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国際特許分類[H01F10/32]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択 (25,313) | 磁性薄膜,例.1磁区構造のもの (1,431) | スピン変換連結の多層,例,極小構造の超格子 (341)

国際特許分類[H01F10/32]に分類される特許

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【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。そして記憶層は、Co−Fe−B磁性層と、少なくとも1つの非磁性層を有し、酸化物層、Co−Fe−B磁性層、非磁性層が順に積層された積層構造が形成されているようにする。 (もっと読む)


【課題】書き込みエラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる記憶素子及び記憶装置を提供する。
【解決手段】情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層14と、磁化の向きが固定された磁化固定層12と、上記記憶層14と上記磁化固定層12との間に配された非磁性体による中間層13と、垂直磁気異方性誘起層15とを含む層構造を有する記憶素子3を構成する。そして、上記記憶層14が、第1の強磁性層14aと第1の結合層14bと第2の強磁性層14cと第2の結合層14dと第3の強磁性層14eとが同順に積層されて、上記第1の強磁性層14aが上記中間層13に接し、上記第3の強磁性層14eが上記垂直磁気異方性誘起層15に接し、上記結合層14b,14dを介して隣接する上記強磁性層14a,14c,14eの磁化の向きが膜面に垂直な方向から傾斜している。 (もっと読む)


【課題】第1の磁性部分と、第2の磁性部分と、第1の磁性部分と第2の磁性部分の間の
バリア層とを有するセンサスタックを含む磁気センサを提供する。
【解決手段】第1の磁性部分及び第2の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第1の磁性層と、第2の磁性層と、第1の磁性層と第2の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。この磁気センサは、その抵抗−面積(RA)積が約1.0Ω・μmであるとき、少なくとも約80%のMR比を有する。 (もっと読む)


【課題】低駆動電流値で電流誘起磁化反転を行うことのできる強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層100と非磁性絶縁層110と磁化自由層120を有する強磁性トンネル接合素子10において、磁化自由層120は非磁性金属層221を挟んで強磁性層220、222を有し、2つの強磁性層220、222の磁化の方向が互いに平行である。2つの強磁性層の磁化の方向を互いに平行にすることにより、スピントランスファートルクが有効に働き、駆動電流を低減できる。 (もっと読む)


【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造310と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層318によって互いに分離させた第1の磁性層314および第2の磁性層316を含む。磁化固定層構造の第2の磁性層はCoFeBTaの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のBCC結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のBCC粒成長をさらに促進するためのかかるCoFeBTa層を含むこともできる。 (もっと読む)


【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第1の磁性体30と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第2の磁性体10と、磁性層10,30の間の非磁性体20とを、含む。第1及び第2の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン(B)及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層301を備え、磁性層301において、希土類金属の含有量は、20at.%以上であり、遷移金属の含有量は、30at.%以上であり、ボロンの含有量が、1at.%以上、50at.%以下である。 (もっと読む)


【課題】この発明のさまざまな実施例は、第1の強磁性自由層138と第2の強磁性自由層140との間に配置されたスペーサ層142とともに構築されてもよい、磁気応答積層132に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも1つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比(MR)を向上させる結合サブ層186,196を有することができる。 (もっと読む)


【課題】安定した情報の記録および再生を行なうことができる。
【解決手段】本実施形態に係る磁気媒体は、第1磁性層、第2磁性層、および非磁性層を含む。第1磁性層は、第1磁性体により形成され、磁化の方向に応じて前記情報が記録される。第2磁性層は、前記第1磁性体と磁気異方性が異なる第2磁性体により形成される。非磁性層は、前記第1磁性層と前記第2磁性層との間に積層され、非磁性体で形成される。前記第1磁性層の磁化と前記第2磁性層の磁化とは、前記非磁性層を介した磁気の交換作用により、互いの磁化が反対方向を向いて結合することを示す反平行結合する。 (もっと読む)


【課題】 熱マグノンによるスピントルク発振素子を提供する。
【解決手段】 「熱マグノンによる」スピントルク発振素子(STO)は、熱流のみを用いて、スピントルク(ST)効果を惹起しかつ自由層磁化の持続的な振動を発生させる。熱マグノンによるSTOは、従来型の自由層および基準層に加えて、さらに、固定された面内磁化を有する磁性酸化物層と、その磁性酸化物層の1つの表面上の強磁性金属層と、自由層および金属層間の非磁性導電層と、磁性酸化物層のもう一方の表面上の電気抵抗性ヒータとを含む。熱マグノン効果のために、金属層と伝導層と自由層とを通る磁性酸化物層からの熱流によって、最終的に、自由層に対するスピン移行トルク(STT)が生じる。熱流と反対方向に流れるセンス電流が、自由層磁化の振動周波数を監視するために用いられる。 (もっと読む)


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