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国際特許分類[H01G4/008]の内容

国際特許分類[H01G4/008]に分類される特許

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【課題】キャパシタにおいて、誘電体層における欠陥に因らずに発生する誘電体層のリーク電流の増加や短絡不良の発生を防止する。
【解決手段】キャパシタ1は、金属多結晶体よりなる箔によって構成された下部電極層2と、上部電極層4と、下部電極層2と上部電極層4との間に配置された誘電体層3とを備えている。下部電極層2の上面2aには、金属多結晶体の粒界が現れている。キャパシタ1は、更に、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとの間において、誘電体層3の上面3bと上部電極層4の下面4aとが対向する領域のうちの一部にのみ配置された絶縁膜5を備えている。この絶縁膜5は、誘電体層3の上面3bの上方から見たときに、下部電極層2の上面2aに現れた粒界のうちの少なくとも一部を覆うように配置されている。絶縁膜5は、電気泳動法を用いて形成される。 (もっと読む)


【課題】静電容量が高く、長時間放置後も充放電効率の高いと共に、耐圧性に優れたキャパシタ型蓄電池を提供。小型で軽量な車両用蓄電システムを提供。
【解決手段】導電路と、互いに接触して存在し、平面面積による粒度分布において平面面積の大きい側から累積15%を除いたもので、且つ最大幅が100nm未満である複数個の導電粒子又は半導体粒子からなる粒子層と、の間に介在する絶縁膜を、無アルカリガラス等、ポリエチレン、ポリプロピレン等で構成させ、厚さ10μm以上30μm以下とする。また、導電路と、導電粒子若しくは半導体粒子又はこれら粒子が複数個集合した粒子集合体の最大幅が10μm以下であり、粒子又は粒子集合体の間には隙間又は絶縁物が存在し、粒子間又は粒子集合体間の距離が30nm以上3000nm以下である粒子層と、の間に介在する絶縁膜も同様とする。 (もっと読む)


【課題】キャパシタの比誘電率を低下させることなく漏洩電流を効率的に減少させたキャパシタを提供すること。
【解決手段】下部電極層と、誘電体層と、上部電極層が順次積層された多層薄膜積層構造を持つキャパシタにおいて、前記下部電極層の主材料をTiNまたはZrNとし、前記下部電極層には酸素を含有せしめ、前記下部電極層中に含まれる酸素濃度の範囲を適切な値とする。 (もっと読む)


【課題】コンデンサの総体積を同じに維持しながら、容量値を増大させることが可能な平行平板磁気コンデンサを提供する。
【解決手段】平行平板磁気コンデンサ200は、第1の導電磁性金属構造202、第2の導電磁性金属構造204および誘電体層206を備える。第1の導電磁性金属構造202は、上面部に配置された第1の上部フィンガ208と、下面部に配置された第1の下部フィンガ210とを有し、第1の上部フィンガ208と、第1の下部フィンガ210とが電気的に接続されている。第2の導電磁性金属構造204は、第2の上部フィンガ218および第2の下部フィンガ220を有し、第2の上部フィンガ218が上面部で第1の上部フィンガ208に隣接した箇所に形成されている。誘電体層206は、第1の界面部226、第2の界面部232、第3の界面部234および第4の界面部236中に配置されている。 (もっと読む)


【課題】バインダー樹脂の溶解性を向上させ、かつ、デラミネーションの発生を抑制した積層セラミックコンデンサー用導電ペーストを提供する。更に、該積層セラミックコンデンサー用導電ペーストを用いた積層セラミックコンデンサーの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリビニルアセタール樹脂、有機溶剤及び導電粉末を含有する積層セラミックコンデンサー用導電ペーストであって、前記有機溶剤は、芳香環、及び、水酸基又はカルボニル基を有し、かつ、沸点が140℃以上、290℃未満である化合物を含有する積層セラミックコンデンサー用導電ペースト。 (もっと読む)


【課題】配線基板に埋め込み実装したときに層間絶縁樹脂との密着性を高め、実装信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】キャパシタ10は、誘電体層11を挟んで一方の面に下部電極(第1の導体膜14)が形成され、他方の面に上部電極(第2の導体膜15)が形成された構造を有する。第1の導体膜14は、誘電体層11に接する側のニッケル(Ni)層12とこのNi層上に形成された銅(Cu)層13とからなる。第2の導体膜15は、単一のCu層からなり、又は、誘電体層11に接する側のNi層とこのNi層上に形成されたCu層とからなる。好適には、Cu層13,15の表面が粗化されている。さらに、両面を絶縁樹脂層16,17で被覆した構造のキャパシタ10aとしてもよい。 (もっと読む)


【課題】静電容量を増加させることができ、リーク電流を減少させることができるとともに、安価な薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサ100は、Niを主成分とする下地電極2と、下地電極2上に積層された二つ以上の誘電体層4、6と、誘電体層4、6の間に積層された、主成分としてNiを含有し、更にPt、Pd、Ir、Rh、Ru、Os、Re、W、Cr、Ta及びAgからなる群より選ばれる少なくとも一種を含有する内部電極8と、誘電体層4、6及び内部電極8を挟んで下地電極2の反対側に積層された、Cu又はCu合金からなる上部電極10と、を備える。 (もっと読む)


【課題】大きな容量の電気エネルギーを蓄積する装置を提供する。
【解決手段】電気エネルギーを蓄積する装置は、水平方向の複数の磁気ダイポールを有する第1の磁性セクション212と、鉛直方向の複数の磁気ダイポールを有する第2の磁性セクション214と、を有する第1の磁性層210と、水平方向の複数の磁気ダイポールを有する第3の磁性セクション222と、鉛直方向の複数の磁気ダイポールを有する第4の磁性セクション224と、を有する第2の磁性層220と、第1の磁性層210と第2の磁性層220との間に配置された誘電体層230とを備える。誘電体層230により電気エネルギーを蓄積し、第1の磁性層210および第2の磁性層220により電流リークの発生を防ぎ、第2の磁性セクション214および第4の磁性セクション224中の鉛直磁気ダイポールにより、容量を増大させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は電気伝導度を大きく改善させた金属キャパシタ及びその製法に関する。
【解決手段】本発明の金属キャパシタは一面に多数個の溝が形成された金属部材と、金属部材に形成される金属酸化膜12と、多数個の溝が露出されるように金属酸化膜に形成される絶縁膜14と、多数個の溝が埋まるように金属酸化膜に形成される埋立て電極部材13を具備する。金属キャパシタの製造方法は金属部材の一側面をマスキング後、DC食刻、AC食刻、湿式食刻のうちいずれかで金属部材の一面に多数個の溝が配列されるように形成する食刻過程と、金属部材の溝形成面に陽極酸化方法で金属酸化膜を形成する化成過程と、金属酸化膜にCVD方法で絶縁膜を形成する過程と、金属部材に形成された多数個の溝が埋まるように埋立て電極部材を形成する過程と、金属部材や埋立て電極部材に多数個の第1の外部電極21を連結する電極形成過程とからなる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、加工精度がよく、確実に金属層の転写が可能なセラミックコンデンサ製造用金属層転写フィルムの提供を課題とする。
【解決手段】
その表面に乾式めっき法にて金属層が設けられ、かつその表面形状が所望の積層セラミックコンデンサ電極の形状となっている柱状体である樹脂体と、樹脂フィルムとから構成され、複数の樹脂体が、樹脂体の金属層面側と相対する面が樹脂フィルムと等間隔で、接着材層を介して接合されており、前記金属層と樹脂体との密着強度が10〜50N/mであるものである。そして、樹脂体と樹脂フィルムとがポリエチレンテレフタレート(PET)及び/又はポリエチレンナフフタレート(PEN)性であり、前記樹脂体の高さが5〜100μm、樹脂フィルムの厚さが16〜200μmであり、前記金属層の厚さが0.1〜1.0μmの金属層転写フィルム。 (もっと読む)


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