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Fターム[5D112FB18]の内容

Fターム[5D112FB18]に分類される特許

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【課題】フィラメント状のカソード電極の寿命を高めると共に、高硬度で緻密な炭素膜を形成することを可能とした炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧した成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この気体Gを通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極104と、その周囲に設けられたアノード電極105との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体Gを加速して基板Dの表面に照射することによって、基板Dの表面に炭素膜を形成する炭素膜の形成方法であって、カソード電極104を回転させながら炭化処理した後に、この炭化処理されたカソード電極104を用いて、炭素膜の形成を行う。 (もっと読む)


【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第1の材料で形成された第1のターゲットをチャンバ内で第1のカソード上に保持する主ホルダと、第2の材料で形成された第2のターゲットをチャンバ内で第2のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第1のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第1の材料を形成する第1のDC電源と、コーティング処理時に第2のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第1の材料を覆うように第2の材料を形成する第2のDC電源を備える。 (もっと読む)


【課題】高硬度で緻密な炭素膜を形成することが可能な炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】減圧された成膜室101内に炭素を含む原料の気体Gを導入し、この原料の気体Gを、通電により加熱されたフィラメント状のカソード電極104と、その周囲に設けられたアノード電極105との間で放電によりイオン化し、このイオン化した気体を基板Dの表面に加速照射するときに、永久磁石109による磁場を印加することによって、基板Dの表面に向かって加速照射されるイオン化した気体のイオン密度を高めて、この基板Dの表面に硬度が高く緻密性の高い炭素膜を形成することができる。 (もっと読む)


【課題】基板の両面に、反応性スパッタを用いてグラニュラ構造の磁性層を形成するに際して、スパッタチャンバ内の酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性膜中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層を形成することができる磁性層の形成方法と装置を提供する。
【解決手段】反応容器101内に、被成膜基板200を、その面方向が縦方向となるように配置し、スパッタ電極と該スパッタ電極の表面にターゲットが配設されてなる一対の電極ユニットを、各々、ターゲットを被成膜基板200側にして、被成膜基板200の両面と対向するように配置し、アルゴンおよび酸素を含む混合ガスを、一対の電極ユニットの各非成膜基板200側の表面付近に、外周部から中央部に向かって流れるように供給するとともに、排ガスを、前記反応容器101の両端部から排気し、反応性スパッタリングによって磁性層を形成する。 (もっと読む)


【課題】ターゲット汚染を低減する、カルーセル式マグネトロンカソード及びスパッタ装置を提供する。
【解決手段】本発明のカルーセル式マグネトロンカソードは、所定の真空状態に保たれたチャンバ10内にて、固定位置に設けられたデバイス11の成膜面に、所定の薄膜を成膜するために、当該デバイスを多層に成膜するために、スパッタ粒子を放出可能なターゲットを各々が有する複数のカソード13a,13b,13cと、複数のカソード13a,13b,13cを、所定の半径を有する円の円周上にそれぞれ配置するとともに、複数のカソードの各々を保持するカソード保持機構20と、カソード保持機構20によって保持された複数のカソード13a,13b,13cを、順にスパッタ粒子を放出するのに適した、当該円の中心を回転軸として回転する回転機構21とを備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD装置内におけるパーティクルの発生を低減して炭素保護膜表面の平坦性を向上させ、高い記録密度を有し、且つ記録再生特性に優れた磁気記録媒体を製造することが可能な炭素保護膜の形成方法及び磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体並びにこの磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ10内に、磁性膜が形成された円盤状の基板Dを設置し、該基板Dの両面に離間対向した電極11を設け、表面11aが粗面化処理された電極11を用い、成膜チャンバ10内に基板Dを設置した状態で該基板D上に炭素保護膜を形成する成膜工程と、成膜チャンバ10内に基板Dを設置しない状態で電極11の表面11aに堆積した炭素膜をアッシング除去する除去工程とが備えられ、成膜工程と除去工程とを、この順で繰り返す形成方法としている。 (もっと読む)


【課題】 磁気テープ上に形成した金属磁性膜が薄くなり抵抗損失が大きくなったとしても、成膜速度を高め、製品不良を招くこと無く、プラズマCVDにより金属磁性膜に保護膜を成膜する。
【解決手段】テープ状基板1上に形成された磁性膜1a上にプラズマ反応によって保護膜1bを成膜する成膜装置10は、磁性膜1aに保護膜1bを形成するためのプラズマ反応空間を形成する反応室11と、反応室11内に保護膜1bを形成するための反応ガスを供給する反応ガス導入部12と、反応室11内に設けられており磁性膜1aとの間にプラズマを発生させる陽極電極31と、反応室11の外部に設けられ、磁性膜1aに対して非接触で電子流を供給する電子供給源34,35と、電子供給源34,35から磁性膜1aに対して供給する電子流の電流量を制御する制御部36とを備える。制御部36は、電子供給源34,35から磁性膜1aに対して供給する電子流の電流量を、陽極電極31に対して供給される電流量以上に制御する。 (もっと読む)


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