【課題】放電電圧を低下させることで、スパッタリング成膜時における下地層へのダメージを減少させることが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】一対のターゲット２１Ａ，２１Ｂへの電圧を交互に供給する交流電源ユニット５０を備える構成とし、ＡＣデュアルカソードスパッタリング法において、フィラメント４１から熱電子を放出させる。プラズマが形成された領域に、熱電子を供給することで、プラズマの放電電圧を低下させて、スパッタリング成膜時に下地層へ与えるダメージを低減する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の材料が表面に付着しても、高周波誘導電界の遮蔽や強度の減衰を抑えることができる高周波アンテナを提供する。
【解決手段】高周波アンテナ１０は、線状のアンテナ導体１３と、アンテナ導体１３の周囲に設けられた誘電体製保護管１４と、誘電体製保護管１４の周囲に設けられたシールドであってアンテナ導体１３の長手方向の任意の線上において誘電体製保護管１４を少なくとも１箇所覆うと共に少なくとも１個の開口１５３を有する堆積物シールド１５とを備える。薄膜材料は保護管及び堆積物シールドの表面に付着するが、アンテナ導体の長手方向の少なくとも１箇所で途切れる。そのため、薄膜材料が導電性のものである場合には高周波誘導電界が遮蔽されることを防ぐことができ、導電性以外のものの場合には高周波誘導電界の強度が減衰することを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して基板等に所定の処理を施す処理装置において、プラズマの状態にアーク放電のような異常放電がある場合に小電力環境でラジカルやイオンを消滅させることなく異常放電を解消することで、動作信頼性に優れ処理効率の良いプラズマ処理を実現する高周波プラズマ処理方法及び高周波プラズマ処理装置を得る。
【解決手段】 二つの電極６１，６２が所定の間隔あけて対向配置された真空容器５内に所定のガスを導入し、処理対象物７を前記二つの電極６１，６２の電極間に配置した状態で、真空容器５内が通常放電状態のときは高周波電源１からの高周波信号を、異常放電状態のときは前記高周波信号と前記高周波信号よりも周波数の低い中間周波数信号とで振幅変調したものを出力し、その出力の最大振幅レベルを所定の振幅に増幅させて前記電極間に印加することにより、放電を発生させてプラズマ１４を形成し前記処理対象物７に所定の処理を施す。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

真空チャンバーを含むスパッタリング装置では，少なくとも，第１の電極は真空チャンバー内に配置された第１の表面を有しており，対向電極は真空チャンバー及び高周波発生器に配置された表面を有している。高周波発生器は，第１の電極と対向電極の間にプラズマを発生させるために，少なくとも第１の電極間と対向電極の間に高周波電場を印加するように構成されている。対向電極は，真空チャンバーと連結する少なくとも２つのキャビティを含んでおり，そのキャビティは各々，キャビティ内でプラズマが作られるような特徴を持っている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度の均一化を効率的に達成できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】電極３８の主面に配設された誘電体９０は、処理容器内に配置される基板と同心状になるように前記電極３８の中心に形成され、前記基板の口径の１／１０以上の第１の直径および第１一定厚さを有する平坦な第１部分と、前記第１部分よりも外側に形成され且つ前記第１の直径よりも大きい第２の直径および前記第１一定厚さよりも小さい第２一定厚さを有する平坦な第２の部分とを含み、前記被処理基板に対する均一な処理を得るための理想的な膜厚プロファイルに擬した膜厚プロファイルを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜過程においてアノードの温度上昇を抑制し、パーティクルを抑制することが可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、真空槽１、真空槽内に配されたターゲット２、ターゲットに負電圧を印加する第一電源１１、真空槽内にあってターゲットに対向して配された基板台３、真空槽内にあってターゲットと基板台との間に位置する空間Ｓを取り囲むように配されるアノード４、及びアノードに正電位を印加する第二電源１２、を少なくとも備える。アノードは、空間のうち、ターゲット側の近傍に位置する第一電極５、基板台側の近傍に位置する第二電極６、及び第一電極と第二電極との間に位置する第三電極７からなる分割構造を成す。そして、第二電源は、アノードに対して印加する正電位を制御できるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】導電性部材間の短絡を抑制することができる絶縁フランジを提供することを目的とする。
【解決手段】その両端面が一対の導電性部材とそれぞれ接触するように、一対の導電性部材の間に介在し、締結部材４５により導電性部材に締結される絶縁性の環状の第１部材４３ａと、その両端面が導電性部材に接触しないように、第１部材４３ａの内孔に嵌挿された絶縁性の環状の第２部材４３ｂと、を備える、絶縁フランジ。 （もっと読む）

【課題】
優れた耐衝撃性、耐薬品性、ハイサイクル性、寸法安定性、流動性、金属調の高級感のある光沢・深み・色調の意匠性を兼備した直接金属蒸着層とハードコート層を有する成形品用ポリエステル樹脂組成物、及び該樹脂組成物からなる成形品を提供すること。
【解決手段】
表面に金属蒸着層とハードコート層をこの順に設ける樹脂製基体用ポリエステル樹脂組成物であって、該ポリエステル樹脂組成物が、ポリエステル樹脂（Ａ）１００重量部に対してポリカーボネート樹脂（Ｂ）５〜１００重量部と、熱可塑性エラストマー（Ｃ）０．５〜４０重量部を含有してなるポリエステル樹脂組成物、及びこれを成形してなる樹脂製基体。 （もっと読む）

【課題】本願は効率的にターゲットを消費することでターゲットの消費量を抑えることのできるマグネトロンスパッタリング装置及び薄膜形成物製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】プラズマによりターゲット１０をスパッタするマグネトロンスパッタリング装置は、プラズマを閉じこめるための磁場を形成する複数の磁石２０と、複数の磁石２０Ａ，２０Ｂを回転中心Ｐを中心にして回転させる回転機構２２とを有する。複数の磁石２０Ａ，２０Ｂはターゲット１０の表面近傍において閉じた曲線をまたぐように延在する磁場を形成するよう配列される。回転中心Ｐは閉じた曲線により囲まれた領域内にある。閉じた曲線は複数の凸部と複数の凹部を有し、凸部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なり、かつ凹部の各々と回転中心Ｐとの距離が互いに異なる （もっと読む）

【課題】設置スペースの縮小及び装置コストの低減を図ることのできる大気圧プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】対向配置された一対の電極（４０）と、一対の電極（４０）に接続された電源（５）と、被処理基材（Ｋ）を保持する保持手段（７，６３ａ）とを備え、一対の電極（４０）の少なくとも一方には、機能物質を含む含機能物質部材（４２）が着脱自在に設けられ、電源（５）は、一対の電極（４０）間の領域に大気圧雰囲気下でプラズマが励起し且つ含機能物質部材（４２）から機能物質がスパッタリングする電力を当該一対の電極（４０）に印加する構成とされ、保持手段（７，６３ａ）は、スパッタリングした機能物質が被処理基材（Ｋ）に到達する位置となるように被処理基材（Ｋ）を保持する構成とされたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマを用いる成膜装置および成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜できるようにする。
【解決手段】成膜ガスＧの導入と排気が可能な真空容器３１０と、真空容器３１０内に配置される、ターゲットＴを保持するターゲットホルダ１２と、ターゲットホルダ１２に対向して配置され、膜が形成される成膜用基板Ｂを保持する基板ホルダ１１と、ターゲットホルダ１２と成膜基板側との間にプラズマ空間Ｐを生成するプラズマ生成部１２、１３とを備えた成膜装置３００において、ターゲットホルダ１２の成膜基板側の外周を取囲み、成膜ガスＧが通過する間隙２０４を有するシールド層２５０aを、上下方向に複数間隔をおいて重なるようにターゲットＴと非接触状態で配置してなるシールド２５０を有する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜する膜の組成に応じた組成のターゲットと基板とを対向配置させ、スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法によりターゲットの構成元素を放出させて基板上にターゲットの構成元素からなる圧電膜を成膜する圧電膜の成膜方法において、成膜温度Ｔｓ（℃）と、基板−ターゲット間距離Ｄ（ｍｍ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦５００・・・（１）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦８０・・・（２）、
５００≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
３０≦Ｄ（ｍｍ）≦１００・・・（４） （もっと読む）

【課題】成膜時に、真空槽内の圧力や電極への投入電力を変化させる必要なく、基板上の有機薄膜等へのダメージを最小限に抑えつつ効率的な成膜を可能とする極めて実用性に秀れたスパッタリング装置の提供。
【解決手段】真空槽内に、ターゲットを有するターゲット電極部１と、このターゲット電極部１のターゲットと対向状態に配設される対向電極部２と、この電極部１・２間に基板３を相対的に搬送させる搬送機構４とを設け、この電極部１・２間に搬送される基板３にスパッタ膜を成膜するスパッタリング装置であって、前記ターゲット電極部１と前記搬送機構４により搬送される基板３との間隔が、基板搬送上流側から基板搬送下流側に向かって連続的若しくは段階的に小さくなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】高透過率で低抵抗率の透明導電膜を簡便な方法で製造できる透明導電膜の製造方法を提供するとともに、熱的に安定な状態で面抵抗を５００〜１０００Ω／□とした場合に可視光の吸収が少ない透明導電膜を提供する。また、該透明導電膜を用いたタッチパネルを提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなるターゲット３と基板１１とを対向配置し、酸素を含む不活性ガス雰囲気中でターゲット３と基板１１間に投入電力が８０００Ｗ／ｍ^２以上となる直流電圧を印加してスパッタリングすることにより基板１１上に酸化アルミニウムを含む酸化亜鉛からなる透明導電膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】β−ＦｅＳｉ_２半導体を、今後様々なデバイスへ用いる場合、光及び電気特性の
制御が必要となる。特に、キャリア濃度の低減と制御、及び光学バンドギャップの値の制
御などは必要不可欠である。
【解決手段】β−ＦｅＳｉ_２の薄膜の物理気相成長法又は化学気相成長法において、基板
温度を４００℃以上とし、成膜時の雰囲気に水素ガスを流入して成長する薄膜中に水素を
混入することによりβ−ＦｅＳｉ_２を水素化させ、水素化の度合いにより光学バンドギャ
ップの値及び比抵抗の値を制御した直接遷移型半導体を形成することを特徴とするβ−Ｆ
ｅＳｉ_２半導体薄膜の製造方法 （もっと読む）

【課題】 同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができ、形成される薄膜にピンホールなどの欠陥の発生がなく、多機能化により小型で且つ低コストな巻取式複合真空表面処理装置を提供する。
【解決手段】 略円筒状の真空容器１０内でキャンロール１２の回転に合わせて移動するフィルム１３に表面処理を施す装置であって、２つの表面処理手段がキャンロール１２に対向する側が１８０°より大きな角度で回転軸１６に固定された複数の表面処理手段対１５ａ、１５ｂ、１５ｃを備えている。表面処理手段対１５ａ、１５ｂ、１５ｃを回動して、各処理室Ａ、Ｂ、Ｃのフィルム処理位置に対向する表面処理手段を変えることにより、同一の装置で同時に複数の表面処理を実施することができる。 （もっと読む）

【課題】酸素又は窒素が化学量論比よりも少なく、かつ組成が正確に制御された金属酸化物又は金属窒化物よりなる導電性化合物薄膜及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。酸素流量の極大値Ａ及び極大値Ｂから、Ｃ＝Ａ−α（Ａ−Ｂ）を計算し（但し、αは０より大きく０．５以下の所定値。）、Ｓ字カーブ上における酸素流量値がＣであるときの発光強度値Ｐ、Ｑ（但し、Ｐ＜Ｘ＜Ｑ＜Ｙ。）をグラフから求める。発光強度がＰ以上Ｑ以下の範囲となるようにフィードバック制御を行いながら、成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 薄膜を緻密な構造にせしめる事による薄膜堆積速度の低下を最小限に抑え、かつ光学特性の経時変化を最小に抑える方法を提供することによって生産性を向上させることを目的とするものである。
【解決手段】 減圧雰囲気中の基板にターゲットのスパッタリング粒子を被着させて酸化物薄膜を成膜する工程を有し、前記減圧雰囲気中にアルゴンガスおよび酸素ガスを導入した条件で成膜した後、放電を停止あるいは条件を変更することなく、アルゴンガスと酸素ガスの他にさらに水分を添加して成膜を続行した後に完了する。 （もっと読む）