【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁性部と非磁性部との境界を磁気的に判別しやすく、磁性部の磁気特性劣化を防ぐことができる磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基板１０上に軟磁性層１１を形成する工程と、軟磁性層１１上に磁性材料からなる記録層１４’を形成する工程と、記録層１４’上にマスクパターン２０’を形成する工程と、マスクパターン２０’上から記録層１４’に対してイオン照射を行う工程とを含んでおり、イオン照射を行う工程においては、Ｎｅイオンより重いＸｅイオンを照射する。 （もっと読む）

【課題】良好な熱揺らぎ耐性を有すると共にＳＮ比を向上した垂直磁気記録媒体、その製造方法、およびその垂直磁気記録媒体を備える磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板上に形成された軟磁性裏打層１２と、第１の記録層１９、記録補助層２１、第２の記録層２２がこの順に堆積してなる記録層１８と、を備え、第１および第２の記録層１９，２２は、膜面に垂直な磁化容易軸を有する強磁性層であり、記録補助層２１は、膜面に略垂直で、非磁性部２１ｂにより互いに離隔された複数の磁性粒子からなり、該磁性粒子は膜面に対して斜め方向の磁化容易軸を有し、第１の記録層１９、記録補助層２１、および第２の記録層２２は隣接する層が互いに交換結合している。さらに、垂直磁気記録媒体１０は、第１の記録層１９と記録補助層２１との間、あるいは記録補助層２１と第２の記録層２２との間に交換結合力制御層２０を有してもよい。 （もっと読む）

【課題】高周波領域での透磁率をより効果的に向上させることが可能な薄膜磁気デバイス、を提供する。
【解決手段】磁性膜１４Ｂの積層面内の一方向（Ｘ軸方向）に延びるスリット１６を形成する。また、各スリット１６を、コイル１３の延在領域からその巻回方向に沿って分割された４つの領域（開口１５の上下左右に位置する４つの領域）のうちの互いに対向する一対の領域（ここでは、開口１５の上下に位置する２つの領域）にのみ形成する。磁性膜１４Ｂにおける応力が低減され、反磁場Ｈｄの影響による透磁率μの低下が抑えられる。よって、高周波領域でもある程度の透磁率が維持される。なお、積層面内の一方向に沿って、複数の帯状磁性膜が形成されているようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】 グラニュラー磁気記録層において強磁性結晶粒子の粒径を一定に保ったまま柱状に成長させる。
【解決手段】 グラニュラー磁気記録層において、非磁性粒界を少なくとも２種類の酸化物から構成し、強磁性結晶粒子を構成する強磁性元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値の内で最大のものをＧ_１とし、非磁性粒界を構成する元素の酸化における標準生成ギブズ自由エネルギーの絶対値が小さい順にＧ_２、Ｇ_３とした時に、Ｇ_１＜Ｇ_２＜Ｇ_３であり、かつ（Ｇ_２−Ｇ_１）＞（Ｇ_３−Ｇ_２）とすることを特徴とする。窒化物においても同様である。
Ｇ_３−Ｇ_２は２００ｋＪ／モル未満とし、非磁性粒界がＣｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｙ、ＣｅおよびＢの内の少なくとも２種類の元素の酸化物または窒化物とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 生成速度の向上と均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜の製造装置を提供する。
【解決手段】 フェライト形成面を下方向から横方向にの範囲に保持し、少なくとも第一鉄イオンを含む反応液および、少なくとも酸化剤、もしくは少なくとも酸素を含んだ酸化媒体を基体３に接触させる機構によって、固体表面以外で副次的に形成されたフェライトの微粒子を効率的に除去して生成速度を向上させ、均質な柱状結晶の集合体であるフェライト膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号処理回路の組み合わせの不要な磁気センサを提供する。
【解決手段】 数ＭＨｚ以上の高周波キャリア電流を高透磁率の磁性薄膜１０に流し、表皮効果が顕著に表れる条件のもと、前記磁性薄膜にかかる外部磁場の強さに応じてインピーダンスが変化することを利用する磁気−インピーダンスセンサである。前記高周波キャリア電流と外部磁場による前記磁性薄膜のインピーダンス変化量によって決定される温度変化量を検出する温度センシング手段として薄膜サーモパイル１１を備える。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗変化率が大きく、耐熱性の高い強磁性トンネル接合磁気センサを提供する。
【解決手段】 強磁性トンネル接合のトンネル絶縁膜を、厚さが１．７ｎｍ以下の非磁性金属の表面酸化により形成し、さらに２００〜３００°Ｃで加熱処理を行い、下側強磁性層表面の酸素を前記非磁性金属により吸収する。 （もっと読む）

【目的】 Ｃｏ−Ｐｔ人工格子膜あるいはＣｏ−Ｐｄ人工格子膜を記録層とする光磁気記録媒体の保磁力の向上を図るとともに、短波長域での良好なカー回転角を確保し、高密度記録に対応可能とする。
【構成】 記録層をＣｏ層とＰｔ層及び／又はＰｄ層が積層された人工格子膜と希土類−遷移金属膜の積層構造とする。これら人工格子膜と希土類−遷移金属膜とは、互いに交換結合される。希土類−遷移金属膜は、合金膜であってもよいし人工格子膜であってもよく、人工格子膜の場合には遷移金属層がＣｏ層と接するように積層する。 （もっと読む）