本発明は、めっき法で形成される金属層との密着性に優れ、かつ、めっき薬液に侵食されにくい金属酸化物薄膜複合材料を提供することを目的とするものであり、金属薄膜付き銅箔上の金属薄膜表面に、少なくとも、構成元素としてＴｉを含むアモルファス金属酸化物薄膜層を構成の最外層として有する誘電体薄膜を設けた薄膜複合材料を提供することで上記目的を達成した。 （もっと読む）

プリント回路構造に埋め込まれた複数のコンデンサのうちの１つは、プリント回路構造の第１基材層（５０５）をオーバーレイする第１電極（４１５）、第１電極をオーバーレイする結晶誘電体酸化物コア（４０５）、結晶誘電体酸化物コアの上にある第２電極（６１５）、および、結晶誘電体酸化物コアと第１および第２電極の少なくとも１つとの間にあってそれらに接触している高温酸化防止層（２２０）を含む。結晶誘電体酸化物コアは、１マイクロメートルより薄い厚さを有し、１０００ｐＦ／ｍｍ^２より大きい容量密度を有する。複数のコンデンサはいずれも材料および厚さが同じである。結晶誘電体酸化物コアは、複数のコンデンサの他のコンデンサ全ての結晶誘電体酸化物コアから分離されていてもよい。
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金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサを形成する方法であって、ＭＩＭコンデンサのプレートが、半導体デバイスのメタライゼーション層の厚み全域に形成されている。上記メタライゼーション層の表面の粗さを軽減するために、上記メタライゼーション層の材料内に、少なくとも１つの薄い伝導材料層が配置されている。このため、ＭＩＭコンデンサの信頼性が改善される。上記薄い伝導材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮを含んでいてよく、あるいは、上記ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮの上または下に配置されたバリヤ層を含んでいてもよい。上記ＭＩＭコンデンサの１つのプレートは、メタライゼーション層内の伝導線をパターン化するために用いられるマスクと同一のマスクを用いてパターン化される。したがって、上記ＭＩＭコンデンサを製造するために必要なマスクの数を減らすことができる。 （もっと読む）

積層セラミックコンデンサを構成している積層誘電体素子本体内部での残留応力、又は積層誘電体素子本体の外表面での残留応力を所定の値以上にすることにより、誘電率が高く且つ取得静電容量の大きい信頼性の高い積層型セラミックコンデンサを得ることができる。 （もっと読む）

爆ぜの発生を抑制することが可能な電極ペースト、セラミック電子部品及びその製造方法を提供する。 本発明に係るセラミックコンデンサ（１０）の製造方法は、誘電体層（１２）と内部電極層（１４）とが交互に積層されたコンデンサ素体（１６）と、コンデンサ素体（１６）の内部電極層（１２）が露出する端面（１６ａ）に形成された外部電極（１８）とを備えるセラミックコンデンサ（１０）の作製に適用され、コンデンサ素体（１６）の端面（１６ａ）に、Ｃｕ粉末とＮｉＣｕより卑なＮｉで構成されるＮｉ粉末とを含む外部電極ペーストを塗布するステップと、外部電極ペーストが塗布されたコンデンサ素体１６を焼成するステップとを備え、Ｃｕ粉末に対するＮｉ粉末の重量比が０．５〜１０ｗｔ％であり、且つＮｉ粉末の平均粒径が０．２〜１０μｍであることを特徴とするため、爆ぜの発生を抑制することができる。 （もっと読む）