多層素子は、少なくとも１つの第１内部電極１及び少なくとも１つの第２内部電極２が配置された本体５を有する。これらの内部電極１、２は、少なくとも１つの側面において、本体５の表面まで広がる重複領域１２を有する。さらに、内部電極１、２は本体の角領域５に凹部７を有する。 （もっと読む）

【課題】低抵抗化を図りつつ酸化処理後のＰＴＣ特性が向上された積層型ＰＴＣサーミスタを提供する。
【解決手段】積層型サーミスタ１の半導体セラミック層２を、（Ｂａ_{１−ｗ−ｘ}Ｓｒ_ｗＲＥ_ｘ）_α（Ｔｉ_１−ｙＴＭ_ｙ）Ｏ_３＋βＳｉＯ_２＋ｚＭｎＯで示される化合物を含む空隙率が５〜２５％の焼結体から構成し、ＲＥは、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅｒからなる群から選択される少なくとも１種の元素、ＴＭは、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａからなる群から選択される少なくとも１種の元素であり、ｗ、ｘ、ｙ、ｚ、β（いずれもｍｏｌ）及びα（Ｂａサイト／Ｔｉサイトのｍｏｌ比）は以下を満足する。
０≦ｗ≦０．３
０．００１≦ｘ＋ｙ≦０．００５
０．２≦ｙ／（ｘ＋ｙ）≦０．８
０≦ｚ≦０．００１５
１．０２≦α≦１．１では、２．３５α−２．３９＜β＜２．３５α−２．３２
０．９９≦α＜１．０２では、０≦β＜２．３５α−２．３２ （もっと読む）

【課題】 熱を効率よく放散させることが可能なバリスタ素子を提供すること。
【解決手段】 積層型チップバリスタＶ１は、バリスタ素体１０と、第１及び第２の内部電極１２，１４と、熱伝導体１６と、絶縁膜１７と、第１及び第２の外部電極１８，２０とを備える。バリスタ素体１０は、第１及び第２の外表面２２，２４を有する。第１及び第２の内部電極１２，１４は、少なくともその一部同士が互いに対向すると共に一端面１２ａ，１４ａが第１の外表面２２に露出している。熱伝導体１６は、その一端面１６ａが第１の外表面２２に露出している。絶縁膜１７は、第１及び第２の内部電極１２，１４の一端面１２ａ，１４ａの所定領域及び熱伝導体１６の一端面１６ａを覆うように第１の外表面２２上に配置されている。第１の外部電極は第１の内部電極１２に接続され、第２の外部電極は第２の内部電極１４に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 抵抗温度係数などの優れた特性を有し、抵抗体を形成するペーストと同時に焼成することができ、且つ鉛とビスマスを含まないサーミスタ形成用抵抗ペーストを提供する。
【解決手段】 導電性粒子とガラスフリットと有機ビヒクルとで実質的に構成され、導電性粒子がＹ_２Ｒｕ_２Ｏ_７、Ｎｄ_２Ｒｕ_２Ｏ_７、Ｓｍ_２Ｒｕ_２Ｏ_７、又はＧｄ_２Ｒｕ_２Ｏ_７であり、且つガラスフリットがホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどの鉛及びビスマスを含まないガラスフリットである。 （もっと読む）

【課題】外部電極をメッキレスとした場合であっても、実装時のハンダ食われを抑止できる。
【解決手段】積層型チップバリスタ１では、外部電極５１にＡｇを含有させることにより、外部電極５１の低抵抗化及び低融点化が図られている。また、外部電極５１の主成分をＰｔとすることにより、外部電極５１にＮｉやＳｎなどのメッキ層を形成しなくても、ハンダバンプ５３によるハンダ食われを好適に抑止できる。外部電極５１にメッキ層を形成しないことは、積層型チップバリスタ１の製造時における工程数の削減を実現し、製造コストの低減化にも寄与する。さらに、内部電極対２１の主成分をＰｄとすることで、内部電極対２１と外部電極５１との良好なコンタクトが得られ、高周波に対する積層型チップバリスタ１のＥＳＲ特性が向上すると共に、個体ごとのＥＳＲばらつきも低減される。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐量を良好に維持しつつ、低静電容量化を図ることが可能な積層型チップバリスタを提供すること。
【解決手段】積層型チップバリスタ１の積層体３は、バリスタ部７と、当該バリスタ部７を挟むように配置される一対の外層部９とを有する。バリスタ部７は、バリスタ特性を発現するバリスタ層１１と、当該バリスタ層１１を挟むように配置される一対の内部電極１３とを含む。内部電極１３は、外部電極５に電気的に接続される。バリスタ層１１における一対の内部電極１３に重なる領域は、バリスタ特性を発現させるための希土類金属及びＣｏを含む複数の添加物を副成分として含有する第１の素体からなる領域を有する。外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共に、Ｃｏを含まず且つ前記複数の添加物のうちＣｏを除くすべての添加物のみを副成分として含有する第２の素体からなる領域を有する。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を形成することなく、めっき液によるセラミック素体の侵食を防ぐことができ、セラミック素体の素体強度が高く、優れた信頼性を有する表面実装型負特性サーミスタを提供する。
【課題を解決するための手段】Ｍｎ，Ｎｉ及びＴｉを含む半導体セラミック材料からなるセラミック素体と、セラミック素体の表面に形成される外部電極と、外部電極の表面に形成されるめっき膜と、を具備する表面実装型負特性サーミスタにおいて、半導体セラミック材料に含まれるＭｎのモル量をａ、及びＮｉのモル量をｂとしたとき、ＭｎとＮｉとのモル比が５５／４５≦ａ／ｂ≦９０／１０であり、かつ、半導体セラミック材料のうちＭｎ及びＮｉの総モル量を１００モル部としたとき、Ｔｉが０．５モル部以上２５モル部以下の範囲で含有され、セラミック素体の内部に少なくともＡｇを含む内部電極が埋設されるとともに、内部電極は、外部電極と導通してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、簡単な構成により静電気対策部品の一対の端面電極の導通を確認でき、一対の裏面電極と一対の上面電極の電気的接続を保証することができる静電気対策部品の端面電極の導通確認方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の静電気対策部品の端面電極の導通確認方法は、第１の上面プローブ３１を一方の上面電極２２に、第２の上面プローブ３２を他方の上面電極２３に、第１の裏面プローブ３３を一方の裏面電極２７に、第２の裏面プローブ３４を他方の裏面電極２８にそれぞれ接触させ、さらに前記第１の裏面プローブ３３と第２の裏面プローブ３４との間を電気的に接続するように電流経路３５を形成し、かつ前記第１の上面プローブ３１と第２の上面プローブ３２との間に電源装置３６を接続したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、隣接する信号端子間でのクロストークの影響が少なく、信頼性に優れている複数回路用多端子タイプの静電気対策部品を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の静電気対策部品は、絶縁基板１１の上面の長辺側両端部に形成された複数の上面電極１７と、絶縁基板１１の上面の短辺側両端部から中央部にかけて形成された上面グランド電極１６と、複数の上面電極１７と上面グランド電極１６との間に形成されたギャップと、このギャップを充填する過電圧保護材料層２０と、この過電圧保護材料層２０を完全に覆う上面保護樹脂層２１とを備え、前記過電圧保護材料層２０を複数の上面電極１７毎に独立するように形成したものである。 （もっと読む）

【課題】電流−電圧非直線特性、寿命特性およびサージエネルギー耐量に優れると共に、高温下での熱安定性を向上させた、過電圧保護装置の小型化に寄与可能な電圧非直線抵抗体を提供する。
【解決手段】主成分としてＺｎＯを９５ｍｏｌ％以上含んだ焼結体１は、副成分としてＢｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉを、それぞれＢｉ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｃｏ_２Ｏ_３、ＭｎＯおよびＮｉＯに換算して、Ｂｉ_２Ｏ_３を０．３〜１ｍｏｌ％、Ｓｂ_２Ｏ_３を０．５〜２．５ｍｏｌ％、Ｃｏ_２Ｏ_３を０．３〜１．５ｍｏｌ％、ＭｎＯを０．２〜２ｍｏｌ％、ＮｉＯを０．５〜３ｍｏｌ％含んでいる。また、ＭｎＯに対するＮｉＯの含有量の比は２．０〜６．０、ＭｎＯに対するＳｂ_２Ｏ_３の含有量の比は１．５〜４．０である。 （もっと読む）

本体（２）を備える電気コンポーネントにおいて、前記本体の表面は少なくとも１つの第１の導電性の材料層（３）を備えており、前記第１の材料層は前記本体と反対を向いているほうの表面で第２の導電性の材料層（４）によりコーティングされており、前記材料層は閉じた多孔性の外側の表面を有する外側接触部（６，６’）の少なくとも一部を形成している。
（もっと読む）

【課題】リニア温度幅が広く、かつ消費電流が小さいサーミスタを提供。
【解決手段】絶縁性の基体１１と、この基体１１の表面に設けられた少なくとも一対の電極１２ａ１，１２ａ２と、この基体１１の表面に形成され電極に接続されたサーミスタ膜１３とを有し、サーミスタ膜はＢ定数が１５００Ｋ以上２２００Ｋ以下のサーミスタ組成物からなり、サーミスタ膜にはトリミングが施されてトリミング溝１４が形成されているものである。従って、リニア温度幅が７０℃以上と広く、かつ消費電流が１００μＡより小さい省電力仕様の温度制御回路に用いることが可能なサーミスタを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】焼結体の融着防止材として使用するジルコニア粉末が、成形体に付着した後、その自重で成形体から離脱することを防止し、焼成後の焼結体同士の融着発生を抑えて外観不良をなくし、製品歩留を向上できるサーミスタ素子の焼成方法を提供する。
【解決手段】サーミスタ素子の焼成工程において、上記サーミスタ素子にジルコニア粉末とアルキルアセタール化ポリビニルアルコールを主成分とする粉末との混合物を散布して焼成することを特徴とし、上記の混合物がジルコニア粉末８０．０〜９９．０ｗｔ％と、アルキルアセタール化ポリビニルアルコール１．０〜２０．０ｗｔ％からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メッキ液及び半田フラックスに基づくセラミック素体の劣化が生じた。
【解決手段】 Ｐｄ内部電極２、３を有する積層セラミック素体１を形成する。セラミック素体１の全外周面にＡｌｘＯｙから成る保護膜を形成する。Ａｇペ−ストの塗布、焼付けによって外部電極用の導電体層１４、１５を形成する。Ａｇペ−ストの焼付けによってＰｄ内部電極２、３の体積膨張が生じ、内部電極２、３が保護膜６を破って外部電極４、５に電気的に接続される。保護膜６は外部電極４、５の下に残存する。保護膜６の上にシリコ−ン樹脂層７を設ける。Ａｇ導体層１４、１５の上にはＮｉメッキ層１６、１７及びＳｎメッキ層１８、１９を順次に形成する。 （もっと読む）

【課題】薄いシートを複数層積層した構造の酸化亜鉛積層チップバリスタにおいて、制限電圧特性とインパルス耐量特性が共に優れた酸化亜鉛積層チップバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛(ZnO)100mol%と、酸化ビスマス(Bi₂O₃)を0.1〜1.5mol%と、酸化アンチモン(Sb₂O₃)を0.01〜2.0mol%と、酸化コバルト(CoO)および酸化マンガン(MnO₂)の内一種類以上を0.1〜1.5mol%と、酸化クロム(Cr₂O₃)を0.01〜2mol%と、ホウ酸(H₃BO₃)を0.01〜2mol%と、酸化アルミニウム(Al₂O₃)濃度が10〜1000ppmになるように、原料を準備し、この原料のうち、酸化ビスマス(Bi₂O₃)および酸化アンチモン(Sb₂O₃)の全量と、酸化亜鉛(ZnO)0.1〜1.0mol%を含む仮焼原料に700〜1000℃の温度範囲で熱処理を行い、該仮焼原料とその他の原料とを加えてグリーンシートを形成し、該グリーンシートを積層し、切断してグリーンチップを形成後、焼成する。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂを使用することなく、常温比抵抗値が低く、正の温度係数や温度に対する比抵抗変化率が大きく、かつ、キュリー点が高温側にシフトしたＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物及び当該ＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物を得ることができるＰＴＣサーミスタ用配合材料を提供する。
【解決手段】ＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物を、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｏの各元素を必須元素として含むとともに、１価のアルカリ金属を一種類以上含むものとする。そして、Ｂｉに対する１価のアルカリ金属のモル比Ｘ_２が０．６５≦Ｘ_２≦１．５９であり、Ｎｂの含有量が４８０ｐｐｍ以下であり、Ｓｂ、Ｔａ、各希土類元素の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を形成することなく、めっき液によるセラミック素体の侵食を防ぐことができ、セラミック素体の素体強度が高く、優れた信頼性を有する表面実装型負特性サーミスタを提供する。
【課題を解決するための手段】Ｍｎ，Ｎｉ及びＴｉの少なくともいずれかを含む半導体セラミック材料からなるセラミック素体４と、前記セラミック素体４の表面に形成される外部電極５と、前記外部電極５の表面に形成されるめっき膜６と、を具備する表面実装型負特性サーミスタ１であって、前記半導体セラミック材料に含まれるＭｎのモル量をａ、Ｎｉのモル量をｂとしたとき、ＭｎとＮｉとのモル比が５５／４５≦ａ／ｂ≦９０／１０であり、かつ、前記半導体セラミック材料のうちＭｎ及びＮｉの総モル量を１００モル部としたとき、Ｔｉが０．５モル部以上２５．０モル部以下の範囲で含有されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】過渡電圧抑制デバイスがより低いコストで且つより信頼性の高い生産で提供するという課題があった。
【解決手段】組込過渡電圧保護を有する回路基板。 （もっと読む）

【課題】熱を効率よく放散することが可能なバリスタ及び発光装置を提供すること。
【解決手段】バリスタ素体１２における第１の主面１２ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２を貫通する貫通孔１９が形成されている。バッファ部２１は、第１の主面２１ａと第２の主面２１ｂとを有しており、第１の主面２１ａがバリスタ素体１２の第２の主面１２ｂと接するように配置されている。バッファ部２１における第１の主面２１ａの中央領域に相当する部分には、バリスタ素体１２に形成された貫通孔１９に連続して、バッファ部２１を貫通する貫通孔２３が形成されている。基体部３１は、第１の主面３１ａと第２の主面３１ｂとを有している。基体部３１は、バリスタ素体１２よりも熱伝導率及び光反射率が高い材料からなり、第１の主面３１ａがバッファ部２１の第２の主面２１ｂと接するように配置されている。 （もっと読む）

ＰＴＣ特性を有するセラミック体抵抗素子（１）が提案される。セラミック体（１）の少なくとも１主面には窪み（２１，２２）が配置されている。
（もっと読む）