【課題】 簡易な製造工程で作製可能であると共に薄い電極であってもレーザ溶接の直接の熱影響を回避でき、所望のサーミスタ特性が得られるサーミスタ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 チップ状のサーミスタ用金属酸化物焼結体２と、該サーミスタ用金属酸化物焼結体２の両端に形成された一対の端子電極３と、一対の端子電極３に接合された一対のリード線４とを備え、サーミスタ用金属酸化物焼結体２に絶縁体部５が接合されていると共に、一対の端子電極３が絶縁体部５上まで延在して形成され、リード線４が、端子電極３のうち絶縁体部５の直上部分でレーザ溶接されている。 （もっと読む）

【課題】表面実装可能な電気回路保護デバイスを提供する。
【解決手段】表面実装可能な電気回路保護デバイス（１０）は第１のポリマー正温度係数（ＰＰＴＣ）抵抗要素（１６）、第２のＰＰＴＣ抵抗要素（１８）、および第１および第２のＰＰＴＣ要素の間に熱的に接触して配置されたプレーナツェナーダイオードチップなどの少なくとも１つの発熱電気部品（２０）を規定する層を含み、これにより、閾値より大きい電流が部品に流れて部品を加熱し、この熱がＰＰＴＣ抵抗要素に伝導されて、第１または第２のＰＰＴＣ要素の少なくとも１つ、好ましくは双方が高抵抗状態にトリップするようになっている。エッジに形成された一連のターミナル電極（２２、２４、２６）により、第１および第２のＰＰＴＣ要素および電気部品をプリント回路基板などの電気回路基板に表面実装接続することが可能になる。また、このデバイスを製造する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】機械的耐久性に優れているセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】セラミック電子部品１は、複数の第１の補強層１７ａをさらに備えている。複数の第１の補強層１７ａは、第１の外層部１０Ｂにおいて、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されており、厚み方向Ｔに沿って積層されている。セラミック素体１０の複数の第１の補強層１７ａが設けられている領域１０Ｆにおける第１の補強層１７ａが占める体積割合は、有効部１０Ａにおける第１及び第２の内部電極１１，１２が占める体積割合よりも大きい。 （もっと読む）

【解決手段】正の温度係数の電気抵抗をもつ第１セラミック材料を含む第１領域（１０）と、第２セラミック材料を含む第２領域（２０）と、第３セラミック材料を含む第３領域（３０）とを有する成形体が提供される。また、当該成形体を備える加熱装置が提供される。更に、成形体の製造方法が提供される。 （もっと読む）

表面実装部品（１００）の製造方法は、Ｂ段階の上層（３００）と下層（３１５）と、開口部を有するＣ段階の中間層（３１０）とを含む複数の層を準備する工程を含む。コア部品（３０５）は、開口部に挿入され、それから、上層および下層は、それぞれ中間層の上下に配置される。これらの層はＣ段階になるまで硬化される。コア部品は、約０．４ｃｍ^３・ｍｍ／ｍ^２・ａｔｍ・ｄａｙよりも小さい酸素透過率を有する酸素遮蔽材料により実質的に囲まれる。
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【課題】正特性サーミスタ素子の形状を複雑にすることなく、正特性サーミスタ素子を容易かつ安全に固定できるとともに、組立時の生産性を向上させることができる正特性サーミスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子面のうち、互いに対向する一部の素子面に電極が形成された正特性サーミスタ素子２の側面（非電極面）に、シリコン樹脂３をモールド加工して付着（第１ステップ）させた後、シリコン樹脂３が付着した正特性サーミスタ素子２を枠体５に形成された貫通穴５ａに収容する（第２ステップ）。 （もっと読む）

【課題】樹脂含浸処理による下地電極の表面への樹脂の残留を抑制することができ、下地電極への電気的接続信頼性を向上させることができる積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の積層セラミック電子部品は、樹脂含浸処理が施される積層セラミック電子部品であって、主としてセラミックスからなる素体２と、素体２上に形成された下地電極７とを有し、下地電極表面のＲａが６μｍ以下に規定されているものである。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、静電気放電パルスに対する電気部品の安定性を向上させる方法に関する。準備した電気部品は、パルス発生器から発生するエージングパルスにより予めエージングされる。電気部品の動作中に発生した静電気放電パルスによるその電気部品の電気特性曲線の劣化は、上記のようにして、その電気部品を予めエージングすることによって低減される。 （もっと読む）

【課題】成膜後の熱処理条件に依存することなく、一部の結晶粒のみの巨大化、および感温抵抗体の表面粗さの増大を抑制しつつも、結晶粒の平均粒径を増加させることで、高感度化を達成し得る薄膜センサを提供すること。
【解決手段】絶縁基板と、該絶縁基板上に積層された白金族金属の結晶からなる感温抵抗体とを有し、前記感温抵抗体の層の面垂直方向（ＮＤ方向）に対して１０°以内に配向している前記結晶の（１１１）面の割合が、９９％以上であることを特徴とする薄膜センサ。 （もっと読む）

【課題】 素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】 このＰＴＣ素子１は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体１０と、素体１０を挟んで熱圧着される一対の端子電極１２，１４と、端子電極１２，１４に接続される接続端子１６，１８とを備え、一対の端子電極１２，１４それぞれの素体１０を挟む面１２１，１４１には、大径部と当該大径部よりも根元側には小径部とを有するアンカー突起１２１ａ、１４１ａが形成されており、面１２２，１４２はアンカー突起が形成されていない実質的な平滑面であり、一対の端子電極１２，１４それぞれの面１２２，１４２に接続端子１６，１８がレーザ溶接によって接続されている。 （もっと読む）

【課題】 端子電極における接続不良の発生を抑制することのできるＰＴＣ素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＰＴＣ素子の製造方法は、端子電極１２，１４の粗面側の一部が互いに対向する対向領域１２１，１４１に挟まれる位置に素体素材Ｍを配置して、端子電極１２，１４と素体素材Ｍとを圧着する工程と、延出部材Ｍ１からその延出部分Ｍ１と接合している端子電極１４の内部に至るまで切断部材４０の先端を導入することで、延出部分Ｍ１を切断する工程と、切断部材４０の先端が端子電極１４の内部に導入されている状態で、切断部材４０を延出部分Ｍ１側で且つ端子電極１４の延在方向に、少なくとも延出部分Ｍ１の端部Ｍ１ａまで移動させて、切欠き部１２ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 素体から延出するリード端子を他の端子に接合する際の接合強度を向上させることが可能なＰＴＣ素子を提供すること。
【解決手段】 このＰＴＣ素子１は、結晶性高分子に導電性フィラーを分散させてなる素体１０と、素体１０を挟んで熱圧着される一対の端子電極１２，１４とを備え、一対の端子電極１２，１４はそれぞれ、素体１０と重なる重複領域１２１，１４１と、素体１０と重ならない非重複領域１２２，１４２とを有し、一対の端子電極１２，１４それぞれの重複領域１２１，１４１には、大径部１６１と当該大径部１６１よりも根元側には小径部１６２とを有するアンカー突起１６，２０が形成されており、一対の端子電極１２，１４それぞれの非重複領域１２２，１４２においては、アンカー突起１６が押しつぶされて平坦化されている。 （もっと読む）

【課題】 電気耐圧不良の発生を抑制できるＰＴＣ素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 この製造方法は、一対の端子電極と素体とを備えるＰＴＣ素子の製造方法であって、一対の端子電極を、その一部が対向するように配置する電極配置工程Ｓ０１と、一対の端子電極が互いに重なり合う領域に挟まれる位置に、その外周が上記領域の外周と同じか又は大きい素体を配する素体配置工程Ｓ０２と、一対の端子電極を素体に向けて加圧し、加熱して一対の端子電極と素体とを接続する端子接続工程Ｓ０３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 焼成処理後に、スパッタ膜の中央領域にクラックや剥離が生じることを抑制した薄膜サーミスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ_２層３が形成されたシリコン基板２の中央領域に対して引張応力を付与した状態でＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４あるいはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系複合金属酸化物膜をスパッタ成膜し、前記引張応力を開放した後に焼成する。 （もっと読む）

本発明は、カシメ、ハンダ付けによる接続法の問題点を回避できる、ポリマーＰＴＣ素子と金属リード要素との間の新たな電気的接続法を提供する。このため本発明は、（Ａ）（ｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素（１２）及び（ｉｉ）層状ポリマーＰＴＣ要素（１２）の主表面上に配置された金属箔電極（１４）を有するＰＴＣ素子（１０）、並びに（Ｂ）金属箔電極に電気的に接続された金属リード要素（２０）を有して成る接続構造体をレーザー溶接を用いて製造する方法であって、金属箔電極（１４）は、少なくとも二つの金属層から形成され、層状ポリマーＰＴＣ要素（１２）から最も離れて位置する金属箔電極の金属層（第一層：レーザー光吸収率（ｂ％））（１８）と層状ポリマーＰＴＣ要素（１２）との間に、金属箔電極（１４）の金属層の中でレーザー光吸収率が最も小さい金属層（第Ｘ層：レーザー光吸収率（ａ％）、ｂ＞ａ）（１６）が存在する方法を提供する。
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