【課題】本発明は、磁気トンネル接合デバイスおよびその製造方法に関する。
【解決手段】磁気トンネル接合デバイスは、ｉ）（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第１磁性層と、ｉｉ）第１磁性層の上に位置する絶縁層と、ｉｉｉ）絶縁層の上に位置し、（Ａ_{１００−ｘ}Ｂ_ｘ）_{１００−ｙ}Ｃ_ｙの化学式を有する化合物を含む第２磁性層とを含む。第１磁性層および第２磁性層は垂直磁気異方性を有し、Ａおよび前記Ｂはそれぞれ金属元素であり、ＣはＢ（ホウ素）、Ｃ（炭素）、Ｔａ（タンタル）、およびＨｆ（ハフニウム）からなる群より選択された一つ以上の非晶質化元素である。 （もっと読む）

本発明は、強磁性体からなる上層（２）の磁化の方向を変更させる方法を提供するものであり、ａ）上層（２）は、上層（２）と磁気結合していない下層（３）の上に配置され、下層（３）は、下層（３）の物質の温度がしきい値より高いか低いかにより、上層（２）の磁化方向の変更に適した放射磁界を発生させるか、または発生させないことに適している物質から成り、下層（３）の物質による放射磁界は、上層（２）の強磁性物質の保磁場より強力であり、本方法は、ｂ）下層（３）の温度を、上層（２）と下層（３）の磁化方向が安定した相互配置であり下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない一番目の値から、下層（３）の物質が、不可逆な方法において、上層（２）の磁化方向を変化させるのに適した放射磁界を生じさせる二番目の値へ進むステップ、及びｃ）下層（３）の温度を、二番目の値から、下層（３）の物質が放射磁界を生じさせない三番目の値へ進むステップ、からなり、温度の変更ステップであるｂ）とｃ）は外部からの磁場を加えることなしに実施されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２０ｋＯｅ以上の保磁力を持つ磁気媒体を提供する。
【解決手段】高配向磁性薄膜が、Ｌ１₀構造を有する島状微結晶が相互に不連続に並置されてなることを特徴とする構成を採用した。基板温度を上昇させて原子拡散の活発な温度領域で基板上に合金薄膜をスパッタ成膜することによって、２０ｋＯｅ以上の保持力を持つ磁気媒体を提供。電子顕微鏡により観察されたＦｅＰｔ薄膜の微細構造からは、ＦｅＰｔ微粒子の形状が島状になっていることが確認され、個々の島は互いに完全に孤立している。 （もっと読む）

【課題】双方向記録再生が可能で、しかも記録データの正常な再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性支持体の上に金属薄膜磁性層（磁性層）が形成され、非磁性支持体の平面方向と磁力線Ｌｍとの交差角度が６０°（交差角度θ３ａ）の磁界を印加した状態において測定される保磁力と、平面方向と磁力線Ｌｍとの交差角度が１２０°（交差角度θ３ｂ）の磁界を印加した状態において測定される保磁力とがいずれも１６０ｋＡ／ｍ以上となるように金属薄膜磁性層が形成されている。 （もっと読む）

【課題】残留磁化の熱安定性を確保しつつ良好なオーバーライト特性を有し、高記録密度化を図れる磁気記録媒体およびこれを備えた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に記録層１３が形成され、記録層１３が下地層１２側から、第１磁性層１４、非磁性結合層１５、第２磁性層１６、第３磁性層１７、非磁性分断層１８、および第４磁性層１９が順に積層された構成からなる。記録層１３は、第１磁性層１４と第２磁性層１６とは、非磁性結合層１５を介して反強磁性的に交換結合している。さらに、第２磁性層１６と第３磁性層１７とは強磁性的に交換結合している。非磁性分断層１８は、第３磁性層１７と第４磁性層１９との交換結合を切っている。第３磁性層１７は、第２磁性層１６よりも異方性磁界が小さく、かつ飽和磁化が大きく設定される。 （もっと読む）

【課題】面内磁気記録ヘッドで記録可能であり、且つ、熱的に安定であり、しかも、ＳＮＲが高い磁気記録媒体を得る。
【解決手段】非磁性支持体１２と、該非磁性支持体１２の少なくとも一方の面に形成されたシード層１４と、該シード層１４上に形成された下地層１６と、該下地層１６上に形成された磁性層１８とを有し、磁性層１８は、ＣｏＰｔを主成分とする強磁性体微粒子が酸化物で分離されたグラニュラ構造を有する層であり、酸化物は、酸化ケイ素と酸化クロムの混合物である。酸化ケイ素と酸化クロムの混合比は、９：１〜１：９の範囲である。前記強磁性体微粒子の平均粒子径は、円形換算で６〜１０ｎｍφである。 （もっと読む）

【課題】シンセティックフェリ磁性構造を有するシンセティックフェリ磁性媒体の上側記録磁性層を安定化するのに用いる異なる種類の磁性層を提案する。
【解決手段】磁気記録媒体１０は、ベース構造と、ベース構造上に設けられ記録層を構成するシンセティックフェリ磁性構造とを備える。シンセティックフェリ磁性構造は、非磁性スペーサ層１５を介して反強磁性結合している少なくとも下側磁性層１４と上側磁性層１６とを含む。下側磁性層１４は超常磁性層からなり、上側磁性層１６は強磁性材料からなる。下側及び上側磁性層の磁気モーメントは、印加される外部磁界がゼロである残留磁化状態で反平行の向きとなっている。これは、下側磁性層１４については保磁力がゼロであるにもかかわらず、残留磁化状態での交換結合により下側磁性層１６が逆飽和状態にあるからである。 （もっと読む）