【課題】半田接合部がヒートショックで損傷する可能性の低いチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器１の裏面電極３は、セラミック基板２の裏面に固着された焼成銀からなる第１電極層３ａと、第１電極層３ａの中央部を横断する領域に積層された焼成銀からなる第２電極層３ｂとで構成されており、第２電極層３ｂの側面から第１電極層３ａの表面へ至る段差１２が形成され、メッキ層（ニッケルメッキ層９および半田メッキ層１０）の裏面電極３を覆う部分には段差１２と対応する段差１３が形成されている。したがって、このチップ抵抗器１が回路基板３０上に実装されると、裏面電極３とランド３１との間に介設される半田接合部（半田３２）の厚みが段差１３部分で増大し、第１および第２電極層３ａ，３ｂの境界部分に熱応力が集中する虞もないため、半田接合部がヒートショックで損傷する可能性は低いものとなる。 （もっと読む）

【課題】小型で耐サージ特性に優れ、また放熱性に優れ、同じチップ面積でより大きな定格電力を持つチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】絶縁基板３０に形成した一対の電極３６間を絶縁基板３０の表面又は裏面に形成した蛇行する抵抗体３５で接続したチップ抵抗器であって、絶縁基板３０の表面又は裏面に形成された蛇行する溝状凹部に、絶縁基板３０の表面又は裏面と略同じ高さまで前記抵抗体３５を埋設する。 （もっと読む）

【課題】厚膜抵抗体組成物の導電成分として、ガラス結合剤に対して配合比を高めても、焼成膜の構造が強固で、静電気やサージ電流が負荷されても抵抗値変化が小さい板状酸化ルテニウム粉末とその製造方法、それを用いた厚膜抵抗組成物を提供する。
【解決手段】ルテニウム化合物とバリウム化合物の混合物を、酸化雰囲気かつ４００℃以上の温度で熱処理してルテニウムとバリウムの板状複合酸化物を合成する工程、次に、得られた板状複合酸化物に酸化ホウ素もしくはホウ酸を混合した後、５００℃以上の温度で熱処理を行って板状複合酸化物を板状の酸化ルテニウム粉末と酸化ホウ素と酸化バリウムの溶融物中に生成させる工程、得られた溶融物に溶剤を添加し、酸化ホウ素と酸化バリウムを溶解して板状酸化ルテニウム粉末を回収する工程からなることを特徴とする板状酸化ルテニウム粉末の製造方法などにより提供。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気抵抗率が低く、ＴＣＲ特性に優れ、貴金属を含有していない導電性材料及びそれを含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｌａ_４ＢａＣｕ_５Ｏ_１３で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をＰｒで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、Ｌａ_４-ＸＰｒ_ＸＢａＣｕ_５Ｏ_１３（０．０５≦Ｘ≦０．６０）で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。
また、Ｌａ_４ＢａＣｕ_５Ｏ_１３で表わされるペロブスカイト酸化物の一部をＣｏで置換することにより電気抵抗率を低減した導電性材料であって、ＬａＢａＣｕ_５-ＹＣｏ_ＹＯ_１３（０．０５≦Ｙ≦０．３５）で表されることを特徴とする導電性材料及び該導電材料を含有する抵抗体ペースト、抵抗体、薄膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】チップ抵抗器において、耐サージ性をより良好とすることができ、これにより、高電力化が可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視で略長方形状の絶縁基板（基板）１０と、基板１０の上面における互いに対向する長辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極３０、３２と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体２０とを有し、少なくとも一方の上面電極において、絶縁基板１０の長辺に沿った方向の幅が基板の長辺の長さよりも短く形成されるとともに、短辺側に偏って形成され、抵抗体２０においては、基板１０の短辺側に形成された折り返し部分と、基板１０の長辺側に形成された折り返し部分とを有し、２つの折り返し部分は直列に接続され、基板１０の長辺側に形成された折り返し部分は、上面電極３０が形成された長辺における上面電極が形成されていない部分と対向している。 （もっと読む）

【課題】部品内蔵型プリント基板に実装するチップ抵抗器であって、レーザーによりビアホールを形成する際に、抵抗体や保護膜が損傷するおそれがなく、また、レーザーを照射する際に極端に正確な位置精度が要求されないチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】一対の電極部３０における一方の下面側の部分である下面側電極部３１ａ他方の下面側の部分である下面側電極部３１ｂとが、略同一の大きさを有するとともに、互いに略同一形状（又は略点対称の形状）を有し、下面側電極部３１ａの面積である第１面積と、下面側電極部３１ｂの面積である第２面積と、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の領域の面積である第３面積との合計面積における第１面積と第２面積の合計の割合が７５〜９０％であり、下面側電極部３１ａと下面側電極部３１ｂ間の間隔が６０μｍ以上となっている。 （もっと読む）

【課題】抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１における抵抗体２０は、第１抵抗膜２２の上面に、第１抵抗膜２２よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜２４を形成することにより、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を有し、抵抗体２０には略Ｌ字状のトリミング溝３０、３２が形成されている。各トリミング溝３０、３２は、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部ｈ１、ｈ２から該電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成され、さらに、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、安定した実装が行える抵抗器を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、絶縁性を有する基体１と、この基体１の表面に設けられた導電性皮膜２とを備え、前記基体１の形状を両端部３が円柱状、中央部４が平面部を有する角柱状となるように構成するとともに、前記中央部４の平面部を実装吸着面と平行にし、かつ前記基体１の両端部３のみに螺旋状の溝５または切欠部を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】広範囲な領域において、電気的比抵抗値の制御を容易にし、使用温度区間内において、温度による電気的抵抗値の変化が一定範囲内で最小化できるように低い温度抵抗係数(TCR)を有しながら、長時間に渡って反復的に使用しても電気的特性を含めて、化学的及び機械的特性が安定的に維持されることにより、信頼性確保と共により長い寿命を有することを特徴とする発熱抵抗器の新しい材料物質を提供する。
【解決手段】本発明は、電気的伝導性を有する伝導性酸化物と絶縁性又は非伝導性を有する非伝導性酸化物を混合して構成されることを特徴とする発熱抵抗器に関する。
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【課題】 シート状抵抗部品の製造方法において、安定した抵抗値が得られ、また少ない工程数で製造し、さらにはクロム酸を使用せず環境負担の低減を図ること。
【解決手段】 樹脂フィルム１上にＣｒ系の抵抗薄膜２及びＣｕ電極がこの順に積層形成された銅張り抵抗フィルムのＣｕ電極をアルカリエッチングによりパターンエッチングしてＣｒ系の抵抗薄膜２を一部露出させる工程と、露出したＣｒ系の抵抗薄膜２の表面を酸洗する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】銅箔で構成され、いろいろに異なる抵抗値を有する抵抗箔を提供する。
【解決手段】５Åと７０Åの間の厚さの中間層１８を銅層１２の第一の面に配置する。５０Åと２μｍの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層１４を中間層１８上に配置して、さらに５０Åと２μｍの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層１６を第一抵抗金属である第一の層１４上に配置する。第一抵抗金属１４と第二抵抗金属１６とは抵抗値が異なる。 （もっと読む）

【課題】 横向きの姿勢で実装されても半田接続強度が確保しやすく、かつ、実装過程で位置決め用治具の収納凹所からはみ出す虞がなく、しかも、小型化の促進を妨げず外観も良好なチップ抵抗器およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 チップ抵抗器１０を製造する際に、大判基板２０の表面２０ａに表面電極１２と抵抗体１３とを形成し、かつ、大判基板２０の裏面２０ｂに裏面電極１６を形成するが、この裏面電極形成時に、二次分割溝２２として裏面２０ｂに存するＶ字溝の傾斜面に裏面電極１６を延在させ、この延在部を側面電極１６ａとなす。そして、大判基板２０を一次分割溝２１に沿って短冊状に分割し、その分割面にスパッタリングによって端面電極１７を形成した後、短冊状基板２４を二次分割溝２２に沿って分割してメッキ処理することにより、ほぼ正四角柱状で各側面に電極を露出させたチップ抵抗器１０が得られる。 （もっと読む）

【課題】
発熱効果が高く、高温で安全に使用でき、製作コストの低い半導体電熱膜の製造方法の提供。
【解決手段】
上記の半導体電熱膜の製造の下記のステップで完成した。(1)塩化物及び硅化物を主体材料とし、金属化合物を混合し、溶剤を加えて原料とする。(2)調合剤として少量の無機酸を加え、主体材料を酸化、または還元させる。(3)基板を超音波と純水で洗浄し、高温炉に入れて徐々に加熱し、双態点温度に達したとき、ノズルから高温の調合された燒着原料の荷電粒子を基板に噴射燒着する。 （もっと読む）

【課題】 焼成処理後に、スパッタ膜の中央領域にクラックや剥離が生じることを抑制した薄膜サーミスタの製造方法を提供すること。
【解決手段】 表面にＳｉＯ_２層３が形成されたシリコン基板２の中央領域に対して引張応力を付与した状態でＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４あるいはＭｎ_３Ｏ_４−Ｃｏ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３系複合金属酸化物膜をスパッタ成膜し、前記引張応力を開放した後に焼成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】薄膜抵抗器および製造方法は、薄膜導体材料層（２０）と電流密度増強層（ＣＤＥＬ）とを含む。ＣＤＥＬは、薄膜導体材料層（２０）に付着するように適合された絶縁材料であり、このＣＤＥＬは、前記薄膜抵抗器が、小さな抵抗シフトで、より高い電流密度を伝達することを可能にする。一実施形態では、薄膜抵抗器が、薄膜導体材料層（２０）の片面（上面または下面）に形成された単一のＣＤＥＬ層（５０）を含む。第２の実施形態では、薄膜導体材料層（２０）の両面（上面および下面）に２つのＣＤＥＬ層が形成される。薄膜抵抗器は、ＢＥＯＬプロセスとＦＥＯＬプロセスの両方のプロセスの一部として製造することができる。 （もっと読む）