【課題】 メンテサイクルの低下やプラズマの分布に影響を与えることなくウエハの位置ずれや脱落を防止する。
【解決手段】 半導体ウエハ１０６を処理可能な処理室１０１と、処理室内において半導体ウエハを載置するとともに半導体ウエハを保持する静電チャック１０５を設けた半導体ウエハ載置台と、半導体ウエハを半導体ウエハ載置台上の搬送位置へ移動させるためのウエハリフトピン１０９とを備え、半導体ウエハ載置台における半導体ウエハを載置する領域より外側に、半導体ウエハを位置決めできる昇降自在のガイドピン１１１を少なくとも２つ以上有する。ウエハのプロセス処理終了後、ガイドピンをウエハを囲むように突き出させ、ウエハを静電チャックから離脱させる際に起こる跳ねによる位置ずれや脱落を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】大型のＦＰＤ基板の搬送室内における位置ずれや欠けなどの異常を確実に検出できる基板処理装置および基板の異常検出方法を提供する。
【解決手段】搬送装置のスライドピック５１３に基板Ｓを載置し、搬送室２０内からゲート開口２２ｄを介してプロセスチャンバへ搬入する際に、左右に配備された一対のセンサ７０，７０によって基板Ｓの両端部近傍の破線Ａ，Ｂで示す部位に光線を照射し、その反射率または透過率から、基板Ｓの位置ずれや欠陥などの検出を行う。 （もっと読む）

【課題】 基板の大型化に対応しつつ、異なるサイズの基板に対応可能な常圧プラズマ処理装置のステージ構造を提供する。
【解決手段】 常圧プラズマ処理装置Ｍのステージ２０のステージ本体２１の上面を金属からなる基板設置面とする。このステージ本体２１の側部に継ぎ足し部材３１を設け、その上面を金属からなる基板設置面とする。継ぎ足し部材３１は、継ぎ足し部材進退機構３２によって継ぎ足し位置と退避位置との間で進退される。継ぎ足し位置の継ぎ足し部材３１の上面は、ステージ本体２１の上面と面一になり、ステージ本体２１の縁に添えられる。退避位置の継ぎ足し部材３１は、継ぎ足し位置から下に離れる。 （もっと読む）

【課題】 半導体処理装置におけるラジカルが過剰となるのを抑制し、半導体処理装置の部材の腐食やウェハのデバイス面における不要なエッチングを防止する半導体処理装置部材およびそれを備えた半導体処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体処理装置は、処理室２内に設けられた各部材、すなわち、ガス導入口８、内壁２ａ、シャワーノズル１７、ステージ３、排気口５を、蒸着あるいは電気めっき等の方法でニッケルを含む材料で覆ったものである。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、且つパーティクルの発生の少ない半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明のウェハ保持体は、発熱体および高周波電極を埋設したセラミックス製のウェハ保持体であって、前記セラミックス中に埋設された高周波電極の直径が、高周波電極に対向する上部高周波電極の直径よりも大きいことを特徴とする。前記セラミックスの主成分は、窒化アルミニウムであることが好ましく、また、前記高周波電極が、膜形状であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ等の基材の外周部の不要物を反応性ガスにて除去する際、反応効率を向上させ、ガス所要量を低減する。
【解決手段】
基材Ｗの外周部を、ガス案内部材３０の差し込み口３０ｂに差し込み、差し込み口３０ｂの奥に形成された案内路３０ａに位置させる。案内路３０ａは、基材Ｗの外周部を包むようにして周方向に延びている。この案内路３０ａに不要物除去のための反応性ガスを導入し、案内路３０ａの延び方向すなわち基材Ｗの外周部に沿って流す。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハを対象として、安定した均一なプラズマ処理をコンパクト・安価な構成で実現することを目的とする。
【解決手段】処置室１０内に半導体ウェハ８を搬入してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、半導体ウェハ８を載置してプラズマ放電を発生させる電極部６を、半導体ウェハ８を保持する２列のガイド部７の間で昇降自在に配設された板状の昇降体１４に、電極部６を上下に貫通して昇降自在に配設された昇降ロッド１５を連結し、昇降ロッド１５を圧縮ばね２３によって下方に付勢した構成を採用する。これにより処理室１０内の減圧時に昇降ロッド１５と昇降体１４とをともに圧力差により上昇させて、昇降体１４が半導体ウェハ８の下面に近接した状態でプラズマ処理を行うことができ、均一なプラズマ処理を安定して行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、稼働時間カウント値Ｔが交換稼働時間Ｔｅに達している場合、第１搬送アームのピックを真空状態のＰ／Ｃ内の空のピック載置台上に載置する。次いで、第１コイル電源をＯＮ状態にして第１搬送アームのコイルに電圧を印加して、第１搬送アームのコイルに磁力を発生させ、第１搬送アームの第３腕部においてこの磁力により磁性体が引っ張られて移動し、ピックが第１搬送アームから取り外し可能な状態になる。次いで、第１搬送アームを動かして第３腕部からピックを取り外し、第３腕部に対してこの新しいピックの位置決めを行い、コイル電源をＯＦＦ状態にしてこの新しいピックを第１搬送アームに固定する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、ウェハホルダを保護しながらクリーニング効果の向上を図る。
【解決手段】 処理チャンバと、処理チャンバ内に設けた基板ホルダ８と、高周波電源９と、処理ガス供給手段と、処理チャンバ内部のプラズマ発光の波長毎の発光強度を取得する分光器１２と、自動制御手段とを設けた半導体製造装置であって、処理チャンバ内のクリーニング時に、基板ホルダ８上に、シリコンおよびアルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハ１４を設置し、クリーニング中のプラズマ発光状態を分光器により検出し、分光器が検出したプラズマの各発光強度の微分値が０となった時点をクリーニングの終点とし、自動制御手段に設定された時間の間オーバークリーニングを施した後、高周波電源、流量制御手段に停止してクリーニングを終了する。 （もっと読む）

【課題】 支持した被処理ウエハーの温度分布を均一にする半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。 （もっと読む）

処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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【課題】 パーティクルやダストがウエハの裏面に付着し難いようにしたエッチング装置を提供する。
【解決手段】 本エッチング装置は、ウエハを上面で支持して、下部ステージを貫通して昇降するウエハ支持板３０と、ウエハ支持板を昇降させる昇降機構とを備え、ウエハ支持板の上面にウエハを載せ、次いでウエハを載せたウエハ支持板を昇降機構により一旦押し上げ、次いで下降して、下部ステージのウエハ載置面にウエハを載置し、ウエハにドライエッチング処理を施す。ウエハ支持板３０は、ウエハを先端で支持する高さ２ｍｍの５個の突起部３２を、ウエハ支持板３０の上面に等間隔に離隔して有する。 （もっと読む）