成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
【課題】成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法において、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることを目的とする。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。
【解決手段】チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットをチャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットをチャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に第１のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に第２のカソードに電流を印加してチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に成膜中にアークによりターゲットから飛散する塵埃を付着させる防着板を有する成膜装置及びそのような成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクに代表される磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置では、高密度記録を実現するために、水平磁気記録方式から垂直磁気記録方式へ移行しつつある。垂直磁気記録方式を採用する磁気記録媒体には、例えばＣｏ基合金相を酸化物相が囲んだグラニュラ構造を有する磁性膜等の、グラニュラ構造を有する膜を有する媒体も含まれる。
【０００３】
このようなグラニュラ構造を有する磁性膜をスパッタリング装置で成膜する際には、酸化物とＣｏ基合金の原料粉を混合して焼結法により作製されたスパッタリングターゲットを用いるのが一般的である。しかし、このようなスパッタリングターゲットを用いてグラニュラ構造を有する磁性膜を成膜すると、絶縁体である酸化物塵埃がアークにより飛散する。ＤＣスパッタリングの場合、スパッタ面の酸化物表面が帯電するために、アークの発生は回避できない。
【０００４】
飛散する酸化物塵埃のうち、チャンバ内の成膜対象の基板上に到達する酸化物塵埃は基板上に固着されて成膜処理後にチャンバ外に搬出される。一方、チャンバ内の防着板に到達した酸化物塵埃は、防着板に付着するが、防着板から脱落するとチャンバ内で堆積或いは拡散してチャンバ内部を汚染する。チャンバ内が酸化物塵埃で汚染されてしまうと、成膜対象の基板上への酸化物塵埃の付着量が増加して磁性膜の品質、即ち、磁気記録媒体の品質を低下させてしまう。
【０００５】
又、チャンバ内の酸化物塵埃による汚染は、成膜処理の回数に応じて増加するので、一定回数の成膜処理の後には防着板を取り外して清掃或いは交換する必要が生じる。しかし、防着板の清掃或いは交換時には、成膜処理を停止する必要があるため、防着板の清掃又は交換を頻繁に行ったのでは成膜装置による磁気記録媒体の生産性が低下してしまう。
【０００６】
尚、アークの発生を防止するためにカソードの電位を定期的に逆転させるパルス電圧印加やＲＦスパッタリングを採用することも可能であるが、これらの方法ではスパッタレートが低下していしまい、磁気記録媒体の生産性が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−９２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の成膜装置では、チャンバ内がターゲットから飛散した材料の塵埃で汚染されてしまうと成膜対象の基板上への塵埃の付着量が増加して成膜される膜の品質を低下させてしまうが、防着板の清掃又は交換を頻繁に行ったのでは成膜装置の生産性が低下してしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とする成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた成膜装置が提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、上記の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法によれば、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例における成膜装置を示す断面図である。
【図２】成膜装置の成膜処理時の動作を説明する図である。
【図３】酸化物ターゲットによる成膜を説明する断面図である。
【図４】成膜装置のコーティング処理時の動作を説明する図である。
【図５】金属ターゲットによる成膜を説明する断面図である。
【図６】ダミーキャリアの自動ロード処理を説明する図である。
【図７】シャッタを備えた成膜装置の一例を示す図である。
【図８】シャッタを備えた成膜装置の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
開示の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法では、成膜処理時に第１のターゲットを用いてチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成し、コーティング処理時に第２のターゲットを用いてチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する。これにより、チャンバ内の第１のターゲットから飛散した第１の材料の塵埃による汚染を防止すると共に、チャンバ内に設けられた防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることができる。
【００１５】
以下に、本発明の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の一実施例における成膜装置を側面から見て示す断面図である。図１に示すように、成膜装置１は、チャンバ１１と、チャンバ１１に接続された真空ポンプ１２を有する。主ホルダ１３は、チャンバ１１内でターゲット２１をカソード１４上に保持する。モータ１５は、主ホルダ１３により保持されたターゲット２１に対して回転マグネット１６を回転させる。ＤＣ電源１７は、カソード１４と電気的に接続されている。チャンバ１１内の上部及び下部には、防着板１８が取り外し可能に設けられている。プロセスガス導入口１９は、チャンバ１１内のプロセスガスを導入する。ここでは説明の便宜上、プロセスガスの排出口の図示は省略する。
【００１７】
基板搬送用キャリア３１は、成膜対象の基板３２を保持すると共に、基板３２の表面を露出する開口部３１０を有する周知の構造を有する。基板搬送用キャリア３１は、周知の方法で外部からチャンバ１１内にロードされると共に、チャンバ１１内から外部へアンロードされる。基板搬送用キャリア３１は、例えばキャリアレール５１上を搬送される。この例では基板３２の両面に対して同時に成膜処理を行うため、チャンバ１１内には一対の主ホルダ１３が互いに対向する位置に設けられている。
【００１８】
成膜装置１の上記の部分の構成自体には、周知の構成を採用可能である。
【００１９】
本実施例では、成膜装置１は更に副ホルダ３３と、主及び副ホルダ１３，３３間に設けられた碍石３５と、マグネット３６を有する。副ホルダ３３は、チャンバ１１内でターゲット２５をカソード３４上に保持する。ＤＣ電源３７は、カソード３４と電気的に接続されている。この例では、チャンバ内には一対の副ホルダ３３が互いに対向する位置に設けられている。
【００２０】
図１では、一対のカソード１４は別々のＤＣ電源１７に接続されているが、単一のＤＣ電源を一対のカソード１４に接続するようにしても良い。又、一対のカソード３４は別々のＤＣ電源３７に接続されているが、単一のＤＣ電源を一対のカソード３４に接続するようにしても良い。
【００２１】
成膜装置１により基板３２上にグラニュラ構造を有する膜を成膜する成膜処理時には、酸化物スパッタリングターゲットをターゲット２１として用いる。一例として、グラニュラ構造を有する磁性膜を成膜する成膜処理時には、例えば酸化物とＣｏ基合金の原料粉を混合して焼結法により作製されたスパッタリングターゲットをターゲット２１として用いる。尚、基板３２上に磁性膜を成膜する成膜処理時には、通常は基板３２上に既に一又は複数の層が積層されており、磁性膜は既に積層されている１つの層上に形成される。又、後述するコーティング処理時には、例えばＣｒ，Ａｌ等の金属材料で作製されたスパッタリングターゲットをターゲット２５として用いる。この例では基板３２はディスク形状を有するので、ターゲット２１もディスク形状を有する。又、碍石３５及びターゲット２５は、ディスク形状を有するターゲット２１の外側に配置されるので、いずれもリング形状を有する。
【００２２】
図２は、図１に示す成膜装置１の成膜処理時の動作を説明する図である。図２中、（ａ）は、図１に示す成膜装置１の左側の部分を時計方向に９０度回転して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た図である。説明の便宜上、図２において主ホルダ１３及び副ホルダ３３の図示は省略する。
【００２３】
図２では、ＤＣ電源１７をオンにしてカソード１４に電流を印加することで、基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対してターゲット２１の材料がスパッタ領域ＳＰ１でスパッタリングされる。この状態では、ＤＣ電源３７はオフである。これにより、図２（ａ）においてＲ１で示す部分では、図３に示すようにターゲット２１の酸化物材料の膜２１０が防着板１８上に形成される。図３は、酸化物ターゲット２１による成膜を説明する断面図である。酸化物材料の膜２１０には、酸化物２１１が含まれるが、一部の酸化物２１２は防着板１８から脱落する可能性がある。尚、酸化物２１１は、膜厚方向の高さが最大でも１０μｍ程度である。ＤＣ電源１７をオフにした後、成膜処理を施された基板３２を保持する基板搬送用キャリア３１がチャンバ１１内から外部へアンロードされる。
【００２４】
図４は、図１に示す成膜装置１のコーティング処理時の動作を説明する図である。図４中、（ａ）は、図１に示す成膜装置１の左側の部分を時計方向に９０度回転して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た図である。説明の便宜上、図４において主ホルダ１３及び副ホルダ３３の図示は省略する。
【００２５】
図２の如き成膜処理が予め設定された回数行われると、図３において酸化物２１２が防着板１８から脱落する可能性が増加するため、酸化物２１２の脱落を防止するためのコーティング処理を行う。コーティング処理時には、基板搬送用キャリア３１の代わりに基板３２を保持しないダミーキャリア３２０がチャンバ１１内にロードされる。基板搬送用キャリア３１の開口３１０の部分に相当するダミーキャリア３２０の部分は、図４（ｂ）に示すように塞がれている。コーティング処理時にダミーキャリア３２０を使用することで、図１において左側のターゲット２５からの金属が右側のターゲット２１，２５に付着したり、右側のターゲット２５からの金属が左側のターゲット２１，２５に付着したりする不都合を防止することができる。
【００２６】
図４では、ＤＣ電源３７をオンにしてカソード３４に電流を印加することで、ダミーキャリア３２０に対してターゲット２５の材料がスパッタ領域ＳＰ２でスパッタリングされる。この状態では、ＤＣ電源１７はオフである。これにより、図４（ａ）においてＲ２で示す部分では、図５に示すようにターゲット２５の金属材料の膜２５０が防着板１８上に形成される。図５は、金属ターゲット２５による成膜を説明する断面図である。酸化物材料の膜２１０には、酸化物２１１が含まれるが、金属材料の膜２５０は膜２１０及び酸化物２１１を覆うように形成されるので、一部の酸化物２１２が防着板１８から脱落又は拡散することを防止可能となる。又、金属材料の膜２５０は膜２１０及び酸化物２１１を覆うように形成されるので、一部の酸化物２１２がチャンバ１１内の防着板１８以外の部分から脱落又は拡散することを防止可能となることは言うまでもない。ＤＣ電源３７をオフにした後、コーティング処理を施されたダミーキャリア３２０がチャンバ１１内から外部へアンロードされる。
【００２７】
尚、防着板１８は、成膜処理又はコーティング処理が一定回数行われた時点で取り外して清掃或いは交換可能であるが、チャンバ１１内の酸化物塵埃による汚染は金属材料の膜２５０により抑制されるので、防着板１８の清掃或いは交換の頻度は従来に比べて大幅に低くて済む。
【００２８】
本実施例では、成膜処理時のターゲット２１によるスパッタ領域ＳＰ１と、コーティング処理時のターゲット２５によるスパッタ領域ＳＰ２は略一致するが、スパッタ領域ＳＰ２は基板搬送用キャリア３１の開口３１０に相当するダミーキャリア３２０の部分をカバーする必要はない。ターゲット２１によるスパッタ領域ＳＰ１がターゲット２５に達しないように、碍石３５はターゲット２１とターゲット２５の間に配置されている。
【００２９】
コーティング処理時に基板搬送用キャリア３１に代えてダミーキャリア３２０をチャンバ１１内にロードする処理は、ユーザにより手動で行っても、自動的に行っても良い。
【００３０】
図６は、ダミーキャリア３２０の自動ロード処理を説明する図である。説明の便宜上、自動ロード処理は磁気記録媒体の製造方法に適用されているものとする。図６中、図１、図２及び図４と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図６において、各チャンバ１１−１〜１１−１０は、上面から見た断面図で示す。
【００３１】
図６は、システム（又は、ライン）にキャリアレール５１で接続されたチャンバ１１−１〜１１−１０が設けられている場合を示す。チャンバ１１−１は、システム制御部５５の制御下で、基板搬送用キャリア３１を一時的に収納すると共に、各チャンバ１１−２〜１１−１０にロードしてチャンバ１１−９を介して搬送されてくる基板搬送用キャリア３１を外部へアンロードするキャリアロード・アンロード部を形成する。
【００３２】
チャンバ１１−２は、チャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１を検出して検出信号をシステム制御部５５に供給するキャリア通過センサ６１を有する。システム制御部５５は、キャリア通過センサ６１からの検出信号に基づいてチャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１の数をカウントする。チャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１のカウント値が所定値に達すると、チャンバ１１−１はシステム制御部５５の制御下で基板搬送用キャリア３１のキャリアレール５１へのロードを停止し、又、未使用のダミーキャリア３２０を収納するダミーキャリア収納部５２はシステム制御部５５の制御下で未使用のダミーキャリア３２０をチャンバ１１−２へロードする。
【００３３】
各チャンバ１１−３，１１−９は、図１に示すチャンバ１１のうち、副ホルダ３３と関連する部分が設けられていない構造を有し、既存の成膜装置のチャンバと同じ構造であっても良い。一方、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８は、図１に示すチャンバ１１と同じ構造を有する。成膜処理時には、システム制御部５５の制御下で、各チャンバ１１−３，１１−９では基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対して金属膜が成膜され、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８では基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対してグラニュラ構造を有する酸化物膜が成膜される。一方、コーティング処理時には、システム制御部５５の制御下で、各チャンバ１１−３，１１−９では成膜処理が行われず、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８ではダミーキャリア３２０に対して金属膜が成膜される。図６は、説明の便宜上、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８ではダミーキャリア３２０に対して金属膜が成膜されるコーティング処理が行われている状態を示す。
【００３４】
チャンバ１１−２，１１−５，１１−７，１１−１０は、基板搬送用キャリア３１又はダミーキャリア３２０の搬送方向を変える方向変換部分を形成する。チャンバ１１−１０は、ダミーキャリア３２０を識別して識別信号をシステム制御部５５に供給するダミーキャリア識別センサ６２を有する。チャンバ１１−９から使用済みのダミーキャリア３２０が搬送されてくると、チャンバ１１−１０及びダミーキャリア収納部５３はシステム制御部５５の制御下で、使用済みのダミーキャリア３２０をダミーキャリア収納部５３へアンロードしてダミーキャリア３２０をダミーキャリア収納部５３に収納する。一方、チャンバ１１−９から搬送されてくる基板搬送用キャリア３１は、システム制御部５５が識別信号を供給されないので、そのままチャンバ１１−１へ搬送される。
【００３５】
ダミーキャリア識別センサ６２は、ダミーキャリア３２０に設けられたマーク等を検出する等の周知の方法で基板搬送用キャリア３１とは区別してダミーキャリア３２０を検出する。
【００３６】
ところで、コーティング処理を行う場合、図１において左側のターゲット２５からの金属が右側のターゲット２１，２５に付着したり、右側のターゲット２５からの金属が左側のターゲット２１，２５に付着したりする不都合をシャッタ等を設けることで防止することができるのであれば、ダミーキャリア３２０をチャンバ１１内にロードしなくても良い。
【００３７】
図７は、シャッタを備えた成膜装置の一例を示す図である。図７中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図７において、（ａ）は成膜装置１Ａを上面から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１Ａを側面から見た断面図、（ｃ）は成膜装置１Ａの片側を正面から見た断面図である。
【００３８】
図７において、シャッタ装置６０は、巻き取りシャフト６１、モータ６２、巻き取りギア６３，駆動ベルト６４、シャフト押さえ６５、ガイドレール６６、シャッタガイド６７、及びシャッタ６８を有する。図７は、シャッタ６８の閉成状態を示し、この状態ではシャッタ６８が対向するターゲット２１，２５の間に配置される。シャッタ６８は、所謂キャタピラ式であり、例えばＴｉ，Ａｌ等で形成されているので、ブラスト洗浄等により分解清掃が可能であるため、繰り返し使用が可能である。尚、シャッタ６８に付着する膜の密着性を向上させるため、シャッタ６８の表面をブラスト処理等により所定の粗さ以上にしておいても良い。
【００３９】
シャッタ装置６０は、シャッタ制御部５９により制御される。成膜装置１Ａ単体で手動でシャッタ装置６０を制御する場合は、ユーザはシャッタ制御部５９を操作することでシャッタ６８を開閉する。一方、システム（又は、ライン）内の各成膜装置のシャッタ装置６０を自動的に制御する場合は、成膜装置１Ａを含む各成膜装置のシャッタ装置６０がシステム制御部５５からシャッタ制御部５９を介して制御されることで各シャッタ６８を自動的に開閉する。
【００４０】
モータ６２は、駆動ベルト６４及び巻き取りギア６３を介して巻き取りシャフト６１の一端を駆動して回転させる。巻き取りシャフト６１の他端にはシャフト押さえ６５が固定されている。巻き取りシャフト６１は、回転可能にガイドレール６６に支持されており、シャッタ６８の一端が固定されている。巻き取りシャフト６１が図７（ｂ）中時計方向に回転すると、シャッタ６８はシャッタガイド６７に案内されて巻き取られることで開成状態となり、成膜処理が可能となる。一方、巻き取りシャフト６１が図７（ｂ）中反時計方向に回転すると、シャッタ６８はシャッタガイド６７に案内されて閉成状態となり、コーティング処理が可能となる。シャッタガイド６７は、シャッタ６８の対向するターゲット２１，２５間の空間に対する入出力角度を一定にするために設けられている。
【００４１】
図８は、シャッタを備えた成膜装置の他の例を示す図である。図８中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図８において、（ａ）は成膜装置１Ｂを上面から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１Ｂを側面から見た断面図、（ｃ）は成膜装置１Ｂの片側を正面から見た断面図である。
【００４２】
図８において、シャッタ装置８０は、巻き取りシャフト８１、モータ８２、ガイドレール８６、及びシャッタ８８を有する。図８は、シャッタ８８の閉成状態を示し、この状態ではシャッタ８８が対向するターゲット２１，２５の間に配置される。シャッタ８８は、所謂扇子式であり、例えばＴｉ，Ａｌ等で形成されているので、ブラスト洗浄等により分解清掃が可能であるため、繰り返し使用が可能である。尚、シャッタ８８に付着する膜の密着性を向上させるため、シャッタ８８の表面をブラスト処理等により所定の粗さ以上にしておいても良い。
【００４３】
シャッタ装置８０は、シャッタ制御部５９により制御される。成膜装置１Ｂ単体で手動でシャッタ装置８０を制御する場合は、ユーザはシャッタ制御部５９を操作することでシャッタ８８を開閉する。一方、システム（又は、ライン）内の各成膜装置のシャッタ装置８０を自動的に制御する場合は、成膜装置１Ｂを含む各成膜装置のシャッタ装置８０がシステム制御部５５からシャッタ制御部５９を介して制御されることで各シャッタ８８を自動的に開閉する。
【００４４】
モータ８２は、巻き取りシャフト８１の一端を駆動して回転させる。巻き取りシャフト８１は、ガイドレール６６に回転可能に支持されており、シャッタ８８の各ブレードの一端は巻き取りシャフト８１に繋がっている。巻き取りシャフト８１が図７（ｃ）中反時計方向に回転すると、シャッタ８８は開成状態となり、成膜処理が可能となる。一方、巻き取りシャフト８１が図７（ｃ）中時計方向に回転すると、シャッタ８８は閉成状態となり、コーティング処理が可能となる。
【００４５】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
チャンバと、
第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、
第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、
成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、
コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた、成膜装置。
（付記２）
前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分は、前記チャンバ内に取り外し可能に設けられた防着板を含む、付記１記載の成膜装置。
（付記３）
前記副ホルダは、前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域と前記コーティング処理時の前記第２のターゲットによる第２のスパッタ領域が一致するように配置されている、付記１又は２記載の成膜装置。
（付記４）
前記基板はディスク形状を有し、前記第１のターゲットはディスク形状を有し、前記第２のターゲットは前記第１のターゲットの外側に配置されるリング形状を有する、付記３記載の成膜装置。
（付記５）
前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域が前記第２のターゲットに達しないように第１のターゲットと第２のターゲットの間に配置された碍石を更に備えた、付記４記載の成膜装置。
（付記６）
前記碍石はリング形状を有する、付記５記載の成膜装置。
（付記７）
前記主ホルダ及び前記副ホルダはいずれも対で主ホルダ同士及び副ホルダ同士が対向する位置に設けられており、前記基板は対の主ホルダ間及び対の副ホルダ間に配置される、付記１乃至６のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記８）
前記成膜処理時には、前記基板は前記基板の表面を露出する基板搬送用キャリアに保持された状態で前記チャンバ内にロードされ、
前記コーティング処理時には、前記基板搬送用キャリアの代わりに基板を保持しないダミーキャリアが前記チャンバ内にロードされ、前記基板搬送用キャリアの開口部分に相当する前記ダミーキャリアの部分は塞がれている、付記７記載の成膜装置。
（付記９）
前記成膜処理時には開成状態にあり、前記コーティング処理時には前記対の主ホルダ及び前記対の副ホルダを遮断する閉成状態となるシャッタを備えた、付記７記載の成膜装置。
（付記１０）
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記第２の材料は、成膜処理時に前記第１のターゲットから飛散する酸化物を覆う金属材料である、付記１乃至９のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１１）
前記コーティング処理は、定期的に行われるように前記成膜処理が予め設定された回数行われる毎に行われる、付記１乃至１０のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１２）
前記成膜処理時には、磁気記録媒体の磁性膜を成膜する、付記１乃至１１のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１３）
付記１乃至１３のいずれか１項記載の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、
前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する、磁気記録媒体の製造方法。
（付記１４）
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記グラニュラ構造を有する膜は磁性膜である、付記１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５）
前記コーティング処理を、前記成膜処理を一定回数行う度に行う、付記１３又は１４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４６】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１ 成膜装置
１１ チャンバ
１２ 真空ポンプ
１３ 主ホルダ
１７，３７ ＤＣ電源
１８ 防着板
２１，２５ ターゲット
３１ 基板搬送用キャリア
３２ 基板
３３ 副ホルダ
３５ 碍石
５５ システム制御部
６８，８８ シャッタ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法に係り、特に成膜中にアークによりターゲットから飛散する塵埃を付着させる防着板を有する成膜装置及びそのような成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクに代表される磁気記録媒体を用いる磁気記憶装置では、高密度記録を実現するために、水平磁気記録方式から垂直磁気記録方式へ移行しつつある。垂直磁気記録方式を採用する磁気記録媒体には、例えばＣｏ基合金相を酸化物相が囲んだグラニュラ構造を有する磁性膜等の、グラニュラ構造を有する膜を有する媒体も含まれる。
【０００３】
このようなグラニュラ構造を有する磁性膜をスパッタリング装置で成膜する際には、酸化物とＣｏ基合金の原料粉を混合して焼結法により作製されたスパッタリングターゲットを用いるのが一般的である。しかし、このようなスパッタリングターゲットを用いてグラニュラ構造を有する磁性膜を成膜すると、絶縁体である酸化物塵埃がアークにより飛散する。ＤＣスパッタリングの場合、スパッタ面の酸化物表面が帯電するために、アークの発生は回避できない。
【０００４】
飛散する酸化物塵埃のうち、チャンバ内の成膜対象の基板上に到達する酸化物塵埃は基板上に固着されて成膜処理後にチャンバ外に搬出される。一方、チャンバ内の防着板に到達した酸化物塵埃は、防着板に付着するが、防着板から脱落するとチャンバ内で堆積或いは拡散してチャンバ内部を汚染する。チャンバ内が酸化物塵埃で汚染されてしまうと、成膜対象の基板上への酸化物塵埃の付着量が増加して磁性膜の品質、即ち、磁気記録媒体の品質を低下させてしまう。
【０００５】
又、チャンバ内の酸化物塵埃による汚染は、成膜処理の回数に応じて増加するので、一定回数の成膜処理の後には防着板を取り外して清掃或いは交換する必要が生じる。しかし、防着板の清掃或いは交換時には、成膜処理を停止する必要があるため、防着板の清掃又は交換を頻繁に行ったのでは成膜装置による磁気記録媒体の生産性が低下してしまう。
【０００６】
尚、アークの発生を防止するためにカソードの電位を定期的に逆転させるパルス電圧印加やＲＦスパッタリングを採用することも可能であるが、これらの方法ではスパッタレートが低下していしまい、磁気記録媒体の生産性が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−９２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の成膜装置では、チャンバ内がターゲットから飛散した材料の塵埃で汚染されてしまうと成膜対象の基板上への塵埃の付着量が増加して成膜される膜の品質を低下させてしまうが、防着板の清掃又は交換を頻繁に行ったのでは成膜装置の生産性が低下してしまうという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とする成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、チャンバと、第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた成膜装置が提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、上記の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
開示の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法によれば、チャンバ内のターゲットから飛散した材料の塵埃による汚染を防止すると共に、防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施例における成膜装置を示す断面図である。
【図２】成膜装置の成膜処理時の動作を説明する図である。
【図３】酸化物ターゲットによる成膜を説明する断面図である。
【図４】成膜装置のコーティング処理時の動作を説明する図である。
【図５】金属ターゲットによる成膜を説明する断面図である。
【図６】ダミーキャリアの自動ロード処理を説明する図である。
【図７】シャッタを備えた成膜装置の一例を示す図である。
【図８】シャッタを備えた成膜装置の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
開示の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法では、成膜処理時に第１のターゲットを用いてチャンバ内の基板の表面に第１の材料を形成し、コーティング処理時に第２のターゲットを用いてチャンバ内の基板の表面以外の部分の第１の材料を覆うように第２の材料を形成する。これにより、チャンバ内の第１のターゲットから飛散した第１の材料の塵埃による汚染を防止すると共に、チャンバ内に設けられた防着板の頻繁な清掃又は交換を不要とすることができる。
【００１５】
以下に、本発明の成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法の各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例】
【００１６】
図１は、本発明の一実施例における成膜装置を側面から見て示す断面図である。図１に示すように、成膜装置１は、チャンバ１１と、チャンバ１１に接続された真空ポンプ１２を有する。主ホルダ１３は、チャンバ１１内でターゲット２１をカソード１４上に保持する。モータ１５は、主ホルダ１３により保持されたターゲット２１に対して回転マグネット１６を回転させる。ＤＣ電源１７は、カソード１４と電気的に接続されている。チャンバ１１内の上部及び下部には、防着板１８が取り外し可能に設けられている。プロセスガス導入口１９は、チャンバ１１内のプロセスガスを導入する。ここでは説明の便宜上、プロセスガスの排出口の図示は省略する。
【００１７】
基板搬送用キャリア３１は、成膜対象の基板３２を保持すると共に、基板３２の表面を露出する開口部３１０を有する周知の構造を有する。基板搬送用キャリア３１は、周知の方法で外部からチャンバ１１内にロードされると共に、チャンバ１１内から外部へアンロードされる。基板搬送用キャリア３１は、例えばキャリアレール５１上を搬送される。この例では基板３２の両面に対して同時に成膜処理を行うため、チャンバ１１内には一対の主ホルダ１３が互いに対向する位置に設けられている。
【００１８】
成膜装置１の上記の部分の構成自体には、周知の構成を採用可能である。
【００１９】
本実施例では、成膜装置１は更に副ホルダ３３と、主及び副ホルダ１３，３３間に設けられた碍石３５と、マグネット３６を有する。副ホルダ３３は、チャンバ１１内でターゲット２５をカソード３４上に保持する。ＤＣ電源３７は、カソード３４と電気的に接続されている。この例では、チャンバ内には一対の副ホルダ３３が互いに対向する位置に設けられている。
【００２０】
図１では、一対のカソード１４は別々のＤＣ電源１７に接続されているが、単一のＤＣ電源を一対のカソード１４に接続するようにしても良い。又、一対のカソード３４は別々のＤＣ電源３７に接続されているが、単一のＤＣ電源を一対のカソード３４に接続するようにしても良い。
【００２１】
成膜装置１により基板３２上にグラニュラ構造を有する膜を成膜する成膜処理時には、酸化物スパッタリングターゲットをターゲット２１として用いる。一例として、グラニュラ構造を有する磁性膜を成膜する成膜処理時には、例えば酸化物とＣｏ基合金の原料粉を混合して焼結法により作製されたスパッタリングターゲットをターゲット２１として用いる。尚、基板３２上に磁性膜を成膜する成膜処理時には、通常は基板３２上に既に一又は複数の層が積層されており、磁性膜は既に積層されている１つの層上に形成される。又、後述するコーティング処理時には、例えばＣｒ，Ａｌ等の金属材料で作製されたスパッタリングターゲットをターゲット２５として用いる。この例では基板３２はディスク形状を有するので、ターゲット２１もディスク形状を有する。又、碍石３５及びターゲット２５は、ディスク形状を有するターゲット２１の外側に配置されるので、いずれもリング形状を有する。
【００２２】
図２は、図１に示す成膜装置１の成膜処理時の動作を説明する図である。図２中、（ａ）は、図１に示す成膜装置１の左側の部分を時計方向に９０度回転して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た図である。説明の便宜上、図２において主ホルダ１３及び副ホルダ３３の図示は省略する。
【００２３】
図２では、ＤＣ電源１７をオンにしてカソード１４に電流を印加することで、基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対してターゲット２１の材料がスパッタ領域ＳＰ１でスパッタリングされる。この状態では、ＤＣ電源３７はオフである。これにより、図２（ａ）においてＲ１で示す部分では、図３に示すようにターゲット２１の酸化物材料の膜２１０が防着板１８上に形成される。図３は、酸化物ターゲット２１による成膜を説明する断面図である。酸化物材料の膜２１０には、酸化物２１１が含まれるが、一部の酸化物２１２は防着板１８から脱落する可能性がある。尚、酸化物２１１は、膜厚方向の高さが最大でも１０μｍ程度である。ＤＣ電源１７をオフにした後、成膜処理を施された基板３２を保持する基板搬送用キャリア３１がチャンバ１１内から外部へアンロードされる。
【００２４】
図４は、図１に示す成膜装置１のコーティング処理時の動作を説明する図である。図４中、（ａ）は、図１に示す成膜装置１の左側の部分を時計方向に９０度回転して示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）を下側から見た図である。説明の便宜上、図４において主ホルダ１３及び副ホルダ３３の図示は省略する。
【００２５】
図２の如き成膜処理が予め設定された回数行われると、図３において酸化物２１２が防着板１８から脱落する可能性が増加するため、酸化物２１２の脱落を防止するためのコーティング処理を行う。コーティング処理時には、基板搬送用キャリア３１の代わりに基板３２を保持しないダミーキャリア３２０がチャンバ１１内にロードされる。基板搬送用キャリア３１の開口３１０の部分に相当するダミーキャリア３２０の部分は、図４（ｂ）に示すように塞がれている。コーティング処理時にダミーキャリア３２０を使用することで、図１において左側のターゲット２５からの金属が右側のターゲット２１，２５に付着したり、右側のターゲット２５からの金属が左側のターゲット２１，２５に付着したりする不都合を防止することができる。
【００２６】
図４では、ＤＣ電源３７をオンにしてカソード３４に電流を印加することで、ダミーキャリア３２０に対してターゲット２５の材料がスパッタ領域ＳＰ２でスパッタリングされる。この状態では、ＤＣ電源１７はオフである。これにより、図４（ａ）においてＲ２で示す部分では、図５に示すようにターゲット２５の金属材料の膜２５０が防着板１８上に形成される。図５は、金属ターゲット２５による成膜を説明する断面図である。酸化物材料の膜２１０には、酸化物２１１が含まれるが、金属材料の膜２５０は膜２１０及び酸化物２１１を覆うように形成されるので、一部の酸化物２１２が防着板１８から脱落又は拡散することを防止可能となる。又、金属材料の膜２５０は膜２１０及び酸化物２１１を覆うように形成されるので、一部の酸化物２１２がチャンバ１１内の防着板１８以外の部分から脱落又は拡散することを防止可能となることは言うまでもない。ＤＣ電源３７をオフにした後、コーティング処理を施されたダミーキャリア３２０がチャンバ１１内から外部へアンロードされる。
【００２７】
尚、防着板１８は、成膜処理又はコーティング処理が一定回数行われた時点で取り外して清掃或いは交換可能であるが、チャンバ１１内の酸化物塵埃による汚染は金属材料の膜２５０により抑制されるので、防着板１８の清掃或いは交換の頻度は従来に比べて大幅に低くて済む。
【００２８】
本実施例では、成膜処理時のターゲット２１によるスパッタ領域ＳＰ１と、コーティング処理時のターゲット２５によるスパッタ領域ＳＰ２は略一致するが、スパッタ領域ＳＰ２は基板搬送用キャリア３１の開口３１０に相当するダミーキャリア３２０の部分をカバーする必要はない。ターゲット２１によるスパッタ領域ＳＰ１がターゲット２５に達しないように、碍石３５はターゲット２１とターゲット２５の間に配置されている。
【００２９】
コーティング処理時に基板搬送用キャリア３１に代えてダミーキャリア３２０をチャンバ１１内にロードする処理は、ユーザにより手動で行っても、自動的に行っても良い。
【００３０】
図６は、ダミーキャリア３２０の自動ロード処理を説明する図である。説明の便宜上、自動ロード処理は磁気記録媒体の製造方法に適用されているものとする。図６中、図１、図２及び図４と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図６において、各チャンバ１１−１〜１１−１０は、上面から見た断面図で示す。
【００３１】
図６は、システム（又は、ライン）にキャリアレール５１で接続されたチャンバ１１−１〜１１−１０が設けられている場合を示す。チャンバ１１−１は、システム制御部５５の制御下で、基板搬送用キャリア３１を一時的に収納すると共に、各チャンバ１１−２〜１１−１０にロードしてチャンバ１１−９を介して搬送されてくる基板搬送用キャリア３１を外部へアンロードするキャリアロード・アンロード部を形成する。
【００３２】
チャンバ１１−２は、チャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１を検出して検出信号をシステム制御部５５に供給するキャリア通過センサ６１を有する。システム制御部５５は、キャリア通過センサ６１からの検出信号に基づいてチャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１の数をカウントする。チャンバ１１−２を通過する基板搬送用キャリア３１のカウント値が所定値に達すると、チャンバ１１−１はシステム制御部５５の制御下で基板搬送用キャリア３１のキャリアレール５１へのロードを停止し、又、未使用のダミーキャリア３２０を収納するダミーキャリア収納部５２はシステム制御部５５の制御下で未使用のダミーキャリア３２０をチャンバ１１−２へロードする。
【００３３】
各チャンバ１１−３，１１−９は、図１に示すチャンバ１１のうち、副ホルダ３３と関連する部分が設けられていない構造を有し、既存の成膜装置のチャンバと同じ構造であっても良い。一方、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８は、図１に示すチャンバ１１と同じ構造を有する。成膜処理時には、システム制御部５５の制御下で、各チャンバ１１−３，１１−９では基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対して金属膜が成膜され、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８では基板搬送用キャリア３１が保持する基板３２に対してグラニュラ構造を有する酸化物膜が成膜される。一方、コーティング処理時には、システム制御部５５の制御下で、各チャンバ１１−３，１１−９では成膜処理が行われず、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８ではダミーキャリア３２０に対して金属膜が成膜される。図６は、説明の便宜上、各チャンバ１１−４，１１−６，１１−８ではダミーキャリア３２０に対して金属膜が成膜されるコーティング処理が行われている状態を示す。
【００３４】
チャンバ１１−２，１１−５，１１−７，１１−１０は、基板搬送用キャリア３１又はダミーキャリア３２０の搬送方向を変える方向変換部分を形成する。チャンバ１１−１０は、ダミーキャリア３２０を識別して識別信号をシステム制御部５５に供給するダミーキャリア識別センサ６２を有する。チャンバ１１−９から使用済みのダミーキャリア３２０が搬送されてくると、チャンバ１１−１０及びダミーキャリア収納部５３はシステム制御部５５の制御下で、使用済みのダミーキャリア３２０をダミーキャリア収納部５３へアンロードしてダミーキャリア３２０をダミーキャリア収納部５３に収納する。一方、チャンバ１１−９から搬送されてくる基板搬送用キャリア３１は、システム制御部５５が識別信号を供給されないので、そのままチャンバ１１−１へ搬送される。
【００３５】
ダミーキャリア識別センサ６２は、ダミーキャリア３２０に設けられたマーク等を検出する等の周知の方法で基板搬送用キャリア３１とは区別してダミーキャリア３２０を検出する。
【００３６】
ところで、コーティング処理を行う場合、図１において左側のターゲット２５からの金属が右側のターゲット２１，２５に付着したり、右側のターゲット２５からの金属が左側のターゲット２１，２５に付着したりする不都合をシャッタ等を設けることで防止することができるのであれば、ダミーキャリア３２０をチャンバ１１内にロードしなくても良い。
【００３７】
図７は、シャッタを備えた成膜装置の一例を示す図である。図７中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図７において、（ａ）は成膜装置１Ａを上面から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１Ａを側面から見た断面図、（ｃ）は成膜装置１Ａの片側を正面から見た断面図である。
【００３８】
図７において、シャッタ装置６０は、巻き取りシャフト６１、モータ６２、巻き取りギア６３，駆動ベルト６４、シャフト押さえ６５、ガイドレール６６、シャッタガイド６７、及びシャッタ６８を有する。図７は、シャッタ６８の閉成状態を示し、この状態ではシャッタ６８が対向するターゲット２１，２５の間に配置される。シャッタ６８は、所謂キャタピラ式であり、例えばＴｉ，Ａｌ等で形成されているので、ブラスト洗浄等により分解清掃が可能であるため、繰り返し使用が可能である。尚、シャッタ６８に付着する膜の密着性を向上させるため、シャッタ６８の表面をブラスト処理等により所定の粗さ以上にしておいても良い。
【００３９】
シャッタ装置６０は、シャッタ制御部５９により制御される。成膜装置１Ａ単体で手動でシャッタ装置６０を制御する場合は、ユーザはシャッタ制御部５９を操作することでシャッタ６８を開閉する。一方、システム（又は、ライン）内の各成膜装置のシャッタ装置６０を自動的に制御する場合は、成膜装置１Ａを含む各成膜装置のシャッタ装置６０がシステム制御部５５からシャッタ制御部５９を介して制御されることで各シャッタ６８を自動的に開閉する。
【００４０】
モータ６２は、駆動ベルト６４及び巻き取りギア６３を介して巻き取りシャフト６１の一端を駆動して回転させる。巻き取りシャフト６１の他端にはシャフト押さえ６５が固定されている。巻き取りシャフト６１は、回転可能にガイドレール６６に支持されており、シャッタ６８の一端が固定されている。巻き取りシャフト６１が図７（ｂ）中時計方向に回転すると、シャッタ６８はシャッタガイド６７に案内されて巻き取られることで開成状態となり、成膜処理が可能となる。一方、巻き取りシャフト６１が図７（ｂ）中反時計方向に回転すると、シャッタ６８はシャッタガイド６７に案内されて閉成状態となり、コーティング処理が可能となる。シャッタガイド６７は、シャッタ６８の対向するターゲット２１，２５間の空間に対する入出力角度を一定にするために設けられている。
【００４１】
図８は、シャッタを備えた成膜装置の他の例を示す図である。図８中、図１と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図８において、（ａ）は成膜装置１Ｂを上面から見た断面図、（ｂ）は成膜装置１Ｂを側面から見た断面図、（ｃ）は成膜装置１Ｂの片側を正面から見た断面図である。
【００４２】
図８において、シャッタ装置８０は、巻き取りシャフト８１、モータ８２、ガイドレール８６、及びシャッタ８８を有する。図８は、シャッタ８８の閉成状態を示し、この状態ではシャッタ８８が対向するターゲット２１，２５の間に配置される。シャッタ８８は、所謂扇子式であり、例えばＴｉ，Ａｌ等で形成されているので、ブラスト洗浄等により分解清掃が可能であるため、繰り返し使用が可能である。尚、シャッタ８８に付着する膜の密着性を向上させるため、シャッタ８８の表面をブラスト処理等により所定の粗さ以上にしておいても良い。
【００４３】
シャッタ装置８０は、シャッタ制御部５９により制御される。成膜装置１Ｂ単体で手動でシャッタ装置８０を制御する場合は、ユーザはシャッタ制御部５９を操作することでシャッタ８８を開閉する。一方、システム（又は、ライン）内の各成膜装置のシャッタ装置８０を自動的に制御する場合は、成膜装置１Ｂを含む各成膜装置のシャッタ装置８０がシステム制御部５５からシャッタ制御部５９を介して制御されることで各シャッタ８８を自動的に開閉する。
【００４４】
モータ８２は、巻き取りシャフト８１の一端を駆動して回転させる。巻き取りシャフト８１は、ガイドレール６６に回転可能に支持されており、シャッタ８８の各ブレードの一端は巻き取りシャフト８１に繋がっている。巻き取りシャフト８１が図７（ｃ）中反時計方向に回転すると、シャッタ８８は開成状態となり、成膜処理が可能となる。一方、巻き取りシャフト８１が図７（ｃ）中時計方向に回転すると、シャッタ８８は閉成状態となり、コーティング処理が可能となる。
【００４５】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
チャンバと、
第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、
第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、
成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、
コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた、成膜装置。
（付記２）
前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分は、前記チャンバ内に取り外し可能に設けられた防着板を含む、付記１記載の成膜装置。
（付記３）
前記副ホルダは、前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域と前記コーティング処理時の前記第２のターゲットによる第２のスパッタ領域が一致するように配置されている、付記１又は２記載の成膜装置。
（付記４）
前記基板はディスク形状を有し、前記第１のターゲットはディスク形状を有し、前記第２のターゲットは前記第１のターゲットの外側に配置されるリング形状を有する、付記３記載の成膜装置。
（付記５）
前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域が前記第２のターゲットに達しないように第１のターゲットと第２のターゲットの間に配置された碍石を更に備えた、付記４記載の成膜装置。
（付記６）
前記碍石はリング形状を有する、付記５記載の成膜装置。
（付記７）
前記主ホルダ及び前記副ホルダはいずれも対で主ホルダ同士及び副ホルダ同士が対向する位置に設けられており、前記基板は対の主ホルダ間及び対の副ホルダ間に配置される、付記１乃至６のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記８）
前記成膜処理時には、前記基板は前記基板の表面を露出する基板搬送用キャリアに保持された状態で前記チャンバ内にロードされ、
前記コーティング処理時には、前記基板搬送用キャリアの代わりに基板を保持しないダミーキャリアが前記チャンバ内にロードされ、前記基板搬送用キャリアの開口部分に相当する前記ダミーキャリアの部分は塞がれている、付記７記載の成膜装置。
（付記９）
前記成膜処理時には開成状態にあり、前記コーティング処理時には前記対の主ホルダ及び前記対の副ホルダを遮断する閉成状態となるシャッタを備えた、付記７記載の成膜装置。
（付記１０）
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記第２の材料は、成膜処理時に前記第１のターゲットから飛散する酸化物を覆う金属材料である、付記１乃至９のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１１）
前記コーティング処理は、定期的に行われるように前記成膜処理が予め設定された回数行われる毎に行われる、付記１乃至１０のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１２）
前記成膜処理時には、磁気記録媒体の磁性膜を成膜する、付記１乃至１１のいずれか１項記載の成膜装置。
（付記１３）
付記１乃至１３のいずれか１項記載の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、
前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する、磁気記録媒体の製造方法。
（付記１４）
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記グラニュラ構造を有する膜は磁性膜である、付記１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
（付記１５）
前記コーティング処理を、前記成膜処理を一定回数行う度に行う、付記１３又は１４記載の磁気記録媒体の製造方法。
【００４６】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００４７】
１ 成膜装置
１１ チャンバ
１２ 真空ポンプ
１３ 主ホルダ
１７，３７ ＤＣ電源
１８ 防着板
２１，２５ ターゲット
３１ 基板搬送用キャリア
３２ 基板
３３ 副ホルダ
３５ 碍石
５５ システム制御部
６８，８８ シャッタ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、
第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、
第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、
成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、
コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた、成膜装置。
【請求項２】
前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分は、前記チャンバ内に取り外し可能に設けられた防着板を含む、請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記副ホルダは、前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域と前記コーティング処理時の前記第２のターゲットによる第２のスパッタ領域が一致するように配置されている、請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記第２の材料は、成膜処理時に前記第１のターゲットから飛散する酸化物を覆う金属材料である、請求項１乃至３のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、
前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する、磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
チャンバと、
第１の材料で形成された第１のターゲットを前記チャンバ内で第１のカソード上に保持する主ホルダと、
第２の材料で形成された第２のターゲットを前記チャンバ内で第２のカソード上に保持する副ホルダと、
成膜処理時に前記第１のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の基板の表面に前記第１の材料を形成する第１のＤＣ電源と、
コーティング処理時に前記第２のカソードに電流を印加して前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分の前記第１の材料を覆うように前記第２の材料を形成する第２のＤＣ電源を備えた、成膜装置。
【請求項２】
前記チャンバ内の前記基板の表面以外の部分は、前記チャンバ内に取り外し可能に設けられた防着板を含む、請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記副ホルダは、前記成膜処理時の前記第１のターゲットによる第１のスパッタ領域と前記コーティング処理時の前記第２のターゲットによる第２のスパッタ領域が一致するように配置されている、請求項１又は２記載の成膜装置。
【請求項４】
前記第１の材料は酸化物とＣｏ基合金の混合材料であり、
前記第２の材料は、成膜処理時に前記第１のターゲットから飛散する酸化物を覆う金属材料である、請求項１乃至３のいずれか１項記載の成膜装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の成膜装置を用いる磁気記録媒体の製造方法であって、
前記成膜処理により、順次搬送されてくる基板上に前記第１の材料でグラニュラ構造を有する膜を形成する、磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−１７６７８０（Ｐ２０１０−１７６７８０Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１７２９（Ｐ２００９−２１７２９）
【出願日】平成２１年２月２日（２００９．２．２）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月２日（２００９．２．２）
【出願人】（０００００２００４）昭和電工株式会社 (3,251)
【Ｆターム（参考）】
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