ＭＩＭコンデンサ構造体およびその製造方法
金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサを形成する方法であって、ＭＩＭコンデンサのプレートが、半導体デバイスのメタライゼーション層の厚み全域に形成されている。上記メタライゼーション層の表面の粗さを軽減するために、上記メタライゼーション層の材料内に、少なくとも１つの薄い伝導材料層が配置されている。このため、ＭＩＭコンデンサの信頼性が改善される。上記薄い伝導材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮを含んでいてよく、あるいは、上記ＴｉＮ、ＴａＮ、またはＷＮの上または下に配置されたバリヤ層を含んでいてもよい。上記ＭＩＭコンデンサの１つのプレートは、メタライゼーション層内の伝導線をパターン化するために用いられるマスクと同一のマスクを用いてパターン化される。したがって、上記ＭＩＭコンデンサを製造するために必要なマスクの数を減らすことができる。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造に関し、特に、金属−絶縁体−金属（metal-insulator-metal:ＭＩＭ）コンデンサ構造体の製造に関する。
【０００２】
〔背景〕
コンデンサは、電荷を蓄えるための半導体デバイスに幅広く用いられている素子である。コンデンサは、基本的に、絶縁体によって分離された２つの伝導プレートを有している。キャパシタンス、すなわち印加電圧ごとのコンデンサの蓄電量は、多くのパラメータに依存している。このパラメータとは、例えば、上記プレートの領域、上記プレート間の距離、上記プレート間にある絶縁体の誘電率の値などである。コンデンサは、フィルタ、アナログ／デジタル変換器、メモリデバイス、制御アプリケーション、およびその他多くの種類の半導体デバイスに用いられている。
【０００３】
コンデンサの１つの種類として、ＭＩＭコンデンサがある。このＭＩＭコンデンサは、例えばアナログ/デジタル混在デバイス、論理半導体デバイスなどにおいて多く用いられている。ＭＩＭコンデンサは、様々な半導体デバイスにおいて電荷を蓄えるために用いられる。ＭＩＭコンデンサは、例えばメモリデバイス内のストレージノードとして多く用いられる。ＭＩＭコンデンサは、一般的に、半導体ウエハ上に水平に形成されており、かつ、上記ウエハの表面に対して平行である絶縁層を挟んでいる金属プレートを２つ有している。
【０００４】
図１に、半導体デバイス内に形成された、従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４を示す。上記半導体デバイスは、基板１００を有している。この基板１００は、能動領域および構成部分を有した半導体ウエハまたは基板、またはその上に形成された別の材料層を有していてよい。基板１００上には、一般的に、複数のメタライゼーション層が形成されている。例えば、上部メタライゼーション層Ｍｎは、複数の伝導線（conductive line）１２２を有することができ、そして下部のＭ（ｎ−１）は、上部メタライゼーション層Ｍｎの下に配置することができる。Ｍ（ｎ−１）の内部には、複数の伝導線１０６が形成されていてもよい。伝導線１０６と伝導線１２２との間には、層間絶縁膜層（ＩＬＤ）が配置されている（図示せず）。また、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の下には、別のメタライゼーション層がすることもできる（図示せず）。例えば、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の下に、２〜４つの追加的なメタライゼーション層が配置されていてよい。メタライゼーション層Ｍｎ、Ｍ（ｎ−１）、および別のメタライゼーション層（図示せず）は、例えば、絶縁層１０２内に形成されたビア１０４と、絶縁層１２０内に形成されたビア１１８と共に、相互接続システムを提供している。伝導線１０６、１２２、およびビア１０４、１１８は、様々な構成部分と、基板１００内に形成された能動領域との間に相互接続手段を提供していて、また、半導体デバイスの外側から電気的な接触を行うために用いられる接続点（図示せず）を提供している。
【０００５】
一般的にメタライゼーション層ＭｎおよびＭ（ｎ−１）は、銅またはアルミニウムを含んでいる。銅は、アルミニウムよりも抵抗が低くて伝導性に優れているが、ダマシンプロセスが必要であって、製造プロセスのコストがかさむ。アルミニウムは一般的に、例えばサブトラクティブエッチング法（subtractive etch process）によってパターン化される。
【０００６】
図１は、ビア誘電体層１２０に形成された、従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４を示している。ＭＩＭコンデンサ１１４を形成するためには、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に伝導線１０６が形成された後で、この伝導線１０６上に導体材料１０８が堆積され、そして伝導線１０６間にＩＬＤ層（図示せず）が配置される。一般的に、導体材料１０８は、例えばＴｉＮを含んでいる。導体材料１０８は、リソグラフィによって、ＭＩＭコンデンサの底部プレートのパターンにパターン化される。該リソグラフィでは、例えば堆積させたフォトレジストをパターン形成し、これを、導電性材料１０８の一部を除去するためのエッチングにおいてマスクとして用いる。そして底部プレート１０８が形成される。次に、底部プレート１０８上にコンデンサ誘電体層１１０が堆積され、そしてこのコンデンサ誘電体材料１１０上に導体材料１１２が堆積される。導体材料１１２および誘電体材料１１０は、図示されているＭＩＭコンデンサ１１４の最上プレートのためのパターンを用いてパターン化される。このとき、例えば、従来のリソグラフィ技術が用いられる。ＭＩＭコンデンサ１１４上に絶縁材料１２０が堆積され、そしてこの絶縁材料１２０がビア１１６を用いてパターン化され、そして導体材料によって充填される。ここでビア１１６は、ＭＩＭコンデンサ１１４の最上プレート１１２と、メタライゼーション層Ｍｎ内にある上部（overlying）伝導線１２２との間に電気接触を提供している。
【０００７】
図１に示す、ＭＩＭコンデンサ１１４の従来技術による形成方法は、ＭＩＭコンデンサ１１４をパターン化するために２つのマスクレベルが必要であるという不都合点がある。上記２つのマスクレベルのうち、１つは底部プレート１０８を形成するためであって、もう１つは最上プレート１１２および誘電体材料１１０を形成するためである。また、各メタライゼーション層Ｍｎ、Ｍ（ｎ−１）、およびビア層１０２、１１６／１１８について、伝導線１１２、１０６、およびビア層１０２、１１６／１１８をそれぞれパターン化するための別々のマスクが必要となる。
【０００８】
そのため、ＭＩＭコンデンサおよびその構造をパターン化する方法であって、ＭＩＭコンデンサを形成するための製造処理において要するマスクレベルがより少ない方法が必要とされている。
【０００９】
さらに、図１に示されている従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４では、下部電極１０８の材料としてＴｉＮが用いられているという別の問題がある。ＴｉＮは、そのシート抵抗が比較的高いため、ＭＩＭコンデンサ１１４の抵抗が高くなる。ＭＩＭコンデンサのプレートとしてＴｉＮを用いることによって、高周波（ＲＦ）アプリケーションなどの、高速かつ高性能のアプリケーションにおけるＭＩＭコンデンサデバイスの利用が制限されることになる。
【００１０】
すなわち、シート抵抗が低減されたプレートを用いたＭＩＭコンデンサがさらに必要とされている。
【００１１】
〔発明の概要〕
本発明の形態は、マスクレベルを低減させたＭＩＭコンデンサの製造形成方法、あるいは要するマスク数がより少ないＭＩＭコンデンサの製造方法を提供することによって、技術面における優位性を達成している。一形態によると、ＭＩＭコンデンサの１つのプレートは、メタライゼーション層の層厚いっぱいに形成されている。この形態では、上記メタライゼーション層のマスクレベルは、相互接続領域内にある伝導線のためのパターンを含んでいて、さらに、ＭＩＭコンデンサ領域内にある少なくとも１つのＭＩＭコンデンサの底部プレートのためのパターンを含んでいる。また一形態によると、メタライゼーション層内に形成された上記ＭＩＭコンデンサのプレートはアルミニウムを含んでいてよく、シート抵抗が低くなっている。また、上記ＭＩＭコンデンサの１つ以上のプレート内に、メタライゼーション層またはコンデンサのプレートに用いられる導体材料とは別の材料を含んだ、薄い導体材料層が形成されていてもよい。この薄い導体材料層によって、メタライゼーション層の上面の粗さが軽減されるため、ＭＩＭコンデンサの信頼性が改善される。
【００１２】
本発明の好ましい形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサプレートは、第１の材料を含む第１伝導層と、この第１伝導層上に配置された、少なくとも１つの薄い導体材料層とを備えている。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、上記第１の材料とは異なる材料である第２の材料を含む。上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上には、少なくとも１つの第２伝導層が配置されている。
【００１３】
本発明の別の形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサは、第１プレートと、この第１プレート上に設けられた誘電体材料と、この誘電体材料上に設けられた第２プレートとを備えている。上記第１プレートまたは第２プレートは、第１の材料を含む第１伝導層と、この第１伝導層上に設けられた少なくとも１つの薄い導体材料層とを有している。この薄い導体材料層は、上記第１の材料とは異なる第２の材料を含む。上記第１プレートまたは上記第２プレートは更に、上記少なくとも１つの薄い導体材料層上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層を有している。
【００１４】
本発明のさらに別の形態によると、本発明に係る半導体デバイスは、基板と、この基板上に形成された少なくとも１つのメタライゼーション層と、上記基板上に形成された少なくとも１つのＭＩＭコンデンサとを備えている。そして、このＭＩＭコンデンサは、上記少なくとも１つのメタライゼーション層内に形成された第１プレートと、この第１プレート上に設けられた誘電体材料と、この誘電体材料上に設けられた第２プレートとを有している。また、上記半導体デバイスの上記少なくとも１つのメタライゼーション層内には、少なくとも１つの第１伝導線が形成されている。この少なくとも１つの第１伝導線は第１の厚みを有していて、上記ＭＩＭコンデンサの第１プレートは、上記第１の厚みを有している。
【００１５】
本発明の別の形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサの製造方法は、第１材料を含む第１伝導層を堆積する工程と、上記第１伝導層上に、少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程とを含んでいる。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、上記第１材料とは異なる第２材料を含んでいる。上記方法は、上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に、少なくとも１つの第２伝導層を堆積する工程を含んでいる。上記方法はまた、上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１伝導層とをパターン化して、第１プレートを形成する工程を含んでいる。
【００１６】
本発明の形態の利点は、ＭＩＭコンデンサの製造に必要なマスク数を減らし、これによってプロセスコストを少なくできるという利点を有している。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、メタライゼーション層の滑らかで欠陥のない平坦な最上表面を形成する。表面が改善された上記メタライゼーション層内に底部プレートが形成されることによって、信頼性のより高いＭＩＭコンデンサを提供することができる。
【００１７】
本明細書に記載のＭＩＭコンデンサ製造方法は、アルミニウムＢＥＯＬ工程（aluminum back-end-of-the-line）と互換性がある。後に形成されるメタライゼーション層へのビア相互接続の信頼性は改善されている。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、後のビア相互接続の形成中に、エッチストップとして機能すると都合がよい。この方法により、上記半導体デバイスの様々な材料層をパターン化するために使用される反応イオンエッチングプロセスのためのプロセス窓が拡大される。本明細書に記載のＭＩＭコンデンサの製造方法およびＭＩＭコンデンサは、例えばＲＦ半導体アプリケーションなどの高性能かつ高速のアプリケーションと互換性がある。
【００１８】
以下に記載する本発明の詳細な説明をよりよく理解できるように、本発明の形態の特徴および技術的利点について、概要をやや大まかに示した。本発明の請求項の主題を形成している、本発明の形態のさらなる特徴および利点について、以下に説明する。当業者には言うまでもなく、本願に開示されている概念および特定の形態は、本発明の同一の目的を達成するための別の構造またはプロセスを変更または設計するための基準として容易に用いることができる。また、当業者には言うまでもなく、このような同様の構造は、請求項に記載されている本発明の精神と範囲を逸脱するものではない。
【００１９】
本発明およびその利点をより完全に理解するために、添付図面と共に以下の説明を参照されたい。添付図面は以下の通りである：
【００２０】
〔図面の簡単な説明〕
図１は、従来技術によるＭＩＭコンデンサ構造を有した半導体デバイスの断面図を示す。
【００２１】
図２Ａは、本発明の好ましい実施形態の断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている状態を示している。
【００２２】
図２Ｂは、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサをより詳細に示す図であって、メタライゼーション層の最上表面の粗さおよび不規則性が、上記ＭＩＭコンデンサの信頼性に関する問題を引き起こしている。
【００２３】
図３、図４Ａ〜図４Ｄ、図５、および図６は、本発明の好ましい実施形態の断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い導体材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている。
【００２４】
図７は、本発明の一実施形態を示す図であって、ＭＩＭコンデンサの底部プレート内に薄い導体材料層が配置されていて、そしてこのＭＩＭコンデンサの底部プレートは、メタライゼーション層内に形成されていない。
【００２５】
図８は、本発明の一実施形態を示す図であって、底部プレート内および上部プレート内に薄い導体材料層が配置されている状態を示している。
【００２６】
図９は、本発明の一実施形態を示す図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層内に上部プレートが形成されていて、この上部プレート内に薄い導体材料層が配置されている状態を示している。
【００２７】
図１０は、本発明の一実施形態によるＭＩＭコンデンサの断面図であって、プレート内に複数の薄い導体材料層が形成されている状態を示している。
【００２８】
図１１は、本発明の別の実施形態を示す図であって、コンデンサのプレートの最上表面上に、薄い導体材料層が形成されている状態を示している。
【００２９】
これらの図面に用いられている同様の符合および記号は、別段の記載がなければ、通常は同様の部位を示している。これらの図面は、好ましい実施形態の関連形態を明瞭に示すためのものであって、必ずしも範囲を限定するものではない。
【００３０】
〔実施形態の詳細な説明〕
現時点での好ましい実施形態の実施および利用について、以下に詳しく説明する。しかしながら本発明は、様々な特殊な状況において実施可能な、実用的かつ独創的な多くの概念を提供していることについて理解されたい。説明されている具体的な実施形態は、本発明を実施および利用するための具体的な方法を示すのみであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【００３１】
図２Ａは、本発明の好ましい実施形態を示す断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている。まず、基板２００がある。この基板２００は、好ましくは半導体基板を含んでいて、内部には能動領域またはデバイス領域（図示せず）を形成することができる。上記基板は、例えば絶縁層で覆われたシリコンまたは別の半導体材料を含んだ半導体基板を含んでいてよい。さらに上記基板には、ＦＥＯＬ工程（front-end-of-line）で形成された別の能動部品または回路（図示せず）を含んでいてもよい。上記基板は、例えば単結晶酸化ケイ素含んでいてよい。上記基板は、例えばトランジスタおよびダイオードなどの、別の伝導層または別の半導体素子を含んでいてよい。シリコンの代わりに、例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ／Ｇｅ、ＳｉＣなどの化合物半導体を用いてもよい。基板２００上に、１つ以上のメタライゼーション層（図示せず）が形成されていてよい。
【００３２】
基板２００上に、絶縁層２０２が堆積される。絶縁層２０２は、例えば二酸化ケイ素、ケイ酸ガラス（フッ素シリコンガラス（ＦＳＧ））、または低誘電率材料などを含んでいてよい。あるいは絶縁層２０２は、半導体デバイス内の絶縁体として一般的に用いられる別の誘電体材料を含んでいてもよい。絶縁層２０２は、図示されている相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６の双方において、任意のビアスタッド（via stud）２０４のためにパターン形成される。任意のビアスタッド２０４は、基板２００内または基板２００上に配置されたメタライゼーション層内の素子またはデバイスから、後に形成されるメタライゼーション層２０６および２２２への電気的接続を提供することができる。
【００３３】
絶縁層２０２上に、導体材料２０６が堆積される。本発明の好ましい実施形態によれば、導体材料２０６は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。導体材料２０６は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金を含んでいてよい。アルミニウムは、例えば銅などの別の導体材料と比べてプロセスコストが低い。しかし導体材料２０６は、例えば別の導体材料をさらに含んでいてもよい。導体材料２０６は、相互接続領域２２４に伝導線２０６を、そしてＭＩＭコンデンサ領域２２６にＭＩＭコンデンサ２３４の底部プレートを同時に形成するために、サブトラクティブエッチングされることが好ましい。伝導線２０６および底部プレート２０７上には、絶縁層２５７が堆積され、そして過剰な絶縁材料２５７は、エッチングプロセス、または例えば化学的機械研磨プロセス（ＣＭＰ）などの研磨プロセスによって、伝導線２０６および底部プレート２０７から除去される。
【００３４】
パターン化された伝導線２０６および底部プレート２０７上には、誘電体材料２３０が堆積されている。誘電体材料２３０は、好ましくは、コンデンサ誘電体としての使用に適した材料を含んでいて、例えば高誘電率材料を含んでいることが好ましい。誘電体材料２３０は、相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６を含んだ、基板の表面全体の上に堆積される。
【００３５】
誘電体材料２３０の上に、導体材料２３２が堆積される。導体材料２３２は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金、または別の導体材料を含んでいてよい。導体材料２３２および誘電体材料２３０は、リソグラフィ法によってパターン化され、そしてＭＩＭコンデンサ２３４の上部プレート２３２およびコンデンサ誘電体２３０を形成する。ここで、上部プレート２３２およびコンデンサ誘電体材料２３０の両方をパターン化する際、１つのマスクが用いられることが好ましい。
【００３６】
ＭＩＭコンデンサ２３４および伝導線２０６上に、絶縁層２２０が堆積される。絶縁層２２０は、例えば酸化物、ケイ酸ガラス、または低誘電率材料などを含んでいてよい。絶縁層２２０は、相互接続領域２２４内のビア２１８、およびＭＩＭコンデンサ領域２２６内のビア２３６のためのパターンを用いてパターン化される。例えば、ビア２１８は、相互接続領域２２４内の伝導線２０６との電気的接触を形成していて、そしてビア２３６は、ＭＩＭコンデンサ領域２２６内のＭＩＭコンデンサ２３４の最上プレート２３２との電気的接触を形成している。導体材料は、ビア２１８および２３６を充填するために堆積され、そして過剰な導体材料は、例えばエッチングまたはＣＭＰプロセスを用いて、絶縁層２２０の最上表面から除去される。
【００３７】
そして、ビア２１８、ビア２３６および絶縁層２２０上に、導体材料２２２が堆積される。導体材料２０６は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金、または別の導体材料を含んでいることが好ましい。導体材料２２２は、サブトラクティブエッチング法によってパターン化され、そして相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６の双方において、伝導線２２２を形成する。本発明の好ましい実施形態によると、ＭＩＭコンデンサ２３４は、上記半導体デバイスの上部メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内またはその近傍に形成される。一実施形態では、ビア２３６によってＭＩＭコンデンサ２３４の最上プレートと電気的接触をなしている伝導線２２２は、上記半導体デバイスの上部メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成されることが好ましい。図２ＡにはＭＩＭコンデンサ２３４は１つしか図示されていないが、半導体デバイス内に複数のＭＩＭコンデンサ２３４が形成されてもよい。
【００３８】
図２Ａに示すＭＩＭコンデンサ２３４の構造およびその形成方法は、ＭＩＭコンデンサ２３４の底部プレート２０７が、伝導線２０６をパターン化するために用いられるマスクと同一のマスクを用いてパターン化されるという利点がある。メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成された底部プレート２０７はアルミニウムを含むため、抵抗が高い別の材料を含んだプレートを有するＭＩＭコンデンサと比べて、シート抵抗を低くすることができる。ＭＩＭコンデンサの底部プレート２０７が同じメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）（図示せず）内に形成された伝導線と結合されることは、ビアスタッド２０４を用いて底部プレート２０７との電気的接触を形成するよりも有利である。
【００３９】
しかしながら、本発明のこの実施形態は、底部プレート２０７の導体材料および伝導線２０６が、最上表面において欠陥を有しているため、最良のものとは言い難い。底部プレート２０７および伝導線２０６は、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサ２３４のより詳細な図である図２Ｂに示すような表面形態を示すアルミニウムを含んでいることが好ましい。アルミニウム底部プレート２０７は、粗い最上表面を有している。この粗い最上表面は、突起構造２３８およびヒロック構造２４０を含んでいてよく、さらに結晶粒界の窪み２４２を含んでいてもよい。形状に関するこれらの特徴は、図示されているように、後に堆積される誘電体材料２３０および最上プレート２３２において再現される。表面の形状が不規則である非平面ＭＩＭコンデンサ２３４は、早期の絶縁破壊を引き起こす可能性があり、またＭＩＭコンデンサ２３４の信頼性を低下させる可能性がある。
【００４０】
本発明の好ましい一実施形態では、図３、図４Ａ〜図４Ｄ、図５、および図６に示すように、新規な多層構造は、ＭＩＭコンデンサの底部プレートとして用いられるメタライゼーション層の導体材料に対して用いられる。この導体材料は、ＭＩＭコンデンサの底部プレートの最上表面を滑らかにし、そして欠陥を取り除く。まず、前述の、図２Ａに示す基板２００に用いられる材料と同様の材料を含んだ、基板３００が備えられる。絶縁層３０２をパターン化し、導体材料３０４を堆積し、そして絶縁層３０２の最上表面からあらゆる過剰な導体材料を除去することによって、基板３００上に絶縁層が形成され、そして絶縁層３０２内にビアプラグ３０４が形成される。
【００４１】
図４Ａに示すように、任意のバリヤ層３５０を、例えば絶縁層３０２とビアプラグ３０４との上に形成する。このバリヤ層３５０は、Ｔｉを含んでいることが好ましい。もしくは、バリヤ層３５０は、Ｔｉ／ＴｉＮの２層を含んでいてもよいし、または、例えば他の材料を含んでいてもよい。
【００４２】
任意のバリヤ層３５０上に、第１伝導層３５２を堆積する。第１伝導層３５２は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。しかしながら、第１伝導層３５２として、アルミニウム合金または他の導体材料を使用してもよい。第１伝導層３５２の厚みは、約２５００〜３０００Åであることが好ましい。一実施形態では、第１伝導層３５２の厚みは、第１伝導層３５２と、薄層３５４と第２伝導層３５６とを含むメタライゼーション層の厚みの約２分の１である。メタライゼーション層について次に詳しく説明する。
【００４３】
本発明の好ましい実施形態では、第１伝導層３５２上に、薄い導体材料層３５４を堆積または形成する。この薄い導体材料層３５４は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮなどの導電材料からなる薄い層を含んでいることが好ましい。しかしながら、薄い導体材料層３５４として、他の導体材料を使用してもよい。
【００４４】
一実施形態では、薄い導体材料層３５４は、図４Ｂに詳しく示すように、薄い導体材料３６４からなる単層を備えている。薄い導体材料３６４の厚みは、例えば約５０〜１００Åであることが好ましい。もしくは、薄い導体材料３６４の厚みは、約４５０Å以下であってもよい。薄い導体材料３６４は、例えばスパッタリングプロセスなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）によって堆積される。しかしながら、薄い導体材料３６４を堆積するために、化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いてもよい。薄い導体材料３６４は、例えばＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮなどの導体材料からなる薄い層を含んでいることが好ましい。しかしながら、薄い導体材料３６４として、他の導体材料を使用してもよい。
【００４５】
図４Ｃに示す他の実施形態では、薄い導体材料層３５４は、底部プレート３５２上に堆積された第１バリヤ層３６６を有している。第１バリヤ層３６６は、任意であり、例えば約１５０Å以下の厚みで堆積されたＴｉ，ＴａまたはＷを含んでいてもよい。この実施形態では、例えば約５０〜１００ÅのＴｉＮ，ＴａＮまたはＷＮを含む薄い導体材料３６４は、第１バリヤ層３６６上に堆積されている。第１バリヤ層３６６により、アルミニウム底部プレート３５２と薄い導体材料３６４との間の接着が改善される。また、第１バリヤ層３６６により、薄い導体材料３６４の品質が高まる。
【００４６】
さらに他の実施形態では、薄い導体材料層３５４は、さらに、図４Ｄに示すように、薄い導体材料３６４上に設けられた任意の第２バリヤ層３６８を備えている。第２バリヤ層３６８は、例えば薄い導体材料３６４上に堆積された約３０〜１００ÅのＴｉ，ＴａまたはＷを含んでいる。第２バリヤ層３６８は、薄い導体材料３６４と続いて形成される第２伝導層３５６との接着を改善する。この実施形態では、第１バリヤ層３６６は任意である。
【００４７】
もう一度図４Ａを参照すると、薄い導体材料層３５４上に、第２伝導層３５６が堆積されている。第２伝導層３５６は、第１伝導層３５２と同じ材料を含んでいることが好ましく、一実施形態では、アルミニウムを含んでいることが好ましい。もしくは、第２伝導層３５６は、例えば他の導体材料を含んでいてもよい。なお、第２伝導層３５６と第１伝導層３５２とは、例えばサブトラクティブエッチング法によってパターン化される導体材料を含んでいることが好ましい。一実施形態では、第１伝導層３５２と第２伝導層３５６とは、例えばダマシン技術を用いる場合に一般的に堆積される銅を含んでいないことが好ましい。第２伝導層３５６の厚みは、約２５００〜３０００Åであることが好ましい。もしくは、第２伝導層３５６の厚みは、約５００Å〜２５００Åであってもよい。第２伝導層３５６の厚みは、一実施形態において、約３０００Åであることが好ましい。第２伝導層３５６の厚みは、例えば、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の所望の厚みの約２分の１であることが好ましい。メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の合計の厚みは、例えば約５０００Åでもよい。
【００４８】
第１伝導層３５２と第２伝導層３６６との間に薄い導体材料層３５４を堆積することにより、第２伝導層３６６の表面トポグラフィが改善される。これにより、第２伝導層３６６の最上表面には、従来技術のメタライゼーション層（図２Ｂ参照）にあった突起やヒロックや窪みがなくなり、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）が、ＭＩＭコンデンサの底部プレートとして使用するために改善されたことになる。
【００４９】
次に、第２伝導層３５６上に、例えば任意の反射防止用のコーティング（ＡＲＣ）を堆積する。任意のＡＲＣ層３５８は、ＴｉまたはＴｉＮを含んでいてもよいし、もしくは、ＴｉＮ上に設けられたＴｉからなる最上層を有するＴｉＮの２重層を備えていてもよい。ＡＲＣ層３５８の厚みは、例えば約１００〜３００Åであってもよい。もしくは、ＡＲＣ層３５８は、他の材料を含んでいてもよい。任意のＡＲＣ層３５８は、クリティカルディメンション（ＣＤ）偏差（variations）を低減することができる。また、任意のＡＲＣ層３５８は、オフノーマル反射と定常波の影響とを低減することにより、リソグラフィプロセスを改善する。ＡＲＣ層３５８の厚みは、例えば約４５０Å未満であることが好ましい。
【００５０】
次に、任意のＡＲＣ層３５８上に、または、ＡＲＣ３５８を使用しない場合は第２伝導層３５６上に、誘電層３６０を堆積する。誘電層３６０は、コンデンサ誘電体としての使用に適した材料（例えば、誘電率の高い材料、または、他の絶縁体など）を含んでいることが好ましい。そして図４Ａに示すように、誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積する。導体材料３６２は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、または、例えば減法エッチングされる他の導体材料を含んでいることが好ましい。導体材料３６２は、ＭＩＭコンデンサの最上プレートを形成することになる。以下で最上プレートについてさらに説明する。
【００５１】
なお、ＭＩＭコンデンサは、半導体デバイスの相互接続領域３２４ではなく、半導体デバイスのＭＩＭコンデンサ領域３２６に形成される。一方、任意のバリヤ層３５０、第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４、第２伝導層３５６、任意のＡＲＣ層３５８、誘電層３６０および導体材料３６２は、基板３００の表面全体に堆積される。任意のバリヤ層３５０、第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４および第２伝導層３５６は、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）を備えている。一実施形態では、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）は、半導体デバイスの最上メタライゼーション層Ｍｎ（図４Ａには図示せず、図６参照）の下側にメタライゼーション層を備えている。もしくは、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）は、例えば一実施形態では、基板３００上に形成された第１、第２、または第３のメタライゼーション層を備えていてもよい。
【００５２】
図５に示す実施形態では、半導体デバイスの相互接続領域３２４に伝導線３５６を形成しながら、同時に、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）をパターン化して、ＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１のためのパターンを形成する。図に示すように、導体材料３６２と誘電層３６０（と任意のＡＲＣ層３５８）とをパターン化して、ＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレートのためのパターンを形成する。
【００５３】
メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成された底部プレート３６１と、相互接続領域３２４の相互接続線３５９とは、誘電層３６０と伝導層３６２（図示せず）とを堆積する前にパターン化されてもよい。次に、パターン化した底部プレート３６１と伝導線３５９との間に絶縁層３５７を堆積する。底部プレート３６１と、伝導線３５０と、絶縁層３５７との上にコンデンサ誘電層３６０を堆積し、上記誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積する。次に、導体材料３６２と誘電層３６０とを、単一のマスクを使用してパターン化し、ＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレートとコンデンサ誘電体とを形成する。
【００５４】
もしくは、誘電層３６０をパターン化されていないメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）上に堆積し、上記誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積してもよい。本発明の実施形態に応じて、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内の底部プレート３６１および伝導線３５９を最初にパターン化してもよいし、または、最上プレート３６２および誘電層３６０を最初にパターン化してもよい。
【００５５】
ＭＩＭコンデンサ領域３２６にあるＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１は、相互接続領域３２４にある伝導線３５９をパターン化するために使用するのと同じリソグラフィマスクを用いてパターン化できるということが有利な点である。これにより、ＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１を製造するために別のマスクが必要なくなるため、コストを下げることができる。
【００５６】
メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の材料をエッチングするために使用されるエッチング化学薬剤（etch chemistry）は、例えばＢＣおよびＣｂを含んだものを使用することができる。これらの化学薬剤の比率は、例えば各異なる材料層３５２・３５４・３５６に対して調整されてもよい。もしくは、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）をパターン化するために、他のエッチング用の化学薬剤およびプロセスを使用してもよい。
【００５７】
次に、図６に示すように、基板３００に対して、半導体デバイスの後続のプロセスを行う。図６に示すように、最上プレート３６２と伝導線３５９との上に、例えば、酸化物または他の絶縁体を含む絶縁層３７０を堆積してもよい。最上プレート３６２と絶縁材料３７０との上に、絶縁層３７４を堆積してもよく、上記絶縁材料３７４をパターン化し、相互接続領域３２４にある伝導線３５９に接触するため、絶縁層３７４・３７０内にビア３７８を形成してもよく、さらに、絶縁層３７４内にビア３７６を形成してもよい。このビア３７６は、ＭＩＭコンデンサ領域３２６にあるＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレート３６２に電気的に接触する。ビア３７８・３７６に、例えば導体材料を充填し、絶縁層３７４とビア３７８・３７６との上に、好ましくはアルミニウム、アルミニウム合金または他の導体材料を含む最上メタライゼーション層Ｍｎを堆積する。メタライゼーション層Ｍｎをパターン化し、相互接続領域３２４とＭＩＭコンデンサ領域３２６との双方に伝導線３２２を形成する。
【００５８】
伝導層３５２・３５６間に、埋設された薄い導体材料層３５４を挿入することにより、伝導層３５２・３５６の厚みが低減され、最適化される。このことにより、アルミニウムの界面の大きな突起によって引き起こされる可能性のある表面の粗さが低減される。例えばアルミニウムの層を薄くすることにより、突起のサイズを小さくすることができる。薄い導体材料層３５４を、例えば、アルミニウムにヒロックの形成される温度未満の温度で堆積することが好ましい。
【００５９】
図７、図８および図９に、本発明の３つの実施形態を示す。これらの図では、本発明の実施形態に応じて、最上プレート、底部プレート、または最上プレート及び底部プレートの双方に、薄い導体材料層が設けられている。メタライゼーション層内に伝導線を形成しながら、同時に、本発明の実施形態に応じてＭＩＭコンデンサの最上プレートまたは底部プレートを、メタライゼーション層に最適に形成してもよい。
【００６０】
図７に本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、薄い導体材料層４５４がＭＩＭコンデンサ４８４の底部プレート４８２内に設けられており、底部プレート４８２がメタライゼーション層には形成されていない。この実施形態では、導体材料４８１を絶縁層４５７内に形成する。絶縁層４５７は、基板４００上に堆積された絶縁層４０２中に形成されたビアプラグ４０４上に設けられている。続いて形成された絶縁層４８６内に、ビア４８４を設ける。この場合、導体材料４８１は、下側のビアプラグ４０４とビア４８４とを電気的に接続する。絶縁層４８６とビア４８４との上に、第１伝導層４５２を堆積し、第１伝導層４５２上に、薄い導体材料層４５４を堆積する。薄い導体材料層４５４上に、第２伝導層４５６を堆積する。第１伝導層４５２、薄い導体材料層４５４および第２導体材料層４５６は、例えば第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４および第２導体材料層３５６に関して図４Ａでそれぞれ説明されたような材料および厚みを有していることが好ましい。
【００６１】
第２伝導層４５６、薄い導体材料層４５４および第１伝導層４５２をパターン化して、図に示すような底部プレート４８２を形成する。第２伝導層４５６上に、コンデンサ誘電体４６０を堆積し、例えば底部プレート４８２をパターン化するのと同時にパターン化してもよい。パターン化した誘電層４６０と、伝導層４５６・４５４・５２との上に、絶縁層４７４を堆積する。半導体デバイスの相互接続領域４２４に、ビア４７８を形成する。また、絶縁層４７４上に、導体材料４２２を堆積する。導体材料４２２をパターン化して、ＭＩＭコンデンサ領域４２６に最上プレート４８３を形成し、相互接続領域４２４に複数の伝導線４２２を形成する。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ４８４の最上プレート４８３が最上メタライゼーション層Ｍｎに属しており、ＭＩＭコンデンサ領域４２６の最上プレート４８３は相互接続領域４２４の複数の伝導線４２２のパターン化と同時にパターン化される、ということが有利である。この場合は、ＭＩＭコンデンサ４８４の最上プレート４８３をパターン化するための別のマスクは不要である。
【００６２】
図８に、本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、底部プレート５８６と最上プレート５８８との双方に、薄い導体材料層５４４ａ・５４４ｂがそれぞれ設けられている。この実施形態では、図５および図６を参照しながら説明したように、薄い導体材料層５４４ａは、第１メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の第１伝導層５２２ａと第２伝導層５５６ａとの間に設けられていることが好ましい。繰り返しを避けるために、ここでは、図８を参照しながら参照番号および素子の全てについて説明するわけではない。同じ番号は、図５および図６に示す様々な素子に対して使用されている。この実施形態の最上プレート５８８も、第１伝導層５５２ｂと第２伝導層５５６ｂとの間に設けられた薄い導体材料層５５４ｂを備えていることが有利である。したがって、ＭＩＭコンデンサ５９０は、内部に薄い導体材料層５５４ａの設けられた底部プレート５８６と、内部に薄い導体材料層５５４ｂの設けられた最上プレート５８８とを備えている。薄い導体材料層５５４ａ・５５４ｂは、それぞれ、第２伝導層５５６ａ・５５６ｂの最上表面の質感または形状を改善し、または、滑らかにする。絶縁層５７４内に、ＭＩＭコンデンサ５９０の最上プレート５８８に電気的に接触するためのビア５７６を形成し、次に、最上メタライゼーション層Ｍｎに、伝導線５２２を形成する。なお、この実施形態の利点は、薄い導体材料層５４４ｂが例えばビア５７６のパターン化に対するエッチストップとしての役割を果たす、という点である。したがって、ビア５７６は、図に示すように、薄い導体材料層５５４ｂの最上表面に達する。
【００６３】
図９に、本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ６９８の、薄い導体材料層６５４を有した最上プレート６９６が、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎ内に形成されている。同じく、ここでは、繰り返しを避けるために、全ての参照番号について説明または論議するわけではない。半導体デバイスの様々な材料層に対して同じ番号の使用されている図５および図６に関する説明を参照のこと。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６は、第１伝導層６５２と、第１伝導層６５２上に堆積された薄い導体材料層６５４と、薄い導体材料層６５４上に堆積された第２伝導層６５６とを備えている。底部プレート６９４は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む単一の伝導層を含んでいてもよい。しかしながら、底部プレート６４９は、例えば他の導体材料を含んでいてもよい。底部プレート６９４は、図８を参照しながら説明したように、第１伝導層、薄い導体材料層、および、第２伝導層（図示せず）を備えていてもよい。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ領域６２６に形成されたＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６は、相互接続領域６２４内に形成される複数の伝導線６２２をメタライゼーション層Ｍｎにパターン化するのと同時に、パターン化されてもよい、ということが有利である。このことは有利である。なぜなら、ＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６のパターン化のために別のマスクは必要ないからである。なお、この実施形態では、相互接続領域６２４における複数の伝導線６２２は、さらに、該伝導線６２２内に薄い導体材料層６５４を備えている。
【００６４】
本発明の実施形態では、少なくとも１つの薄い導体材料層が、ＭＩＭコンデンサの少なくとも１つのプレートの導体材料内に設けられていることが好ましい。特に、ＭＩＭコンデンサプレートに２つ以上の導体材料層が設けられていてもよい。図１０に、本発明の一実施形態のＭＩＭコンデンサのプレートの断面図を示す。該ＭＩＭコンデンサプレートは、それぞれ伝導層７５２・７５６ａ間、７５６ａ・７５６ｂ間、および、７５６ｂ・７５６ｃ間に設けられた３つの薄い導体材料層７５４ａ・７５４ｂ・７５４ｃを備えている。少なくとも１つの伝導層７５６ａ・７５６ｂ・７５６ｃは、図に示すように、少なくとも１つの薄い導体材料層７５４ａ・７５４ｂ・７５４ｃの少なくとも１つの上に堆積されていることが好ましい。また上述したように、ＭＩＭコンデンサプレートを半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎに形成してもよい。
【００６５】
図１１に、本発明の一実施形態を示す。この図では、ＭＩＭコンデンサプレートは、複数の薄い導体材料層８５４ａ・８５４ｂを備えており、最上の薄い導体材料層８５４ｂ上には、導体材料層が設けられていない。薄い導体材料層８５４ａは、伝導層８５２と第２伝導層８５６との間に形成されている。薄い導体材料層８５４ｂは、最上第２伝導層８５６上に堆積または形成されている。本発明の実施形態では、少なくとも１つの第２伝導層８５６は、図に示すように薄い導体材料層８５４ａの少なくとも１つの上に堆積されていることが好ましい。また同じく、上述したように、ＭＩＭコンデンサプレートは、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎに形成されてもよい。
【００６６】
メタライゼーション層または金属プレートの厚みは、ＭＩＭコンデンサプレートの抵抗が所望のものとなるように調整されることが好ましい。例えば、薄い導体材料層の材料（例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、Ｔｉ、Ｔａ、またはＷ）は、伝導層に使用される材料（Ａｌ、Ａｌ合金）よりも高い抵抗を有していていることもある。したがって、抵抗が所望のものとなるように、プレートの合計の厚みは低減される可能性がある。
【００６７】
上記の絶縁層は、半導体製造において使用される典型的な絶縁体（例えば、二酸化シリコン、誘電率の低い材料、または、その他の材料）を含んでいることが好ましい。メタライゼーション層は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。
【００６８】
本発明の実施形態の利点は、ＭＩＭコンデンサの製造に必要なマスクの数を減らすことができ、その結果、プロセスコストを下げることができる点である。少なくとも１つの薄い伝導層により、メタライゼーション層の最上表面は、滑らかで、欠陥のない、平坦なものとなる。表面の改善されたメタライゼーション層に、底部プレートを形成する場合は、結果としてＭＩＭコンデンサの信頼性が向上する。上記した製造方法は、アルミニウムＢＥＯＬ工程と互換性がある。なぜなら、導体材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含んでいることが好ましいからである。続いて形成されるメタライゼーション層とのビア相互接続は、確実に改善されており、この方法により、様々な材料層をパターン化するために使用される反応イオンエッチングのためのプロセス窓が拡大される。上記した製造方法およびＭＩＭコンデンサ構造は、一例としてＲＦ半導体アプリケーションなどの高性能かつ高速のアプリケーションと互換性がある。ＭＩＭコンデンサの底部プレートは、従来技術のＭＩＭコンデンサ底部プレート（例えば、図１に示すＴｉＮ底部プレート１０８）に使用されていたＴｉＮの抵抗よりも低いアルミニウムをかなりの割合で含んでいることが好ましい。したがって、以上で説明した抵抗の低減されたＭＩＭコンデンサの利点は、加速、電力消費量の減少、および、性能の改善である。さらに、本発明の実施形態に基づいてメタライゼーション層に形成されたＭＩＭコンデンサプレートは、プレートに対する電気的接続を確立するために事前にまたは続いて堆積される層にあるビアスタッドを使用するよりもむしろ、同じメタライゼーション層に形成された伝導線に結合されていてもよい、ということが有利である。
【００６９】
なお、本発明の実施形態およびその利点について詳しく説明してきたが、添付の請求項によって規定される本発明の精神と範囲とに反することなく、ここでは様々な変更、置換、改変を行うことができる。例えば、当業者には、本願に記載の特徴、機能、プロセスおよび材料の多くを本発明の範囲内で変化させてもよい、ということがすぐに理解されるであろう。さらに、本願の範囲は、明細書に記載の特定のプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法および工程の特定の実施形態に制限されることを意図するものではない。当業者は、本発明で開示されたことに基づいて、本願に記載の対応する実施形態と本質的に同じ機能を果たす、または、本質的に同じ結果を達成する、既存のまたは後に開発されるであろうプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法、または工程を、本発明に基づいて利用してもよいことを理解するであろう。したがって、添付の請求項は、その範囲内に、このようなプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法、または、工程を含むことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】従来技術によるＭＩＭコンデンサ構造を有した半導体デバイスの断面図である。
【図２Ａ】半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図２Ｂ】メタライゼーション層の最上表面の粗さおよび不規則性が、上記ＭＩＭコンデンサの信頼性に関する問題を引き起こしている、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサをより詳細に示す図である。
【図３】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ａ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｂ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｃ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｄ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図５】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図６】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図７】ＭＩＭコンデンサの底部プレート内に薄い伝導材料層が配置されていて、そしてこのＭＩＭコンデンサの底部プレートは、メタライゼーション層内に形成されていない、本発明の一実施形態を示す図である。
【図８】底部プレート内および上部プレート内には、薄い伝導材料層が配置されている、本発明の一実施形態を示す図である。
【図９】半導体デバイスのメタライゼーション層内に上部プレートが形成されていて、この上部プレート内には、薄い伝導材料層が配置されている、本発明の一実施形態を示す図である。
【図１０】プレート内に複数の薄い伝導材料層が形成されている、本発明の一実施形態によるＭＩＭコンデンサの断面図である。
【図１１】コンデンサのプレートの最上表面上に、薄い伝導材料層が形成されている、本発明の別の実施形態を示す図である。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
〔技術分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造に関し、特に、金属−絶縁体−金属（metal-insulator-metal:ＭＩＭ）コンデンサ構造体の製造に関する。
【０００２】
〔背景〕
コンデンサは、電荷を蓄えるための半導体デバイスに幅広く用いられている素子である。コンデンサは、基本的に、絶縁体によって分離された２つの伝導プレートを有している。キャパシタンス、すなわち印加電圧ごとのコンデンサの蓄電量は、多くのパラメータに依存している。このパラメータとは、例えば、上記プレートの領域、上記プレート間の距離、上記プレート間にある絶縁体の誘電率の値などである。コンデンサは、フィルタ、アナログ／デジタル変換器、メモリデバイス、制御アプリケーション、およびその他多くの種類の半導体デバイスに用いられている。
【０００３】
コンデンサの１つの種類として、ＭＩＭコンデンサがある。このＭＩＭコンデンサは、例えばアナログ/デジタル混在デバイス、論理半導体デバイスなどにおいて多く用いられている。ＭＩＭコンデンサは、様々な半導体デバイスにおいて電荷を蓄えるために用いられる。ＭＩＭコンデンサは、例えばメモリデバイス内のストレージノードとして多く用いられる。ＭＩＭコンデンサは、一般的に、半導体ウエハ上に水平に形成されており、かつ、上記ウエハの表面に対して平行である絶縁層を挟んでいる金属プレートを２つ有している。
【０００４】
図１に、半導体デバイス内に形成された、従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４を示す。上記半導体デバイスは、基板１００を有している。この基板１００は、能動領域および構成部分を有した半導体ウエハまたは基板、またはその上に形成された別の材料層を有していてよい。基板１００上には、一般的に、複数のメタライゼーション層が形成されている。例えば、上部メタライゼーション層Ｍｎは、複数の伝導線（conductive line）１２２を有することができ、そして下部のＭ（ｎ−１）は、上部メタライゼーション層Ｍｎの下に配置することができる。Ｍ（ｎ−１）の内部には、複数の伝導線１０６が形成されていてもよい。伝導線１０６と伝導線１２２との間には、層間絶縁膜層（ＩＬＤ）が配置されている（図示せず）。また、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の下には、別のメタライゼーション層がすることもできる（図示せず）。例えば、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の下に、２〜４つの追加的なメタライゼーション層が配置されていてよい。メタライゼーション層Ｍｎ、Ｍ（ｎ−１）、および別のメタライゼーション層（図示せず）は、例えば、絶縁層１０２内に形成されたビア１０４と、絶縁層１２０内に形成されたビア１１８と共に、相互接続システムを提供している。伝導線１０６、１２２、およびビア１０４、１１８は、様々な構成部分と、基板１００内に形成された能動領域との間に相互接続手段を提供していて、また、半導体デバイスの外側から電気的な接触を行うために用いられる接続点（図示せず）を提供している。
【０００５】
一般的にメタライゼーション層ＭｎおよびＭ（ｎ−１）は、銅またはアルミニウムを含んでいる。銅は、アルミニウムよりも抵抗が低くて伝導性に優れているが、ダマシンプロセスが必要であって、製造プロセスのコストがかさむ。アルミニウムは一般的に、例えばサブトラクティブエッチング法（subtractive etch process）によってパターン化される。
【０００６】
図１は、ビア誘電体層１２０に形成された、従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４を示している。ＭＩＭコンデンサ１１４を形成するためには、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に伝導線１０６が形成された後で、この伝導線１０６上に導体材料１０８が堆積され、そして伝導線１０６間にＩＬＤ層（図示せず）が配置される。一般的に、導体材料１０８は、例えばＴｉＮを含んでいる。導体材料１０８は、リソグラフィによって、ＭＩＭコンデンサの底部プレートのパターンにパターン化される。該リソグラフィでは、例えば堆積させたフォトレジストをパターン形成し、これを、導電性材料１０８の一部を除去するためのエッチングにおいてマスクとして用いる。そして底部プレート１０８が形成される。次に、底部プレート１０８上にコンデンサ誘電体層１１０が堆積され、そしてこのコンデンサ誘電体材料１１０上に導体材料１１２が堆積される。導体材料１１２および誘電体材料１１０は、図示されているＭＩＭコンデンサ１１４の最上プレートのためのパターンを用いてパターン化される。このとき、例えば、従来のリソグラフィ技術が用いられる。ＭＩＭコンデンサ１１４上に絶縁材料１２０が堆積され、そしてこの絶縁材料１２０がビア１１６を用いてパターン化され、そして導体材料によって充填される。ここでビア１１６は、ＭＩＭコンデンサ１１４の最上プレート１１２と、メタライゼーション層Ｍｎ内にある上部（overlying）伝導線１２２との間に電気接触を提供している。
【０００７】
図１に示す、ＭＩＭコンデンサ１１４の従来技術による形成方法は、ＭＩＭコンデンサ１１４をパターン化するために２つのマスクレベルが必要であるという不都合点がある。上記２つのマスクレベルのうち、１つは底部プレート１０８を形成するためであって、もう１つは最上プレート１１２および誘電体材料１１０を形成するためである。また、各メタライゼーション層Ｍｎ、Ｍ（ｎ−１）、およびビア層１０２、１１６／１１８について、伝導線１１２、１０６、およびビア層１０２、１１６／１１８をそれぞれパターン化するための別々のマスクが必要となる。
【０００８】
そのため、ＭＩＭコンデンサおよびその構造をパターン化する方法であって、ＭＩＭコンデンサを形成するための製造処理において要するマスクレベルがより少ない方法が必要とされている。
【０００９】
さらに、図１に示されている従来技術によるＭＩＭコンデンサ１１４では、下部電極１０８の材料としてＴｉＮが用いられているという別の問題がある。ＴｉＮは、そのシート抵抗が比較的高いため、ＭＩＭコンデンサ１１４の抵抗が高くなる。ＭＩＭコンデンサのプレートとしてＴｉＮを用いることによって、高周波（ＲＦ）アプリケーションなどの、高速かつ高性能のアプリケーションにおけるＭＩＭコンデンサデバイスの利用が制限されることになる。
【００１０】
すなわち、シート抵抗が低減されたプレートを用いたＭＩＭコンデンサがさらに必要とされている。
【００１１】
〔発明の概要〕
本発明の形態は、マスクレベルを低減させたＭＩＭコンデンサの製造形成方法、あるいは要するマスク数がより少ないＭＩＭコンデンサの製造方法を提供することによって、技術面における優位性を達成している。一形態によると、ＭＩＭコンデンサの１つのプレートは、メタライゼーション層の層厚いっぱいに形成されている。この形態では、上記メタライゼーション層のマスクレベルは、相互接続領域内にある伝導線のためのパターンを含んでいて、さらに、ＭＩＭコンデンサ領域内にある少なくとも１つのＭＩＭコンデンサの底部プレートのためのパターンを含んでいる。また一形態によると、メタライゼーション層内に形成された上記ＭＩＭコンデンサのプレートはアルミニウムを含んでいてよく、シート抵抗が低くなっている。また、上記ＭＩＭコンデンサの１つ以上のプレート内に、メタライゼーション層またはコンデンサのプレートに用いられる導体材料とは別の材料を含んだ、薄い導体材料層が形成されていてもよい。この薄い導体材料層によって、メタライゼーション層の上面の粗さが軽減されるため、ＭＩＭコンデンサの信頼性が改善される。
【００１２】
本発明の好ましい形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサプレートは、第１の材料を含む第１伝導層と、この第１伝導層上に配置された、少なくとも１つの薄い導体材料層とを備えている。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、上記第１の材料とは異なる材料である第２の材料を含む。上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上には、少なくとも１つの第２伝導層が配置されている。
【００１３】
本発明の別の形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサは、第１プレートと、この第１プレート上に設けられた誘電体材料と、この誘電体材料上に設けられた第２プレートとを備えている。上記第１プレートまたは第２プレートは、第１の材料を含む第１伝導層と、この第１伝導層上に設けられた少なくとも１つの薄い導体材料層とを有している。この薄い導体材料層は、上記第１の材料とは異なる第２の材料を含む。上記第１プレートまたは上記第２プレートは更に、上記少なくとも１つの薄い導体材料層上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層を有している。
【００１４】
本発明のさらに別の形態によると、本発明に係る半導体デバイスは、基板と、この基板上に形成された少なくとも１つのメタライゼーション層と、上記基板上に形成された少なくとも１つのＭＩＭコンデンサとを備えている。そして、このＭＩＭコンデンサは、上記少なくとも１つのメタライゼーション層内に形成された第１プレートと、この第１プレート上に設けられた誘電体材料と、この誘電体材料上に設けられた第２プレートとを有している。また、上記半導体デバイスの上記少なくとも１つのメタライゼーション層内には、少なくとも１つの第１伝導線が形成されている。この少なくとも１つの第１伝導線は第１の厚みを有していて、上記ＭＩＭコンデンサの第１プレートは、上記第１の厚みを有している。
【００１５】
本発明の別の形態によると、本発明に係るＭＩＭコンデンサの製造方法は、第１材料を含む第１伝導層を堆積する工程と、上記第１伝導層上に、少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程とを含んでいる。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、上記第１材料とは異なる第２材料を含んでいる。上記方法は、上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に、少なくとも１つの第２伝導層を堆積する工程を含んでいる。上記方法はまた、上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１伝導層とをパターン化して、第１プレートを形成する工程を含んでいる。
【００１６】
本発明の形態の利点は、ＭＩＭコンデンサの製造に必要なマスク数を減らし、これによってプロセスコストを少なくできるという利点を有している。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、メタライゼーション層の滑らかで欠陥のない平坦な最上表面を形成する。表面が改善された上記メタライゼーション層内に底部プレートが形成されることによって、信頼性のより高いＭＩＭコンデンサを提供することができる。
【００１７】
本明細書に記載のＭＩＭコンデンサ製造方法は、アルミニウムＢＥＯＬ工程（aluminum back-end-of-the-line）と互換性がある。後に形成されるメタライゼーション層へのビア相互接続の信頼性は改善されている。上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、後のビア相互接続の形成中に、エッチストップとして機能すると都合がよい。この方法により、上記半導体デバイスの様々な材料層をパターン化するために使用される反応イオンエッチングプロセスのためのプロセス窓が拡大される。本明細書に記載のＭＩＭコンデンサの製造方法およびＭＩＭコンデンサは、例えばＲＦ半導体アプリケーションなどの高性能かつ高速のアプリケーションと互換性がある。
【００１８】
以下に記載する本発明の詳細な説明をよりよく理解できるように、本発明の形態の特徴および技術的利点について、概要をやや大まかに示した。本発明の請求項の主題を形成している、本発明の形態のさらなる特徴および利点について、以下に説明する。当業者には言うまでもなく、本願に開示されている概念および特定の形態は、本発明の同一の目的を達成するための別の構造またはプロセスを変更または設計するための基準として容易に用いることができる。また、当業者には言うまでもなく、このような同様の構造は、請求項に記載されている本発明の精神と範囲を逸脱するものではない。
【００１９】
本発明およびその利点をより完全に理解するために、添付図面と共に以下の説明を参照されたい。添付図面は以下の通りである：
【００２０】
〔図面の簡単な説明〕
図１は、従来技術によるＭＩＭコンデンサ構造を有した半導体デバイスの断面図を示す。
【００２１】
図２Ａは、本発明の好ましい実施形態の断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている状態を示している。
【００２２】
図２Ｂは、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサをより詳細に示す図であって、メタライゼーション層の最上表面の粗さおよび不規則性が、上記ＭＩＭコンデンサの信頼性に関する問題を引き起こしている。
【００２３】
図３、図４Ａ〜図４Ｄ、図５、および図６は、本発明の好ましい実施形態の断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い導体材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている。
【００２４】
図７は、本発明の一実施形態を示す図であって、ＭＩＭコンデンサの底部プレート内に薄い導体材料層が配置されていて、そしてこのＭＩＭコンデンサの底部プレートは、メタライゼーション層内に形成されていない。
【００２５】
図８は、本発明の一実施形態を示す図であって、底部プレート内および上部プレート内に薄い導体材料層が配置されている状態を示している。
【００２６】
図９は、本発明の一実施形態を示す図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層内に上部プレートが形成されていて、この上部プレート内に薄い導体材料層が配置されている状態を示している。
【００２７】
図１０は、本発明の一実施形態によるＭＩＭコンデンサの断面図であって、プレート内に複数の薄い導体材料層が形成されている状態を示している。
【００２８】
図１１は、本発明の別の実施形態を示す図であって、コンデンサのプレートの最上表面上に、薄い導体材料層が形成されている状態を示している。
【００２９】
これらの図面に用いられている同様の符合および記号は、別段の記載がなければ、通常は同様の部位を示している。これらの図面は、好ましい実施形態の関連形態を明瞭に示すためのものであって、必ずしも範囲を限定するものではない。
【００３０】
〔実施形態の詳細な説明〕
現時点での好ましい実施形態の実施および利用について、以下に詳しく説明する。しかしながら本発明は、様々な特殊な状況において実施可能な、実用的かつ独創的な多くの概念を提供していることについて理解されたい。説明されている具体的な実施形態は、本発明を実施および利用するための具体的な方法を示すのみであって、本発明の範囲を限定するものではない。
【００３１】
図２Ａは、本発明の好ましい実施形態を示す断面図であって、半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている。まず、基板２００がある。この基板２００は、好ましくは半導体基板を含んでいて、内部には能動領域またはデバイス領域（図示せず）を形成することができる。上記基板は、例えば絶縁層で覆われたシリコンまたは別の半導体材料を含んだ半導体基板を含んでいてよい。さらに上記基板には、ＦＥＯＬ工程（front-end-of-line）で形成された別の能動部品または回路（図示せず）を含んでいてもよい。上記基板は、例えば単結晶酸化ケイ素含んでいてよい。上記基板は、例えばトランジスタおよびダイオードなどの、別の伝導層または別の半導体素子を含んでいてよい。シリコンの代わりに、例えばＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ／Ｇｅ、ＳｉＣなどの化合物半導体を用いてもよい。基板２００上に、１つ以上のメタライゼーション層（図示せず）が形成されていてよい。
【００３２】
基板２００上に、絶縁層２０２が堆積される。絶縁層２０２は、例えば二酸化ケイ素、ケイ酸ガラス（フッ素シリコンガラス（ＦＳＧ））、または低誘電率材料などを含んでいてよい。あるいは絶縁層２０２は、半導体デバイス内の絶縁体として一般的に用いられる別の誘電体材料を含んでいてもよい。絶縁層２０２は、図示されている相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６の双方において、任意のビアスタッド（via stud）２０４のためにパターン形成される。任意のビアスタッド２０４は、基板２００内または基板２００上に配置されたメタライゼーション層内の素子またはデバイスから、後に形成されるメタライゼーション層２０６および２２２への電気的接続を提供することができる。
【００３３】
絶縁層２０２上に、導体材料２０６が堆積される。本発明の好ましい実施形態によれば、導体材料２０６は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。導体材料２０６は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金を含んでいてよい。アルミニウムは、例えば銅などの別の導体材料と比べてプロセスコストが低い。しかし導体材料２０６は、例えば別の導体材料をさらに含んでいてもよい。導体材料２０６は、相互接続領域２２４に伝導線２０６を、そしてＭＩＭコンデンサ領域２２６にＭＩＭコンデンサ２３４の底部プレートを同時に形成するために、サブトラクティブエッチングされることが好ましい。伝導線２０６および底部プレート２０７上には、絶縁層２５７が堆積され、そして過剰な絶縁材料２５７は、エッチングプロセス、または例えば化学的機械研磨プロセス（ＣＭＰ）などの研磨プロセスによって、伝導線２０６および底部プレート２０７から除去される。
【００３４】
パターン化された伝導線２０６および底部プレート２０７上には、誘電体材料２３０が堆積されている。誘電体材料２３０は、好ましくは、コンデンサ誘電体としての使用に適した材料を含んでいて、例えば高誘電率材料を含んでいることが好ましい。誘電体材料２３０は、相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６を含んだ、基板の表面全体の上に堆積される。
【００３５】
誘電体材料２３０の上に、導体材料２３２が堆積される。導体材料２３２は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金、または別の導体材料を含んでいてよい。導体材料２３２および誘電体材料２３０は、リソグラフィ法によってパターン化され、そしてＭＩＭコンデンサ２３４の上部プレート２３２およびコンデンサ誘電体２３０を形成する。ここで、上部プレート２３２およびコンデンサ誘電体材料２３０の両方をパターン化する際、１つのマスクが用いられることが好ましい。
【００３６】
ＭＩＭコンデンサ２３４および伝導線２０６上に、絶縁層２２０が堆積される。絶縁層２２０は、例えば酸化物、ケイ酸ガラス、または低誘電率材料などを含んでいてよい。絶縁層２２０は、相互接続領域２２４内のビア２１８、およびＭＩＭコンデンサ領域２２６内のビア２３６のためのパターンを用いてパターン化される。例えば、ビア２１８は、相互接続領域２２４内の伝導線２０６との電気的接触を形成していて、そしてビア２３６は、ＭＩＭコンデンサ領域２２６内のＭＩＭコンデンサ２３４の最上プレート２３２との電気的接触を形成している。導体材料は、ビア２１８および２３６を充填するために堆積され、そして過剰な導体材料は、例えばエッチングまたはＣＭＰプロセスを用いて、絶縁層２２０の最上表面から除去される。
【００３７】
そして、ビア２１８、ビア２３６および絶縁層２２０上に、導体材料２２２が堆積される。導体材料２０６は、例えばＡｌ、またはＡｌを含有した合金、または別の導体材料を含んでいることが好ましい。導体材料２２２は、サブトラクティブエッチング法によってパターン化され、そして相互接続領域２２４およびＭＩＭコンデンサ領域２２６の双方において、伝導線２２２を形成する。本発明の好ましい実施形態によると、ＭＩＭコンデンサ２３４は、上記半導体デバイスの上部メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内またはその近傍に形成される。一実施形態では、ビア２３６によってＭＩＭコンデンサ２３４の最上プレートと電気的接触をなしている伝導線２２２は、上記半導体デバイスの上部メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成されることが好ましい。図２ＡにはＭＩＭコンデンサ２３４は１つしか図示されていないが、半導体デバイス内に複数のＭＩＭコンデンサ２３４が形成されてもよい。
【００３８】
図２Ａに示すＭＩＭコンデンサ２３４の構造およびその形成方法は、ＭＩＭコンデンサ２３４の底部プレート２０７が、伝導線２０６をパターン化するために用いられるマスクと同一のマスクを用いてパターン化されるという利点がある。メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成された底部プレート２０７はアルミニウムを含むため、抵抗が高い別の材料を含んだプレートを有するＭＩＭコンデンサと比べて、シート抵抗を低くすることができる。ＭＩＭコンデンサの底部プレート２０７が同じメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）（図示せず）内に形成された伝導線と結合されることは、ビアスタッド２０４を用いて底部プレート２０７との電気的接触を形成するよりも有利である。
【００３９】
しかしながら、本発明のこの実施形態は、底部プレート２０７の導体材料および伝導線２０６が、最上表面において欠陥を有しているため、最良のものとは言い難い。底部プレート２０７および伝導線２０６は、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサ２３４のより詳細な図である図２Ｂに示すような表面形態を示すアルミニウムを含んでいることが好ましい。アルミニウム底部プレート２０７は、粗い最上表面を有している。この粗い最上表面は、突起構造２３８およびヒロック構造２４０を含んでいてよく、さらに結晶粒界の窪み２４２を含んでいてもよい。形状に関するこれらの特徴は、図示されているように、後に堆積される誘電体材料２３０および最上プレート２３２において再現される。表面の形状が不規則である非平面ＭＩＭコンデンサ２３４は、早期の絶縁破壊を引き起こす可能性があり、またＭＩＭコンデンサ２３４の信頼性を低下させる可能性がある。
【００４０】
本発明の好ましい一実施形態では、図３、図４Ａ〜図４Ｄ、図５、および図６に示すように、新規な多層構造は、ＭＩＭコンデンサの底部プレートとして用いられるメタライゼーション層の導体材料に対して用いられる。この導体材料は、ＭＩＭコンデンサの底部プレートの最上表面を滑らかにし、そして欠陥を取り除く。まず、前述の、図２Ａに示す基板２００に用いられる材料と同様の材料を含んだ、基板３００が備えられる。絶縁層３０２をパターン化し、導体材料３０４を堆積し、そして絶縁層３０２の最上表面からあらゆる過剰な導体材料を除去することによって、基板３００上に絶縁層が形成され、そして絶縁層３０２内にビアプラグ３０４が形成される。
【００４１】
図４Ａに示すように、任意のバリヤ層３５０を、例えば絶縁層３０２とビアプラグ３０４との上に形成する。このバリヤ層３５０は、Ｔｉを含んでいることが好ましい。もしくは、バリヤ層３５０は、Ｔｉ／ＴｉＮの２層を含んでいてもよいし、または、例えば他の材料を含んでいてもよい。
【００４２】
任意のバリヤ層３５０上に、第１伝導層３５２を堆積する。第１伝導層３５２は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。しかしながら、第１伝導層３５２として、アルミニウム合金または他の導体材料を使用してもよい。第１伝導層３５２の厚みは、約２５００〜３０００Åであることが好ましい。一実施形態では、第１伝導層３５２の厚みは、第１伝導層３５２と、薄層３５４と第２伝導層３５６とを含むメタライゼーション層の厚みの約２分の１である。メタライゼーション層について次に詳しく説明する。
【００４３】
本発明の好ましい実施形態では、第１伝導層３５２上に、薄い導体材料層３５４を堆積または形成する。この薄い導体材料層３５４は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮなどの導電材料からなる薄い層を含んでいることが好ましい。しかしながら、薄い導体材料層３５４として、他の導体材料を使用してもよい。
【００４４】
一実施形態では、薄い導体材料層３５４は、図４Ｂに詳しく示すように、薄い導体材料３６４からなる単層を備えている。薄い導体材料３６４の厚みは、例えば約５０〜１００Åであることが好ましい。もしくは、薄い導体材料３６４の厚みは、約４５０Å以下であってもよい。薄い導体材料３６４は、例えばスパッタリングプロセスなどの物理的気相成長法（ＰＶＤ）によって堆積される。しかしながら、薄い導体材料３６４を堆積するために、化学気相堆積（ＣＶＤ）を用いてもよい。薄い導体材料３６４は、例えばＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮなどの導体材料からなる薄い層を含んでいることが好ましい。しかしながら、薄い導体材料３６４として、他の導体材料を使用してもよい。
【００４５】
図４Ｃに示す他の実施形態では、薄い導体材料層３５４は、底部プレート３５２上に堆積された第１バリヤ層３６６を有している。第１バリヤ層３６６は、任意であり、例えば約１５０Å以下の厚みで堆積されたＴｉ，ＴａまたはＷを含んでいてもよい。この実施形態では、例えば約５０〜１００ÅのＴｉＮ，ＴａＮまたはＷＮを含む薄い導体材料３６４は、第１バリヤ層３６６上に堆積されている。第１バリヤ層３６６により、アルミニウム底部プレート３５２と薄い導体材料３６４との間の接着が改善される。また、第１バリヤ層３６６により、薄い導体材料３６４の品質が高まる。
【００４６】
さらに他の実施形態では、薄い導体材料層３５４は、さらに、図４Ｄに示すように、薄い導体材料３６４上に設けられた任意の第２バリヤ層３６８を備えている。第２バリヤ層３６８は、例えば薄い導体材料３６４上に堆積された約３０〜１００ÅのＴｉ，ＴａまたはＷを含んでいる。第２バリヤ層３６８は、薄い導体材料３６４と続いて形成される第２伝導層３５６との接着を改善する。この実施形態では、第１バリヤ層３６６は任意である。
【００４７】
もう一度図４Ａを参照すると、薄い導体材料層３５４上に、第２伝導層３５６が堆積されている。第２伝導層３５６は、第１伝導層３５２と同じ材料を含んでいることが好ましく、一実施形態では、アルミニウムを含んでいることが好ましい。もしくは、第２伝導層３５６は、例えば他の導体材料を含んでいてもよい。なお、第２伝導層３５６と第１伝導層３５２とは、例えばサブトラクティブエッチング法によってパターン化される導体材料を含んでいることが好ましい。一実施形態では、第１伝導層３５２と第２伝導層３５６とは、例えばダマシン技術を用いる場合に一般的に堆積される銅を含んでいないことが好ましい。第２伝導層３５６の厚みは、約２５００〜３０００Åであることが好ましい。もしくは、第２伝導層３５６の厚みは、約５００Å〜２５００Åであってもよい。第２伝導層３５６の厚みは、一実施形態において、約３０００Åであることが好ましい。第２伝導層３５６の厚みは、例えば、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の所望の厚みの約２分の１であることが好ましい。メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の合計の厚みは、例えば約５０００Åでもよい。
【００４８】
第１伝導層３５２と第２伝導層３６６との間に薄い導体材料層３５４を堆積することにより、第２伝導層３６６の表面トポグラフィが改善される。これにより、第２伝導層３６６の最上表面には、従来技術のメタライゼーション層（図２Ｂ参照）にあった突起やヒロックや窪みがなくなり、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）が、ＭＩＭコンデンサの底部プレートとして使用するために改善されたことになる。
【００４９】
次に、第２伝導層３５６上に、例えば任意の反射防止用のコーティング（ＡＲＣ）を堆積する。任意のＡＲＣ層３５８は、ＴｉまたはＴｉＮを含んでいてもよいし、もしくは、ＴｉＮ上に設けられたＴｉからなる最上層を有するＴｉＮの２重層を備えていてもよい。ＡＲＣ層３５８の厚みは、例えば約１００〜３００Åであってもよい。もしくは、ＡＲＣ層３５８は、他の材料を含んでいてもよい。任意のＡＲＣ層３５８は、クリティカルディメンション（ＣＤ）偏差（variations）を低減することができる。また、任意のＡＲＣ層３５８は、オフノーマル反射と定常波の影響とを低減することにより、リソグラフィプロセスを改善する。ＡＲＣ層３５８の厚みは、例えば約４５０Å未満であることが好ましい。
【００５０】
次に、任意のＡＲＣ層３５８上に、または、ＡＲＣ３５８を使用しない場合は第２伝導層３５６上に、誘電層３６０を堆積する。誘電層３６０は、コンデンサ誘電体としての使用に適した材料（例えば、誘電率の高い材料、または、他の絶縁体など）を含んでいることが好ましい。そして図４Ａに示すように、誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積する。導体材料３６２は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、または、例えば減法エッチングされる他の導体材料を含んでいることが好ましい。導体材料３６２は、ＭＩＭコンデンサの最上プレートを形成することになる。以下で最上プレートについてさらに説明する。
【００５１】
なお、ＭＩＭコンデンサは、半導体デバイスの相互接続領域３２４ではなく、半導体デバイスのＭＩＭコンデンサ領域３２６に形成される。一方、任意のバリヤ層３５０、第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４、第２伝導層３５６、任意のＡＲＣ層３５８、誘電層３６０および導体材料３６２は、基板３００の表面全体に堆積される。任意のバリヤ層３５０、第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４および第２伝導層３５６は、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）を備えている。一実施形態では、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）は、半導体デバイスの最上メタライゼーション層Ｍｎ（図４Ａには図示せず、図６参照）の下側にメタライゼーション層を備えている。もしくは、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）は、例えば一実施形態では、基板３００上に形成された第１、第２、または第３のメタライゼーション層を備えていてもよい。
【００５２】
図５に示す実施形態では、半導体デバイスの相互接続領域３２４に伝導線３５６を形成しながら、同時に、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）をパターン化して、ＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１のためのパターンを形成する。図に示すように、導体材料３６２と誘電層３６０（と任意のＡＲＣ層３５８）とをパターン化して、ＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレートのためのパターンを形成する。
【００５３】
メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内に形成された底部プレート３６１と、相互接続領域３２４の相互接続線３５９とは、誘電層３６０と伝導層３６２（図示せず）とを堆積する前にパターン化されてもよい。次に、パターン化した底部プレート３６１と伝導線３５９との間に絶縁層３５７を堆積する。底部プレート３６１と、伝導線３５０と、絶縁層３５７との上にコンデンサ誘電層３６０を堆積し、上記誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積する。次に、導体材料３６２と誘電層３６０とを、単一のマスクを使用してパターン化し、ＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレートとコンデンサ誘電体とを形成する。
【００５４】
もしくは、誘電層３６０をパターン化されていないメタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）上に堆積し、上記誘電層３６０上に、導体材料３６２を堆積してもよい。本発明の実施形態に応じて、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）内の底部プレート３６１および伝導線３５９を最初にパターン化してもよいし、または、最上プレート３６２および誘電層３６０を最初にパターン化してもよい。
【００５５】
ＭＩＭコンデンサ領域３２６にあるＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１は、相互接続領域３２４にある伝導線３５９をパターン化するために使用するのと同じリソグラフィマスクを用いてパターン化できるということが有利な点である。これにより、ＭＩＭコンデンサ３７２の底部プレート３６１を製造するために別のマスクが必要なくなるため、コストを下げることができる。
【００５６】
メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の材料をエッチングするために使用されるエッチング化学薬剤（etch chemistry）は、例えばＢＣおよびＣｂを含んだものを使用することができる。これらの化学薬剤の比率は、例えば各異なる材料層３５２・３５４・３５６に対して調整されてもよい。もしくは、メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）をパターン化するために、他のエッチング用の化学薬剤およびプロセスを使用してもよい。
【００５７】
次に、図６に示すように、基板３００に対して、半導体デバイスの後続のプロセスを行う。図６に示すように、最上プレート３６２と伝導線３５９との上に、例えば、酸化物または他の絶縁体を含む絶縁層３７０を堆積してもよい。最上プレート３６２と絶縁材料３７０との上に、絶縁層３７４を堆積してもよく、上記絶縁材料３７４をパターン化し、相互接続領域３２４にある伝導線３５９に接触するため、絶縁層３７４・３７０内にビア３７８を形成してもよく、さらに、絶縁層３７４内にビア３７６を形成してもよい。このビア３７６は、ＭＩＭコンデンサ領域３２６にあるＭＩＭコンデンサ３７２の最上プレート３６２に電気的に接触する。ビア３７８・３７６に、例えば導体材料を充填し、絶縁層３７４とビア３７８・３７６との上に、好ましくはアルミニウム、アルミニウム合金または他の導体材料を含む最上メタライゼーション層Ｍｎを堆積する。メタライゼーション層Ｍｎをパターン化し、相互接続領域３２４とＭＩＭコンデンサ領域３２６との双方に伝導線３２２を形成する。
【００５８】
伝導層３５２・３５６間に、埋設された薄い導体材料層３５４を挿入することにより、伝導層３５２・３５６の厚みが低減され、最適化される。このことにより、アルミニウムの界面の大きな突起によって引き起こされる可能性のある表面の粗さが低減される。例えばアルミニウムの層を薄くすることにより、突起のサイズを小さくすることができる。薄い導体材料層３５４を、例えば、アルミニウムにヒロックの形成される温度未満の温度で堆積することが好ましい。
【００５９】
図７、図８および図９に、本発明の３つの実施形態を示す。これらの図では、本発明の実施形態に応じて、最上プレート、底部プレート、または最上プレート及び底部プレートの双方に、薄い導体材料層が設けられている。メタライゼーション層内に伝導線を形成しながら、同時に、本発明の実施形態に応じてＭＩＭコンデンサの最上プレートまたは底部プレートを、メタライゼーション層に最適に形成してもよい。
【００６０】
図７に本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、薄い導体材料層４５４がＭＩＭコンデンサ４８４の底部プレート４８２内に設けられており、底部プレート４８２がメタライゼーション層には形成されていない。この実施形態では、導体材料４８１を絶縁層４５７内に形成する。絶縁層４５７は、基板４００上に堆積された絶縁層４０２中に形成されたビアプラグ４０４上に設けられている。続いて形成された絶縁層４８６内に、ビア４８４を設ける。この場合、導体材料４８１は、下側のビアプラグ４０４とビア４８４とを電気的に接続する。絶縁層４８６とビア４８４との上に、第１伝導層４５２を堆積し、第１伝導層４５２上に、薄い導体材料層４５４を堆積する。薄い導体材料層４５４上に、第２伝導層４５６を堆積する。第１伝導層４５２、薄い導体材料層４５４および第２導体材料層４５６は、例えば第１伝導層３５２、薄い導体材料層３５４および第２導体材料層３５６に関して図４Ａでそれぞれ説明されたような材料および厚みを有していることが好ましい。
【００６１】
第２伝導層４５６、薄い導体材料層４５４および第１伝導層４５２をパターン化して、図に示すような底部プレート４８２を形成する。第２伝導層４５６上に、コンデンサ誘電体４６０を堆積し、例えば底部プレート４８２をパターン化するのと同時にパターン化してもよい。パターン化した誘電層４６０と、伝導層４５６・４５４・５２との上に、絶縁層４７４を堆積する。半導体デバイスの相互接続領域４２４に、ビア４７８を形成する。また、絶縁層４７４上に、導体材料４２２を堆積する。導体材料４２２をパターン化して、ＭＩＭコンデンサ領域４２６に最上プレート４８３を形成し、相互接続領域４２４に複数の伝導線４２２を形成する。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ４８４の最上プレート４８３が最上メタライゼーション層Ｍｎに属しており、ＭＩＭコンデンサ領域４２６の最上プレート４８３は相互接続領域４２４の複数の伝導線４２２のパターン化と同時にパターン化される、ということが有利である。この場合は、ＭＩＭコンデンサ４８４の最上プレート４８３をパターン化するための別のマスクは不要である。
【００６２】
図８に、本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、底部プレート５８６と最上プレート５８８との双方に、薄い導体材料層５４４ａ・５４４ｂがそれぞれ設けられている。この実施形態では、図５および図６を参照しながら説明したように、薄い導体材料層５４４ａは、第１メタライゼーション層Ｍ（ｎ−１）の第１伝導層５２２ａと第２伝導層５５６ａとの間に設けられていることが好ましい。繰り返しを避けるために、ここでは、図８を参照しながら参照番号および素子の全てについて説明するわけではない。同じ番号は、図５および図６に示す様々な素子に対して使用されている。この実施形態の最上プレート５８８も、第１伝導層５５２ｂと第２伝導層５５６ｂとの間に設けられた薄い導体材料層５５４ｂを備えていることが有利である。したがって、ＭＩＭコンデンサ５９０は、内部に薄い導体材料層５５４ａの設けられた底部プレート５８６と、内部に薄い導体材料層５５４ｂの設けられた最上プレート５８８とを備えている。薄い導体材料層５５４ａ・５５４ｂは、それぞれ、第２伝導層５５６ａ・５５６ｂの最上表面の質感または形状を改善し、または、滑らかにする。絶縁層５７４内に、ＭＩＭコンデンサ５９０の最上プレート５８８に電気的に接触するためのビア５７６を形成し、次に、最上メタライゼーション層Ｍｎに、伝導線５２２を形成する。なお、この実施形態の利点は、薄い導体材料層５４４ｂが例えばビア５７６のパターン化に対するエッチストップとしての役割を果たす、という点である。したがって、ビア５７６は、図に示すように、薄い導体材料層５５４ｂの最上表面に達する。
【００６３】
図９に、本発明の一実施形態を示す。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ６９８の、薄い導体材料層６５４を有した最上プレート６９６が、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎ内に形成されている。同じく、ここでは、繰り返しを避けるために、全ての参照番号について説明または論議するわけではない。半導体デバイスの様々な材料層に対して同じ番号の使用されている図５および図６に関する説明を参照のこと。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６は、第１伝導層６５２と、第１伝導層６５２上に堆積された薄い導体材料層６５４と、薄い導体材料層６５４上に堆積された第２伝導層６５６とを備えている。底部プレート６９４は、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む単一の伝導層を含んでいてもよい。しかしながら、底部プレート６４９は、例えば他の導体材料を含んでいてもよい。底部プレート６９４は、図８を参照しながら説明したように、第１伝導層、薄い導体材料層、および、第２伝導層（図示せず）を備えていてもよい。この実施形態では、ＭＩＭコンデンサ領域６２６に形成されたＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６は、相互接続領域６２４内に形成される複数の伝導線６２２をメタライゼーション層Ｍｎにパターン化するのと同時に、パターン化されてもよい、ということが有利である。このことは有利である。なぜなら、ＭＩＭコンデンサ６９８の最上プレート６９６のパターン化のために別のマスクは必要ないからである。なお、この実施形態では、相互接続領域６２４における複数の伝導線６２２は、さらに、該伝導線６２２内に薄い導体材料層６５４を備えている。
【００６４】
本発明の実施形態では、少なくとも１つの薄い導体材料層が、ＭＩＭコンデンサの少なくとも１つのプレートの導体材料内に設けられていることが好ましい。特に、ＭＩＭコンデンサプレートに２つ以上の導体材料層が設けられていてもよい。図１０に、本発明の一実施形態のＭＩＭコンデンサのプレートの断面図を示す。該ＭＩＭコンデンサプレートは、それぞれ伝導層７５２・７５６ａ間、７５６ａ・７５６ｂ間、および、７５６ｂ・７５６ｃ間に設けられた３つの薄い導体材料層７５４ａ・７５４ｂ・７５４ｃを備えている。少なくとも１つの伝導層７５６ａ・７５６ｂ・７５６ｃは、図に示すように、少なくとも１つの薄い導体材料層７５４ａ・７５４ｂ・７５４ｃの少なくとも１つの上に堆積されていることが好ましい。また上述したように、ＭＩＭコンデンサプレートを半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎに形成してもよい。
【００６５】
図１１に、本発明の一実施形態を示す。この図では、ＭＩＭコンデンサプレートは、複数の薄い導体材料層８５４ａ・８５４ｂを備えており、最上の薄い導体材料層８５４ｂ上には、導体材料層が設けられていない。薄い導体材料層８５４ａは、伝導層８５２と第２伝導層８５６との間に形成されている。薄い導体材料層８５４ｂは、最上第２伝導層８５６上に堆積または形成されている。本発明の実施形態では、少なくとも１つの第２伝導層８５６は、図に示すように薄い導体材料層８５４ａの少なくとも１つの上に堆積されていることが好ましい。また同じく、上述したように、ＭＩＭコンデンサプレートは、半導体デバイスのメタライゼーション層Ｍｎに形成されてもよい。
【００６６】
メタライゼーション層または金属プレートの厚みは、ＭＩＭコンデンサプレートの抵抗が所望のものとなるように調整されることが好ましい。例えば、薄い導体材料層の材料（例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮ、Ｔｉ、Ｔａ、またはＷ）は、伝導層に使用される材料（Ａｌ、Ａｌ合金）よりも高い抵抗を有していていることもある。したがって、抵抗が所望のものとなるように、プレートの合計の厚みは低減される可能性がある。
【００６７】
上記の絶縁層は、半導体製造において使用される典型的な絶縁体（例えば、二酸化シリコン、誘電率の低い材料、または、その他の材料）を含んでいることが好ましい。メタライゼーション層は、アルミニウムを含んでいることが好ましい。
【００６８】
本発明の実施形態の利点は、ＭＩＭコンデンサの製造に必要なマスクの数を減らすことができ、その結果、プロセスコストを下げることができる点である。少なくとも１つの薄い伝導層により、メタライゼーション層の最上表面は、滑らかで、欠陥のない、平坦なものとなる。表面の改善されたメタライゼーション層に、底部プレートを形成する場合は、結果としてＭＩＭコンデンサの信頼性が向上する。上記した製造方法は、アルミニウムＢＥＯＬ工程と互換性がある。なぜなら、導体材料は、アルミニウムまたはアルミニウム合金を含んでいることが好ましいからである。続いて形成されるメタライゼーション層とのビア相互接続は、確実に改善されており、この方法により、様々な材料層をパターン化するために使用される反応イオンエッチングのためのプロセス窓が拡大される。上記した製造方法およびＭＩＭコンデンサ構造は、一例としてＲＦ半導体アプリケーションなどの高性能かつ高速のアプリケーションと互換性がある。ＭＩＭコンデンサの底部プレートは、従来技術のＭＩＭコンデンサ底部プレート（例えば、図１に示すＴｉＮ底部プレート１０８）に使用されていたＴｉＮの抵抗よりも低いアルミニウムをかなりの割合で含んでいることが好ましい。したがって、以上で説明した抵抗の低減されたＭＩＭコンデンサの利点は、加速、電力消費量の減少、および、性能の改善である。さらに、本発明の実施形態に基づいてメタライゼーション層に形成されたＭＩＭコンデンサプレートは、プレートに対する電気的接続を確立するために事前にまたは続いて堆積される層にあるビアスタッドを使用するよりもむしろ、同じメタライゼーション層に形成された伝導線に結合されていてもよい、ということが有利である。
【００６９】
なお、本発明の実施形態およびその利点について詳しく説明してきたが、添付の請求項によって規定される本発明の精神と範囲とに反することなく、ここでは様々な変更、置換、改変を行うことができる。例えば、当業者には、本願に記載の特徴、機能、プロセスおよび材料の多くを本発明の範囲内で変化させてもよい、ということがすぐに理解されるであろう。さらに、本願の範囲は、明細書に記載の特定のプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法および工程の特定の実施形態に制限されることを意図するものではない。当業者は、本発明で開示されたことに基づいて、本願に記載の対応する実施形態と本質的に同じ機能を果たす、または、本質的に同じ結果を達成する、既存のまたは後に開発されるであろうプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法、または工程を、本発明に基づいて利用してもよいことを理解するであろう。したがって、添付の請求項は、その範囲内に、このようなプロセス、機械、製品、組成物、手段、方法、または、工程を含むことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】従来技術によるＭＩＭコンデンサ構造を有した半導体デバイスの断面図である。
【図２Ａ】半導体デバイスのメタライゼーション層全体に属している底部プレートを有したＭＩＭコンデンサが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図２Ｂ】メタライゼーション層の最上表面の粗さおよび不規則性が、上記ＭＩＭコンデンサの信頼性に関する問題を引き起こしている、図２Ａに示すＭＩＭコンデンサをより詳細に示す図である。
【図３】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ａ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｂ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｃ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図４Ｄ】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図５】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図６】半導体デバイスのメタライゼーション層内に薄い伝導材料層が形成されていて、そして多層メタライゼーション層内に、伝導線およびＭＩＭコンデンサの底部プレートが形成されている、本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図７】ＭＩＭコンデンサの底部プレート内に薄い伝導材料層が配置されていて、そしてこのＭＩＭコンデンサの底部プレートは、メタライゼーション層内に形成されていない、本発明の一実施形態を示す図である。
【図８】底部プレート内および上部プレート内には、薄い伝導材料層が配置されている、本発明の一実施形態を示す図である。
【図９】半導体デバイスのメタライゼーション層内に上部プレートが形成されていて、この上部プレート内には、薄い伝導材料層が配置されている、本発明の一実施形態を示す図である。
【図１０】プレート内に複数の薄い伝導材料層が形成されている、本発明の一実施形態によるＭＩＭコンデンサの断面図である。
【図１１】コンデンサのプレートの最上表面上に、薄い伝導材料層が形成されている、本発明の別の実施形態を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層とを備えていることを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサプレート。
【請求項２】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項３】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の厚みは、約４５０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項４】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられた第１バリヤ層と、
上記第１バリヤ層上に設けられた伝導層とを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項５】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項４に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項６】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、さらに、上記伝導層上に設けられた第２バリヤ層を備えていることを特徴とする請求項４に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項７】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含み、
上記第２バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含んでいることを特徴とする請求項６に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項８】
上記少なくとも１つの第２伝導層は、上記第１材料を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項９】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１０】
第１の厚みを有する複数の伝導線を備える、半導体デバイスのメタライゼーション層に形成されており、
ＭＩＭコンデンサプレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１１】
上記ＭＩＭコンデンサプレートは、ＭＩＭコンデンサの底部プレートを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１２】
上記ＭＩＭコンデンサプレートは、ＭＩＭコンデンサの最上プレートを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１３】
第１プレートと、
上記第１プレート上に設けられた誘電体材料と、
上記誘電体材料上に設けられた第２プレートと、
を備えており、
上記第１プレートまたは上記第２プレートは、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、を備えていることを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサ。
【請求項１４】
上記第１プレートまたは上記第２プレートは、第１の厚みを有する複数の伝導線を備える、半導体デバイスのメタライゼーション層に形成されており、
上記ＭＩＭコンデンサ第１プレートまたは第２プレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１５】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１６】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の厚みは、約４５０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１５に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１７】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられた第１バリヤ層と、
上記第１バリヤ層上に設けられた伝導層とを備えていることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１８】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１７に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１９】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、さらに、上記伝導層上に設けられた第２バリヤ層を備えていることを特徴とする請求項１７に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２０】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含み、
上記第２バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含んでいることを特徴とする請求項１９に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２１】
上記第１伝導層と上記少なくとも１つの第２伝導層とは、同じ材料を含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２２】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２３】
上記第１プレートは、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの第１の薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、
を備えており、
上記第２プレートは、
上記誘電体材料上に設けられており、第３材料を含む第３伝導層と、
上記第３伝導層上に設けられており、上記第３材料とは異なる第４材料を含む少なくとも１つの第２の薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第４伝導層と、を備えていることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２４】
上記第１伝導層、上記少なくとも１つの第２伝導層、上記第３伝導層および上記少なくとも１つの第４伝導層は、Ａｌを含んでおり、
上記少なくとも１つの第１の薄い導体材料層および上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層は、約４５０オングストローム以下のＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項２３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２５】
上記少なくとも１つの第１の薄い導体材料層および上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層は、上記ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮの上側または下側に設けられたバリヤ層を備えていることを特徴とする請求項２４に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２６】
半導体デバイスであって、
基板；
上記基板上に形成された少なくとも１つのメタライゼーション層；
上記少なくとも１つのメタライゼーション層内に形成された第１プレートと、上記第１プレート上に設けられた誘電体材料と、上記誘電体材料上に設けられた第２プレートとを有し、上記基板上に形成されている、少なくとも１つの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサ；および
少なくとも１つのメタライゼーション層に形成された少なくとも１つの第１伝導線；
を備え、
上記少なくとも１つの第１伝導線は、第１の厚みを有し、
上記ＭＩＭコンデンサ第１プレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２７】
上記第１プレートおよび上記少なくとも１つの第１伝導線は、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、を備えていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体デバイス。
【請求項２８】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでおり、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項２９】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられたＴｉ、ＴａまたはＷからなる第１層と、
Ｔｉ、ＴａまたはＷからなる上記第１層上に設けられたＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮからなる第２層とを備えていることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮからなる上記第２層上に設けられたＴｉ、ＴａまたはＷからなる第３層を備えていることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項３１】
上記第１プレートは、上記メタライゼーション層中の少なくとも１つの伝導線に電気的に結合されていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体デバイス。
【請求項３２】
基板を準備する工程と、
上記基板上に、第１材料を含む第１伝導層を堆積する工程と、
上記第１伝導層上に、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に、少なくとも１つの第２伝導層を堆積する工程と、
上記少なくとも１つの第２伝導層、上記少なくとも１つの薄い導体材料層および上記第１伝導層をパターン化して、第１プレートを形成する工程とを含むことを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサの製造方法。
【請求項３３】
上記第１プレートを形成すると同時に、上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１伝導層とに、複数の伝導線を形成する工程をさらに含み、
上記複数の伝導線は、半導体デバイスのメタライゼーション層に属していることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１の伝導層とをパターン化して、上記第１プレートと上記複数の伝導線とを形成する工程は、単一のマスクを使用することを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
上記第１プレート上に誘電体材料を堆積する工程と、
上記誘電体材料上に第３伝導層を堆積する工程と、
上記第３伝導層と上記誘電体材料とをパターン化することにより、ＭＩＭコンデンサを形成する工程とをさらに含み、
パターン化された上記第３伝導層は、上記ＭＩＭコンデンサの最上プレートを含み、
上記誘電体材料は、上記ＭＩＭコンデンサのコンデンサ誘電体を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
上記基板上に上記第１伝導層を堆積する工程の前に、
上記基板上に、ＭＩＭコンデンサの底部プレートを含む第２プレートを形成する工程と、
上記第２プレート上にコンデンサ誘電体を形成する工程とをさらに含み、
上記第１プレートは、上記ＭＩＭコンデンサの最上プレートを含み、
上記第１伝導層を堆積する工程では、上記ＭＩＭコンデンサ上に上記第１伝導層を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程は、約４５０オングストロームの材料を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
上記ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮの上側または下側にＴｉ、ＴａまたはＷからなるバリヤ層を堆積する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
上記第１伝導層を堆積する工程と上記少なくとも１つ第２伝導層を堆積する工程とは、Ａｌを堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項１】
第１の材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層とを備えていることを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサプレート。
【請求項２】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項３】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の厚みは、約４５０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項４】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられた第１バリヤ層と、
上記第１バリヤ層上に設けられた伝導層とを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項５】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項４に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項６】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、さらに、上記伝導層上に設けられた第２バリヤ層を備えていることを特徴とする請求項４に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項７】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含み、
上記第２バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含んでいることを特徴とする請求項６に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項８】
上記少なくとも１つの第２伝導層は、上記第１材料を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項９】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでいることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１０】
第１の厚みを有する複数の伝導線を備える、半導体デバイスのメタライゼーション層に形成されており、
ＭＩＭコンデンサプレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１１】
上記ＭＩＭコンデンサプレートは、ＭＩＭコンデンサの底部プレートを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１２】
上記ＭＩＭコンデンサプレートは、ＭＩＭコンデンサの最上プレートを備えていることを特徴とする請求項１に記載のＭＩＭコンデンサプレート。
【請求項１３】
第１プレートと、
上記第１プレート上に設けられた誘電体材料と、
上記誘電体材料上に設けられた第２プレートと、
を備えており、
上記第１プレートまたは上記第２プレートは、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、を備えていることを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサ。
【請求項１４】
上記第１プレートまたは上記第２プレートは、第１の厚みを有する複数の伝導線を備える、半導体デバイスのメタライゼーション層に形成されており、
上記ＭＩＭコンデンサ第１プレートまたは第２プレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１５】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１６】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の厚みは、約４５０オングストローム以下であることを特徴とする請求項１５に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１７】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられた第１バリヤ層と、
上記第１バリヤ層上に設けられた伝導層とを備えていることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１８】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項１７に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項１９】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、さらに、上記伝導層上に設けられた第２バリヤ層を備えていることを特徴とする請求項１７に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２０】
上記第１バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含み、
上記伝導層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含み、
上記第２バリヤ層は、Ｔｉ、ＴａまたはＷを含んでいることを特徴とする請求項１９に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２１】
上記第１伝導層と上記少なくとも１つの第２伝導層とは、同じ材料を含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２２】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでいることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２３】
上記第１プレートは、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの第１の薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、
を備えており、
上記第２プレートは、
上記誘電体材料上に設けられており、第３材料を含む第３伝導層と、
上記第３伝導層上に設けられており、上記第３材料とは異なる第４材料を含む少なくとも１つの第２の薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第４伝導層と、を備えていることを特徴とする請求項１３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２４】
上記第１伝導層、上記少なくとも１つの第２伝導層、上記第３伝導層および上記少なくとも１つの第４伝導層は、Ａｌを含んでおり、
上記少なくとも１つの第１の薄い導体材料層および上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層は、約４５０オングストローム以下のＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項２３に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２５】
上記少なくとも１つの第１の薄い導体材料層および上記少なくとも１つの第２の薄い導体材料層は、上記ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮの上側または下側に設けられたバリヤ層を備えていることを特徴とする請求項２４に記載のＭＩＭコンデンサ。
【請求項２６】
半導体デバイスであって、
基板；
上記基板上に形成された少なくとも１つのメタライゼーション層；
上記少なくとも１つのメタライゼーション層内に形成された第１プレートと、上記第１プレート上に設けられた誘電体材料と、上記誘電体材料上に設けられた第２プレートとを有し、上記基板上に形成されている、少なくとも１つの金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサ；および
少なくとも１つのメタライゼーション層に形成された少なくとも１つの第１伝導線；
を備え、
上記少なくとも１つの第１伝導線は、第１の厚みを有し、
上記ＭＩＭコンデンサ第１プレートは、上記第１の厚みを有していることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２７】
上記第１プレートおよび上記少なくとも１つの第１伝導線は、
第１材料を含む第１伝導層と、
上記第１伝導層上に設けられており、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に設けられた少なくとも１つの第２伝導層と、を備えていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体デバイス。
【請求項２８】
上記第１伝導層および上記少なくとも１つの第２伝導層は、Ａｌを含んでおり、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを含んでいることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項２９】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、
上記第１伝導層上に設けられたＴｉ、ＴａまたはＷからなる第１層と、
Ｔｉ、ＴａまたはＷからなる上記第１層上に設けられたＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮからなる第２層とを備えていることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項３０】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮからなる上記第２層上に設けられたＴｉ、ＴａまたはＷからなる第３層を備えていることを特徴とする請求項２７に記載の半導体デバイス。
【請求項３１】
上記第１プレートは、上記メタライゼーション層中の少なくとも１つの伝導線に電気的に結合されていることを特徴とする請求項２６に記載の半導体デバイス。
【請求項３２】
基板を準備する工程と、
上記基板上に、第１材料を含む第１伝導層を堆積する工程と、
上記第１伝導層上に、上記第１材料とは異なる第２材料を含む少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程と、
上記少なくとも１つの薄い導体材料層の少なくとも１つの上に、少なくとも１つの第２伝導層を堆積する工程と、
上記少なくとも１つの第２伝導層、上記少なくとも１つの薄い導体材料層および上記第１伝導層をパターン化して、第１プレートを形成する工程とを含むことを特徴とする金属−絶縁体−金属（ＭＩＭ）コンデンサの製造方法。
【請求項３３】
上記第１プレートを形成すると同時に、上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１伝導層とに、複数の伝導線を形成する工程をさらに含み、
上記複数の伝導線は、半導体デバイスのメタライゼーション層に属していることを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
上記少なくとも１つの第２伝導層と、上記少なくとも１つの薄い導体材料層と、上記第１の伝導層とをパターン化して、上記第１プレートと上記複数の伝導線とを形成する工程は、単一のマスクを使用することを特徴とする請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
上記第１プレート上に誘電体材料を堆積する工程と、
上記誘電体材料上に第３伝導層を堆積する工程と、
上記第３伝導層と上記誘電体材料とをパターン化することにより、ＭＩＭコンデンサを形成する工程とをさらに含み、
パターン化された上記第３伝導層は、上記ＭＩＭコンデンサの最上プレートを含み、
上記誘電体材料は、上記ＭＩＭコンデンサのコンデンサ誘電体を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
上記基板上に上記第１伝導層を堆積する工程の前に、
上記基板上に、ＭＩＭコンデンサの底部プレートを含む第２プレートを形成する工程と、
上記第２プレート上にコンデンサ誘電体を形成する工程とをさらに含み、
上記第１プレートは、上記ＭＩＭコンデンサの最上プレートを含み、
上記第１伝導層を堆積する工程では、上記ＭＩＭコンデンサ上に上記第１伝導層を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程は、約４５０オングストロームの材料を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３８】
上記少なくとも１つの薄い導体材料層を堆積する工程は、ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮを堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【請求項３９】
上記ＴｉＮ、ＴａＮまたはＷＮの上側または下側にＴｉ、ＴａまたはＷからなるバリヤ層を堆積する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
上記第１伝導層を堆積する工程と上記少なくとも１つ第２伝導層を堆積する工程とは、Ａｌを堆積する工程を含むことを特徴とする請求項３２に記載の方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公表番号】特表２００７−５１２６９７（Ｐ２００７−５１２６９７Ａ）
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５４０４５２（Ｐ２００６−５４０４５２）
【出願日】平成１６年１１月１７日（２００４．１１．１７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／０５２９９２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５５２９２
【国際公開日】平成１７年６月１６日（２００５．６．１６）
【出願人】（５０１２０９０７０）インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト (331)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年５月１７日（２００７．５．１７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１１月１７日（２００４．１１．１７）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＥＰ２００４／０５２９９２
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５５２９２
【国際公開日】平成１７年６月１６日（２００５．６．１６）
【出願人】（５０１２０９０７０）インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト (331)
【Ｆターム（参考）】
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