【課題】ソレノイド型の薄膜コイルを備える場合においても、寄生容量を低減させると共にＱ値を向上させることにより動作特性を確保することが可能な薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】ソレノイド型の薄膜コイル１４において、下部コイル部分１４Ａおよび上部コイル部分１４Ｂの断面が六角形状を有している。下部コイル部分１４Ａおよび上部コイル部分１４Ｂのコイルターン間に生じる寄生容量Ｃ１が低減すると共に、下部コイル部分１４Ａと上部コイル部分１４Ｂとの間に生じる寄生容量Ｃ２が低減する。 （もっと読む）

【課題】２つのインダクタンス素子間の容量結合の強化を図った積層型ＬＣフィルタを提供する。
【解決手段】積層型ＬＣフィルタが，第１，第２のインダクタンス素子と，第１のインダクタンス素子と電気的に接続され，かつ第２のインダクタンス素子と容量結合する第３のインダクタンス素子と，第２のインダクタンス素子と電気的に接続され，かつ第１のインダクタンス素子と容量結合する第４のインダクタンス素子と，を具備する。第１，第３のインダクタンス素子，第２，第４のインダクタンス素子により，互いに容量接合される２つのインダクタンス素子が構成される。 （もっと読む）

【課題】コイル電流に起因する渦電流損失を抑制し、高いインダクタンス値及びＱ値を確保し得るコイル部品を提供すること。
【解決手段】コイル６は、コイル支持体４によって支持されている。コイル支持体４は、コイル６の巻軸方向の両端部に、コイル６の端末６１、６２が接続された端子電極５を有している。端子電極５は、コイル支持体４に直接に付着された電極膜５１を含む。この電極膜５１はＡｇとＮｉの混合物を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】 部品小型化を図りつつ、直流抵抗を低減することができるコイル部品を提供する。
【解決手段】 コイル部品１は、導体層１０を備えている。導体層１０は、コイル導体２０と、引出し電極２１Ａ〜２１Ｄとを有している。コイル導体２０は、螺旋状に形成された略矩形状のスパイラル部２２と、このスパイラル部２２の外側端と引出し電極２１Ａとの間に接続された引出し部２３とからなっている。スパイラル部２２を形成する導体パターン２５のうち、最内周１ターンの導体パターン２５ａ及び最外周１ターンの導体パターン２５ｂの幅Ｗは、他の部分の導体パターン２５ｃの幅Ｗ_０よりも大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】 必要なインダクタンスで高いＱ値が得られる積層インダクタを提供する。
【解決手段】 コイルの線幅をｅ，線厚をｔ，線間距離をｄとしたときにａ＝ｄ／ｅ（ｔ＋ｄ）の式で求められるａの値を５〜２０の範囲内とすることにより、必要なインダクタンスで高いＱ値が得られる。 （もっと読む）

【課題】渦巻状のインダクタパターン３と導電接地パターン４とを用いる際に、導電接地パターン４のスリット５形状を選択して渦電流の発生を十分阻止する多層インダクタ素子を提供する。
【解決手段】一面側に中央部３（１）から外側方向に渦巻状に形成したインダクタパターン３を有する第１層１と、第１層１の他面側に積層され、一面側に形成した導電接地パターン４を有する第２層２とからなる多層インダクタ素子で、導電接地パターン４はインダクタパターン３の中央部３（１）に対応する位置を中心として放射状に形成された同一幅の複数の導電接地パターン６からなる。 （もっと読む）

【課題】 内部に設けられたコイルのインダクタンスおよびＱ値の低下を低減しつつ、デラミネーションを防止することが可能な積層型電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態の積層型電子部品は、複数の絶縁体が積層された積層体と、積層体内に積層方向に併設された複数の内部導体有し、積層方向に隣り合う内部導体が接続されることにより構成されるコイルと、コイルに接続された一対の端子電極とを備えている。各内部導体は、一対の端子電極の対向方向に延びる第１の導体部分と、該第１の導体部分より短く且つ対向方向と積層方向とに直交する方向に延びる第２の導体部分とを含んでいる。複数の内部導体の第１の導体部分の少なくとも一部は、積層方向に重なっており、複数の内部導体の第２の導体部分は、積層方向に隣り合う他の第２の導体部分に重なる領域から対向方向にずれた領域に位置している。 （もっと読む）

【課題】主コイルのＱ値を低下させることなく、インダクタンス値の可変幅を大きくすることができる可変インダクタを提供する。
【解決手段】可変インダクタ１０は、積層体１２とスイッチ２６を備えている。前記積層体１２は、内部にメインインダクタ１４と制御インダクタ１８を隣接して対向配置した構成となっている。前記積層体１２の表面には、メインインダクタ１４及び制御インダクタ１８の端部が接続される端子電極２２Ａ〜２２Ｆが、適宜位置に形成されている。制御インダクタ１８の端部と接続される端子電極２２Ｄ及び２２Ｆの間には、スイッチ２６が設けられる。このように積層方向にメインインダクタ１４と制御インダクタ１８を対向配置することにより、結合度を向上させ、Ｑ値を低下させることなくインダクタンス値の可変幅を大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】電気特性が安定し、信頼性が高く、Ｑ値をより高く、かつ製造コストの安い特に高周波領域で用いられる積層セラミック電子部品とその製造方法を提供する。
【解決手段】導体層とセラミック層が交互に積層されたセラミック積層部品において、導体の横断面形状が略台形形状で、その台形形状の長辺と短辺の平均長さ（平均幅）が６０μｍ以下、長辺と短辺の比が０．７以上１．０未満、厚みが１０μｍ以上である導体を少なくとも一部に有し、前記導体の全周囲は本質的に同一のセラミック材料で覆われた構造とするものである。 （もっと読む）

【課題】上下の誘電体層の間で位置ずれが生じたとしても、所定のインダクタンス値を得ることが可能な電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子部品Ｘ１は、３個以上の誘電体層１０を積層してなる積層体の内部にコイル状導体２０を埋設してなる。コイル状導体２０は、隣接する誘電体層１０間に介在されている３個以上の周回パターン２１、２２を、少なくとも一部が上記積層体の積層方向に隣接する他の周回パターン２１、２２と平面透視して重なるように配置させた上、ビア導体２３を介して電気的に接続して成り、３個以上の周回パターン２１、２２のうち少なくとも１個の周回パターン２１のパターン幅Ｗ１をその上下に位置する周回パターン２２のパターン幅Ｗ２よりも狭くした。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性を向上させることが可能なコモンモードフィルタを提供することを目的とする。
【解決手段】
コモンモードフィルタＣＦは、板状のコア部材１と、コア部材１の第１の側面１ａ上に形成された第１及び第２の端子電極３、４と、第２の側面１ｂ上に形成された第３及び第４の端子電極５、６と、第１のコイル導体１１と、第２のコイル導体１３とを備える。第１のコイル導体１１は、一端が第１の端子電極３と電気的に接続されるとともに、他端が第３の端子電極５と電気的に接続されている。第２のコイル導体１３は、一端が第２の端子電極４と電気的に接続されるとともに、他端が第４の端子電極６と電気的に接続されている。第１及び第２のコイル導体１１、１３は、コア部材１を螺旋状に巻回するようにコア部材の第３〜第６の側面に成長させて形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高いＱ値および良好な高周波特性を実現するのに適した集積型電子部品を提供すること。
【解決手段】 本発明の集積型電子部品Ｘは、基板Ｓと、複数の受動部品と、外部接続用の複数のパッド部４０Ａ，４０Ｃと、立体配線３０と、を備える。複数の受動部品は、基板Ｓ上に設けられた多段コイルインダクタ１０Ａを含み、当該多段コイルインダクタ１０Ａは、多段配置された複数のコイル１１，１２を有し、且つ、隣り合うコイル導線が空隙を介して離隔する。立体配線３０は、基板Ｓに接して延びる第１配線部３１と、基板Ｓから離隔して当該基板Ｓに沿って延びる第２配線部３２と、これら第１配線部３１および第２配線部３２に接続する第３配線部３３とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品のＱ値向上を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体３と、この支持体３の中央部表面に設けたコイル６Ａと、支持体３の両端部表面に設けた電極４Ａとを備え、コイル６Ａが上層６ＡＡと下層（図示せず）とを有し、この下層（図示せず）の導電率と電極４Ａの導電率とが等しく、電極４Ａの導電率が上層６ＡＡの導電率よりも低いコイル部品。 （もっと読む）

【課題】本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品のＱ値向上を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体３と、この支持体３の中部３Ｂ表面に設けたコイル４Ａと、前記支持体３の両端部３Ａ表面の一部に設けると共に前記コイル４Ａと電気的に接続した電極６とを有し、前記支持体３の中部３Ｂと両端部３Ａとの境に溝３Ｃを設けたものであり、両端部に金属膜を残すことがなく、Ｑ値を低下させることがないという効果を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、携帯電話等の各種電子機器に用いられるコイル部品のＱ値向上を目的とする。
【解決手段】そして、この目的を達成するために本発明は、柱状の支持体３と、この支持体３の中部３Ｂ表面に設けたコイルと、前記支持体３の両端部３Ａ表面に設けた電極６とを備え、この電極６の導電率が前記コイル５Ａの導電率よりも低いコイル部品としたものであり、渦電流を抑制し、Ｑ値を向上させることができるという効果を有する。 （もっと読む）

【課題】 従来例に比較して簡単な製造工程でかつ安価な製造コストで製造でき、しかも１枚の基板を用いて低損失で高いインダクタンスを有する高周波インダクタ素子を提供する。
【解決手段】 図１の高周波インダクタ素子において、シリコン基板１の中央部に形成された凹部１０１の内部面に接地導体１１が形成され、凹部１０１において後に除去される犠牲層１２（図３）が充填された後、犠牲層１２の中央部に巻状線路導体１３が形成され、凹部１０１の開口面を覆うように絶縁支持膜１４が形成される。当該誘電体支持膜１４の中央部に巻状線路導体１６が形成され、巻状線路導体１３の一端と巻状線路導体１６の一端とがスルーホール１５を介して接続される一方、巻状線路導体１３の他端は接続端子導体２０に接続され、巻状線路導体１６の他端は接続端子導体１９に接続される。 （もっと読む）

【課題】高いＱ特性と高いＳＲＦ（自己共振周波数）を合わせ持つ積層型電子部品を提供する。
【解決手段】 コイル導体層２１、２２、２３、２４、２５と絶縁体層１１、１２、１３、１４、１５、１６とを交互に積層して内部にコイルを形成した積層型電子部品であり、前記コイル導体層からなるコイル３１への通電によって生じる積層体の磁束方向の両端面で、なおかつ、前記積層体の面積が最小でない対向する両端面に、端子電極を形成した構成である。コイルのコア面積は従来同等に大きく、寄生容量は従来より小さくなるので、従来同等の高いＱ特性と従来より高いＳＲＦを合わせ持つ積層型電子部品が得られる。 （もっと読む）

【課題】 インダクタからシリコン基板への交流電流の漏れ及びシールドのスリット間での渦電流発生を防止して、Ｑ値の劣化が小さいインダクタ素子を提供する。
【解決手段】 インダクタ素子は、配線がスパイラル形状に巻かれた少なくとも１つの配線層によって、かつ、２本の配線を同心状に交差させて巻いた線対称の２つのスパイラル形状配線から形成されたインダクタと、電気的なループ経路を持たない形状で、かつ、スパイラル形状の内側配線より外側の部分についてインダクタとシリコン基板との間に挿入された、導電体層からなるシールドとで構成される。 （もっと読む）

【目的】Ｑ特性に優れ、接続信頼性の高い小型化に適したチップ状巻線型コイル部品を提供する。
【構成】 巻線型コイル部品１０は、巻芯１の両端部に四角形状の角鍔２ａ，２ｂを備えたドラム型フェライトコア３の角鍔２ａ，２ｂの下側の側面Ｓに設けた電極５に巻線６の端部を接合するとともに、巻芯１に巻回した巻線６の外周を磁性粉含有外装樹脂８で被覆した構造であって、角鍔２ａ，２ｂの少なくとも下側の側面Ｓに鍔の厚み方向に巻芯１側から端面Ｆに亘って凹溝４を設け、角鍔２ａ，２ｂの凹溝４を設けた下側の側面Ｓに凹溝４を含む幅方向に第一電極５を帯状に形成し、巻線６の端部を凹溝４内の端面Ｆ寄りで熱圧着接合するとともに、巻線６の端部の凹溝４内の巻芯１寄りの部分を外装樹脂８で覆い、凹溝４内の外装樹脂８の表面、熱圧着接合部Ｃの外表面、及び第一電極５の表面を覆うように導電性樹脂の第二電極９により被覆した構造である。 （もっと読む）

【課題】 導体パターンと磁性体層が接触しているので、導体パターンに流れる電流による磁界の影響を受けて特性が劣化する。100ＭＨｚ以上の高周波帯域において500ｍＡ程度の大きな電流を処理する必要があるが、高周波帯域におけるインピーダンス特性がバラツキ、耐高電流性がなかった。導体パターンの銀の熱膨張係数と磁性体層のフェライトの熱膨張係数が大きく異なるので、この熱膨張係数の差によって磁性体内に残留応力が発生し、磁気特性が劣化する。導体パターンに使用されている銀が磁性体層に拡散し、これによって磁気特性が劣化する。
【解決手段】 磁性体層と導体パターンを積層し、素体内にインピーダンス素子が形成される。導体パターンは、磁性体層の焼結性を調整するための焼結調整剤が混入された導体ペーストを磁性体層に印刷して形成される。 （もっと読む）