【課題】 カーボンナノチューブの特性を効果的に活用できるデカップリング性能に優れたデカップリング素子およびその製造方法、並びに、当該優れたデカップリング性能を備えたデカップリング素子を内蔵するプリント基板回路を提供すること。
【解決手段】 基体１と、該基体１表面に支持され、複数のカーボンナノチューブが相互に架橋した網目構造を構成するカーボンナノチューブ構造体からなる高周波ノイズ吸収体２と、該高周波ノイズ吸収体にそれぞれ接続された入力電極３および出力電極３と、を備えることを特徴とするデカップリング素子、およびその製造方法、並びに、これを高周波ノイズ吸収体として予め搭載したプリント基板製品である。 （もっと読む）

【課題】 パターン形成材料上に結像させる像の歪みを抑制することにより、配線パターン等の永久パターンを高精細に、効率よく形成可能であり、しかもテント性と解像度とを高度に両立したパターン形成方法の提供。
【解決手段】 少なくとも感光層を有するパターン形成材料における該感光層を被処理基体上に積層した後、露光が、該感光層の任意の２以上の領域に対して、それぞれ異なるエネルギー量の光を照射することにより行われ
前記露光が、光照射手段からの光を受光し出射する描素部をｎ個有する光変調手段により、前記光照射手段からの光を変調させた後、前記描素部における出射面の歪みによる収差を補正可能な非球面を有するマイクロレンズを配列したマイクロレンズアレイを通して行われることを特徴とするパターン形成方法である。 （もっと読む）

塩化第二銅溶液中に、エッチング抑制効果のある被膜を形成可能な高濃度のトリアゾール系化合物を添加したエッチング液を提案する。このエッチング液を用いたエッチング処理による回路パターン形成の工程では、エッチングレジストの端縁部から下方に位置する銅箔の一部に選択的にエッチング抑制被膜が形成されるので、エッチングレジストの端縁部から水平方向への銅箔のサイドエッチングを効果的に抑制できる。また、エッチング処理によって形成された回路パターンの側壁には、不均一な微細凹凸が形成されるので、回路パターンを被覆する樹脂絶縁層との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 高周波電流の部分的な集中による損失低下を防止するとともに、伝送導体の断面積を大きく確保して高周波電流の損失を低減することが可能な高周波配線構造を提供する。
【解決手段】 接地導体３と、接地導体３上に備えられた誘電体４と、一部が誘電体４内に配置された伝送導体５とからなるマイクロストリップ線路６を具備してなり、伝送導体５は、接地導体３に平行な平面底部と、接地導体３に対して垂直で平面底部の配線幅方向両側に位置する一対の平面側部と、平面底部および一対の平面側部を連続的に連結する曲面部とにより区画されてなり、曲面部の曲率半径が、伝送導体の厚みの５％以上５０％以下の範囲に設定されていることを特徴とする高周波配線構造１を採用する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サブトラクティブ法に於いて、ドライフィルムレジストを用いることで微細な金属パターンを形成できる金属パターンの形成方法を提供するものである。
【解決手段】基板上にドライフィルムレジストを貼り付け（ａ）てから、エッチング（ｄ）を行うまでの間に、ドライフィルムレジストの薄膜化処理（Ｔ１〜Ｔ４）を行う金属パターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】高周波伝送が可能であり、良好な屈曲性能を有し、電源線と信号線が併存するフレキシブルプリント配線板及びその製法を提供することである。
【解決手段】フレキシブルプリント配線板（１）は、フレキシブルな保護層（３）と、保護層（３）の上面に並列して配設された複数の電源線（７）と、グランド部（５）の上面に絶縁層（４）を設け、その上面に並列して配設された複数の信号線（６）からなる信号回路部分（９）を同一平面上に並列して配設された構造を特徴とし、フレキシブルな絶縁層（４）の両面に金属箔を張り合わせた後、エッチング加工等により、グランド部（５）、信号線（６）、補助導線（８）を形成し、電源線（７）が設置される電源回路部分（１０）の絶縁層を切り抜た信号回路部分（９）の下面に熱硬化性の樹脂やポリイミド樹脂等の材料からなる保護層（３）の上面に金属箔を張り合わせた後、エッチング加工等により電源回路部分（１０）を成形し、絶縁層（４）の一部を切り抜いた箇所に張り合わせ、その上面に保護層（２）を配設させるフレキシブルプリント配線板の製法。 （もっと読む）

等しくない接合特性と側面を有する基板を塗布する方法は、第１の組の被覆条件下で第１の側面を塗布し第１の組の被覆条件と異なる第２の組の動作条件下で第２の側面を被覆することにより基板を非対称に被覆し、側面の等しくない接合特性を補償する工程を含む。また基板作成法は第１及び第２の面を有しアニーリング処理された熱可塑性基板のベース層を与える工程と、ベースライン温度及び相対湿度を有する環境下で基板のベース層を安定化する工程と、ベース層をドリリング処理してビアホールを形成する工程と、ベース層の第１及び第２の面をイオン処理してビアホールのドリリング処理による汚染物を除去しスパッタリング処理用の第１及び第２の面を作成する工程と、ベース層の温度がベース層のアニーリング処理温度を越えないよう制御して、ベース層の第１の面上に少なくとも１の金属層を第１のスパッタリング処理によりオングストロームを金属化し次に第２の面上に少なくとも１の金属層をスパッタリング処理する工程と、金属化されたベース層をベースライン温度並びに相対湿度を有する環境下で安定化させ次に金属化されたベース層を更に処理して金属層を導電性パターンに変形する工程とを含む。 （もっと読む）