本発明は、半導体材料、材料の製造方法、材料の実装方法に関する。その材料は、Ｃｕ又はＣｕＯがドーピングされて、−５５℃〜１２５℃の範囲における少なくとも１つの温度において強磁性を示す。典型的には、その材料は、ＧａＰ又はＧａＮを含む。
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【課題】平滑度のよいグラニュラ構造の磁性膜を備え、磁気ヘッドとの摩擦が小さく耐久性に優れた磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に下地膜２を形成し、その下地膜２上に、強磁性材料と電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料との混合物からなるターゲットを用いたスパッタリング法で、あるいは、強磁性材料からなるターゲットと電気抵抗が１０⁶ Ωｃｍ以下の非磁性材料からなるターゲットを用いた二元スパッタリング法で、グラニュラ構造の磁性膜３を成膜し、その上に保護膜４を成膜して磁気記録媒体とする。 （もっと読む）