ｄを介して隣接する上記強磁性層１４ａ，１４ｃ，１４ｅの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層に隣接する磁性層の酸化を防止し、かつ大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、外部磁界に応答して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。第１の磁性層Ｌ１は、磁気抵抗効果素子が形成される基板に対し、第２の磁性層Ｌ２よりも近い側に位置している。スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層１６ａと、を有している。 （もっと読む）

【課題】ヘッドを容易に製造することができる近接場光利用ヘッド及び近接場光利用ヘッドを有する情報記録装置を提供する。
【解決手段】近接場光を発生させて媒体の所定領域を加熱するとともに所定領域に磁界を与えて情報を記録する近接場光利用ヘッドにおいて、光束を伝播させる経路を有する光導波路と、所定領域に向かい合う位置に形成された光学的微小開口１１８を有し、光導波路から出射された光束を集光させながら光学的微小開口１１８に向けて伝播させて近接場光を発生するティップ１１７とを備える。光学的微小開口１１８は、所定領域に磁界を与える磁極によって形成される。 （もっと読む）

【課題】ハードバイアス層用の改善されたシード層構造を備えた面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】面垂直電流（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサ１００は、センサの自由強磁性層に縦にバイアスをかけるために用いられる強磁性体ハード（高保磁力）バイアス層用の改善されたシード層構造１１４を有する。シード層構造１１４は、タンタル（Ｔａ）の第１のシード層１１４ａと、Ｔａ層１１４ａ上でそれに接するチタン（Ｔｉ）およびＴｉ酸化物の一方または両方の第２のシード層１１４ｂと、第２のシード層１１４ｂ上でそれに接するタングステン（Ｗ）の第３のシード層１１４ｃと、からなる３層である。 （もっと読む）

【課題】
シングル記録方式に用いる磁気ヘッドおいて、非対称なビット間転移湾曲によって、信号分解能が劣化ならびに信号対ノイズ比が低下することを防ぎ、低いビット誤り率を実現する。
【解決手段】
磁気ヘッドは記録ヘッドと再生ヘッドにより構成されており、前記再生ヘッドは、一対の磁気シールド２，３と、該一対の磁気シールド間に挟まれたセンサ部１を有し、前記磁気シールド間のギャップの長手方向が、記録媒体上に記録された記録パターンの実効記録トラックにおけるビット間転移の湾曲形状に沿って、クロストラック方向から角度θほど傾斜して形成されている。 （もっと読む）

【課題】 感度および安定性が向上した磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 磁気抵抗読取センサは、２つの電極の間に配置された３層スタックである。３層スタックは、非磁性層によって隔てられた２つの自由層と、スタックの後部に配置され、ストライプ高さに相当する距離だけ浮上面から隔てられたバイアス磁石とを有する。センサ内の電流が絶縁層によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）

【課題】接触センサ素子を有する磁気ヘッド・スライダにおいて、記録素子、再生素子、そして、接触センサ素子の全ての素子の浮上量を効果的に低減する。
【解決手段】本発明の一実施形態では、磁気ヘッド・スライダ１は、記録素子２と再生素子３とに加え、接触センサ素子を有する。さらに、磁気ヘッド・スライダ１は、第１薄膜抵抗ヒータ素子４と第２薄膜抵抗ヒータ素子４とを有する。第１薄膜抵抗ヒータ素子は、磁気抵抗効果素子及び記録磁極よりも、浮上面から遠い位置に形成されている。第２薄膜抵抗ヒータ素子は、前記第１薄膜抵抗ヒータ素子よりも下層にあり、前記第１ヒータ素子よりも前記浮上面及び前記磁気抵抗効果素子に近くにある。薄膜抵抗接触センサ素子は、第２薄膜抵抗ヒータ素子よりも上層に形成されており、第２ヒータ素子よりも前記浮上面に近い。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を小さくした場合であっても、自由層の磁化方向に影響を与えずに、固定層の磁化方向を安定させる磁気再生ヘッドを提供する。
【解決手段】固定層５４及び反強磁性層５５のＡＢＳ面からの長さは、キャップ層５１、自由層５２及び非磁性中間層５３のＡＢＳ面からの長さより大きく形成されている。固定層５４及び反強磁性層５５は、ＡＢＳ面に垂直な方向に長く延びる形状であり、ＡＢＳ面の端と反対側の端において、ＡＢＳ面に垂直な方向に固定層ハードバイアス層５７が結合されている。 （もっと読む）

【課題】非常に高いデータ密度での読み取りのために、スピントルク発振子センサを小さくすることを可能とする。
【解決手段】非常に狭いギャップ厚を有するスピントルク磁気抵抗センサ。センサは、センサの磁性層でのスピントルク誘導磁気発振の周波数の変化を測定することにより、磁界の存在を検出するように動作する。センサは、一対の自由磁性層を有し、これらの自由磁性層の間に挟まれた薄い非磁性の結合層によってこれらの自由磁性層は反平行結合される。このセンサは、ピンニング層構造も関連するＡＦＭピンニング層も含んでいない。そのため、このセンサは、従来技術のセンサよりもかなり薄く構築することが可能である。 （もっと読む）

【課題】磁化固定層または磁化自由層の膜厚を薄くすることによるＭＲ比の劣化を抑制することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されている磁化固定層２３０と、磁化方向が変化する磁化自由層２５０と、磁化固定層と磁化自由層との間に配置された絶縁体を用いて形成されているバリア層２４０と、を備え、磁化固定層または磁化自由層の少なくとも一方は、バリア層側から順に、結晶層２３３ａ，２３３ｃとアモルファス磁性層２３３ｂとの積層構造として、バリア層の反対側にアモルファス磁性層を有する磁気抵抗効果ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】高いＭＲ比のＴＭＲリード・ヘッドを実現する。
【解決手段】本発明の一実施形態において、ＴＭＲリード・ヘッドにおいて、固定層の第１強磁性層は反平行結合層と絶縁障壁層との間に形成されている。第１強磁性における反平行結合層との界面を形成する層を、ＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）で形成する。これにより、薄い反平行結合層を使用しても高温でのアニール処理における固定層の不安定化を抑えることができ、第１強磁性層と第２強磁性層との強い結合を維持することができる。第１強磁性層において、主強磁性層とＣｏｘＦｅ（０≦ｘ≦１５）界面層との間に、Ｃｏ系アモルファス金属層を形成する。これにより、高温アニール処理における第１強磁性層の適切な結晶化を促進することができ、高いＭＲ比を実現する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＰ型磁気抵抗効果ヘッドにおいて狭トラック幅においても再生出力の低下を防止し、マグノイズを低減してヘッドＳＮＲを向上させる。
【解決手段】磁区制御層５からセンサ膜２に印加される磁界が浮上面近傍の領域よりも素子上部において大きくなるように、磁区制御膜５の膜厚を浮上面近傍よりも素子内部において厚くする、又は磁区制御キャップ膜の膜厚を浮上面近傍よりも素子内部において厚くする、又はセンサキャップ膜３の膜厚を浮上面近傍より素子内部において厚くする。これらの膜厚が変化する位置は素子高さ方向において、センサ膜端部位置及び素子高さ方向絶縁膜端部位置とほぼ同一の場所に配置する。 （もっと読む）

【課題】十分な磁界強度を維持しながらサイドフリンジ磁界を減少させることが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】ＰＭＲヘッド３０は、基体３１の上に、誘電体層４９によって周囲が取り囲まれた主記録磁極３５の狭幅部分３５１と、誘電体層４９を介して狭幅部分３５１をトラック幅方向（Ｘ軸方向）に挟んで対応する一対のサイドシールド３７と、狭幅部分３５１の上方に配置され、一対のサイドシールド３７の上面同士を繋ぐトレーリングシールド３８とを備える。狭幅部分３５１の上面３５ｂの延長線上における狭幅部分３５１とサイドシールド３７の内壁３７ｓとの第１のサイドギャップ間隔ａは、狭幅部分３５１の下面３５ａの延長線上における狭幅部分３５１とサイドシールド３７の内壁３７ｓとの第２のサイドギャップ間隔ｂよりも狭くなっている。これにより、サイドフリンジ磁界が減少し、オーバーライト性能が向上する。 （もっと読む）

【課題】パターンド媒体用の複数の検出素子を有する面垂直電流（ＣＰＰ）型磁気抵抗読取ヘッドを提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクドライブ用の磁気抵抗（ＭＲ）センサ又は読取ヘッドは、複数の独立した面垂直電流（ＣＰＰ）型ＭＲ検出素子を有する。検出素子はクロストラック方向に離間され、且つ絶縁分離領域によって分離されているため、ディスク上の複数のデータトラックからデータを読み取ることが可能である。検出素子は、独立したＣＰＰセンス電流を有し、その各々が、それぞれの独立したデータ検出電子装置に送られる。各検出素子は、共通の導電性ベース層上に形成された積層体を含み、このベース層は、導電性の透磁性材料で形成された下部磁気シールド層であり得る。各検出素子は、上部電気リード層を有する。検出素子の上側に、上部リード層と接触して上部磁気シールド層が位置する。上部シールド層は、軟質の透磁性材料で形成されるが、電気絶縁性であり、従って独立した検出素子に独立したセンス電流を流すことができる。 （もっと読む）

【課題】磁性膜の磁気情報値を高い確率で読み出すことができる記憶装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】電磁コイル５３に第１電流値の電流が供給される。磁区制御膜３５、３５の間では磁気抵抗効果膜３４に所定の強度のバイアス磁界が作用する。このとき、記憶媒体１４上の磁性膜６５の特定域で磁気情報値の識別に失敗すると、電磁コイル５３に第１電流値よりも小さい第２電流値の電流が供給される。バイアス磁界は減少する。その結果、磁気抵抗効果膜３４では磁化の向きが変化しやすくなる。再生信号の出力の感度は高まる。こうして、劣化した磁気情報値を有する特定域の磁性膜６５から磁気情報値の識別に成功することができる。こうした記憶装置１１では磁気情報値は高い確率で読み出されることができる。 （もっと読む）

【課題】レジストの解像度を損うことなく、レジストの感度を向上させることができるレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いた半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】本発明のレジスト組成物は、金属塩、樹脂、及び溶剤を含むことを特徴とする。金属塩がアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩のいずれかである態様、金属塩がセシウム塩である態様、金属塩の含有量が、樹脂に対し、５質量％〜５０質量％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ヘッド素子部と磁気ディスクとの間の磁気スペーシングを低減し、磁気情報の記録及び／もしくは再生をより高精度に行う。
【解決手段】本発明の一実施形態において、スライダ上のヒータ素子１５からの熱によるヘッド素子部の熱膨張によってスペーシングを調整する。さらに、本形態のヘッド構造において、記録ヘッド１３のリターン磁極１３１及び／もしくは再生ヘッド１１のシールド１１３にくぼみ部が形成されている。さらに、そのくぼみ部に応じて、オーバーコートにくぼみ部が形成されている。このくぼみ部により、リターン磁極あるいはシールドの突出が、磁気スペーシングの制御に及ぼす影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】コア幅の増大に基づき読み出し感度を向上させることができる磁気ヘッドおよびヘッドスライダを提供する。
【解決手段】磁気ヘッド２７は読み出し素子４１および書き込み素子４７を備える。読み出し素子４１は、記録トラックのダウントラック方向にコア幅を規定する磁気抵抗効果膜４４を有する。書き込み素子４７は、ダウントラック方向に読み出し素子４１に隣接して配置される。こうした磁気ヘッド２７によれば、記録トラックのダウントラック方向にコア幅が規定されることから、磁気抵抗効果膜４４では従来に比べて大きなコア幅が確保される。コア幅の増大に応じて磁気抵抗効果膜４４ではこれまで以上に大きな断面積が確保される。その結果、記憶媒体で従来と同様の面記録密度が確保される場合に、磁気抵抗効果膜４４の磁気抵抗変化率（ＭＲ比）は従来に比べて増大する。読み出し素子４１の読み出し感度はこれまで以上に向上する。 （もっと読む）