【課題】パターンマスクの除去効率を損なうことなく処理時間の短縮を図ることができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法は、磁性層１２を磁気分離するためのイオン注入工程に際して基板１１をレジストパターン１３の除去反応温度域にまで昇温させ、イオン注入後はその基板温度を利用してレジストパターン１３のアッシング処理を実施する。これにより、レジストパターンの除去効率を損なうことなく、レジストパターン除去のための処理時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｂＦｅＣｏ合金を磁化固定層として優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子１は、磁化固定層１１と中間層１２と磁化自由層１３とを積層して備えるスピン注入磁化反転素子であり、磁化固定層１１がＴｂ_x(Ｆｅ，Ｃｏ)_1-x（０．２０≦ｘ≦０．２５）の組成を有するＴｂＦｅＣｏ合金からなることを特徴とする。磁化固定層１１をこのような組成とすることで、飽和磁化を低く抑えて磁化自由層１３への磁界の漏れを減少させ、磁化自由層１３の正の磁化反転電流Ｉ₁と負の磁化反転電流Ｉ₀をほぼ同じ大きさとすることができる。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、高抵抗軟磁性膜（Ａ−Ｍ−Ｏ）を用いた磁性シートにおいて、従来に比べて適切に軟磁気特性の向上を図ることが可能な磁性シートを提供することを目的としている。
【解決手段】 樹脂シート５上に、Ｃｒ膜９と、Ａ−Ｍ−Ｏ（ただし元素ＡはＦｅまたはＣｏまたはその混合物を表し、元素Ｍは、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｙ、Ｓｉのうち少なくともいずれか一種を表す）から成る磁性膜６とが順に積層されている。磁性膜６は、元素ＭとＯの化合物を含むアモルファス相と、前記アモルファス相中に点在するＦｅまたはＣｏから選ばれる一種または二種を主体とした平均結晶粒径３０ｎｍ以下の微結晶相との膜構造で形成されている。 （もっと読む）

【課題】ノイズ特性、熱揺らぎ耐性に優れた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１上に、第１下地膜２、第１垂直磁性膜３、第２下地膜４、非磁性中間膜５、第２垂直磁性膜６、保護膜７が形成され、第１垂直磁性膜３の磁気異方性エネルギーが、第２垂直磁性膜６の磁気異方性エネルギーよりも高く設定されている。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の磁性粒子の配向性を改善し、かつ磁性粒子を微細化し、記録再生特性の良好な垂直磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性基板上に、軟磁性層、微細結晶構造を有し、ＰｄまたはＰｄ合金からなる第一の非磁性下地層、ＲｕまたはＲｕ合金からなる第二の非磁性下地層、及び垂直磁気記録層を積層する。また、前記第一の非磁性下地層が、第一の非磁性下地層が、Ｐｄ−Ｓｉ層であることを特徴とする。前記第一の非磁性下地層は、ガス圧０．５Ｐａ以下の雰囲気で蒸着される。 （もっと読む）