【課題】 低誘電率絶縁膜の比誘電率の増加を防止すると共にレジスト残渣を生じさせないレジスト除去を可能にする。
【解決手段】 レジストマスクをエッチングマスクにして、被処理基板上の有機成分含有の層間絶縁膜をＲＩＥで加工した後（Ｓ１、Ｓ２）、上記レジストマスクを除去するために、はじめに、第１の温度下において水素ラジカル照射をして（Ｓ３）、レジストマスク表面に形成されている変質層を水素化分解する改質層に変換する（Ｓ４）。その後、第１の温度より高い第２の温度下において水素ラジカル照射を行い（Ｓ５）、上記改質層およびレジストマスクをアッシング除去する（Ｓ６）。このようにして、上記層間絶縁膜の組成変化およびその比誘電率の増加がなく、しかもレジスト残渣の生じないレジスト除去が可能になる。 （もっと読む）

炭素、水素、あるいは炭素と水素との化合物を含む基板から、フォトレジスト材料及びエッチング後の残留物を除去するためのプラズマアッシング法であって、前記基板は低ｋ誘電体層を含み、前記処理は、無酸素及び無窒素のガス混合物から形成されるプラズマを含み、前記プラズマを処理室に導入し、前記処理室は、上記プラズマと流体連絡するバッフルプレートアッセンブリを含み、前記プラズマを前記バッフルプレートアッセンブリを介して流し、前記基板からフォトレジスト材料、エッチング後の残留物及び揮発性の副産物を除去し、前記処理室へ酸素プラズマを導入することによって前記処理室を周期的に清掃し、そして、前記上部バッフルプレート上へ、冷却ガスを流すことによって前記バッフルプレートアッセンブリを冷却する。処理室はプラズマの流れに沿って受け入れるように適合され、前記処理室は、その壁と熱的連絡において少なくとも一つの熱伝導遮蔽を含む上部バッフルプレートと、前記上部バッフルプレートから離れている下部バッフルプレートからなる。
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【課題】大面積に亘って均一な分布のプラズマを形成可能なプラズマ発生装置及びこれを備えたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】大気よりも減圧された雰囲気を維持可能なプラズマ発生室６０と、マイクロ波の進行波を共振させる環状共振器１０と、環状共振器１０からマイクロ波を分配する複数の結合器４２と、複数の結合器４２のそれぞれに結合され、プラズマ発生室６０にマイクロ波を導入する複数のアプリケータ５０と、を備え、複数のアプリケータ５０からプラズマ発生室６０に導入されたマイクロ波によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】 処理容器内におけるプラズマ密度の均一性を高めてプラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 天井部が開口されて内部が真空引き可能になされた処理容器２４と、被処理体Ｗを載置するための載置台２６と、天井部の開口に気密に装着されてマイクロ波を透過する誘電体よりなる天板４０と、処理容器内に向けてプラズマ発生用のマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射孔６４を有する平面アンテナ部材４６と、平面アンテナ部材上に設けられてマイクロ波の波長を短縮するための遅波材４８と、を有するプラズマ処理装置において、天板の下面に、該下面を同心状に複数のゾーンに区画して前記ゾーン間のマイクロ波の干渉を抑制するためのマイクロ波干渉抑制部４４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 真空容器側面からの計測方法では、簡便な方法ではプラズマ発光強度の分布に関する情報を得ることが出来ず、また得るためには複数の検出器と複雑な演算が必要となるため、装置が高価になるという欠点があった。
【解決手段】 本発明者は、透明誘電体窓と圧力調整手段を有する真空容器とスロットアンテナとを有し、スロットアンテナより透明誘電体窓を介して真空容器内に放出した高周波により真空容器内にプラズマを生成して処理を行う装置においては、誘電体窓とスロットアンテナの間に光導出手段を挿入してプラズマ発光を取り出し、プラズマ発光強度の面内分布を計測することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、放電初期の放電状態が不安定なプラズマから被処理体へ照射される正、又は負の電荷をもったイオンや電子等の荷電粒子を低減することが可能なプラズマ処理装置を提供することにある。
【解決手段】 高周波電力を放出するアンテナによってプラズマを生成するプラズマ生成室と、プラズマ生成室から拡散したプラズマと被処理体とを反応させる被処理体反応室とを有するプラズマ処理装置において、プラズマ生成室で発生するプラズマ中の荷電粒子の被処理体への流入を制御する手段と、前記プラズマ生成室で発生するプラズマの生成状態を解析する機能を持つ検出手段と、前記検出手段の解析結果を前記荷電粒子の被処理体への流入を制御する手段にフィードバックする機能を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、被処理基体５０２への真空紫外光の照射を抑制して真空紫外光照射ダメージや表面異常拡散を低減し、高速に高品質処理できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明は、隔壁の一部を平板状マイクロ波透過窓で構成されたプラズマ処理室と、該プラズマ処理室内に設置された被処理基体支持手段と、該プラズマ処理室内への処理用ガス導入手段と、該プラズマ処理室内を真空排気する排気手段と、該マイクロ波透過窓を透して該プラズマ処理室へマイクロ波を導入する複数のスロットを有する平板状マイクロ波導入手段とで構成されるプラズマ処理装置であって、該マイクロ波透過窓と該基体支持手段の間に、該基体表面から貫通孔を通して該マイクロ波透過窓が見えないように、斜めに複数の貫通孔が形成された、真空紫外光を透過しない材料で造られた平板状遮光板を設けることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いエッチングレートを有しエッチング後の表面のイオン損傷を防止するエッチング装置を提供する。
【解決手段】気密状態を保持する第１のエッチング処理室１と第２のエッチング処理室９とがゲートバルブ８を介して連結されている。第１のエッチング処理室１では高密度プラズマによるエッチングが基板６に対して行われ、この基板６はゲートバルブ８を通って第２のエッチング処理室９に移動する。第２のエッチング処理室９では、光エッチングが基板１６に対して行われる。 （もっと読む）

【課題】 真空プラズマ装置の反応処理室、排気系、処理ガス供給系で使用されているステンレス等の金属部材とガス種との接触部位における発熱反応を抑制し、部材の異常昇温を防止することを目的とする。
【解決手段】 アルミニウム又は金属フッ化物の不動態にて、ガスとの接触部分を被覆し、発熱反応種と金属材料との接触を遮断する。 （もっと読む）

タングステン系膜を含む基板にプラズマ処理を施す基板処理装置における処理室をクリーニングするにあたり、プラズマ処理後、大気開放することなく処理室内にＯ_２を含むガスを導入し、このガスのプラズマを形成して処理室をクリーニングする。 （もっと読む）

処理室に被処理基板を収容し、前記被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置の処理室を清浄化するにあたり、処理室内に酸素を含むガスのプラズマを形成する工程と、処理室内に窒素を含むガスのプラズマを形成する工程とを交互に実施する。 （もっと読む）

処理すべき半導体ウエハを含む隣接の処理室内に流れるガスを分配するためのバッフル板アセンブリは、複数の開口を有する平坦なガス分配部分と；このガス分配部分を取り囲むフランジと；キャップ、及び前記ガス分配部分と熱接触しているステムを有して、前記ガス分配部分の中央に取り付けられる衝突装置とを含む。また、バッフル板アセンブリを用いるプラズマリアクターと、プラズマ内で種の再結合を減少させるための方法が開示されている。
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本発明は、蒸着／エッチング交互処理によりプラズマエッチングする場合、基体上にＳＯＩ構造体を形成する際に観察されるノッチングを、カソードへ印加されるＲＦバイアスを変調することにより減少するか又は無くすための方法及び装置を与える。カソードへのバイアス電圧への変調は、蒸着／エッチング交互処理の間に、少なくとも二つの周波数の間で別々に行うか、又は連続的に行われる。
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【課題】シリコン基板に異方性エッチングにより深さが大きい凹部を形成するための、簡便な方法およびプラズマエッチングシステムの使用方法を提供する。
【解決手段】反応性エッチングガスをエネルギー励起するためにプラズマを用いる。反応性エッチングガスは、連続的に流れるガスフローの成分である。凹部は、エッチング時に、上記ガスフローを中断することなく少なくとも５０マイクロメートルの深さに形成される。その結果、深さの大きい凹部を製造するための簡便な方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】低誘電率材料で使用するための、酸素および窒素を含有しないプラズマを生成する装置および処理方法の改善すること。
【解決手段】軸流ダウンストリーム型プラズマ装置１０は、配ガス部１２、プラズマ生成部１４、処理チャンバー１６、および排気アンセブリー１８からなる。処理チャンバー１６は、その入口付近にバッフル板アセンブリーを含み、バッフル板アセンブリーは、略平板状の下側バッフル板１０４および下側バッフル板１０４の上方に固定された略平板状の上側バッフル板１０２を含んでおり、下側バッフル板１０２は、中心軸回りに半径方向に配置された複数の開口部を含むと共に、複数の開口部それぞれの寸法は、下側バッフル板の中心軸から外縁部へと増大し、かつ、バッフル板アセンブリーは、基板１１０に対して略平行に配置されている。 （もっと読む）

低ｋ誘電体を含む基板から有機材料を取り除くためのプラズマアッシング装置は、第１ガス源と、この第１ガス源に流体連通するプラズマ発生コンポーネントと、前記プラズマ発生コンポーネントと流体連通し、第２ガス源のための入口を有する排気導管と、前記排気導管に結合され、前記入口が処理室とアフターバーナーアセンブリの中間に配置されるアフターバーナーアセンブリと、前記排気導管に結合し、アフターバーナーアセンブリのプラズマ放電領域内に焦点合わせされる集束光学系を含む光学検出システムとを含む。酸素と窒素を含有しないプラズマ処理のためのエンドポイント検出方法が、プラズマアッシング装置の排気導管内で励起した種をアフターバーナーの工学的放出信号を監視することを含んでいる。この方法と装置は、炭素および／または水素を有する低ｋ誘電体材料を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）