【課題】本発明は、無収縮セラミック基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明による無収縮セラミック基板の製造方法は、セラミック積層体を用意する第１段階と、上記セラミック積層体に保護層を形成する第２段階と、上記保護層に金属パターンを形成する第３段階と、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層表面の平坦性を向上可能な配線基板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、無機材料からなる基板本体と、前記基板本体の一方の面側に開口する第１の溝と、前記基板本体の他方の面側に開口する第２の溝と、前記基板本体を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通する貫通孔と、前記第１の溝を充填する第１のプレーン層と、前記第２の溝を充填する第２のプレーン層と、前記貫通孔を充填する貫通配線と、を有し、前記第１のプレーン層は基準電位層であり、前記第２のプレーン層は電源層である。 （もっと読む）

【課題】多層配線が簡易な方法によって低コストで形成される電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１配線層３０の上に、絶縁層２２の上に金属層３２ａが積層された積層膜ＣＦを形成する工程と、積層膜ＣＦの上に開口部２３ａが設けられたレジスト２３を形成する工程と、レジスト２３の開口部２３ａを通して金属層３２ａをエッチングすることにより金属層３２ａに開口部３２ｘを形成する工程と、ウェットブラスト法により、金属層３２ａの開口部３２ｘを通して絶縁層２２をエッチングすることにより、第１配線層３０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに導電性ペースト４０又ははんだからなるビア導体を形成することにより、第１配線層３０と第２配線層３２となる金属層３２ａとをビア導体で接続する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 配線密度の向上と、配線間のクロストークノイズの低減とを両立する配線基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の層に設けた信号線となる第１の導体層と、第２の層に設けたグランド導体或いは電源用導体のいずれかの第２の導体層と、第１の導体層と第２の導体層間の第３の層に設けた第３の導体層とを有し、第３の導体層は第２の導体層と電気的に接続され、第３の導体層は第１の導体層より線幅が狭く、且つ、第３の導体層は第１の導体層が有する線幅の範囲内の第３の層に配置されているマイクロストリップ構造配線を有し、第３の導体層は、第２の導体層と複数の層間接続ビアによって接続され、第３の導体層と第２の導体層との間に第３の導体層より線幅の狭い第４の導体層を設けるとともに、第４の導体層は、第３の導体層及び第２の導体層と面で接続している。 （もっと読む）

１つの非限定的な実施例によれば、低伝導性エミッション基板は、対応する複数の導電層によって隔離された複数の薄い高絶縁耐力絶縁層を備えており、複数の導電層の１つが、複数の導電層の別の１つと短絡されている。
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【課題】２以上の絶縁層にまたがりながら信頼性の高いビアを有し、且つ、配線とビアの高密度化を可能にする多層配線基板を提供すること。
【解決手段】本発明の多層配線基板は、複数の配線層１３ａ〜１３ｅと層間絶縁膜１５ａｂ、１５ｂｃ、１５ｃｄ、１５ｄｅを有し、且つ、隣接配線層を接続するタイプのビア１７と、２以上の層間絶縁膜を介して上下の配線層を接続するタイプのビア１７’とを有する多層配線基板であって、層間絶縁膜の少なくとも一部が無機絶縁膜で形成されており、且つ、２以上の層間絶縁膜を介して上下の配線層を接続するタイプのビア１７’が、無機絶縁膜でいずれも形成された層間絶縁膜を貫通する単一のビアとして形成されていることを特徴とする。好ましくは、層間絶縁膜の全てが無機絶縁膜で作製され、無機絶縁膜は低温ＣＶＤ法で形成されている。好ましくは、無機絶縁膜の厚みは０．５〜２．０μｍである。 （もっと読む）

本発明はｎ層の所定材料の元素状活性層（ｎは２以上の整数）を含む多層構造物を支持体上に製造する方法（１００）に関する。この方法は、第１の元素状材料活性層の成膜工程（２００）と、ｎ番目の元素状材料活性層の成膜工程（３００）とを含む方法であって、特性が制御された多層構造物を得るために、成膜されたｎ層の材料元素状活性層上に、ｎ層の元素状活性層のそれぞれの個々の特性を変性させるのに適したイオン種をレジストを介して注入する単一の工程（６００）を含むことを特徴とする。
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【課題】ＲＦモジュールの基板材料として、セラミックス材料で成膜した基板を利用する。
【解決手段】厚い金属ベース１１上にエアロゾルデポジション法でセラミックス材料の絶縁膜１２を形成して、その上にパターン配線１３や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第１二次元回路１を作製し、この第１二次元回路１上に、薄い金属ベース１２上に絶縁膜２２を形成した上にパターン配線２３や既存のチップ部品を実装して二次元回路とした第２二次元回路２と、薄い金属ベース３１上に絶縁膜３２を形成した上にパターン配線３３やモジュール内に実装できない比較的大きな既存のチップ部品を実装した第３二次元回路３を積層して、集積化ＲＦモジュールとする。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層と導体膜とを積層した構造を持つアンテナ装置の性能を安定化させ、効率を改善する。
【解決手段】 誘電率一定で表面が極平滑な純度９７％以上の高純度セラミック基板１００の一方の面上に、１以上のアンテナ電極１１２、１１２、…が設けられる。高純度セラミック基板１００の他方の面上に接地電極１１３が設けられる。接地電極１１３上に第１の誘電体膜１２０が設けられる。第1の誘電体膜１２０上に、アンテナ電極を制御するスイッチ回路などの電子回路１３２、１３２、…が設けられる。アンテナ電極１１２、１１２…上に、高誘電率の第２の誘電体膜１３０が設けられる。アンテナ電極１１２や接地電極１１３はＰＶＤ法で厚３μｍ以下に作成される。誘電体膜１２０、１３０はエアロゾルデポジション法で厚０．１ｍｍ以下、望ましくは１０μｍ以下に作成される （もっと読む）

【課題】 異常放電の発生を防止して、被処理基板上の堆積膜の膜厚分布を均一化することができ、また被処理基板上の堆積膜の膜厚分布の再現性を向上させることができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 第２電極部５の外周部６１の周囲には、電気絶縁性材料から成る絶縁部を設けているので、装置を繰り返し使用しても、異常放電が発生してしまうことがない。したがって長期にわたって、被処理基板２上に堆積される堆積膜の膜厚分布を均一化することができ、また前記堆積膜にパーティクルが発生してしまうことを防止することができるので、被処理基板２上の堆積膜の膜厚分布の再現性を向上させることができる。 （もっと読む）